JPH06111301A - Magnetic disk and production - Google Patents
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- JPH06111301A JPH06111301A JP25951392A JP25951392A JPH06111301A JP H06111301 A JPH06111301 A JP H06111301A JP 25951392 A JP25951392 A JP 25951392A JP 25951392 A JP25951392 A JP 25951392A JP H06111301 A JPH06111301 A JP H06111301A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】情報処理システムにおけるファイ
ル装置として使用される磁気ディスク装置においては、
非磁性の円板に磁性膜を成膜してなる磁気ディスクが記
録媒体として使用される。ところで、情報処理装置のダ
ウンサイジングの進展に伴い、磁気ディスクも小径化の
傾向にあり、最近は1.8 インチから1.6 インチ、1.3 イ
ンチといった小径の磁気ディスクが実用化されつつあ
る。本発明は、このように磁気ディスクのうち、特に小
径の磁気ディスクおよびその製造方法に関する。[Field of Industrial Application] In a magnetic disk device used as a file device in an information processing system,
A magnetic disk formed by forming a magnetic film on a non-magnetic disc is used as a recording medium. By the way, with the progress of downsizing of information processing devices, the magnetic disks are also becoming smaller in diameter, and recently, small-diameter magnetic disks of 1.8 inch to 1.6 inch and 1.3 inch are being put to practical use. As described above, the present invention relates to a magnetic disk having a small diameter, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７は薄膜型の磁気ディスクの断面構造
を示す図である。１はアルミニウムやガラスなどの非磁
性体からなる基板であり、その表面に形成したNiＰめっ
き層２上に、下地膜３としてＣｒなどをスパッタする。
そして、CoCrTaまたはCoNiCrなどの磁性体をスパッタし
て薄膜磁性膜４を形成した後、保護膜５としてカーボン
などをスパッタし、最後にフォンブリンなどの潤滑剤６
を塗布して乾燥させると、完成する。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a view showing a sectional structure of a thin film type magnetic disk. Reference numeral 1 is a substrate made of a non-magnetic material such as aluminum or glass, and Cr or the like is sputtered as a base film 3 on the NiP plating layer 2 formed on the surface thereof.
Then, a magnetic material such as CoCrTa or CoNiCr is sputtered to form the thin film magnetic film 4, and then carbon or the like is sputtered as a protective film 5, and finally a lubricant 6 such as fomblin is used.
Is applied and dried to complete the process.
【０００３】この磁気ディスクを矢印a1方向に高速回転
させ、風力によって磁気ヘッド７が浮上した状態で、ギ
ャップＧによって、磁性膜４に情報の記録／再生が行な
われる。Information is recorded / reproduced on / from the magnetic film 4 by the gap G while the magnetic disk is rotated at a high speed in the direction of arrow a 1 and the magnetic head 7 is levitated by the wind force.
【０００４】図８は従来の薄膜型の磁気ディスクの製造
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−336495号においても開示されてい
る。工程 (1)において、１はアルミニウムなどの非磁性
体からなるドーナツ状の基板であり、作製しようとする
磁気ディスクと同じサイズに形成されている。例えば、
2.５インチの小径磁気ディスクを製造する場合は、非磁
性円板１も2.５インチのものを用いる。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional method of manufacturing a thin film magnetic disk in the order of steps, which is also disclosed in Japanese Patent Application No. 3-336495 filed by the applicant of the present invention. In the step (1), 1 is a doughnut-shaped substrate made of a non-magnetic material such as aluminum and is formed in the same size as the magnetic disk to be manufactured. For example,
When manufacturing a 2.5-inch small-diameter magnetic disk, the non-magnetic disc 1 also uses a 2.5-inch disk.
【０００５】そして、工程(2) において、非磁性円板１
の両面に、NiＰメッキ下地層２を形成し、その上に工程
(3) において、回転している非磁性基板の板面に研摩テ
ープを押し当てて、円周方向に微細なテクスチャー溝８
を形成する。Then, in the step (2), the non-magnetic disc 1
NiP plating underlayer 2 is formed on both sides of the
In (3), press the polishing tape against the plate surface of the rotating non-magnetic substrate to make fine texture grooves 8 in the circumferential direction.
To form.
【０００６】次に、工程(4) において、テクスチャー溝
８の上に、Co合金の水平配向性を高めるためのCr層３を
形成し、その上に工程(5) において、例えばCo合金など
から成る磁性膜４が成膜される。この磁性膜４の上に、
工程(6) のように、保護膜としてカーボン膜５を形成
し、最後にフッ素系の潤滑層６が塗布される。Cr層３、
薄膜型の磁性膜４およびカーボン膜５は、スパッタなど
の薄膜技術で成膜される。Next, in the step (4), a Cr layer 3 for enhancing the horizontal orientation of the Co alloy is formed on the textured groove 8, and in the step (5), for example, a Cr alloy 3 is formed. The magnetic film 4 is formed. On this magnetic film 4,
As in step (6), the carbon film 5 is formed as a protective film, and finally the fluorine-based lubricating layer 6 is applied. Cr layer 3,
The thin film type magnetic film 4 and the carbon film 5 are formed by a thin film technique such as sputtering.
