JPH0593072A - ポリシラン及びその合成方法 - Google Patents
ポリシラン及びその合成方法Info
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- JPH0593072A JPH0593072A JP25346491A JP25346491A JPH0593072A JP H0593072 A JPH0593072 A JP H0593072A JP 25346491 A JP25346491 A JP 25346491A JP 25346491 A JP25346491 A JP 25346491A JP H0593072 A JPH0593072 A JP H0593072A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】機能性高分子材料として極めて有用な新規な１
次元可溶性ポリシランを簡便なプラズマ重合を用いて合
成、成膜する。 【構成】置換基がフルオロ基、パーフルオロアルキル
基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、パーフルオ
ロアルキル置換フェニル基から選ばれた同一または異な
る２つであるポリシランを対応するジヒドロシランのプ
ラズマ重合で合成、成膜する。 【効果】機能性高分子材料として極めて有用な新規な１
次元可溶性ポリシランを簡便なプラズマ重合を用いて合
成、成膜することができ、さらに、この膜は溶液中で合
成したポリマを溶剤に溶解させスピンコートして成膜し
た膜と同様の膜になる。
次元可溶性ポリシランを簡便なプラズマ重合を用いて合
成、成膜する。 【構成】置換基がフルオロ基、パーフルオロアルキル
基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、パーフルオ
ロアルキル置換フェニル基から選ばれた同一または異な
る２つであるポリシランを対応するジヒドロシランのプ
ラズマ重合で合成、成膜する。 【効果】機能性高分子材料として極めて有用な新規な１
次元可溶性ポリシランを簡便なプラズマ重合を用いて合
成、成膜することができ、さらに、この膜は溶液中で合
成したポリマを溶剤に溶解させスピンコートして成膜し
た膜と同様の膜になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感光性材料、非線形光学
材料、光電変換材料、導電性材料、焦電材料、圧電材料
などの機能性高分子材料として有用な新規なポリシラン
及びその合成方法に関する。
材料、光電変換材料、導電性材料、焦電材料、圧電材料
などの機能性高分子材料として有用な新規なポリシラン
及びその合成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９８１年、ウエストらにより可溶性高
分子量ポリシラン（フェニルメチルジクロロシランとジ
メチルジクロロシランのＮａによる重合物）が合成され
て以来（R. West t al., J. Am. Chem. Soc., 103, 735
2(1981))、ポリシランが光電子機能性材料として優れた
物性を有することが示されている。例えば、P. T.Trefo
nas III et al., J. Polym. Sci. Polym. Chem., 25, 8
23(1987)には感光性材料としての機能が、F. Kajzar et
al., J. Appl.Phys., 60, 3040(1986)には非線形光学
材料としての機能が、また、M. Stolka et al., J. Pol
ym.Sci., Polym. Chem., 25, 823(1987)には光電変換材
料としての機能が示されている。これらポリシランは１
次元ポリマであり置換基を非対称性にするか置換基にフ
レキシブルなものを導入することにより溶剤に可溶にな
るようにしている。その合成法は、近年、触媒反応(C.
T. Aitken et al., J. Am. Chem. Soc.,108,4059(198
6))、リビング重合（K. Sakamoto et al., J. Am. Che
m. Soc., 111, 7641(1989))などの方法が検討されてい
るが、一般的にはナトリウムとジクロロシランの反応を
用いて合成しており、危険なナトリウムを使用すること
からポリシランの工業化のあい路となっている。
分子量ポリシラン（フェニルメチルジクロロシランとジ
メチルジクロロシランのＮａによる重合物）が合成され
て以来（R. West t al., J. Am. Chem. Soc., 103, 735
2(1981))、ポリシランが光電子機能性材料として優れた
物性を有することが示されている。例えば、P. T.Trefo
nas III et al., J. Polym. Sci. Polym. Chem., 25, 8
23(1987)には感光性材料としての機能が、F. Kajzar et
al., J. Appl.Phys., 60, 3040(1986)には非線形光学
材料としての機能が、また、M. Stolka et al., J. Pol
ym.Sci., Polym. Chem., 25, 823(1987)には光電変換材
料としての機能が示されている。これらポリシランは１
次元ポリマであり置換基を非対称性にするか置換基にフ
レキシブルなものを導入することにより溶剤に可溶にな
るようにしている。その合成法は、近年、触媒反応(C.
