JPH06130682A - 発生層製造用の活性バインダ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 改良された機械的並びに接着特性を有し、か
つより効率的な電荷注入を可能とする、電子写真像形成
部材で使用するための感光体を提供することを目的とす
る。 【構成】 電荷発生層と電荷輸送層とを含み、該電荷発
生層が電荷輸送重合体バインダ中に分散された電荷発生
顔料粒子を含み、かつ該電荷発生顔料粒子が、少なくと
も該電荷輸送重合体バインダのイオン化電位と同程度の
大きさのイオン化電位を有することを特徴とする電子写
真で使用するための感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真部材で使用する
ための電荷発生層の製造法に関するものである。本発明
の電荷発生層は改善された機械的並びに接着性を有し、
かつ電荷注入においてより効果的である。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術においては、導電性層上に
光伝導性絶縁性層を含む電子写真板上に、先ず該光伝導
性絶縁性層の表面を均一に静電的に帯電させることによ
り画像を形成する。次いで、この電子写真板を活性化電
磁輻射、例えば光のパターンに暴露する。この輻射は該
光伝導性絶縁性層の照射領域における該電荷を選択的に
消散させて、該絶縁性層上の非−照射領域内に静電潜像
を残す。この静電潜像を、該光伝導性絶縁性層の表面上
に微粉砕された静電トナー粒子を付着させることにより
現像して、可視像を得ることができる。次に、この生成
した可視トナー像を適当な受像物質、例えば紙に転写す
る。再利用可能な光伝導性絶縁性層がこの像形成工程を
繰り返すことを可能とする。電荷担体を光電発生し、か
つ該電荷を表面に導く積層材料の組み合わせは、全体と
して感光体または光伝導体と呼ばれている。より進ん
だ、高速電子写真複写機、複製機およびプリンターの開
発は、像形成サイクル中の像の性能の劣化を伴ってい
た。更に、高速度で稼働する複雑な、高度に精巧な複製
並びにプリントシステムは、感光体に対して狭い動作限
界を含む苛酷な要求を提示した。例えば、多くの現代的
な光伝導性像形成部材に見られる多数の層は著しく可撓
性であり、隣接層に対して密着性であり、かつ狭い動作
限界内で予想可能な電気特性を示し、数千回のサイクル
に渡り許容されるトナー像を与えるものでなければなら
ない。

【０００３】更に、長い耐用寿命が小型の像形成機械に
適した可撓性の多層感光体から要請され、該小型像形成
機械は限られた空間内に押し込められた多層感光体ベル
ト用の小径の支持ローラーを使用する。小径の支持ロー
ラーはコピー用紙剥離システムをより単純化しかつより
信頼性の高いものとする。コピー用紙剥離システムは紙
ビーム強度(paper beam strength) を使用して、トナー
像の転写後にコピー用紙を多層感光体ベルトから取り外
す。しかし、小径のローラー、例えば径約0.75インチ(1
9mm)未満のローラーの使用はしばしば多層感光体ベルト
材料の自然な機械的故障に導く。電子写真像形成システ
ムでベルトとして使用される一つの型の多層感光体は支
持体、導電性層、電荷遮断層、電荷発生層、および電荷
輸送層を含む。この電荷輸送層は重合体膜形成性バイン
ダ中に分散または溶解された小さな活性分子を含むこと
ができる。一般に、この電荷輸送層中の重合体膜形成性
バインダはそれ自体電気的に不活性であり、かつその電
荷が該分子上に注入された場合にのみ電気的に活性とな
るに過ぎない。「電気的に活性な」物質が該電荷輸送層
内に存在する場合、該物質は該電荷発生（即ち、光電発
生）層中の物質から光電発生した電荷担体の注入を維持
することができ、かつ該物質を介して輸送されるこれら
電荷担体が該活性層上の表面電荷を放電することを可能
とする。この電荷発生層内の「電気的に活性な」物質
は、該電荷発生層を介する電荷担体の輸送に関与でき
る。多層感光体は、またアンチカール裏打ち層、接着層
および上塗り層をも含むことができる。

【０００４】多層感光体において、該電荷発生層は、一
般にバインダ中に分散された光活性顔料を含む。この顔
料の配合率が高い、即ち30体積％を越え、かつ顔料粒子
間に接触がある場合には、該バインダは「不活性」また
は非−電荷輸送性のものであり得る。光電発生した遊離
の電荷は１個の顔料粒子から次の粒子へと、該輸送層内
に注入されるまで移動できる。低い、即ち30体積％未満
の顔料配合率の電荷発生層の場合、該電荷発生層形成組
成物の顔料を含まない部分は輸送性であるべきである。
この顔料を含まない部分を輸送性とするための２つの一
般的な方法がある。非電荷輸送性のバインダ中に電荷輸
送性分子を分散させて、固溶体を形成してその顔料を含
まない部分を輸送性とする。これとは別に、電荷輸送性
重合体バインダ、例えばポリ-N- ビニルカルバゾール(P
VK) を使用することができる。しかし、PVK は低い機械
的特性をもちしかも低接着性である等の他の物理的制限
がある。その上、比較的高いPVKのイオン化電位は該顔
料から光電発生した正孔の注入を制限する。この制限さ
れた注入はこのデバイスの感度を低下する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
写真像形成部材の電荷発生層中に電荷輸送性重合体バイ
ンダを使用して、電子写真像を形成する方法を提供する
ことにある。本発明のもう一つの目的は、電荷発生層中
で使用する顔料のイオン化電位と適合するイオン化電位
を有する電荷輸送性重合体を使用する方法を提供するこ
とにある。この方法は該顔料から該光電発生層への電荷
担体のより効率的な注入を可能とする。本発明の別の目
的は、電荷発生層中のバインダとして電荷輸送性重合体
バインダを使用する方法を提供することにあり、ここで
該電荷輸送性重合体バインダは該電荷輸送層中に存在す
る電荷輸送性重合体のイオン化電位に調和するように工
夫されたイオン化電位を有する。他の本発明の目的は、
電荷輸送重合体バインダを使用して電子写真像を形成す
る方法を提供することにあり、該バインダは電子写真像
形成部材中に存在する層の界面における効率損失を減ず
る。更に別の本発明の目的は、環境上望ましからぬ溶媒
の使用を必要としないバインダを使用した、電荷発生層
の調製法を提供することにある。本発明の更なる目的
は、電荷発生層とその隣接層との間の接着性を改良する
方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】これらの並びに他の本発
明の目的は電荷発生層中に光電発生電荷担体を含む電子
写真デバイスの製造により達成され、該電荷発生層は電
荷輸送重合体バインダ内に分散された電荷発生顔料粒子
を含み、かつ該電荷発生顔料粒子のイオン化電位は該電
荷輸送重合体バインダのイオン化電位と実質的に同一ま
たはそれよりも大きい。本発明において有用な該発生層
の重合体バインダは以下の式により表されるポリマー、
コポリマーおよびターポリマーである： -[-O-Ar-N(Ar')-Z-[-N(Ar')-Ar-] _m -O-B-(-O-M-) _p -]_n - ここで、ｎは約５〜約5000の範囲内の値であり、ｍは０
または１であり、ｐは０または１であり、Ｚは以下に示
す基：