【０００７】工程(3) で形成したテクスチャー溝８は、
図７に示すように磁気ディスクの回転方向に形成された
浮上ギャップＧによって情報を記録／再生する際の電磁
変換特性が向上するように、磁気異方性を付与するため
である。The texture groove 8 formed in the step (3) is
This is to impart magnetic anisotropy so that the electromagnetic conversion characteristics when recording / reproducing information are improved by the flying gap G formed in the rotation direction of the magnetic disk as shown in FIG.
【０００８】また、テクスチャー溝８に沿ってカーボン
膜５も凹凸となるため、潤滑剤で磁気ヘッドが磁気ディ
スク面に吸着されるのを抑制でき、かつ磁気ヘッドと磁
気ディスク面との間の摩擦が小さくなる。Further, since the carbon film 5 also becomes uneven along the textured grooves 8, it is possible to prevent the magnetic head from being attracted to the magnetic disk surface by the lubricant, and to prevent friction between the magnetic head and the magnetic disk surface. Becomes smaller.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
に、磁気ディスク装置のダウンサイジング化により、磁
気ディスクの直径が1.89インチ以下になると、厚さも0.
635mm 以下と薄くなるため、回転している円板の両面に
ポリッシュテープを押し当てて円周方向に微細な溝を形
成するテクスチャー加工は困難である。また、円板の直
径が小さくなると、取り扱いが困難となり、量産に適し
ない。However, as described above, when the diameter of the magnetic disk becomes 1.89 inches or less due to downsizing of the magnetic disk device, the thickness becomes 0.
Since the thickness is as thin as 635 mm or less, it is difficult to press the polishing tape on both sides of the rotating disc to form fine grooves in the circumferential direction, which makes it difficult to perform texturing. In addition, when the diameter of the disk becomes small, it becomes difficult to handle and it is not suitable for mass production.
【００１０】[0010]
【表１】 [Table 1]
【００１１】表１に示す直径が2.５インチ以上の磁気デ
ィスクでは、在来の浮上型の磁気ヘッドで記録／再生が
行なわれるが、高記録密度化のために次第に磁気ヘッド
が低浮上化して来ており、その結果テクスチャー溝も微
細化の傾向にあり、テクスチャー溝の必要性が問われて
いる。In the magnetic disk having a diameter of 2.5 inches or more shown in Table 1, recording / reproducing is performed by a conventional floating type magnetic head, but the magnetic head is gradually lowered in order to increase the recording density. As a result, the texture grooves are also becoming finer, and the need for the texture grooves is being questioned.
【００１２】一方、1.89インチ以下の小径磁気ディスク
になると、接触型の磁気ヘッドが使用される。そのた
め、従来のように浮上状態のギャップで記録／再生する
場合と違って、磁気異方性はさほど問題とならない。む
しろ、テクスチャー処理による微小欠陥のために、記録
／再生の際にエラーを引き起こす恐れも指摘されてい
る。On the other hand, for a small diameter magnetic disk of 1.89 inches or less, a contact type magnetic head is used. Therefore, the magnetic anisotropy does not pose a problem, unlike the conventional case of recording / reproducing with a gap in the floating state. Rather, it is pointed out that an error may occur during recording / reproduction due to a minute defect due to the texture processing.
【００１３】さらに、浮上型の磁気ヘッドの場合は、浮
上力に抗してスプリングアームで磁気ヘッドを磁気ディ
スク側に押圧しているため、静止状態から磁気ディスク
が回転開始する際は、スプリングアームのバネ力で磁気
ディスク面に粘着している多数の磁気ヘッドを磁気ディ
スク面から引き剥がせるように、スピンドルモータの駆
動力を大きくしなければならない。Further, in the case of the floating type magnetic head, since the magnetic head is pressed against the magnetic disk side by the spring arm against the floating force, when the magnetic disk starts to rotate from the stationary state, the spring arm is pressed. The driving force of the spindle motor must be increased so that the large number of magnetic heads that are adhered to the magnetic disk surface can be peeled off from the magnetic disk surface by the spring force.
【００１４】これを防止するには、粘着力が小さくなる
ように、テクスチャー溝を設ける必要が生じるが、接触
型の磁気ヘッドの場合は、静止時においても弱いバネ圧
で接しているので、粘着の問題は小さく、したがって粘
着防止のためのテクスチャー溝は不可欠とはならない。In order to prevent this, it is necessary to provide a texture groove so that the adhesive force becomes small. However, in the case of a contact type magnetic head, the contact is made with a weak spring pressure even when the magnetic head is stationary. Problem is small, so texture grooves to prevent sticking are not essential.