T. Aitken et al., J. Am. Chem. Soc.,108,4059(198
6))、リビング重合（K. Sakamoto et al., J. Am. Che
m. Soc., 111, 7641(1989))などの方法が検討されてい
るが、一般的にはナトリウムとジクロロシランの反応を
用いて合成しており、危険なナトリウムを使用すること
からポリシランの工業化のあい路となっている。
【０００３】一方、シランあるいはジシランはＣＶＤな
どの気層反応によりシリコン半導体膜や光電変換膜など
を形成するための原料ガスとして広く使用されている
が、これらガスの気層反応で生成する膜は一般的には３
次元構造をしており溶剤に不溶である。１次元ポリシラ
ンが生成したという例は、古川、松本、応用物理、55、
1080(1986)に示されているように、シランのＣＶＤで基
板を低温にすると繰返し単位が１２位までの１次元ポリ
シランができるという報告と、I. Haller, J. Electroc
hem. Soc., 129, 180(1982)に示されているようにフェ
ニルシランのプラズマ重合で一部架橋を含むが主に１次
元ポリシランが生成するという報告の２例が知られてい
るのみである。ただし、これらのポリシランが溶剤に可
溶であるという記述はない。
どの気層反応によりシリコン半導体膜や光電変換膜など
を形成するための原料ガスとして広く使用されている
が、これらガスの気層反応で生成する膜は一般的には３
次元構造をしており溶剤に不溶である。１次元ポリシラ
ンが生成したという例は、古川、松本、応用物理、55、
1080(1986)に示されているように、シランのＣＶＤで基
板を低温にすると繰返し単位が１２位までの１次元ポリ
シランができるという報告と、I. Haller, J. Electroc
hem. Soc., 129, 180(1982)に示されているようにフェ
ニルシランのプラズマ重合で一部架橋を含むが主に１次
元ポリシランが生成するという報告の２例が知られてい
るのみである。ただし、これらのポリシランが溶剤に可
溶であるという記述はない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、上記したような機能性高分子材料として極めて有用
な新規な１次元可溶性ポリシランを与えることであり、
本発明の第２の目的は、これらのポリマを簡便なプラズ
マ重合を用いて合成、成膜することにある。
は、上記したような機能性高分子材料として極めて有用
な新規な１次元可溶性ポリシランを与えることであり、
本発明の第２の目的は、これらのポリマを簡便なプラズ
マ重合を用いて合成、成膜することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は機能性ポリシ
ランを、溶液中で合成するのではなく、直接基板に合成
・成膜することを目的に、プラズマ重合で１次元可溶性
ポリシランを合成できるケイ素モノマーを種々探索し
た。
ランを、溶液中で合成するのではなく、直接基板に合成
・成膜することを目的に、プラズマ重合で１次元可溶性
ポリシランを合成できるケイ素モノマーを種々探索し
た。
【０００６】その結果、ジヒドロシランの２つの置換
基、Ｒ1，Ｒ2が、フルオロ基、パーフルオロアルキル
基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、パーフルオ
ロアルキル置換フェニル基から選ばれた異なる基である
場合には、プラズマ重合で化３で表される新規なポリシ
ランが合成でき、
基、Ｒ1，Ｒ2が、フルオロ基、パーフルオロアルキル
基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、パーフルオ
ロアルキル置換フェニル基から選ばれた異なる基である
場合には、プラズマ重合で化３で表される新規なポリシ
ランが合成でき、
【０００７】
【化３】
【０００８】但し、Ｒ1とＲ2はフルオロ基、パーフルオ
ロアルキル基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、
パーフルオロアルキル置換フェニル基から選ばれた異な
る基であり、ｎは重合度を表す。
ロアルキル基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、
パーフルオロアルキル置換フェニル基から選ばれた異な