【０００７】

【化１】

【０００８】およびAr[X] _n Ar（ここで、ｎは０または
１である）からなる群から選ばれる基を表し、Arは以下
の基：

【０００９】

【化２】

【００１０】からなる群から選ばれる基を表し、Ｒは-C
H₃、-C₂H₅ 、-C₃H₇ および-C₄H₉ からなる群から選ばれ
る基を表し、Ar' は以下の基：

【００１１】

【化３】

【００１２】からなる群から選ばれる基を表し、Ｘは以
下の基：

【００１３】

【化４】

【００１４】（ここで、ｓは０、１または２を表す）か
らなる群から選ばれる基を表し、Ｂは縮合型のポリマー
において有用な結合基から選択され、かつ以下の式の何
れかにより表すことができ： -CO-X'-O-CO-（式２）、-CO-（式３）、-CO-NH-X'-NH-C
O-（式４）、-CO-X''-CO- （式５）、-CH₂-CH(OR)-CH₂-
（式６） （ここで、X'は２〜10個の炭素原子を有するアルキレン
およびイソアルキレン基からなる群から選ばれるアルキ
レン基である）、ｙは１、２または３であり、ＲはＨま
たは炭素原子数１〜３のアルキル基であり、X'' は二官
能性結合基、例えばアルキレン、アリーレン、置換アル
キレン、置換アリーレンおよびエーテルセグメントから
なる群から選ばれる基を表し（一般に、該エーテル、ア
ルキレンおよび置換アルキレン二官能性結合基は１〜25
個の炭素原子を含む）、ジヒドロキシジフェニレン化合
物由来のＭは以下の式： -Ar-(-X-) _n -Ar- （ｎは０または１であり、ArおよびＸは上記定義通りで
ある）で表される。本発明の縮合ポリマーは以下の式で
表されるジヒドロキシアリールアミン化合物： HO-Ar-N(Ar')-Z-[-N(Ar')-Ar-]_m -OH （ここで、ｍは０または１であり、Ar、Ar' およびＺは
上記定義通りである）および以下の式で表されるジヒド
ロキシジフェニレン化合物： HO-Ar-(-X-) _n -Ar-OH （ここで、ｎは０または１であり、ArおよびＸは上記定
義通りである）と、上記式２〜６で表される結合基を形
成する共反応体化合物とを反応させることにより調製で
きる。

【００１５】本発明において有用なポリエーテルカーボ
ネートは米国特許第4,806,443 号に記載されているよう
な方法を利用して調製できる。本発明に含まれるポリエ
ステルは米国特許第5,030,532 号に記載されているよう
な方法を利用して調製できる。本発明に含まれるポリカ
ーボネートは米国特許第5,028,687 号に記載されている
ような方法を利用して調製できる。本発明に含まれるポ
リウレタンは1991年11月25日付けで出願された米国特許
出願第798,308 号に記載されているような方法を利用し
て調製できる。本発明に含まれるフェノキシ型のポリマ
ーは米国特許第4,956,440 号に記載されているような方
法を利用して調製できる。米国特許第4,806,443 号、同
第4,956,440 号および同第5,028,687 号を本発明の参考
文献とする。上記式で表されるヒドロキシアリールアミ
ン化合物は、アルコキシアリールアミンを加水分解する
ことにより調製できる。典型的な方法は、シュトルカ(S
tolka)等の米国特許第4,588,666 号の実施例１に記載さ
れている。ヒドロキシアリールアミン化合物に対する上
記式により表される典型的な化合物は以下の式で示され
る化合物を包含する：

【００１６】

【化５】

【００１７】上記式２で表される結合基は以下の式で表
されるビス−クロロホルメート化合物： Cl-CO-(-X'-O-)_y -CO-Cl （X'は炭素原子数２〜10のアルキレンおよびイソアルキ
レン基からなる群から選ばれるアルキレン基であり、ｙ
は１、２または３である）から形成される。該グリコー
ルクロロホルメート化合物に対する上記式により表され
る典型的な化合物は以下に例示する化合物を包含する：
Cl-CO-O-CH₂CH₂-O-CO-Cl（エチレングリコールビスクロ
ロホルメート）；Cl-CO-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-CO-Cl
（ジエチレングリコールビスクロロホルメート）；Cl-C
O-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-CO-Cl（トリエチレン
グリコールビスクロロホルメート）；Cl-CO-O-CH₂CH(CH
₃)-O-CO-Cl（プロピレングリコールビスクロロホルメー
ト）；Cl-CO-O-(p-Ph)-CH(CH₃)₂-(p-Ph)-O-CO-Cl（ここ
で、-(p-Ph)-はp-フェニレン基を表す：ビスフェノール
−Ａ−ビスクロロホルメート）。上記式３で表される結
合基はホスゲンまたはホスゲン放出化合物から形成され
る。上記式４で表される結合基は式: O=C=N-X'-N=C=Oで
表されるビスイソシアネート化合物（ここで、X'は炭素
原子数２〜10のアルキレンおよびイソアルキレン基から
なる群から選ばれるアルキレン基である）から形成され
る。該ジイソシアネート化合物に対する上記式によって
示される典型的な化合物は以下に例示する化合物を包含
する：O=C=N-CH₂CH₂-N=C=O（ジイソシアナトエタン）；
O=C=N-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-N=C=O（ジエチレングリコール
ジイソシアネート）；O=C=N-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂
-N=C=O（トリエチレングリコールジイソシアネート）；

【００１８】

【化６】

【００１９】上記式５で示される結合基は式: Cl-CO-
X''-CO-Cl （ここで、X'' は二官能性の結合基、例えば
アルキレン、アリーレン、置換アルキレン、置換アリー
レンおよびエーテルセグメントからなる群から選ばれる
基である）で示される二酸クロリド化合物から形成され
る。一般に、該エーテル、アルキレンおよび置換アルキ
レン二官能性結合基は１〜25個の炭素原子を含む。置換
または未置換アルキレン基の代表的例は約１〜約25個、
好ましくは１〜約10個の炭素原子を含むもの、例えばメ
チレン、ジメチレン、トリメチレン、テトラメチレン、
2,2'- ジメチルトリメチレン、ペンタメチレン、ヘキサ
メチレン、ヘプタメチレン等を包含する。

