JPH06124671A - 電子走査型ｘ線管 - Google Patents
電子走査型ｘ線管Info
- Publication number
- JPH06124671A JPH06124671A JP27135492A JP27135492A JPH06124671A JP H06124671 A JPH06124671 A JP H06124671A JP 27135492 A JP27135492 A JP 27135492A JP 27135492 A JP27135492 A JP 27135492A JP H06124671 A JPH06124671 A JP H06124671A
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- ray tube
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子走査型Ｘ線管のターゲットからのＸ線発
生強度が電子ビームの偏向角度の大きさにかかわらず均
等に保たれる電子走査型Ｘ線管を提供する。 【構成】 電子走査型Ｘ線管１における電子銃２から中
心軸１１方向に発射される電子ビーム５に対し，中心軸
１１に直交する方向に配置されるターゲット３の厚さを
中心軸１１から遠ざかるほど薄く形成することにより，
電子ビーム５のターゲット３内への入射距離が中心軸１
１位置の入射距離と近似にすることができる。従って，
電子ビーム５がターゲット３に作用する実効厚は，ター
ゲット３の全面にわたって均等になり，発生するＸ線７
の強度も均等化され，電子走査型Ｘ線管１による物品の
構造検査等を誤差なく実施することが可能となる。
生強度が電子ビームの偏向角度の大きさにかかわらず均
等に保たれる電子走査型Ｘ線管を提供する。 【構成】 電子走査型Ｘ線管１における電子銃２から中
心軸１１方向に発射される電子ビーム５に対し，中心軸
１１に直交する方向に配置されるターゲット３の厚さを
中心軸１１から遠ざかるほど薄く形成することにより，
電子ビーム５のターゲット３内への入射距離が中心軸１
１位置の入射距離と近似にすることができる。従って，
電子ビーム５がターゲット３に作用する実効厚は，ター
ゲット３の全面にわたって均等になり，発生するＸ線７
の強度も均等化され，電子走査型Ｘ線管１による物品の
構造検査等を誤差なく実施することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，例えば回路基板のよう
なＸ線を全面的には遮蔽しない材質よりなる物品に対し
Ｘ線を照射して，その透過量を検出することにより物品
に吸収または遮蔽されたＸ線の量から前記物品の構造検
査を行うためのＸ線源として使用される電子走査型Ｘ線
管に関する。
なＸ線を全面的には遮蔽しない材質よりなる物品に対し
Ｘ線を照射して，その透過量を検出することにより物品
に吸収または遮蔽されたＸ線の量から前記物品の構造検
査を行うためのＸ線源として使用される電子走査型Ｘ線
管に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記電子走査型Ｘ線管による物品の構造
検査装置２０は，図３に示すように構成される。電子ビ
ームでターゲットを走査することによりＸ線を発生させ
る電子走査型Ｘ線管２１からのＸ線を被検査物２２に照
射して，該被検査物２２を透過したＸ線量をＸ線検出器
２３で検出することにより，前記被検査物２２の構造検
査を行うことができるよう構成されている。電子走査型
Ｘ線管２１は，図４に示すようにラッパ状に形成された
真空容器２５内に設置された電子銃２４から発射される
高エネルギー電子ビームをターゲット２６に衝突させる
ことにより，該ターゲット２６からＸ線を発生させる。
前記電子銃２４から発射される電子ビームの通路には，
該電子ビームを図示のＸ方向及びＹ方向に偏向させるＸ
方向掃引コイルＣｘ及びＹ方向掃引コイルＣｙを備えた
ビーム偏向装置２７が設けられている。電子ビームは前
記ビーム偏向装置２７にＸＹ走査信号発生器２８から印
加される掃引電圧によりＸ方向及びＹ方向に連続的に掃
引され，ターゲット２６の任意の位置に照射され，この
照射された位置からＸ線が発生する。前記ＸＹ走査信号
発生器２８はコンピュータにより駆動され，Ｘ方向掃引
コイルＣｘ及びＹ方向掃引コイルＣｙへの印加電圧を順
次変化させ，前記ターゲット２６を電子ビームによりＸ
方向及びＹ方向に任意に走査することができる。このＸ