【００１５】以上のような理由から、従来のテクスチャ
ー溝の必要性は少ないが、垂直磁気記録型の磁気ディス
クも含めて、稼動前に磁気ヘッド素子部を磁気ディスク
面になじませる必要がある。すなわち、電磁変換効率が
向上するように、磁極部分を確実に磁気ディスク面に接
触させる必要がある。For the above reasons, the conventional texture groove is not necessary, but it is necessary to fit the magnetic head element portion to the magnetic disk surface before operation including the magnetic disk of the perpendicular magnetic recording type. That is, it is necessary to surely bring the magnetic pole portion into contact with the magnetic disk surface so that the electromagnetic conversion efficiency is improved.
【００１６】そのために、稼動前に磁気ディスクを記録
／再生時よりも高速回転させて、磁気ヘッドの磁極部分
が磁気ディスク面に確実に接触するまで、磁気ヘッド素
子部を摩耗させる処理が必要である。この処理を円滑を
行なうには、磁気ディスクの保護膜表面がある程度粗い
ことが望ましい。また、稼動中に磁極先端が汚れたり、
粉塵が付着している場合も、磁気ディスク面が粗いと、
容易に除去される。Therefore, it is necessary to rotate the magnetic disk at a speed higher than that at the time of recording / reproducing before the operation so as to wear the magnetic head element portion until the magnetic pole portion of the magnetic head surely contacts the magnetic disk surface. is there. In order to carry out this process smoothly, it is desirable that the surface of the protective film of the magnetic disk be rough to some extent. Also, the magnetic pole tip may get dirty during operation,
Even if dust is attached, if the magnetic disk surface is rough,
Easily removed.
【００１７】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、在来の方法によるテクスチャー処理は行なわず
に、保護膜表面の粗い磁気ディスクを実現することにあ
る。A technical object of the present invention is to realize such a problem and to realize a magnetic disk having a rough surface of a protective film without performing a texture treatment by a conventional method.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】図１は本発明による磁気
ディスクおよびその製造方法の基本原理を説明する断面
図であり、スパッタが行なわれる基板１に対応して、複
数のターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄが配設されている。そし
て、ターゲットＣ、Ｄから基板１に対し垂直方向に飛散
するスパッタ粒子ｃ、ｄは粒径が小さく、ターゲット
Ａ、Ｂから基板１に対し斜め方向に飛散するスパッタ粒
子ａ、ｂは粒径が大きい。FIG. 1 is a sectional view for explaining the basic principle of a magnetic disk and a method for manufacturing the same according to the present invention. A plurality of targets A, B, corresponding to a substrate 1 to be sputtered, are shown. C and D are arranged. The sputtered particles c and d scattered from the targets C and D in the direction perpendicular to the substrate 1 have a small particle size, and the sputtered particles a and b scattered from the targets A and B in the oblique direction to the substrate 1 have a particle size. large.
【００１９】請求項１の発明は、磁気ディスクの薄膜型
磁性膜の上に形成される保護膜５が、粒径の異なるスパ
ッタ粒子a(b)、ｃ(d) で成膜されている構成である。According to a first aspect of the invention, the protective film 5 formed on the thin film magnetic film of the magnetic disk is formed of sputtered particles a (b) and c (d) having different particle sizes. Is.
【００２０】請求項２の発明は、磁気ディスクの薄膜型
磁性膜の上に形成される保護膜５が、粒径の異なるスパ
ッタ粒子a(b)、ｃ(d) で成膜されており、しかも粒径の
大きな粒子a(b)が、斜めから付着している構成である。According to a second aspect of the invention, the protective film 5 formed on the thin film magnetic film of the magnetic disk is formed of sputtered particles a (b) and c (d) having different particle diameters. Moreover, the particles a (b) having a large particle diameter are obliquely attached.
【００２１】請求項３の発明は、磁気ディスクの薄膜型
磁性膜の上に形成される保護膜５を成膜する際に、一つ
のスパッタ装置において、基板の片面につき少なくとも
一つのターゲットを用い、かつスパッタパワーを変えて
スパッタする方法である。すなわち、基板１に対応して
複数のターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄが存在する場合は、タ
ーゲットに応じてスパッタパワーを変え、ターゲットが
単一の場合は、時間的にスパッタパワーを変える。According to a third aspect of the present invention, at the time of forming the protective film 5 formed on the thin film magnetic film of the magnetic disk, at least one target is used for one surface of the substrate in one sputtering apparatus. Moreover, it is a method of changing the sputtering power and performing the sputtering. That is, when there are a plurality of targets A, B, C and D corresponding to the substrate 1, the sputtering power is changed according to the target, and when the target is single, the sputtering power is changed with time.
【００２２】請求項４の発明は、磁気ディスクに保護膜
を成膜する際に、一つのスパッタ装置において、例えば
図５のような組成の異なる複数のターゲットを用いて、
基板１にスパッタを行なう磁気ディスク製造方法であ
る。According to a fourth aspect of the present invention, when a protective film is formed on a magnetic disk, a single sputtering apparatus uses a plurality of targets having different compositions as shown in FIG.
This is a magnetic disk manufacturing method in which the substrate 1 is sputtered.
