JPH0594005A - フオトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法 - Google Patents
フオトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0594005A JPH0594005A JP25340091A JP25340091A JPH0594005A JP H0594005 A JPH0594005 A JP H0594005A JP 25340091 A JP25340091 A JP 25340091A JP 25340091 A JP25340091 A JP 25340091A JP H0594005 A JPH0594005 A JP H0594005A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- photomask
- light
- mask
- light transmittance
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトマスク欠陥検査が高精度にできるフォ
トマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法を提
供する。 【構成】 フォトマスク上のクロム（Ｃｒ）等の遮光部
２の所定部をドライエッチングして薄くし、遮光部２と
ガラス基板１の中間的光透過率を有する欠陥パターン４
を形成する。これによりウエハーに転写する欠陥サイズ
と欠陥の光透過率の関係が正しく認識でき、フォトマス
ク検査装置の校正が最適化できる。
トマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法を提
供する。 【構成】 フォトマスク上のクロム（Ｃｒ）等の遮光部
２の所定部をドライエッチングして薄くし、遮光部２と
ガラス基板１の中間的光透過率を有する欠陥パターン４
を形成する。これによりウエハーに転写する欠陥サイズ
と欠陥の光透過率の関係が正しく認識でき、フォトマス
ク検査装置の校正が最適化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に用いるフォトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその
製造方法に関する。
に用いるフォトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造に際して半導体基
板に所定の構成パターンを露光させるために、そのパタ
ーンを１〜１０倍に拡大して作成された例えばガラス基
板からなるフォトマスクが使用される。現在、フォトマ
スク欠陥検査装置は比較パターン上にサイズの異なる別
パターンを有する欠陥マスクによって最小欠陥検出サイ
ズの確認および装置調整を行っている。
板に所定の構成パターンを露光させるために、そのパタ
ーンを１〜１０倍に拡大して作成された例えばガラス基
板からなるフォトマスクが使用される。現在、フォトマ
スク欠陥検査装置は比較パターン上にサイズの異なる別
パターンを有する欠陥マスクによって最小欠陥検出サイ
ズの確認および装置調整を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、最小欠陥検出サイズより大きくてもガラ
ス基板より光透過率の低い薄膜たとえばレジスト残渣や
パーティクルはウエハー上に露光するとパターンに影響
するが検査装置では検出できない。
来の構成では、最小欠陥検出サイズより大きくてもガラ
ス基板より光透過率の低い薄膜たとえばレジスト残渣や
パーティクルはウエハー上に露光するとパターンに影響
するが検査装置では検出できない。
【０００４】本発明は上記課題を解決するもので、フォ
トマスク欠陥検査が高精度にできるフォトマスク検査装
置用欠陥マスクおよびその製造方法を提供することを目
的としている。
トマスク欠陥検査が高精度にできるフォトマスク検査装
置用欠陥マスクおよびその製造方法を提供することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、第１の課題解決手段は、遮光部上をドライ
エッチングで薄くけずって形成された光透過率の異なる
欠陥パターンを有する構成よりなる。
するために、第１の課題解決手段は、遮光部上をドライ
エッチングで薄くけずって形成された光透過率の異なる
欠陥パターンを有する構成よりなる。
【０００６】また第２の課題解決手段は、光透過部にＦ
ＩＢやレーザ光により有機薄膜を被覆することにより形
成された光透過率の異なる欠陥パターンを有する構成よ
りなる。
ＩＢやレーザ光により有機薄膜を被覆することにより形
成された光透過率の異なる欠陥パターンを有する構成よ
りなる。
【０００７】
【作用】上記構成により、欠陥マスクによりウエハーに
転写する欠陥サイズと欠陥の光透過率の関係が正しく認
識でき、フォトマスク欠陥検査装置の校正が最適化でき
る。
転写する欠陥サイズと欠陥の光透過率の関係が正しく認
識でき、フォトマスク欠陥検査装置の校正が最適化でき
る。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例のフォトマスク検査装置用
欠陥マスクおよびその製造方法について、図１，図２お
よび図３を用いて詳細に説明する。
欠陥マスクおよびその製造方法について、図１，図２お
よび図３を用いて詳細に説明する。
【０００９】図１において、１はフォトマスクのガラス
基板、２はパターンニングされたＣｒ膜である。ガラス
基板１上にパターンニングされたＣｒ膜２でできたフォ
トマスクに、スリットで欠陥サイズに成形されたエッチ
ング光３、たとえばレーザ光や集束イオンビーム（以降
ＦｉＢとする）光を照射してＣｒ膜を薄くエッチング
し、光透過率がガラス基板１とＣｒ膜２の中間になるエ
ッチング欠陥パターン４を作成する。
基板、２はパターンニングされたＣｒ膜である。ガラス
基板１上にパターンニングされたＣｒ膜２でできたフォ
トマスクに、スリットで欠陥サイズに成形されたエッチ
ング光３、たとえばレーザ光や集束イオンビーム（以降
ＦｉＢとする）光を照射してＣｒ膜を薄くエッチング
し、光透過率がガラス基板１とＣｒ膜２の中間になるエ
ッチング欠陥パターン４を作成する。
【００１０】同様に図２に示すようにガラス基板１とパ
ターンニングされたＣｒ膜２からなるフォトマスクをカ
ーボンを含んだ有機ガス５の雰囲気中で欠陥サイズにス
リットで成形されたスポット光６、例えばレーザ光やＦ
ｉＢ光を照射し有機薄膜７を蒸着させ、光透過率がガラ
ス基板１とＣｒ膜２の中間になる蒸着欠陥パターン７を
作成する。
ターンニングされたＣｒ膜２からなるフォトマスクをカ
ーボンを含んだ有機ガス５の雰囲気中で欠陥サイズにス
リットで成形されたスポット光６、例えばレーザ光やＦ
ｉＢ光を照射し有機薄膜７を蒸着させ、光透過率がガラ