方向掃引コイルＣｘ及びＹ方向掃引コイルＣｙに与えら
れる印加電圧によってＸ方向及びＹ方向への掃引量が決
まり，電子ビームが当たるターゲット２６上の座標が演
算される。従って，ターゲット２６上の座標と，該ター
ゲット２６から発射され，被検査物２２を透過してＸ線
検出器２３により検出されたＸ線透過量とにより，被検
査物２２のＸ線透過位置とその部分の構造（Ｘ線透過
量）とがコンピュータにより計算される。
検査装置２０は，図３に示すように構成される。電子ビ
ームでターゲットを走査することによりＸ線を発生させ
る電子走査型Ｘ線管２１からのＸ線を被検査物２２に照
射して，該被検査物２２を透過したＸ線量をＸ線検出器
２３で検出することにより，前記被検査物２２の構造検
査を行うことができるよう構成されている。電子走査型
Ｘ線管２１は，図４に示すようにラッパ状に形成された
真空容器２５内に設置された電子銃２４から発射される
高エネルギー電子ビームをターゲット２６に衝突させる
ことにより，該ターゲット２６からＸ線を発生させる。
前記電子銃２４から発射される電子ビームの通路には，
該電子ビームを図示のＸ方向及びＹ方向に偏向させるＸ
方向掃引コイルＣｘ及びＹ方向掃引コイルＣｙを備えた
ビーム偏向装置２７が設けられている。電子ビームは前
記ビーム偏向装置２７にＸＹ走査信号発生器２８から印
加される掃引電圧によりＸ方向及びＹ方向に連続的に掃
引され，ターゲット２６の任意の位置に照射され，この
照射された位置からＸ線が発生する。前記ＸＹ走査信号
発生器２８はコンピュータにより駆動され，Ｘ方向掃引
コイルＣｘ及びＹ方向掃引コイルＣｙへの印加電圧を順
次変化させ，前記ターゲット２６を電子ビームによりＸ
方向及びＹ方向に任意に走査することができる。このＸ
方向掃引コイルＣｘ及びＹ方向掃引コイルＣｙに与えら
れる印加電圧によってＸ方向及びＹ方向への掃引量が決
まり，電子ビームが当たるターゲット２６上の座標が演
算される。従って，ターゲット２６上の座標と，該ター
ゲット２６から発射され，被検査物２２を透過してＸ線
検出器２３により検出されたＸ線透過量とにより，被検
査物２２のＸ線透過位置とその部分の構造（Ｘ線透過
量）とがコンピュータにより計算される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
電子走査型Ｘ線管２１のターゲット２６は，図５の模式
図に示すように厚さが均一に形成されているため，電子
銃２４から発射される電子ビーム２９が中心軸３０から
偏向されたとき，特に同図に示すようにターゲット２６
の端部位置にまで偏向されたとき，電子ビーム２９はタ
ーゲット２６に対して斜めに入射することになり，電子
ビーム２９がターゲット２６に作用する実効厚ｔ1 が中
心軸３０での実効厚ｔ0 （ターゲット２６の厚さ）より
大きくなってしまう。このため，電子ビーム２９の偏向
角度の大きいターゲット２６の端部に至るほど実効厚ｔ
1 が増し，発生するＸ線強度が端部に至るほど増加す
る。実際の寸法値を図５に示す構成に該当させて検証し
てみると，図示するターゲット２６の端部位置での前記
実効厚ｔ1 は，中心軸３０位置での実効厚ｔ0 （ターゲ
ット２６の厚さ）に対して下式（１）に示すような関係
になる。 ｔ1 ≒ｔ0 ×√（１００2 ＋１００2 ）／１００＝√２×ｔ0 ──（１） ターゲット２６の厚さｔ0 を２５×１０-3mmとすると，
前記実効厚ｔ1 ≒３５×１０-3mmとなってしまい，Ｘ線
強度の不均等が免れない。一方，被検査物２２を透過す
るＸ線３１もターゲット２６の端部から発生した場合に
は，被検査物２２を斜め角度で透過することになるが，
被検査物２２の厚さｈ0 が１mmの場合でも，透過位置の
実効厚ｈ1 は下式（２）に示すように，近似的にｈ1 ＝
ｈ0 となって，ターゲット２６の厚さが均一であること
の問題点が残される。 ｈ1 ≒ｈ0 ×√｛（１×１０3 ）2 ＋１００2 ）｝／（１×１０3 ）≒ｈ0 ──（２） 従来の電子走査型Ｘ線管による物品の構造検査において
は，上記したようにターゲット２６の全面からのＸ線強
度が不均等となるため，このＸ線強度の不均等を修正す
る電気的な処理等を実施しなければならない問題点があ
った。本発明は，上記問題点に鑑みて創案されたもの
で，電子走査型Ｘ線管のターゲットからのＸ線発生強度
が電子ビームの偏向角度の大きさにかかわらず一定に保
たれる電子走査型Ｘ線管を提供することを目的とする。