【００２３】[0023]
【作用】請求項１のように、保護膜５が、粒径の異なる
スパッタ粒子a(b)とc(d)で構成されていることにより、
同じ粒径のスパッタ粒子のみが堆積して形成された保護
膜に比べて、保護膜５の表面状態が粗くなる。As described in claim 1, since the protective film 5 is composed of sputtered particles a (b) and c (d) having different particle diameters,
The surface state of the protective film 5 becomes rougher than that of a protective film formed by depositing only sputtered particles having the same particle size.
【００２４】請求項２のように、保護膜５が、粒径の異
なるスパッタ粒子a(b)とc(d)で構成され、しかも粒径の
小さな粒子c(d)は垂直方向から付着しているのに対し、
粒径の大きな粒子a(b)が斜めから付着している構成にす
ると、請求項１のように、単に大きさの異なるスパッタ
粒子を堆積させた場合よりも、表面状態の粗い保護膜５
が得られる。According to a second aspect of the present invention, the protective film 5 is composed of sputtered particles a (b) and c (d) having different particle diameters, and the small particle diameter c (d) adheres from the vertical direction. In contrast,
When the particles a (b) having a large particle size are obliquely adhered, the protective film 5 having a rough surface state is provided as compared with the case of simply depositing sputtered particles having different sizes as in claim 1.
Is obtained.
【００２５】請求項３によると、基板１に対応して複数
のターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄが存在する場合は、例えば
ターゲットＡ、ＢとターゲットＣ、Ｄとのスパッタパワ
ーを変えることにより、ターゲットＡ、Ｂから発生する
スパッタ粒子とターゲットＣ、Ｄから発生するスパッタ
粒子の粒径を変え、粒径の大きな粒子a(b)と粒径の小さ
な粒子c(d)を基板１に付着できるため、保護膜形成と同
時に保護膜表面を粗すことができる。According to the third aspect, when there are a plurality of targets A, B, C and D corresponding to the substrate 1, for example, by changing the sputtering power of the targets A and B and the targets C and D, By changing the particle size of the sputtered particles generated from the targets A and B and the sputtered particles generated from the targets C and D, it is possible to attach the large particle a (b) and the small particle c (d) to the substrate 1. Therefore, the surface of the protective film can be roughened at the same time when the protective film is formed.
【００２６】あるいは、ターゲットが単一の場合は、最
初はスパッタ粒子の粒径が小さくなるように制御し、最
後にスパッタ粒子の粒径が大きくなるように制御するこ
とでも、保護膜表面が粗くなる。Alternatively, when the target is single, the surface of the protective film is roughened by controlling so that the particle diameter of the sputtered particles becomes smaller at first and finally the particle diameter of the sputtered particles becomes larger. Become.
【００２７】請求項４のように、一つのスパッタ装置に
おいて、組成の異なる複数のターゲットを用いて保護膜
を成膜すると、同時に同じパワーでスパッタしても、粒
径が複数種類のスパッタ粒子が付着し、保護膜表面が粗
くなる。When a protective film is formed by using a plurality of targets having different compositions in one sputtering apparatus as described in claim 4, sputtered particles having a plurality of kinds of particle diameters are generated even if they are sputtered at the same power at the same time. It adheres and the surface of the protective film becomes rough.
【００２８】[0028]
【実施例】次に本発明による磁気ディスクおよびその製
造方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で説
明する。図２はターゲット配置の第一実施例を示す正面
図と同ターゲット配置によってスパッタを行なっている
状態の縦断面図である。（イ）図に示すように、上側に
ターゲットＡが下側にターゲットＢが配設され、中間に
ターゲットＣとＤが配設されている。このようなターゲ
ットＡ〜Ｄが、（ロ）図のように、基板１の両側に配設
されている。EXAMPLES Next, practical examples of how the magnetic disk according to the present invention and its manufacturing method are embodied will be described. FIG. 2 is a front view showing a first embodiment of the target arrangement and a vertical cross-sectional view of a state where sputtering is performed by the target arrangement. (A) As shown in the figure, the target A is arranged on the upper side, the target B is arranged on the lower side, and the targets C and D are arranged in the middle. Such targets A to D are arranged on both sides of the substrate 1 as shown in FIG.
【００２９】これらのターゲットＡ〜Ｄは、基板１側を
除いて全周が電極９で囲まれており、それぞれの電極９
…に電源を印加することで、各ターゲットＡ〜Ｄから発
生したスパッタ粒子が、基板１に向かって飛散し、堆積
する。そして、中間のターゲットＣ、Ｄに印加する電源
のパワーに比べて、上下のターゲットＡ、Ｂに印加する
電源のパワーを大きくすると、図３に示すように、中間
のターゲットＣ、Ｄから発生するスパッタ粒子ｃ、ｄに
比べて、上下のターゲットＡ、Ｂから発生するスパッタ
粒子ａ、ｂが大きくなる。These targets A to D are surrounded by electrodes 9 all around except the substrate 1 side.
By applying a power source to ..., Sputtered particles generated from each of the targets A to D are scattered toward the substrate 1 and deposited. When the power of the power source applied to the upper and lower targets A and B is made larger than the power of the power source applied to the intermediate targets C and D, the power is generated from the intermediate targets C and D as shown in FIG. The sputter particles a and b generated from the upper and lower targets A and B are larger than the sputter particles c and d.