ス基板１とＣｒ膜２の中間になる蒸着欠陥パターン７を
作成する。
【００１１】つぎに図３に示すように、作成された欠陥
マスク８はベースパターン９の繰り返しで構成されてお
り、欠陥検査装置でハーフトーンの欠陥パターン１０と
従来の欠陥パターン１１を検出し、検出サイズと、検出
される欠陥の光透過率の関係を確認し、検査装置の感度
を調整する。
マスク８はベースパターン９の繰り返しで構成されてお
り、欠陥検査装置でハーフトーンの欠陥パターン１０と
従来の欠陥パターン１１を検出し、検出サイズと、検出
される欠陥の光透過率の関係を確認し、検査装置の感度
を調整する。
【００１２】また、この欠陥マスクをウエハーに露光し
て転写される欠陥の光透過率とサイズの関係を確認す
る。
て転写される欠陥の光透過率とサイズの関係を確認す
る。
【００１３】本発明のフォトマスク検査用欠陥マスクの
製造法により、フォトマスク上にウエハーに転写される
ハーフトーンの欠陥が容易にできる。
製造法により、フォトマスク上にウエハーに転写される
ハーフトーンの欠陥が容易にできる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明はフォトマスク上の
遮光部の所定領域に形成された遮光部と光透過率の異な
る欠陥パターンを有する構成によるので、ウエハー転写
においてパターンに影響するフォトマスクの欠陥検出が
確実に行え、フォトマスク製造工程ひいては半導体製造
歩留の向上に大いに役立つフォトマスク検査装置用欠陥
マスクを提供できる。
遮光部の所定領域に形成された遮光部と光透過率の異な
る欠陥パターンを有する構成によるので、ウエハー転写
においてパターンに影響するフォトマスクの欠陥検出が
確実に行え、フォトマスク製造工程ひいては半導体製造
歩留の向上に大いに役立つフォトマスク検査装置用欠陥
マスクを提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例のフォトマスク検査装置
用欠陥マスクの製造方法を示す断面図
用欠陥マスクの製造方法を示す断面図
【図２】本発明の第２の実施例のフォトマスク検査装置
用欠陥マスクの製造方法を示す断面図
用欠陥マスクの製造方法を示す断面図
【図３】図１，図２の製造方法により得られたフォトマ
スク検査装置用欠陥マスクの平面図
スク検査装置用欠陥マスクの平面図
１ ガラス基板 ２ Ｃｒ膜（遮光部） ３ エッチング光 ４ エッチング欠陥パターン（欠陥パターン） ５ 有機ガス ６ スポット光 ７ 蒸着欠陥パターン（欠陥パターン）
Claims (4)
- 【請求項１】フォトマスク上の遮光部の所定領域に形成
されたその遮光部と光透過率の異なる欠陥パターンを少
なくとも有することを特徴とするフォトマスク検査装置
用欠陥マスク。 - 【請求項２】フォトマスク上の遮光部の所定領域を所定
の厚みまでエッチングし、前記遮光部と光透過率の異な
る欠陥パターンを形成することを特徴とするフォトマス
ク検査装置用欠陥マスクの製造方法。 - 【請求項３】フォトマスク上の光透過部の所定領域に形
成された遮光部および前記光透過部にくらべて光透過率
の異なる薄膜よりなる欠陥パターンを少なくとも有する
ことを特徴とするフォトマスク検査装置用欠陥マスク。 - 【請求項４】フォトマスク上の光透過部の所定領域に遮
光部と光透過率の異なる薄膜を被覆させ、前記遮光部お
よび光透過部にくらべて光透過率の異なる欠陥パターン
を形成することを特徴とするフォトマスク検査装置用欠
陥マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25340091A JPH0594005A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | フオトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25340091A JPH0594005A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | フオトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594005A true JPH0594005A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17250854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25340091A Pending JPH0594005A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | フオトマスク検査装置用欠陥マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594005A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005121788A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 欠陥検査用マスク及び欠陥検査用マスクの製造方法 |
| JP2006267091A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 較正用標準試料及びその製造方法、分光光度計の較正方法、並びにマスクブランク及びその製造方法。 |
| KR101295557B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2013-08-16 | 호야 가부시키가이샤 | 교정용 표준시료 및 그 제조방법, 분광 광도계의 교정방법,및 마스크 블랭크 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25340091A patent/JPH0594005A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005121788A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 欠陥検査用マスク及び欠陥検査用マスクの製造方法 |
| JP2006267091A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 較正用標準試料及びその製造方法、分光光度計の較正方法、並びにマスクブランク及びその製造方法。 |
| KR101295557B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2013-08-16 | 호야 가부시키가이샤 | 교정용 표준시료 및 그 제조방법, 분광 광도계의 교정방법,및 마스크 블랭크 및 그 제조방법 |
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