電子走査型Ｘ線管２１のターゲット２６は，図５の模式
図に示すように厚さが均一に形成されているため，電子
銃２４から発射される電子ビーム２９が中心軸３０から
偏向されたとき，特に同図に示すようにターゲット２６
の端部位置にまで偏向されたとき，電子ビーム２９はタ
ーゲット２６に対して斜めに入射することになり，電子
ビーム２９がターゲット２６に作用する実効厚ｔ1 が中
心軸３０での実効厚ｔ0 （ターゲット２６の厚さ）より
大きくなってしまう。このため，電子ビーム２９の偏向
角度の大きいターゲット２６の端部に至るほど実効厚ｔ
1 が増し，発生するＸ線強度が端部に至るほど増加す
る。実際の寸法値を図５に示す構成に該当させて検証し
てみると，図示するターゲット２６の端部位置での前記
実効厚ｔ1 は，中心軸３０位置での実効厚ｔ0 （ターゲ
ット２６の厚さ）に対して下式（１）に示すような関係
になる。 ｔ1 ≒ｔ0 ×√（１００2 ＋１００2 ）／１００＝√２×ｔ0 ──（１） ターゲット２６の厚さｔ0 を２５×１０-3mmとすると，
前記実効厚ｔ1 ≒３５×１０-3mmとなってしまい，Ｘ線
強度の不均等が免れない。一方，被検査物２２を透過す
るＸ線３１もターゲット２６の端部から発生した場合に
は，被検査物２２を斜め角度で透過することになるが，
被検査物２２の厚さｈ0 が１mmの場合でも，透過位置の
実効厚ｈ1 は下式（２）に示すように，近似的にｈ1 ＝
ｈ0 となって，ターゲット２６の厚さが均一であること
の問題点が残される。 ｈ1 ≒ｈ0 ×√｛（１×１０3 ）2 ＋１００2 ）｝／（１×１０3 ）≒ｈ0 ──（２） 従来の電子走査型Ｘ線管による物品の構造検査において
は，上記したようにターゲット２６の全面からのＸ線強
度が不均等となるため，このＸ線強度の不均等を修正す
る電気的な処理等を実施しなければならない問題点があ
った。本発明は，上記問題点に鑑みて創案されたもの
で，電子走査型Ｘ線管のターゲットからのＸ線発生強度
が電子ビームの偏向角度の大きさにかかわらず一定に保
たれる電子走査型Ｘ線管を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用する手段は，電子銃から中心軸方向に発
射される電子ビームを所定角度で偏向制御して，前記中
心軸に直交する方向に配置されたターゲットを走査する
ことにより，前記ターゲットの電子ビーム照射位置から
Ｘ線を発生させる電子走査型Ｘ線管において，前記ター
ゲットの厚さを前記中心軸から遠ざかるほど薄く形成し
てなることを特徴とする電子装置型Ｘ線管として構成さ
れる。
に本発明が採用する手段は，電子銃から中心軸方向に発
射される電子ビームを所定角度で偏向制御して，前記中
心軸に直交する方向に配置されたターゲットを走査する
ことにより，前記ターゲットの電子ビーム照射位置から
Ｘ線を発生させる電子走査型Ｘ線管において，前記ター
ゲットの厚さを前記中心軸から遠ざかるほど薄く形成し
てなることを特徴とする電子装置型Ｘ線管として構成さ
れる。
【０００５】
【作用】本発明によれば，電子走査型Ｘ線管における電
子銃から中心軸方向に発射される電子ビームに対し，中
心軸に直交する方向に配置されるターゲットの厚さを中
心軸から遠ざかるほど薄く形成することにより，電子ビ
ームのターゲット内入射距離が中心軸位置の入射距離と
近似にすることができる。従って，電子ビームがターゲ
ットに作用する実効厚は，ターゲットの全面にわたって
均等になり，発生するＸ線の強度も均等化され，電子走
査型Ｘ線管による物品の構造検査等を誤差なく実施する
ことが可能となる。
子銃から中心軸方向に発射される電子ビームに対し，中
心軸に直交する方向に配置されるターゲットの厚さを中
心軸から遠ざかるほど薄く形成することにより，電子ビ
ームのターゲット内入射距離が中心軸位置の入射距離と
近似にすることができる。従って，電子ビームがターゲ
ットに作用する実効厚は，ターゲットの全面にわたって
均等になり，発生するＸ線の強度も均等化され，電子走
査型Ｘ線管による物品の構造検査等を誤差なく実施する
ことが可能となる。
【０００６】
【実施例】以下，添付図面を参照して，本発明を具体化
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定するものではない。ここに，図１
は本発明の実施例に係る電子走査型Ｘ線管を用いた物品
の構造検査装置の構成を示す模式図，図２は実施例に係
る電子走査型Ｘ線管のターゲットの形状による効果を説