【００３０】電源のパワーを選択することで、大径のス
パッタ粒子ａ、ｂは、小径のスパッタ粒子ｃ、ｄの２〜
３倍程度に設定できる。実施例においては、10ｍTorr程
度のArガス雰囲気中で、ターゲットＡ、Ｂの電源パワー
を15ｋＷ、ターゲットＣ、Ｄの電源パワーを１kWにした
ところ、大径のスパッタ粒子ａ、ｂは、小径のスパッタ
粒子ｃ、ｄの２倍程度となった。ターゲットＡ〜Ｄとし
ては、カーボンを使用したが、酸化ジルコニウム(ZrO2)
も有効である。By selecting the power of the power source, the large-diameter sputtered particles a and b can be divided into the small-diameter sputtered particles c and d.
It can be set to about 3 times. In the example, when the power supply power of the targets A and B was 15 kW and the power supply power of the targets C and D was 1 kW in an Ar gas atmosphere of about 10 mTorr, the large-diameter sputtered particles a and b were found to be small-sized sputtered particles. It was about twice as large as the particles c and d. Although carbon was used as the targets A to D, zirconium oxide (ZrO 2 ) was used.
Is also effective.
【００３１】さらに、中間のターゲットＣ、Ｄから発生
したスパッタ粒子は、基板１に対しほぼ垂直方向から到
来するのに対し、上下のターゲットＡ、Ｂから発生した
スパッタ粒子は、基板１に対し斜め方向から到来するよ
うな配置となっている。Further, the sputtered particles generated from the intermediate targets C and D come from a direction substantially perpendicular to the substrate 1, whereas the sputtered particles generated from the upper and lower targets A and B are oblique to the substrate 1. It is arranged so that it comes from the direction.
【００３２】そのため、図３に示すように、基板１の磁
性膜４上において、粒径の小さなスパッタ粒子ｃ、ｄ
は、下側のスパッタ粒子の上に、垂直方向から付着する
のに対し、粒径の大きなスパッタ粒子ａ、ｂは、下側の
スパッタ粒子の上に、斜め方向から付着する。その結
果、保護膜５の表面状態が平坦とはならず、図示のよう
に凹凸状態となる。Therefore, as shown in FIG. 3, on the magnetic film 4 of the substrate 1, sputtered particles c and d having a small particle size are formed.
Is attached to the lower sputtered particles from the vertical direction, whereas the large-sized sputtered particles a and b are attached to the lower sputtered particles from the oblique direction. As a result, the surface state of the protective film 5 does not become flat, but becomes uneven as shown.
【００３３】次に、図１に示す基板１は、単一の基板で
あってもよいが、単一の基板に対し、数個のターゲット
Ａ〜Ｄを対向させるのは、生産性が悪い。そのため、例
えば10枚以上の基板を、ホルダーによって同一面内に支
持し、一度に多数の基板に保護膜を成膜するのが効率的
である。したがって、図２の（ロ）図は、複数枚の基板
１…に対して、両側に４個のターゲットＡ〜Ｄが対向配
置された実施例になっている。Next, the substrate 1 shown in FIG. 1 may be a single substrate, but it is poor in productivity to make several targets A to D face the single substrate. Therefore, it is efficient to support, for example, 10 or more substrates in the same plane by a holder and form protective films on a large number of substrates at once. Therefore, FIG. 2B shows an embodiment in which four targets A to D are arranged opposite to each other for a plurality of substrates 1.
【００３４】図４はターゲット配列の各種実施例を示し
た正面図である。(1) 図は矩形の環状のターゲットであ
り、中央のターゲットＢを取り巻くように、内側からタ
ーゲットＤ、Ｃ、Ａの順に配設されている。FIG. 4 is a front view showing various embodiments of the target array. (1) The figure shows a rectangular annular target, and the targets D, C, and A are arranged in this order from the inside so as to surround the center target B.
【００３５】この配置では、ターゲットＣ、Ｄから発生
したスパッタ粒子は、基板面に対しほぼ垂直方向に飛散
し、中央のターゲットＢと最外周の基板Ａから発生した
スパッタ粒子は、基板面に対し斜めに飛散する。印加電
源のパワーは、ターゲットＣ、Ｄに比べて、中央と最外
周のターゲットＢ、Ａのパワーを大きくする。なお、タ
ーゲット形状は、真円や楕円状でもよい。In this arrangement, the sputtered particles generated from the targets C and D are scattered in a direction substantially perpendicular to the substrate surface, and the sputtered particles generated from the target B in the center and the substrate A at the outermost periphery are scattered on the substrate surface. Scatter diagonally. As for the power of the applied power source, the powers of the targets B and A at the center and the outermost circumference are larger than those of the targets C and D. The target shape may be a perfect circle or an ellipse.