【００２０】

【化７】

【００２１】上記式６で示される結合基は以下の式：

【００２２】

【化８】

【００２３】で示されるジグリシジル化合物から形成さ
れる。上記式において、Arは

【００２４】

【化９】

【００２５】からなる群から選ばれる基であり、Ｒは-C
H₃、-C₂H₅ 、-C₃H₇ および-C₄H₉ からなる群から選ばれ
る基を表し、Ｘは

【００２６】

【化１０】

【００２７】からなる群から選ばれる基を表し、ｓは
０、１または２である。ジグリシジルジフェニレン化合
物に対する上記式により表される典型的な化合物は以下
に列挙する化合物を包含する。

【００２８】

【化１１】

【００２９】本発明において有用な特定のポリマーおよ
びコポリマーの例はN,N'- ジフェニル-N,N'-ビス（3-ヒ
ドロキシフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'- ジアミン
とジエチレングリコールビスクロロホルメートとの反応
生成物、およびN,N'- ジフェニル-N,N'-ビス（3-ヒドロ
キシフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'- ジアミンとビ
スフェノールＡとの混合物とジエチレングリコールビス
クロロホルメートとの反応生成物を包含する。ポリアリ
ールアミンモノマーは、電荷発生層内の顔料のイオン化
電位と適合するイオン化電位を有するポリマーを生成す
るように選択される。好ましくは、該ポリマーのイオン
化電位は約５eV〜約６eVの範囲内にある。より好ましく
は、該ポリマーのイオン化電位は約５eV〜約5.5 eVの範
囲内にある。該顔料のイオン化電位は、該電荷発生層の
電荷輸送ポリマーのイオン化電位と、該イオン化電位間
の差が約0.1 eV以下となるように、実質的に適合してい
ることが好ましい。より好ましくは、該電荷発生層内の
電荷輸送ポリマーと該電荷発生顔料との間のイオン化電
位における差は約0.05eV以下である。また、該電荷発生
層内の電荷輸送ポリマーと該電荷輸送層内の電荷輸送ポ
リマーとの間のイオン化電位における差は約0.1 eV以下
であることが好ましい。更に、該電荷発生層内の該電荷
輸送ポリマーが該電荷輸送層内の該電荷輸送ポリマーに
類似するか、あるいは実質的に同一であることが好まし
い。

【００３０】このイオン化電位("I _p ")は公知の方法で
決定できる。例えば、以下の経験式を使用することによ
り、電子受容体との電荷移動錯体の強度からI _p を決定
できる。 V(eV) = aI_p - b この式において、Ｖは最低エネルギー電荷移動帯のエネ
ルギーであり、またａおよびｂは該受容体の性質に依存
する定数である。E.M.ボイト(Voigt) およびC.ライド(R
eid)は、J. Am. Chem. Soc., 1964, 86, p. 3930に掲載
された論文にこの方法を記載している。電荷移動錯体の
吸収はアクセプタ例えばテトラシアノエチレンをもつド
ナーポリマーを溶媒例えば塩化メチレンに溶解した溶液
中で測定される。この方法で得られるI _p の値は近似値
であるが、この方法はI _p の相対的な値を測定する上で
有用である。周期的電位測定はI _p 値を測定するもう一
つの手段を提供する。これらの測定は、検査すべき物質
の溶液と標準プラチナ参考電極とを含む電気化学セル内
で行われる。周期的電位測定の結果は特性酸化還元電位
を与え、これからI _p 値を決定することができる。外部
光電子放出はI _p 値を決定する第三の手段を与える。こ
の方法は3.4 〜6.2 eVのエネルギー範囲内の単色紫外光
で該物質のフィルムを照射する。光電子放出は格子状エ
アーカウンタ(gridded air counter) により検出され
る。この方法はH.キリヘタ(Kiriheta)およびM.ウダ(Ud
a) のRev. of Sci. Instr., 1981, 52,p. 68に掲載され
た論文に記載されている。光源の特性波長において、原
子価帯からの電子が励起され、かつ該フィルムの外部空
間に放出される。そこで、光電子放出が測定される。こ
の方法は一般には真空中で実施されるが、周囲大気中で
実施することも可能である。

【００３１】本発明の好ましい物質のイオン化電位は、
低エネルギー光電子を空気中に放出する技術により検出
される。測定されるイオン化電位は典型的には約5.2 eV
〜約5.7 eVの範囲内にある。好ましい物質は約5.2 eV〜
約5.5 eVの範囲内のイオン化電位を有する。本発明にお
いて使用可能な有機光電発生顔料粒子は種々のフタロシ
アニン顔料を含むことができる。例えば、X-型の金属を
含まないフタロシアニン類、バナジルフタロシアニンお
よび銅フタロシアニン、およびデュポン(DuPont)社から
商品名モナストラルレッド(Monastral Red（商標））お
よびバットオレンジ３(Vat Orange 3(商標))の下で入手
できるキナクリドン類がジブロモアンスロン顔料の商品
名である。米国特許第3,442,781 号はベンズイミダゾー
ルペリレンおよび置換3,4-ジアミノトリアジン類を開示
している。アライドケミカル社(Allied Chemical Corpo
ration) はインドファーストダブルスカーレット(Indof
ast Double Scarlet: 商標）、インドファーストバイオ
レットレーキＢ(Indofast Violet LakeB:商標）、イン
ドファーストブリリアントスカーレット(Indofast Bril
liant Scarlet:商標）およびインドファーストオレンジ
(Indofast Orange: 商標）なる商品名の下で多核芳香族
キノン類を市販している。好ましくは、本発明で使用す
る顔料粒子は該電荷発生層内の電荷発生ポリマーのイオ
ン化電位と実質的に一致するか、あるいはこれよりも大
きなイオン化電位を有する。三方晶形セレン、ベンズイ
ミダゾールペリレン、クロロインジウムフタロシアニ
ン、X-型の金属を含まないフタロシアニン、バナジルフ
タロシアニン、チタニルフタロシアニン、およびジブロ
モアンスラアンスロンが本発明において有用な顔料であ
る。

【００３２】電子写真像形成部材の光注入効率を測定す
る幾つかの手段が存在する。通常の技術は光−誘起放電
特性(Photo-Induced Discharge Characteristics (PID
C))の分析によるものである。この方法において、測定
用のデバイスは、シャフト上で回転する円筒状のアルミ
ニウムドラム上に搭載される。このデバイスは該ドラム
の周囲に沿って配置されたコロトロンにより帯電され
る。この表面電位は、該シャフトの回りの異なる位置に
配置された数個の容量結合されたプローブにより時間の
関数として測定される。これらのプローブは該ドラム基
体に既知の電位を印加することにより較正される。この
デバイスは該ドラムの回りの適当な位置に配置された光
源により露光されかつ消去される。この測定は一定の電
流または電圧モードで、該光伝導デバイスを帯電させる
ことにからなる。該ドラムを回転しながら、初期帯電電
位をプローブ１により測定する。該ドラムが更に回転す
ると、露光ステーションに導かれ、そこで該光伝導デバ
イスは既知の強度の単色光輻射に暴露される。この暴露
後に、該表面電位をプローブ２および３により測定す
る。このデバイスは最後に適当な強度の消去ランプに暴
露され、かつあらゆる残留電位をプローブ４により測定
する。次のサイクル中自動的に変更される暴露強度を使
用して、この方法を繰り返す。暴露の関数としてプロー
ブ２および３における電位をプロットすることによりPI
DCが得られる。このPIDCの傾きが該顔料内の光電発生効
率および該顔料からその回りの環境への光注入効率の尺
度となる。