る基であり、ｎは重合度を表す。
【０００９】その構造が１次元で、テトラヒドロフラン
等の有機溶剤に可溶であることを見出した。
等の有機溶剤に可溶であることを見出した。
【００１０】さらに、ジヒドロシランの２つの置換基が
同一のＲ3でパーフルオロアルキル基またはパーフルオ
ロアルキル置換フェニル基である場合には、プラズマ重
合で化４で表される新規なポリシランが合成でき、
同一のＲ3でパーフルオロアルキル基またはパーフルオ
ロアルキル置換フェニル基である場合には、プラズマ重
合で化４で表される新規なポリシランが合成でき、
【００１１】
【化４】
【００１２】但し、Ｒ3はパーフルオロアルキル基また
はパーフルオロアルキル置換フェニル基であり、ｍは重
合度を表す。
はパーフルオロアルキル置換フェニル基であり、ｍは重
合度を表す。
【００１３】その構造が１次元で、テトラヒドロフラン
等の有機溶剤に可溶であることを見出した。
等の有機溶剤に可溶であることを見出した。
【００１４】ここで、パーフルオロアルキル基として
は、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチ
ル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル
基、パーフルオロヘキシル基等があり、パーフルオロア
ルキル置換フェニル基としては、上記パーフルオロアル
キル基が置換したフェニル基等が挙げられる。
は、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチ
ル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル
基、パーフルオロヘキシル基等があり、パーフルオロア
ルキル置換フェニル基としては、上記パーフルオロアル
キル基が置換したフェニル基等が挙げられる。
【００１５】本発明の１次元可溶性ポリシランポリマの
合成に用いるプラズマ重合法に関しては、Techniques a
nd Applications of Plasma Chemistry edited by J.
R.Hollahan and A. T. Bell, John Wiley & Sons 1974
に記載があるような一般的な条件で行うことができる。
すなわち、２つの電極（通常は平行平板）を備えた真空
チャンバーを排気し、モノマーガスをチャンバー内に導
入する。ついで、電極間に高周波を印加して放電を起こ
させ、モノマーガスのプラズマを発生させる。重合物は
アース側電極の上に設置した基板上に堆積する。ただ
し、架橋をできるかぎり抑えるためには、基板温度を低
温にし、また、モノマーガス流量を小さくしてチャンバ
ー圧を高めに設定した方が良い。
合成に用いるプラズマ重合法に関しては、Techniques a
nd Applications of Plasma Chemistry edited by J.
R.Hollahan and A. T. Bell, John Wiley & Sons 1974
に記載があるような一般的な条件で行うことができる。
すなわち、２つの電極（通常は平行平板）を備えた真空
チャンバーを排気し、モノマーガスをチャンバー内に導
入する。ついで、電極間に高周波を印加して放電を起こ
させ、モノマーガスのプラズマを発生させる。重合物は
アース側電極の上に設置した基板上に堆積する。ただ
し、架橋をできるかぎり抑えるためには、基板温度を低
温にし、また、モノマーガス流量を小さくしてチャンバ
ー圧を高めに設定した方が良い。
【００１６】基板上に生成したポリシランは約３ミクロ
ン位までクラックがなく、また、ピンホールもない。こ
の基板をテトラヒドロフラン中に入れるとポリシランが
溶解し、ゲルパーミッションクロマトグラフで分子量を
測定するとポリスチレン換算で約１０００から５０００
００のポリマーであった。
ン位までクラックがなく、また、ピンホールもない。こ
の基板をテトラヒドロフラン中に入れるとポリシランが
溶解し、ゲルパーミッションクロマトグラフで分子量を
測定するとポリスチレン換算で約１０００から５０００
００のポリマーであった。
【００１７】一方、本発明のポリマーは溶液中でも合成
することができる。すなわち、対応するジクロロシラン
とナトリウムをトルエンかあるいはキシレン中に入れ、
溶剤の沸点温度まで加熱した後、高速撹拌することによ
り、分子量が１０００から１００００００の１次元可溶
性ポリシランが生成する。