【００３６】(2) 図は図２（イ）の実施例と同じであ
る。（３）図は横長の短冊状のターゲットＡ、Ｂの間
に、同じく横長短冊状のターゲットＣ、Ｄを挟むよう
に、平行配置した例である。これに対し、（４）図は縦
長の短冊状のターゲットＡ、Ｂの間に、同じく縦長の短
冊状のターゲットＣ、Ｄを挟むように、平行配置した例
である。(2) The figure is the same as the embodiment of FIG. (3) The figure shows an example in which the horizontally long strip-shaped targets A and B are arranged in parallel so as to sandwich the horizontally long strip-shaped targets C and D. On the other hand, FIG. 4 (4) is an example in which vertically elongated strip-shaped targets C and D are arranged in parallel so as to be sandwiched between vertically elongated strip-shaped targets C and D.
【００３７】（３）図、（４）図の場合、内側のターゲ
ットＣ、Ｄに印加する電源パワーを小さくし、外側のタ
ーゲットＡ、Ｂに印加する電源パワーを大きくすると、
スパッタ粒子の大きさを変えることができ、しかも粒径
の大きいスパッタ粒子が、外側から斜めに飛来し、粒径
の小さいスパッタ粒径が基板に対し垂直方向から飛来す
るので、請求項４のように効率的にかつ均一に保護膜面
を粗面化できる。In the cases of FIGS. 3 (3) and 4 (4), when the power source power applied to the inner targets C and D is reduced and the power source power applied to the outer targets A and B is increased,
The size of the sputtered particles can be changed, and the sputtered particles having a large particle size obliquely fly from the outside, and the sputtered particle size having a small particle size comes from a direction perpendicular to the substrate. The surface of the protective film can be roughened efficiently and uniformly.
【００３８】（５）図は４つのターゲットＡ〜Ｄを田の
字状に配置した例、（６）図は正三角形状の４つのター
ゲットＡ〜Ｄを×状の境となるように配置した例であ
る。これらの実施例の場合、ターゲットＡ、Ｂの電源パ
ワーを大きくし、他のターゲットＣ、Ｄの電源パワーを
小さくすれば、粒径の異なるスパッタ粒子で保護膜を成
膜できるので、請求項１のように、比較的粗い保護面を
実現できる。FIG. 5 (5) shows an example in which four targets A to D are arranged in a square shape, and FIG. 6 (6) shows four equilateral triangular targets A to D arranged so as to form an X-shaped boundary. Here is an example. In these examples, if the power supplies of the targets A and B are increased and the power supplies of the other targets C and D are decreased, the protective film can be formed with sputtered particles having different particle diameters. As described above, a relatively rough protective surface can be realized.
【００３９】以上の実施例は、総てのターゲットＡ〜Ｄ
の組成が同一であるが、図５は、外側のターゲットＡ、
Ｂとしてチタン(Ti)を用い、内側のターゲットＣ、Ｄと
して、カーボン(C) を用いた例である。カーボンは原子
半径が0.71Åであるのに対し、チタンは1.47Åである。
したがって、ターゲットＡ、ＢとターゲットＣ、Ｄの電
源パワーを変えなくても、粒径の異なるスパッタ粒子を
堆積させて、請求項１のような粗面状態を実現できる。The above embodiment is applicable to all targets A to D.
5 has the same composition, but FIG.
In this example, titanium (Ti) is used as B and carbon (C) is used as the inner targets C and D. Carbon has an atomic radius of 0.71Å, whereas titanium has 1.47Å.
Therefore, even if the power supply power of the targets A and B and the targets C and D is not changed, sputtered particles having different particle diameters can be deposited to realize the rough surface state as in claim 1.
【００４０】しかも、カーボン・ターゲットＣ、Ｄの外
側にチタン・ターゲットＡ、Ｂを配置すると、粒径の小
さなカーボン粒子が基板面に垂直方向から飛来するのに
対し、粒径の大きなチタン粒子は斜めから飛来するの
で、請求項２のようなすぐれた粗面状態が容易に得られ
る。Moreover, when the titanium targets A and B are arranged outside the carbon targets C and D, carbon particles having a small particle diameter fly from the direction perpendicular to the substrate surface, whereas titanium particles having a large particle diameter Since it flies obliquely, it is possible to easily obtain an excellent rough surface state as claimed in claim 2.
【００４１】また、内側のカーボン・ターゲットＣ、Ｄ
の電源パワーより外側のチタン・ターゲットＣ、Ｄの電
源パワーを大きくすると、カーボン粒子径とチタン粒子
径の差がさらに大きくなるので、よりすぐれた粗面状態
を実現できる。The inner carbon targets C and D
By increasing the power supply power of the titanium targets C and D outside the power supply power of, the difference between the carbon particle diameter and the titanium particle diameter becomes further larger, so that a better rough surface state can be realized.