【００３３】本発明の電子写真像形成部材を作成する１
手段は、導電性表面を有する基板上に電荷遮断層を堆積
することから始める。次いで、該遮断層上に電荷発生層
を堆積し、次に該電荷発生層上に電荷輸送層を堆積す
る。これとは別に、該輸送層を該導電性表面に適用し、
その後該電荷発生層を該輸送層上に適用する。不透明な
または実質的に透明な基板を使用できる。この基板は導
電性または非導電性の、無機または有機材料の層を含む
ことができる。この基板は剛性または可撓性の何れであ
ってもよく、また例えば円筒、シート、スクロール(scr
oll)、無端可撓ベルト等の形状に形成されていてもよ
い。好ましい基板はマイラー(Mylar: 商標）として公知
のICI 二軸延伸ポリエステル製の無端可撓ベルトであ
る。基板として有用な非導電性材料はポリエステル類、
ポリカーボネート類、ポリアミド類、ポリウレタン類等
を包含する。該基板層の平均の厚みは、経済的な考察を
含む種々のファクタに依存する。可撓性ベルト基板はか
なりの厚み、例えば約200 μｍを越える厚みのものであ
り得る。また、この基板は最低の厚み、即ち約50μｍ未
満のものであってもよいが、その厚みは該電子写真像形
成部材に悪影響を与えるものであってはならない。可撓
性ベルト基板の１態様において、平均の基板層の厚みは
約65μｍ〜約150 μｍの範囲内にある。好ましくは、小
径のローラー、例えば径19mmのローラーの回りを輪回す
る場合に、最適の可撓性および最小の伸びを得るために
は、該基板は約75μｍ〜約125 μｍの範囲内の厚みを有
する。該基板層の表面を好ましくは被覆前に清浄化し
て、該導電性表面層のより高い接着性を確保する。この
清浄化は該基板層の表面をプラズマ放電、イオン衝撃等
に暴露することにより実施する。

【００３４】この導電性表面層の厚みは該電子写真像形
成部材にとって望ましい可撓性および光学的透明度に依
存して広範囲に渡り変えることができる。従って、可撓
性の電子写真像形成部材が所望される場合には、好まし
い導電性、可撓性および光透過性の組み合わせに対し
て、該導電性表面層の厚みは好ましくは約20オングスト
ローム単位〜約750 オングストローム単位、より好まし
くは約50オングストローム単位〜約200 オングストロー
ム単位の範囲内であり得る。該導電性表面層は金属層で
あり得る。この目的で使用する典型的な金属はアルミニ
ウム、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム、
ハフニウム、チタン、ニッケル、ステンレススチール、
クロム、タングステン、モリブデン等を含む。有用な金
属合金はジルコニウム、ニオブ、タンタル、バナジウ
ム、ハフニウム、チタン、ニッケル、ステンレススチー
ル、クロム、タングステン、モリブデン等のうちの２ま
たはそれ以上を含むことができる。該金属層を形成する
のに使用した方法とは無関係に、空気に曝した場合に、
多くの金属はその外部表面上に金属酸化物の薄い層を形
成する。従って、導電性金属表面層の他の上塗り層が
「隣接」層として記載されている場合には、該上塗り隣
接層は薄い金属酸化物層と接している可能性がある。電
気的挙動を改善するために、この金属酸化物層は約0.03
μｍ〜約0.06μｍの範囲内の平均の厚みをもつことが好
ましい。

【００３５】後方からの消去を必要とする構成において
は、該導電性層はこれに入射された光の少なくとも約15
％を透過する必要がある。この導電性表面層は非金属で
あり得、例えばプラスチックバインダ（不透明）中に分
散されたインジウム−錫酸化物（約4000オングストロー
ム〜約7000オングストロームの範囲内で透明である）お
よびカーボンブラックを導電性層の製造に利用できる。
導電性表面層を堆積した後、正孔遮断層を適用できる。
一般に、正に帯電した感光体に対する電子遮断層は、該
感光体の像形成表面からの正孔を該導電性層に向かって
移動することを可能とする。隣接する電子写真像形成部
材層と該下塗り導電性層との間に正孔に対する電子バリ
ヤーを形成し得る任意の適当な遮断層を使用することが
できる。典型的な遮断層は、有機金属塩を含むポリビニ
ルブチラール、オルガノシラン類、エポキシ樹脂類、ポ
リエステル類、ポリアミド類、ポリウレタン類、ピロキ
シリンビニリデンクロリド樹脂、シリコーン樹脂類、フ
ルオロカーボン樹脂類等を包含する。他の遮断層用材料
は、窒素原子含有シロキサン類または窒素原子含有化合
物、例えば米国特許第4,291,110 号、同第4,338,387
号、同第4,286,033 号および同第4,291,110 号に記載さ
れているようなトリメトキシシリルプロピレンジアミ
ン、加水分解したトリメトキシシリルプロピルエチレン
ジアミン、N-β-(アミノエチル)-γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、イソプロピル-4- アミノベンゼンス
ルホニル、イソプロピル−ジ-(4-アミノベンゾイル）イ
ソステアロイルチタネート、イソプロピル−トリ-(N-エ
チルアミノ−エチルアミノ）チタネート、イソプロピル
トリアンスラニルチタネート、イソプロピル−トリ-(N,
N-ジメチルエチルアミノ）チタネート、チタン-4- アミ
ノベンゼンスルホナトオキシアセテート、チタン4-アミ
ノベンゾエート−イソステアレート−オキシアセテー
ト、[H₂N(CH₂)₄]CH₃Si(OCH₃)₂ （γ−アミノブチル）メ
チルジエトキシシラン、および[H₂N(CH₂)₃]CH₃Si(OCH₃)
₂(γ−アミノプロピル）メチルジエトキシシランを包含
する。この遮断層は加水分解シランと酸化性の（金属）
導電性表面層の外面に形成された薄い金属酸化物層との
間の反応生成物を含むことができる。この組み合わせは
低R.H.における電気的な安定性を高める。該加水分解さ
れたシランは以下のような一般式を有するもの：