明する模式図である。図１において，構造検査装置８内
に配置される電子走査型Ｘ線管１は電子銃２とターゲッ
ト３のみを抽出して示している。この電子走査型Ｘ線管
１から発生させるＸ線により被検査物４の構造検査を行
うために，被検査物４をターゲット３の近傍位置に配置
する。ターゲット３を電子銃２からの電子ビーム５で走
査することにより，ターゲット３の電子ビーム５による
走査位置から発生するＸ線７が被検査物４に照射され，
被検査物４を透過したＸ線量をＸ線検出器６で検出する
ことにより，被検査物４の構造検査を行うことができる
よう構成されている。尚，図１に示す状態は，Ｘ線が外
部に漏洩しないよう構造検査装置８をケーシング９内に
収容すると共に，ターゲット３を透過した電子ビーム５
ａの影響を減少させるべく，ターゲット３とケーシング
９との間にバイアス電源１０を配して，透過した電子ビ
ーム５ａをケーシング９に吸収させるよう構成されてい
る。本実施例になる電子走査型Ｘ線管１のターゲット３
は，図２に拡大して示すように，電子銃２が配置される
中心軸１１から遠ざかるほど薄く形成されている。この
ターゲット３の形状によって，図２に示すように電子銃
２から発射される電子ビーム５が偏向されてターゲット
３に入射する実効厚ｈ1 は，中心軸１１位置に入射され
たときの実効厚ｈ0 （ターゲット３中心軸１１位置の厚
さ）と近似になるよう構成することができ，電子ビーム
５の偏向角度の変化にかかわらずターゲット３から発生
するＸ線強度を均等にすることができる。
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定するものではない。ここに，図１
は本発明の実施例に係る電子走査型Ｘ線管を用いた物品
の構造検査装置の構成を示す模式図，図２は実施例に係
る電子走査型Ｘ線管のターゲットの形状による効果を説
明する模式図である。図１において，構造検査装置８内
に配置される電子走査型Ｘ線管１は電子銃２とターゲッ
ト３のみを抽出して示している。この電子走査型Ｘ線管
１から発生させるＸ線により被検査物４の構造検査を行
うために，被検査物４をターゲット３の近傍位置に配置
する。ターゲット３を電子銃２からの電子ビーム５で走
査することにより，ターゲット３の電子ビーム５による
走査位置から発生するＸ線７が被検査物４に照射され，
被検査物４を透過したＸ線量をＸ線検出器６で検出する
ことにより，被検査物４の構造検査を行うことができる
よう構成されている。尚，図１に示す状態は，Ｘ線が外
部に漏洩しないよう構造検査装置８をケーシング９内に
収容すると共に，ターゲット３を透過した電子ビーム５
ａの影響を減少させるべく，ターゲット３とケーシング
９との間にバイアス電源１０を配して，透過した電子ビ
ーム５ａをケーシング９に吸収させるよう構成されてい
る。本実施例になる電子走査型Ｘ線管１のターゲット３
は，図２に拡大して示すように，電子銃２が配置される
中心軸１１から遠ざかるほど薄く形成されている。この
ターゲット３の形状によって，図２に示すように電子銃
２から発射される電子ビーム５が偏向されてターゲット
３に入射する実効厚ｈ1 は，中心軸１１位置に入射され
たときの実効厚ｈ0 （ターゲット３中心軸１１位置の厚
さ）と近似になるよう構成することができ，電子ビーム
５の偏向角度の変化にかかわらずターゲット３から発生
するＸ線強度を均等にすることができる。
【０００７】前記実効厚ｈ1 は，幾何学的に電子銃２の
位置と，ターゲット３の位置と，Ｘ線検出器６の位置と
により決定される。即ち，ターゲット３を中心軸１１か
ら遠ざかるほど薄く形成する曲面は次のように計算する
ことができる。図２に示すように，Ｘ線検出器６とター
ゲット３のＸ線発生点Ｐｘとを結ぶ線上でのターゲット
３の厚さＴが一定になるように計算される。偏向された
電子ビーム５がターゲット３に入射するＸ線発生点Ｐｘ
位置のターゲット３の厚さｔxと，前記Ｘ線検出器６と
ターゲット３のＸ線発生点Ｐｘとを結ぶ線上でのターゲ
ット３の厚さＴとの関係は，下式（３）のように示すこ
とができる。 Ｔ＝ｔx ×ｓｅｃθ──（３） この（３）式より，下式（４）を導きだすことができ
る。 ｔx ＝Ｔ×ｓｉｎθ──（４） 更に，ターゲット３の中心軸１１位置Ｐ0 からＸ線検出
器６までの距離をＹとすると，Ｘ線発生点Ｐｘの中心軸
１１からの距離ｘは，下式（５）のように示すことがで
きる。 ｘ＝Ｙ×ｔａｎθ──（５） 上式（４）（５）からターゲット３の曲面を表すｔx が