【００４２】各ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、図示例に
おいては、空間的に離して配置し、隣接するターゲット
の電極９同士が短絡しないようになっているが、隣接す
るターゲットを絶縁体を介して一体化すると、各ターゲ
ットの配置や支持が容易になる。尚、以上の実施例は、
ターゲットが４個になっているが、５個以上のターゲッ
トを用いてもよく、また各ターゲットの配置も各種の変
形例が可能である。In the illustrated example, the targets A, B, C, and D are spatially separated from each other so that the electrodes 9 of the adjacent targets do not short-circuit. The integration and support of each target becomes easy. In addition, the above embodiment is
Although there are four targets, five or more targets may be used, and various arrangements of each target are possible.
【００４３】請求項３に示すように、基板の一面に対し
ターゲットを単一とすることもできる。この場合は、最
初はスパッタパワーを小さくして、細かいスパッタ粒子
で成膜し、次いでスパッタパワーを高くし、大きなスパ
ッタ粒子を付着させることで、表面を粗くすることがで
きる。As shown in claim 3, a single target may be provided on one surface of the substrate. In this case, the surface can be roughened by first reducing the sputter power and forming a film with fine sputter particles, then increasing the sputter power and adhering large sputter particles.
【００４４】スパッタ装置は、左右のターゲットの間を
円板が移動するインライン型にも適用できるが、バリア
ン型と呼ばれているバッチ式の装置に特に有効である。The sputtering apparatus can be applied to an in-line type apparatus in which a disk moves between right and left targets, but is particularly effective for a batch type apparatus called Varian type.
【００４５】図６における1aは、例えば８インチの大径
の基板であり、このような大径の基板1aに磁性膜を成膜
し、その上に本発明の方法によって保護膜５を成膜し
て、大径の磁気ディスクを完成した後に、1bで示すよう
な小径の基板を抜き取って、1.89インチなどの小径の磁
気ディスクとすることもできる。この場合、小径基板1b
の外径Ｄよりも大径基板1aの内外周差Ｗが大きいことが
必要である。Reference numeral 1a in FIG. 6 denotes a substrate having a large diameter of 8 inches, for example. A magnetic film is formed on such a large substrate 1a, and a protective film 5 is formed thereon by the method of the present invention. Then, after the large-diameter magnetic disk is completed, the small-diameter substrate as shown by 1b can be extracted to obtain a small-diameter magnetic disk such as 1.89 inches. In this case, the small-diameter substrate 1b
It is necessary that the difference W between the inner and outer circumferences of the large-diameter substrate 1a is larger than the outer diameter D.
【００４６】[0046]
【発明の効果】請求項１のように、粒径の異なるスパッ
タ粒子を堆積すると、保護膜表面が粗くなり、磁気ヘッ
ドが磁気ディスク面となじむように、磁気ヘッドの摺動
面を容易に摩耗させて、磁極先端を磁気ディスク面に確
実に接触させることができる。したがって、テクスチャ
ー処理を要しない、小型の磁気ディスクに有効である。As described in claim 1, when sputtered particles having different particle diameters are deposited, the surface of the protective film becomes rough, and the sliding surface of the magnetic head is easily worn so that the magnetic head fits the magnetic disk surface. Thus, the tip of the magnetic pole can be surely brought into contact with the surface of the magnetic disk. Therefore, it is effective for a small magnetic disk that does not require texture processing.
【００４７】また、請求項２のように、粒径の小さな粒
子ｃは垂直方向から付着しているのに対し、粒径の大き
な粒子a(b)が斜めから付着している保護膜構成にする
と、保護膜５の表面状態がより粗くなる。Further, in the second aspect of the present invention, the particles c having a small particle diameter are adhered from the vertical direction, while the particles a (b) having a large particle diameter are obliquely adhered. Then, the surface state of the protective film 5 becomes rougher.
【００４８】請求項３のように、保護膜５を成膜する際
に、基板１に対応して複数のターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
を設け、ターゲットのスパッタパワーを変えることによ
り、それぞれのターゲットから発生するスパッタ粒子の
粒径を変え、粒径の大きな粒子a(b)と粒径の小さな粒子
c(d)を基板１に付着させることができ、特別の工程を追
加することなしに、保護膜の成膜工程で保護膜表面を粗
すことができる。あるいは、ターゲットが単一の場合
は、先に細かい粒子でスパッタを行ない、その後に粗い
粒子でスパッタすると、保護膜表面が粗くなる。When the protective film 5 is formed, the plurality of targets A, B, C, D corresponding to the substrate 1 are formed.
By changing the sputtering power of the target, the particle size of the sputtered particles generated from each target is changed, and particles a (b) with a large particle size and particles with a small particle size are
c (d) can be attached to the substrate 1, and the surface of the protective film can be roughened in the step of forming the protective film without adding a special step. Alternatively, when the target is a single target, fine particles are sputtered first, and then coarse particles are sputtered, so that the surface of the protective film becomes rough.
【００４９】請求項４のように、一つのスパッタ装置に
おいて、組成の異なる複数のターゲットを用いて保護膜
を成膜すると、同時に同じパワーでスパッタしても、粒
径が複数種類のスパッタ粒子が付着し、表面の粗い保護
膜が得られるので、制御が容易になる。When a protective film is formed by using a plurality of targets having different compositions in one sputtering apparatus as described in claim 4, sputtered particles having a plurality of kinds of particle diameters are generated even if they are sputtered at the same power at the same time. Since the protective film adheres and has a rough surface, control becomes easy.