【００３６】

【化１２】

【００３７】あるいはその混合物であり、該一般式にお
いてR₁は１〜20個の炭素原子を含むアルキリデン基であ
り、R₂、R₃およびR₇はそれぞれ独立にＨ、炭素原子数１
〜３の低級アルキル基およびフェニル基からなる群から
選ばれる基であり、Ｘは酸または酸性塩由来のアニオン
であり、ｎは１、２、３または４であり、かつｙは１、
２、３または４である。本発明の電子写真像形成部材作
成の次工程は、該金属酸化物層の、pH４〜約10の加水分
解アミノシラン水性溶液による被覆である。この被覆層
を乾燥して、シロキサンフィルムを形成する。次いで、
接着層を該層上に堆積し、次いで電気的動作層、例えば
光電発生層および電荷輸送層を堆積する。該遮断層は連
続であるべきであり、かつ通常は約0.5 μｍ未満の平均
厚みを有する。これより厚みが大きいと、不当に高い残
留電位を生ずる傾向を示す。約0.005 μｍ〜約0.3 μｍ
（50オングストローム〜3000オングストローム）の範囲
内の厚みの遮断層は該電子写真像形成部材の光照射後の
電荷の中和を簡単化し、かつ電気的性能を改善する。こ
の遮断層は任意の適当な技術、例えば吹き付け、浸漬塗
布、ドローバー塗布(draw bar coating)、グラビア塗
布、シルクスクリーン印刷、エアーナイフ塗布、リバー
スロール塗布、真空蒸着、化学処理等により適用でき
る。薄層を有利に得るためには、該遮断層を希薄溶液と
して塗布することが好ましい。被覆層を堆積した後に溶
媒を、例えば真空処理、加熱等の方法により除去する。
一般に、約0.05:100〜約0.5:100 の範囲内の遮断層用材
料対溶媒の重量比が吹き付け塗布に対して適している。
適当なシロキサン被覆は米国特許第4,464,450 号に記載
されている。この特許を本発明の参考文献とする。

【００３８】接着層をこの正孔遮断層上に適用できる。
典型的な接着層の材料は、ポリエステル樹脂、例えばビ
テル(Vitel) PE-100（商標）、ビテルPE-200（商標）、
ビテルPE-200D(商標）およびビテルPE-222（商標)(これ
らは全てグッドイヤータイヤ＆ラバー社(Goodyear Tire
and Rubber Co.)から入手できる）、ポリビニルブチラ
ール、デュポン(duPont)49,000ポリエステル等を包含す
る。接着層は連続であり、かつ好ましくは約200 μｍ〜
約900 μｍ、より好ましくは約400 μｍ〜約700 μｍの
範囲内の乾燥平均膜厚をもつべきである。溶媒、例えば
テトラヒドロフラン、トルエン、塩化メチレン、シクロ
ヘキサノンおよびその混合物等の中に接着剤を溶解する
ことにより、塗布溶液を調製できる。グラビア塗布は乾
燥膜厚約900 オングストローム以下の連続接着層を生成
する。グラビア塗布法において、好ましい固形分濃度は
樹脂および溶媒の該塗布混合物全重量を基準として約２
〜約５重量％の範囲内である。他の有用な方法は、吹き
付け、浸漬塗布、ロール塗布、線巻バー塗布等を含む。
適当な技術、例えばオーブン乾燥、赤外線照射、または
風乾等によって該堆積した皮膜を乾燥することができ
る。

【００３９】電荷輸送重合体バインダと光電発生顔料か
ら調製した電荷発生層は他の光電発生層組成物と共に使
用でき、かかる光伝導性層は該電荷発生層のスペクトル
応答特性の最適化を可能とする。米国特許第4,415,639
号（これを本発明の参考文献とする）はこの型の構成を
記載している。当分野で公知の任意の適当な電荷発生材
料を使用できる。光伝導性材料、例えばバナジルフタロ
シアニン、金属を含まないフタロシアニン、チタニルフ
タロシアニン、ベンズイミダゾールペリレン、三方晶形
セレンおよびその混合物を含有する粒子または層を含む
電荷発生バインダ層は、白色光に対する感度の観点から
特に好ましい。バナジルフタロシアニン、金属を含まな
いフタロシアニンおよびチタニルフタロシアニンは、赤
外光に対しても高感度であるという観点からも好まし
い。電荷担体輸送セグメントを含む他の活性輸送重合体
も、本発明の電荷輸送重合体バインダと共にバインダと
して使用することができる。特に、他の電気的に活性な
重合体アリールアミン化合物を、該電荷発生層で使用し
て、該ポリビニルカルバゾールバインダまたは他の活性
または不活性なバインダに置き換えることができる。こ
のようなポリマーは、電荷発生顔料粒子の濃度が低く、
かつ該電荷発生層の平均の厚みが実質的に約0.7 μｍよ
りも厚い場合に特に有用である。

【００４０】約５〜約90体積％の該光電発生顔料が、約
95〜約10体積％の該樹脂バインダ中に分散される。好ま
しくは、約10〜約30体積％の該光電発生顔料が、約90〜
約70体積％の該樹脂バインダ組成物中に分散される。一
態様においては、約12体積％の光電発生顔料が約88体積
％の該樹脂バインダ組成物中に分散される。この電荷発
生層は典型的には約0.1 μｍ〜約5.0 μｍ、好ましくは
約0.3 μｍ〜約３μｍの範囲内の厚みを有する。該電荷
発生層の平均の厚みはバインダ含有率に関連し、バイン
ダ含有率が高い程、一般に光電発生層はより厚くなる。
該電荷輸送層は任意の公知の電荷輸送担体材料を含むこ
とができる。この電荷輸送層は、該電荷発生層中に存在
する該電荷輸送重合体のイオン化電位と実質的に適合す
るイオン化電位を有する電荷輸送重合体を含むことが好
ましい。より好ましくは、この電荷輸送層は該電荷発生
層中に存在するものと類似するまたは実質的に同一の電
荷輸送性重合体を含む。これら重合体バインダの典型的
な例は、N,N'- ジフェニル-N,N'-ビス(3- ヒドロキシフ
ェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'- ジアミンとトリエチ
レングリコールビスクロロホルメートとの反応により得
られるコポリマー、N,N'- ジフェニル-N,N'-ビス(3- ヒ
ドロキシフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'- ジアミン
とホスゲンとの反応により得られるコポリマー、および
ビス-N,N'-(3-[2-ヒドロキシエチル〕フェニル）アニリ
ンとジエチレングリコールビスクロロホルメートとの反
応により得られるコポリマーである。最も好ましくは、
該電荷輸送層はN,N'- ジフェニル-N,N'-ビス(3- ヒドロ
キシフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'- ジアミンとジ
エチレングリコールビスクロロホルメートとの反応によ
り得られるコポリマーを含む。