することができる。すなわち、対応するジクロロシラン
とナトリウムをトルエンかあるいはキシレン中に入れ、
溶剤の沸点温度まで加熱した後、高速撹拌することによ
り、分子量が１０００から１００００００の１次元可溶
性ポリシランが生成する。
【００１８】したがって、溶液中で合成したポリマを溶
剤に溶解させ、スピンコートしたポリマ膜と同様の膜が
プラズマ重合で直接合成・成膜することができる。
剤に溶解させ、スピンコートしたポリマ膜と同様の膜が
プラズマ重合で直接合成・成膜することができる。
【００１９】
【作用】通常、プラズマ重合で生成する重合物は３次元
に架橋したものであり、一般的には溶剤に不溶である。
本発明でほとんど架橋のない１次元可溶性ポリシランが
合成できた要因を考えるために、代表的なモデル化合物
を使ってａｂ−ｉｎｉｔｉｏ計算を行った。
に架橋したものであり、一般的には溶剤に不溶である。
本発明でほとんど架橋のない１次元可溶性ポリシランが
合成できた要因を考えるために、代表的なモデル化合物
を使ってａｂ−ｉｎｉｔｉｏ計算を行った。
【００２０】
【化５】
【００２１】
【化６】
【００２２】
【化７】
【００２３】化５で表されるシランのＳｉ−Ｈ結合解離
エネルギーは８４．３ｋｃａｌ／ｍｏｌと計算された。
シランのプラズマ重合で１次元ポリシランが生成した原
因はＳｉ−Ｈ間の結合解離エネルギーに差がないことか
ら、プラズマ重合の条件に起因すると考えられる。しか
し、３次元に架橋する結合手はまだ２つ残っており１次
元に高度に構造を規制することはできない。
エネルギーは８４．３ｋｃａｌ／ｍｏｌと計算された。
シランのプラズマ重合で１次元ポリシランが生成した原
因はＳｉ−Ｈ間の結合解離エネルギーに差がないことか
ら、プラズマ重合の条件に起因すると考えられる。しか
し、３次元に架橋する結合手はまだ２つ残っており１次
元に高度に構造を規制することはできない。
【００２４】一方、化６で表されるフェニルシランのＳ
ｉ−Ｈ結合解離エネルギーは８５．５ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ、Ｓｉ−φ結合解離エネルギーは１２４．７ｋｃａｌ
／ｍｏｌと計算された。Ｓｉ−ＨとＳｉ−φの結合解離
エネルギーの差は３９．２ｋｃａｌ／ｍｏｌあり、充分
にプラズマ重合反応をＳｉ−Ｈの解離に規制することが
できる。しかし、同じＳｉ−Ｈの結合解離エネルギーで
３次元に架橋する可能性のある結合手はまだ１つ残って
おり、重合物を１次元に高度に構造を規制することはで
きない。
ｉ−Ｈ結合解離エネルギーは８５．５ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ、Ｓｉ−φ結合解離エネルギーは１２４．７ｋｃａｌ
／ｍｏｌと計算された。Ｓｉ−ＨとＳｉ−φの結合解離
エネルギーの差は３９．２ｋｃａｌ／ｍｏｌあり、充分
にプラズマ重合反応をＳｉ−Ｈの解離に規制することが
できる。しかし、同じＳｉ−Ｈの結合解離エネルギーで
３次元に架橋する可能性のある結合手はまだ１つ残って
おり、重合物を１次元に高度に構造を規制することはで
きない。
【００２５】本発明の作用を化７で表されるモデル化合
物、フェニルフルオロシラン、を使って説明する。フェ
ニルフルオロシランのＳｉ−Ｈ結合解離エネルギーは１
０７．６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｓｉ−φ結合解離エネルギ
ーは１３１．６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｓｉ−Ｆ結合解離エ
ネルギーは１５３．７ｋｃａｌ／ｍｏｌと計算された。
フェニルシランの３つのＳｉ−Ｈ結合のうちの１つを結
合解離エネルギーの大きいＳｉ−Ｆ結合に変えることに
より、最も結合解離エネルギーの小さい結合を２つのＳ
ｉ−Ｈ結合にすることができた。ところが、Ｆの導入に
より、次に小さい結合解離エネルギーを持つＳｉ−φ結
合との結合解離エネルギー差は２４．０ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌと小さくなってしまった。しかし、依然、プラズマ重
合反応をＳｉ−Ｈの解離に規制するのに充分なエネルギ
ー差を持っているために、重合物の構造を１次元に高度
に規制することができたものと考えられる。また、プラ
ズマ重合に際して、基板温度を低くし、また、モノマー