計算でき，電子ビーム５が入射される位置の実効厚ｔ1
を中心軸１１位置の実効厚ｔ0 と均等に形成することが
できる。電子走査型Ｘ線管１のターゲット３を，上記の
ように中心軸１１位置から遠ざかるほど薄くする曲面に
形成することによって，従来の不均等なＸ線強度を電気
的に修正して構造検査等を行うことなく均等化されたＸ
線照射が得られる。
位置と，ターゲット３の位置と，Ｘ線検出器６の位置と
により決定される。即ち，ターゲット３を中心軸１１か
ら遠ざかるほど薄く形成する曲面は次のように計算する
ことができる。図２に示すように，Ｘ線検出器６とター
ゲット３のＸ線発生点Ｐｘとを結ぶ線上でのターゲット
３の厚さＴが一定になるように計算される。偏向された
電子ビーム５がターゲット３に入射するＸ線発生点Ｐｘ
位置のターゲット３の厚さｔxと，前記Ｘ線検出器６と
ターゲット３のＸ線発生点Ｐｘとを結ぶ線上でのターゲ
ット３の厚さＴとの関係は，下式（３）のように示すこ
とができる。 Ｔ＝ｔx ×ｓｅｃθ──（３） この（３）式より，下式（４）を導きだすことができ
る。 ｔx ＝Ｔ×ｓｉｎθ──（４） 更に，ターゲット３の中心軸１１位置Ｐ0 からＸ線検出
器６までの距離をＹとすると，Ｘ線発生点Ｐｘの中心軸
１１からの距離ｘは，下式（５）のように示すことがで
きる。 ｘ＝Ｙ×ｔａｎθ──（５） 上式（４）（５）からターゲット３の曲面を表すｔx が
計算でき，電子ビーム５が入射される位置の実効厚ｔ1
を中心軸１１位置の実効厚ｔ0 と均等に形成することが
できる。電子走査型Ｘ線管１のターゲット３を，上記の
ように中心軸１１位置から遠ざかるほど薄くする曲面に
形成することによって，従来の不均等なＸ線強度を電気
的に修正して構造検査等を行うことなく均等化されたＸ
線照射が得られる。
【０００８】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明によれば，電子
走査型Ｘ線管における電子銃から中心軸方向に発射され
る電子ビームに対し，中心軸に直交する方向に配置され
るターゲットの厚さを中心軸から遠ざかるほど薄く形成
することにより，電子ビームのターゲット内入射距離が
中心軸位置の入射距離と近似にすることができる。従っ
て，電子ビームがターゲットに作用する実効厚は，ター
ゲットの全面にわたって均等になり，発生するＸ線の強
度も均等化され，電子走査型Ｘ線管による物品の構造検
査等を誤差なく実施することが可能となる。
走査型Ｘ線管における電子銃から中心軸方向に発射され
る電子ビームに対し，中心軸に直交する方向に配置され
るターゲットの厚さを中心軸から遠ざかるほど薄く形成
することにより，電子ビームのターゲット内入射距離が
中心軸位置の入射距離と近似にすることができる。従っ
て，電子ビームがターゲットに作用する実効厚は，ター
ゲットの全面にわたって均等になり，発生するＸ線の強
度も均等化され，電子走査型Ｘ線管による物品の構造検
査等を誤差なく実施することが可能となる。
【図１】 本発明の実施例に係る電子走査型Ｘ線管を用
いた構造検査装置の構成を示す模式図。
いた構造検査装置の構成を示す模式図。
【図２】 実施例に係る電子走査型Ｘ線管のターゲット
の形状による効果を示す説明図。
の形状による効果を示す説明図。
【図３】 従来例に係る電子走査型Ｘ線管による構造検
査装置の構成を示す模式図。
査装置の構成を示す模式図。
【図４】 従来例に係る電子走査型Ｘ線管の概略構成を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】 従来例に係る電子走査型Ｘ線管のターゲット
形状を示す模式図。
形状を示す模式図。
１──電子走査型Ｘ線管 ２──電子銃 ３──ターゲット １１──中心軸
Claims (1)
- 【請求項１】 電子銃から中心軸方向に発射される電子
ビームを所定角度で偏向制御して，前記中心軸に直交す
る方向に配置されたターゲットを走査することにより，
前記ターゲットの電子ビーム照射位置からＸ線を発生さ
せる電子走査型Ｘ線管において，前記ターゲットの厚さ
を前記中心軸から遠ざかるほど薄く形成してなることを