【００４１】該電荷輸送層で使用する不活性バインダ中
に正孔輸送性小分子を含有する該輸送材料の一部または
全てを、本発明の電荷輸送重合体を含む活性物質により
置き換えることが可能である。例えば、該正孔輸送性小
分子−不活性樹脂バインダ組成物を、完全にアリールア
ミン単位を含む100%のポリエーテルカーボネートで置き
換えることができる。本発明の好ましい重合体アリール
アミンは約5,000 〜約1,000,000 、より好ましくは約5,
000 〜約300,000 の範囲内の分子量を有する。最も好ま
しい重合体アリールアミンは、N,N'- ジフェニル-N,N'-
ビス(3- ヒドロキシフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'
- ジアミンとトリエチレングリコールビスクロロホルメ
ートとの反応により得られるコポリマーである。このコ
ポリマーは優れたフィルムを形成し、通常の溶媒から鋳
型でき、有機液状インキビヒクルに対して耐性であり、
かつ該電気的に活性な層を介する電荷担体（正孔）の優
れた輸送性を示す。

【００４２】このような活性物質は該電荷発生層から光
電発生した正孔の注入を維持でき、かつ該電荷輸送層を
介するこれら正孔の輸送を可能とし、選択的に該表面電
荷を放電させる。この電荷発生層が該導電性層と該活性
電荷輸送層との間に挟まれている場合、この電荷輸送層
は正孔を輸送するばかりか、該光伝導層を磨耗または化
学的侵食から防禦し、結果として該電子写真像形成部材
の稼働寿命を延長する。この電荷輸送層は電子写真法に
おいて有用な波長の光、例えば4000オングストローム〜
9000オングストロームの光に暴露された際に光誘起放電
しないことが好ましい。従って、この電荷輸送層は、該
光伝導体が使用される領域の輻射に対して実質的に透明
である。かくして、該活性電荷輸送層は実質的に非−光
伝導性の材料を含み、該非−光伝導性材料は電荷発生層
中の光伝導体から光電発生した正孔の注入を維持する。
入射した輻射の大部分の下層の電荷発生層による利用を
保証して、光電発生効率を良くするために、該活性電荷
輸送層はこの活性層を介して露光を実施する場合には通
常透明である。透明基板と共に使用する場合、像様露光
は該基板を介して実施でき、全ての光は該基板を透過す
る。この場合、該活性電荷輸送材料は使用する波長領域
において透過性である必要はない。該電荷輸送層は該電
荷発生層と共に、輸送層上に配置された静電荷が照明の
ない状態の下で導電性とならない程度に絶縁性である。

【００４３】小分子を含む現在工業的に使用されている
電荷輸送層はしばしば不活性バインダとしてポリカーボ
ネートを使用している。ポリカーボネートを用いた組成
物はハロゲン化炭素溶媒、例えば塩化メチレンの使用を
必要とする。本発明の重合体電荷輸送材料は塩化メチレ
ン以外の溶媒に可溶性である。本発明の輸送性重合体バ
インダと共に使用される典型的な溶媒はトルエン、テト
ラヒドロフラン等並びに塩化メチレンを包含する。該電
荷輸送層用の被覆混合物を混合し、かつその後に該下層
表面に塗布するために任意の適当な技術を利用できる。
典型的な塗布技術は吹き付け、浸漬塗布、ロール塗布、
ワイヤロッド塗布等である。塗布した皮膜の乾燥は任意
の公知の適当な技術、例えばオーブン乾燥、赤外線輻射
乾燥、風乾等により実施できる。典型的には、該電荷輸
送層の平均の厚みは約５〜約100 μｍの範囲内にある。
一般に、該電荷輸送層の平均の厚み対該電荷発生層の平
均の厚みの比は約2:1 〜約200:1 であるが、約400:1 程
度の大きさであってもよい。他の層、例えばフィルム−
形成バインダ中に分散された導電性粒子を含む公知の接
地ストリップ等が該感光体の一端に、該導電性表面、遮
断層、接着層または電荷発生層と接した状態で適用され
る。

【００４４】幾つかの場合において、裏面塗布層を該感
光体とは反対の側に適用して、平坦性を与えおよび／ま
たは磨耗抵抗を付与することができる。この裏面塗布層
は電気絶縁性または僅かに半−導電性の有機ポリマーま
たは無機ポリマーを含むことができる。本発明の電子写
真像形成部材は、活性化電磁輻射で像様露光する前に帯
電させる電子写真像形成法において利用できる。公知の
ポジまたは反転現像技術を使用して、本発明の電子写真
像形成部材の像形成表面上に表示材(marking material)
の像を形成することができる。かくして、適当な電気バ
イアスを印加し、かつ電荷の適当な極性をもつトナーを
選択することにより、本発明の電子写真像形成部材の像
形成表面上の負に帯電した領域または放電領域にトナー
像を形成することができる。より詳細に述べると、ポジ
現像の場合には、ある極性の帯電したトナー粒子が該像
形成表面の逆の極性に帯電した領域に付着し、一方で反
転現像の場合には、帯電したトナー粒子が該像形成表面
の放電した領域に付着する。該電荷発生層がドナー型の
本発明の電荷輸送層と導電性表面との間に挟み込まれて
いる場合には、通常負極性の電荷が、活性化電磁輻射で
像様露光する前に適用される。

【００４５】

【実施例】以下、本発明をその好ましい特定の態様に関
連して詳細に記載するが、これらの例は例示の目的での
み与えられるものであり、かつ本発明はここに上げる材
料、条件、プロセスパラメータ等により何等限定されな
いことを理解すべきである。特に記載のない限り、全て
の部および％は重量基準である。例１ ： 29ｇのコポリマーポリエーテルカーボネート(P
EC) をN,N'- ジフェニル-N,N'-ビス(3- ヒドロキシフェ
ニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'- ジアミンとエチレング
リコールビスクロロホルメートとの反応により合成し
た。この合成法は米国特許第4,806,443 号の例１、２お
よび３に記載されている。例２ ： 機械的攪拌機、アルゴンガス導入口、温度計お
よび滴下ロートを備えた250 ml容量の３ツ口丸底フラス
コに、10.4 g(0.02 mole) のN,N'- ジフェニル-N,N'-ビ
ス(3- ヒドロキシフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-
ジアミン、100 mlのテトラヒドロフランおよび8.4 ml
(0.06 mole) のトリエチルアミンを導入した。このフラ
スコの内容物を水浴で冷却し、その温度を50mlのテトラ
ヒドロフランに溶解した3.6 ml(0.02 mole) の二度蒸留
したスベロイルクロリドの滴添中ずっと15°Ｃに維持し
た。約５滴の酸クロリド溶液を添加した後に、トリエチ
ルアミン塩酸塩の無色沈殿が生成した。50分後に、該添
加を完了し、生成した粘稠な混合物を15分間攪拌し続け
た。このポリマー溶液を濾過して、該トリエチルアミン
塩酸塩を除去した。この無色のポリマー溶液をメタノー
ル中で沈殿させ、濾過し、乾燥した。収量は12.1ｇであ
った。(MW 66,000) 。精製 ： 250 ml容量の三角フラスコ中で、10ｇの粗製ポ
リマーと100 mlのテトラヒドロフランとを混合した。こ
の混合物をマグネティックスターラーで該ポリマーが完
全に溶解するまで攪拌した。攪拌を続けながら、４ｇの
F-20アルミナ（アルコア社(Alcoa))を添加した。90分後
に、このポリマー溶液を濾過し、メタノール中で沈殿さ
せ、乾燥した。収量は9.7gであった。(MW 66,000) 。