【００５０】また、本発明によれば、テクスチャー加工
を行なわないで、かつ特別の工程を追加することなし
に、基板表面を粗面化できるので、製造コスト低減の上
で極めて有効である。Further, according to the present invention, the surface of the substrate can be roughened without performing texture processing and without adding a special process, which is extremely effective in reducing the manufacturing cost.
【図１】本発明による磁気ディスクおよびその製造方法
の基本原理を説明する断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating the basic principle of a magnetic disk and a manufacturing method thereof according to the present invention.
【図２】ターゲット配置の第一実施例を示す正面図と同
ターゲット配置によってスパッタを行なっている状態の
縦断面図である。FIG. 2 is a front view showing a first embodiment of target arrangement and a vertical cross-sectional view of a state where sputtering is performed by the target arrangement.
【図３】スパッタによって成膜された本発明の保護膜を
示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a protective film of the present invention formed by sputtering.
【図４】ターゲット配置の各種実施例を示した正面図で
ある。FIG. 4 is a front view showing various examples of target arrangement.
【図５】組成の異なる複数ターゲットの組み合わせ例を
示す正面図である。FIG. 5 is a front view showing an example of a combination of a plurality of targets having different compositions.
【図６】保護膜が形成された大径磁気ディスクから複数
枚の小径磁気ディスクを作製する例を示す正面図であ
る。FIG. 6 is a front view showing an example of manufacturing a plurality of small-diameter magnetic disks from a large-diameter magnetic disk having a protective film formed thereon.
【図７】従来の薄膜型の磁気ディスクの断面構造を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of a conventional thin film magnetic disk.
【図８】従来の薄膜型の磁気ディスクの製造方法を工程
順に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a conventional thin-film magnetic disk in the order of steps.
１ 非磁性体からなる基板（円板） 1a 大径円板 1b 小径円板 ５ 保護膜( カーボン膜 ) ８ テクスチャー溝 A,B 電源パワーの大きなターゲット C,D 電源パワーの小さなターゲット a,b 粒径の大きなスパッタ粒子 c,d 粒径の小さなスパッタ粒子 ９ 電源電極 1 Substrate (disk) made of non-magnetic material 1a Large diameter disk 1b Small diameter disk 5 Protective film (carbon film) 8 Texture groove A, B Target with large power supply C, D Target with small power supply a, b Grains Large diameter sputtered particles c, d Small diameter sputtered particles 9 Power electrode
Claims (4)
される保護膜(5) が、粒径が２種類以上に制御されたス
パッタ粒子が混在して堆積したスパッタ膜から成ること
を特徴とする磁気ディスク。1. A protective film (5) formed on a thin-film magnetic film of a magnetic disk, comprising a sputtered film in which sputtered particles having a particle size controlled to two or more kinds are mixed and deposited. And a magnetic disk.
される保護膜(5) が、粒径の異なるスパッタ粒子が堆積
したスパッタ膜から成り、しかも粒径の大きな粒子(a)
(b)が、斜めから付着していることを特徴とする磁気デ
ィスク。2. A protective film (5) formed on a thin-film magnetic film of a magnetic disk, comprising a sputtered film in which sputtered particles having different particle diameters are deposited, and having a large particle diameter (a).
A magnetic disk characterized in that (b) is attached obliquely.
される保護膜(5) を成膜する際に、 一つのスパッタ装置において、基板の片面につき少なく
とも一つのターゲットを配設し、かつスパッタパワーを
変えることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。3. When forming a protective film (5) formed on a thin film magnetic film of a magnetic disk, at least one target is provided on one surface of a substrate in one sputtering apparatus, and A method of manufacturing a magnetic disk, characterized in that a sputtering power is changed.
される保護膜(5) を成膜する際に、 一つのスパッタ装置において、組成の異なる複数のター
ゲットを用いて、基板(1) にスパッタを行なうことを特
徴とする磁気ディスクの製造方法。4. When a protective film (5) formed on a thin film magnetic film of a magnetic disk is formed, a substrate (1) is formed by using a plurality of targets having different compositions in one sputtering apparatus. A method of manufacturing a magnetic disk, which comprises performing sputtering on a magnetic disk.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25951392A JP2819214B2 (en) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | Disc and method of manufacturing the same |
| US08/120,149 US5486276A (en) | 1992-09-10 | 1993-09-10 | Method for manufacturing small magnetic disks from a large disk |
| US08/367,055 US5552203A (en) | 1992-09-10 | 1994-12-30 | Magnetic disk having a protective layer of sputtered particles of two differently controlled grain sizes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25951392A JP2819214B2 (en) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | Disc and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH06111301A true JPH06111301A (en) | 1994-04-22 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006092679A (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hoya Corp | Magnetic disk and its manufacturing method |
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1992
- 1992-09-29 JP JP25951392A patent/JP2819214B2/en not_active Expired - Fee Related
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