特徴とする電子装置型Ｘ線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27135492A JPH06124671A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 電子走査型ｘ線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27135492A JPH06124671A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 電子走査型ｘ線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124671A true JPH06124671A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17498903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27135492A Pending JPH06124671A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 電子走査型ｘ線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124671A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2206465A1 (en) | 2009-01-08 | 2010-07-14 | Omron Co., Ltd. | Examination method, examination apparatus and examination program |
| EP2819145A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd | X-ray generator and X-ray imaging apparatus including the same |
| WO2023276246A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線発生装置 |
| WO2023188338A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ｘ線発生装置、ターゲットの調整方法、および、ｘ線発生装置の使用方法 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27135492A patent/JPH06124671A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2206465A1 (en) | 2009-01-08 | 2010-07-14 | Omron Co., Ltd. | Examination method, examination apparatus and examination program |
| EP2819145A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd | X-ray generator and X-ray imaging apparatus including the same |
| US9748069B2 (en) | 2013-06-26 | 2017-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray generator and X-ray imaging apparatus including the same |
| WO2023276246A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線発生装置 |
| WO2023188338A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ｘ線発生装置、ターゲットの調整方法、および、ｘ線発生装置の使用方法 |
| US11823860B1 (en) | 2022-03-31 | 2023-11-21 | Canon Anelva Corporation | X-ray generating apparatus, method of adjusting target, and method of using X-ray generating apparatus |
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