【００４６】例３： 機械的攪拌機、アルゴンガス導入
口、温度計および滴下ロートを備えた250 ml容量の３ツ
口丸底フラスコに、15.6 g(0.03 mole) のN,N'- ジフェ
ニル-N,N'-ビス(3- ヒドロキシフェニル)-(1,1'-ビフェ
ニル)-4,4'- ジアミン、100 mlのテトラヒドロフランお
よび12.6 ml(0.09 mole)のトリエチルアミンを導入し
た。このフラスコの内容物を水浴で冷却し、その温度を
50mlのテトラヒドロフランに溶解した7.5 ml(0.03 mol
e) の二度蒸留したドデシロイルクロリドの滴添中ずっ
と15°Ｃに維持した。約５滴の酸クロリド溶液を添加し
た後に、トリエチルアミン塩酸塩の無色沈殿が生成し
た。60分後に、該添加を完了し、生成した粘稠な混合物
を15分間攪拌し続けた。このポリマー溶液を濾過して、
該トリエチルアミン塩酸塩を除去した。この無色のポリ
マー溶液をメタノール中で沈殿させ、濾過し、乾燥し
た。収量は19.6ｇであった。(MW 110,000)。精製 ： 250 ml容量の三角フラスコ中で、10ｇの粗製ポ
リマーと100 mlのテトラヒドロフランとを混合した。こ
の混合物をマグネティックスターラーで該ポリマーが完
全に溶解するまで攪拌した。攪拌を続けながら、４ｇの
F-20アルミナ（アルコア社(Alcoa))を添加した。90分後
に、このポリマー溶液を濾過し、メタノール中で沈殿さ
せ、乾燥した。収量は9.7gであった。

【００４７】例４： ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（メリネックス(Melinex):商標、E.I.デュポンドネ
モアーズ＆社(E.I. duPont de Nemours & Co.)から入
手）上に真空蒸着したチタン層を有する基板上に公知の
方法により皮膜を形成することにより感光体を作成し
た。最初に堆積された皮膜はシロキサンバリヤー層であ
り、これは加水分解されたγ−アミノプロピルトリエト
キシシランから形成され、その厚みは50オングストロー
ムであった。このフィルムを以下のように被覆した。即
ち、3-アミノプロピルトリエトキシシラン(PCRリサーチ
ケミカルズオブフロリダ(PCR Research Chemicals of F
lorid)から入手した）を1:50容量比でエタノールと混合
した。このフィルムは多重クリアランスフィルムアプリ
ケータにより湿潤厚0.5 ミルで適用した。次いで、この
層を室温にて５分間乾燥し、強制空気循環オーブン内で
110 °Ｃにて10分間硬化した。第二のフィルムはポリエ
ステル樹脂（PE 49,000(商標）、E.I.デュポンドネモア
ーズ＆社から入手した）の接着層であり、その厚みは50
オングストロームであり、このフィルムは以下の如く塗
布した。即ち、先ず0.5gの49,000樹脂を70g のテトラヒ
ドロフランおよび29.5 gのシクロヘキサノンに溶解し
た。このフィルムは0.5 ミルのバーで塗布し、強制空気
循環オーブン内で10分間硬化した。次の皮膜は電荷発生
層であり、これは粒度分布約0.05μｍ〜0.2 μｍを有す
る三方晶形セレン50重量％、およびテトラヒドロフラン
とトルエンとの約1:1 混合物に溶解したポリ(N- ビニル
カルバゾール）50重量％を含む溶液の塗布により形成し
た。厚み1.5 μの電荷発生層を塗布し、強制空気循環オ
ーブン内で135 °Ｃにて10分間乾燥した。上塗り層は厚
み20μｍのポリエーテルカーボネートの輸送層であっ
た。この上塗り層は、例１のポリエーテルカーボネート
1gを11.5ｇの塩化メチレン溶媒に溶解した溶液を、バー
ド(Bird)被覆アプリケータにより塗布し、強制空気循環
オーブン内で85°Ｃにて30分間乾燥することにより生成
した。このポリエーテルカーボネートは例１に記載の如
く調製した。

【００４８】例５： ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（メリネックス(Melinex):商標、E.I.デュポンドネ
モアーズ＆社(E.I. duPont de Nemours & Co.)から入
手）上に真空蒸着したチタン層を有する基板上に公知の
方法により皮膜を形成することにより感光体を作成し
た。最初に堆積された皮膜はシロキサンバリヤー層であ
り、これは加水分解されたγ−アミノプロピルトリエト
キシシランから形成され、その厚みは50オングストロー
ムであった。第二の皮膜はポリエステル樹脂の接着層で
あった。例４の塗布法を使用して、これらの最初の２層
を形成した。次の皮膜は電荷発生層であり、これは粒度
分布約0.05μｍ〜0.2 μｍを有する三方晶形セレン50重
量％、およびテトラヒドロフラン溶解した例１のポリエ
ーテルカーボネート50重量％を含む溶液の塗布により形
成した。厚み1.5 μの電荷発生層を塗布し、強制空気循
環オーブン内で135 °Ｃにて10分間乾燥した。上塗り層
は厚み20μｍの例１のポリエーテルカーボネートの輸送
層であった。この上塗り層は、ポリエーテルカーボネー
ト1gを11.5ｇの塩化メチレン溶媒に溶解した溶液を、バ
ード(Bird)被覆アプリケータにより塗布し、強制空気循
環オーブン内で85°Ｃにて30分間乾燥することにより生
成した。本例のデバイスと例４のデバイスとの主な違い
は、該発生層バインダのイオン化電位における差異であ
る。例４では、イオン化電位5.9 eV（キリヘタ(Kirihet
a)等の方法を使用）を有するポリ(N- ビニルカルバゾー
ル）を該発生層バインダとして使用している。一方例５
では、イオン化電位5.5 eVを有するポリエーテルカーボ
ネートを使用している。即ち、例４の発生層バインダの
イオン化電位は例５の発生層バインダのイオン化電位よ
りも実質的に高い。

【００４９】例６： 例４および５のデバイスの感度を
以下の如くドラムスキャナーにより測定した。即ち、該
デバイスをシャフト上で回転する円筒状のアルミニウム
ドラム上に取付けた。そのフィルムをその周囲に沿って
配置したコロトロンにより帯電させた。その表面電位
を、該シャフトの回りの異なる位置に配置した数個の容
量結合したプローブにより時間の関数として測定した。
これらのプローブを、該ドラム基体に既知の電位を印加
することにより較正した。このドラム上のフィルムを該
ドラムの回りの適当な位置に配置した光源により露光
し、かつ消去した。この測定は一定の電流または電圧モ
ードで該感光体デバイスを帯電させることからなってい
る。該ドラムを回転しつつ、プローブ１により初期帯電
電位を測定した。該ドラムを更に回転すると、露光ステ
ーションに導かれ、そこで該感光体デバイスを既知の強
度の単色光輻射に暴露した。暴露後の該表面電位をプロ
ーブ２および３により測定した。このデバイスを、最後
に適当な強度の消去ランプで露光して、あらゆる残留電
位をプローブ４で測定した。次のサイクル中自動的に変
更される露光強度を使用して、この工程を繰り返した。
露光の関数としてプローブ２および３における電位をプ
ロットすることによってPIDCを得た。例４のデバイスは
例５のデバイスよりも実質的に低感度であった。これら
の感度は初期放電率を測定することにより比較した。例
４のデバイスは電位750Vおよび可視光スペクトルの下で
70 V cm²/ergs なる放電率を有しており、電位の降下に
伴って急峻な感度の減衰を示し、該デバイスはまた高い
残留電位を有していた。一方、例５のデバイスは電位75
0Vおよび可視光スペクトルの下で120 V cm²/ergsなる放
電率を有し、かつかなり低い残留電位を有しており、こ
のことは高い注入効率を示している。

【００５０】例７： ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（メリネックス(Melinex):商標、E.I.デュポンドネ
モアーズ＆社(E.I. duPont de Nemours & Co.)から入
手）上に真空蒸着したチタン層を有する基板上に公知の
方法により皮膜を形成することにより感光体を作成し
た。最初に堆積された皮膜はシロキサンバリヤー層であ
り、これは加水分解されたγ−アミノプロピルトリエト
キシシランから形成され、その厚みは50オングストロー
ムであった。第二の皮膜はポリエステル樹脂（PE 49,00
0(商標）、E.I.デュポンドネモアーズ＆社から入手し
た）の接着層であり、その厚みは50オングストロームで
あった。これらの最初の２種の層は例４に記載の方法に
より形成した。次の皮膜は電荷発生層であり、これはポ
リカーボネート中に分散した粒子サイズ約0.05μｍ〜0.
2 μｍを有するバナジルフタロシアニン12容量％を含む
溶液の塗布により形成され、その塗布は以下の如く実施
した。即ち、２オンスのビン中に、0.19ｇのバナジルフ
タロシアニン粒子および1.06ｇのポリカーボネート樹脂
（即ち、ファルベンファブリッケンバイエル(Farbenfab
ricken Bayer) A.G.から商標マクロロン(Makrolon)とし
て入手できる、ポリ(4,4'-イソプロピリデン−ジフェニ
レンカーボネート))と10mlの塩化メチレンとを100gのス
テンレススチールショットの存在下で24時間磨砕した。
発生層を0.5 ミルのバーを用いて塗布し、強制空気循環
オーブン内で135 °Ｃにて５分間乾燥して、厚み約２μ
の皮膜を得た。上塗り層は厚み20μｍの例１で得たポリ
エーテルカーボネートの輸送層であった。この上塗り層
は、例１のポリエーテルカーボネート樹脂1gを11.5ｇの
塩化メチレン溶媒に溶解した溶液を、バード(Bird)被覆
アプリケータにより塗布し、強制空気循環オーブン内で
85°Ｃにて30分間乾燥することにより生成した。

【００５１】例８： ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（メリネックス(Melinex):商標、E.I.デュポンドネ
モアーズ＆社(E.I. duPont de Nemours & Co.)から入
手）上に真空蒸着したチタン層を有する基板上に公知の
方法により皮膜を形成することにより感光体を作成し
た。最初に堆積された皮膜はシロキサンバリヤー層であ
り、これは加水分解されたγ−アミノプロピルトリエト
キシシランから形成され、その厚みは50オングストロー
ムであった。第二の皮膜はポリエステル樹脂（PE 49,00
0(商標）、E.I.デュポンドネモアーズ＆社から入手し
た）の接着層であり、その厚みは50オングストロームで
あった。これらの最初の２種の層は例４に記載の方法に
より形成した。次の皮膜は電荷発生層であり、これは例
１のポリエーテルカーボネート中に分散した粒子サイズ
約0.05μｍ〜0.2 μｍを有するバナジルフタロシアニン
12容量％を含む溶液の塗布により形成され、その塗布は
以下の如く実施した。即ち、２オンスのビン中に、0.19
ｇのバナジルフタロシアニン粒子および1.06ｇの例１で
得たポリエーテルカーボネートと19mlの塩化メチレンと
を100gのステンレススチールショットの存在下で24時間
磨砕した。発生層を0.5 ミルのバーを用いて塗布し、強
制空気循環オーブン内で135 °Ｃにて５分間乾燥して、
厚み約２μの皮膜を得た。上塗り層は厚み20μｍの例１
に従って調製したポリエーテルカーボネートの輸送層で
あった。この上塗り層は、ポリエーテルカーボネート樹
脂1gを11.5ｇの塩化メチレン溶媒に溶解した溶液を、バ
ード(Bird)被覆アプリケータにより塗布し、強制空気循
環オーブン内で85°Ｃにて30分間乾燥することにより生
成した。本例のデバイスと例７のデバイスとの主な違い
は、該発生層バインダにある。例７の発生層バインダは
ポリカーボネートであり、これは非−電荷輸送物質であ
るのに対して、例８の発生層バインダは本発明のポリエ
ーテルカーボネートである。

【００５２】例９： 例７および８のデバイスの感度
を、例６に記載の手順を使用してテストした。極めて僅
かな放電が例７のデバイスについて観測され、このこと
は該デバイスの感度が本質的にかなり低いことを示して
いる。例８のデバイスは極めて高感度であることが分か
り、その全放電は強度15 ergs/cm² の広範囲のバンド
（可視）光の露光下で、初期電位800 Ｖから残留電位30
Ｖまでであった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エフ ヤヌス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター リトル バードフィール ド ロード 924 (72)発明者 ウィリアム ダブリュー リンバーグ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14526 ペンフィールド クリアヴィュー ドラ イヴ 66 (72)発明者 デイル エス レンファー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター カントリー マナー ウ ェイ 192 (72)発明者 ジョン ダブリュー スピーワク アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター サフロン レーン 773

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 a) 電荷発生層と、 b) 電荷輸送層とを含み、 該電荷発生層が電荷輸送重合体バインダ中に分散された
   電荷発生顔料粒子を含み、かつ該電荷発生顔料粒子が、
   少なくとも該電荷輸送重合体バインダのイオン化電位と
   同程度の大きさのイオン化電位を有することを特徴とす
   る電子写真で使用するための感光体。