ガス流量を小さくしてチャンバー圧を高めに設定するな
ど穏和な条件で行うことは、エネルギー差が小さくなっ
た分架橋をできるかぎり抑えるために有効であったと考
えられる。
物、フェニルフルオロシラン、を使って説明する。フェ
ニルフルオロシランのＳｉ−Ｈ結合解離エネルギーは１
０７．６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｓｉ−φ結合解離エネルギ
ーは１３１．６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｓｉ−Ｆ結合解離エ
ネルギーは１５３．７ｋｃａｌ／ｍｏｌと計算された。
フェニルシランの３つのＳｉ−Ｈ結合のうちの１つを結
合解離エネルギーの大きいＳｉ−Ｆ結合に変えることに
より、最も結合解離エネルギーの小さい結合を２つのＳ
ｉ−Ｈ結合にすることができた。ところが、Ｆの導入に
より、次に小さい結合解離エネルギーを持つＳｉ−φ結
合との結合解離エネルギー差は２４．０ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌと小さくなってしまった。しかし、依然、プラズマ重
合反応をＳｉ−Ｈの解離に規制するのに充分なエネルギ
ー差を持っているために、重合物の構造を１次元に高度
に規制することができたものと考えられる。また、プラ
ズマ重合に際して、基板温度を低くし、また、モノマー
ガス流量を小さくしてチャンバー圧を高めに設定するな
ど穏和な条件で行うことは、エネルギー差が小さくなっ
た分架橋をできるかぎり抑えるために有効であったと考
えられる。
【００２６】本発明の作用を代表的なモデル化合物で説
明したが、他の化合物についても同様と考えられる。
明したが、他の化合物についても同様と考えられる。
【００２７】
【実施例】本発明を実施例にて具体的に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】実施例１ ステンレス製真空槽内部に半径１０ｃｍの一対の円板状
平行平板電極を有し、その一方は高周波電源とマッチン
グボックスを介して電気的に接続され、他方は真空槽と
共に接地された電極構造を有するプラズマＣＶＤ装置の
接地側電極上に、基板として直径３インチのシリコンウ
ェハを設置し、基板を０℃に冷却した。ついで、真空槽
内を１×１０~4Ｐａの真空度まで排気した後、フェニル
フルオロシランを大気圧換算で毎分１ｍｌ供給し、排気
速度を調整して真空槽内の圧力を２．６Ｐａに保った。
次に、基板の高周波印加側電極に周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、電力８０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生
させ、この状態で３０分保持した後、高周波電力の印加
を止め、基板を取り出したところ、膜厚０．２μｍのフ
ェニルフルオロポリシランが形成された。
平行平板電極を有し、その一方は高周波電源とマッチン
グボックスを介して電気的に接続され、他方は真空槽と
共に接地された電極構造を有するプラズマＣＶＤ装置の
接地側電極上に、基板として直径３インチのシリコンウ
ェハを設置し、基板を０℃に冷却した。ついで、真空槽
内を１×１０~4Ｐａの真空度まで排気した後、フェニル
フルオロシランを大気圧換算で毎分１ｍｌ供給し、排気
速度を調整して真空槽内の圧力を２．６Ｐａに保った。
次に、基板の高周波印加側電極に周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、電力８０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを発生
させ、この状態で３０分保持した後、高周波電力の印加
を止め、基板を取り出したところ、膜厚０．２μｍのフ
ェニルフルオロポリシランが形成された。
【００２９】上記基板をテトラヒドロフラン中に浸漬し
たところ、フェニルフルオロポリシランは溶解し、これ
をゲルパーミッションクロマトグラフにかけたところ、
ポリスチレン換算で、約１０００から１０００００の分
子量であった。
たところ、フェニルフルオロポリシランは溶解し、これ
をゲルパーミッションクロマトグラフにかけたところ、
ポリスチレン換算で、約１０００から１０００００の分
子量であった。
【００３０】実施例２ 基板温度を５０℃に設定し実施例１と同様にフェニルフ
ルオロシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が
０．３μｍで分子量が約１０００から１５００００のフ
ェニルフルオロポリシランが得られた。
ルオロシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が
０．３μｍで分子量が約１０００から１５００００のフ
ェニルフルオロポリシランが得られた。
【００３１】実施例３ 基板温度を８０℃に設定し実施例１と同様にフェニルフ
ルオロシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が
０．４μｍで分子量が約１０００から２０００００のフ
ェニルフルオロポリシランが得られた。
ルオロシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が
０．４μｍで分子量が約１０００から２０００００のフ
ェニルフルオロポリシランが得られた。
【００３２】実施例４ 基板温度を５０℃、モノマーガスの供給速度を毎分３ｍ
ｌに設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランの
プラズマ重合を行ったところ、膜厚が０．５μｍで分子
量約１０００から２０００００のフェニルフルオロポリ
シランが得られた。
ｌに設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランの
プラズマ重合を行ったところ、膜厚が０．５μｍで分子
量約１０００から２０００００のフェニルフルオロポリ
シランが得られた。
【００３３】実施例５ 基板温度を５０℃、モノマーガスの供給速度を毎分５ｍ
ｌに設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランの
プラズマ重合を行ったところ、膜厚が０．８μｍで分子
量約１０００から３０００００のフェニルフルオロポリ
シランが得られた。
ｌに設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランの
プラズマ重合を行ったところ、膜厚が０．８μｍで分子
量約１０００から３０００００のフェニルフルオロポリ
シランが得られた。
【００３４】実施例６ 基板温度を５０℃、モノマーガスの供給速度を毎分３ｍ
ｌ、真空槽内の圧力を６Ｐａに設定し実施例１と同様に
フェニルフルオロシランのプラズマ重合を行ったとこ
ろ、膜厚が０．７μｍで分子量約１０００から２７００
００のフェニルフルオロポリシランが得られた。
ｌ、真空槽内の圧力を６Ｐａに設定し実施例１と同様に
フェニルフルオロシランのプラズマ重合を行ったとこ
ろ、膜厚が０．７μｍで分子量約１０００から２７００
００のフェニルフルオロポリシランが得られた。
【００３５】実施例７ 基板温度を５０℃、モノマーガスの供給速度を毎分３ｍ
ｌ、真空槽内の圧力を１０Ｐａに設定し実施例１と同様
にフェニルフルオロシランのプラズマ重合を行ったとこ
ろ、膜厚が１．１μｍで分子量約１０００から３４００
００のフェニルフルオロポリシランが得られた。
ｌ、真空槽内の圧力を１０Ｐａに設定し実施例１と同様
にフェニルフルオロシランのプラズマ重合を行ったとこ
ろ、膜厚が１．１μｍで分子量約１０００から３４００
００のフェニルフルオロポリシランが得られた。
【００３６】実施例８ 基板温度を５０℃、モノマーガスの供給速度を毎分３ｍ
ｌ、真空槽内の圧力を６Ｐａ、高周波電力を１００Ｗに
設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランのプラ
ズマ重合を行ったところ、膜厚が１．２μｍで分子量約
１０００から３１００００のフェニルフルオロポリシラ
ンが得られた。
ｌ、真空槽内の圧力を６Ｐａ、高周波電力を１００Ｗに
設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランのプラ
ズマ重合を行ったところ、膜厚が１．２μｍで分子量約
１０００から３１００００のフェニルフルオロポリシラ
ンが得られた。
【００３７】実施例９ 基板温度を５０℃、モノマーガスの供給速度を毎分３ｍ
ｌ、真空槽内の圧力を６Ｐａ、高周波電力を１５０Ｗに
設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランのプラ
ズマ重合を行ったところ、膜厚が１．５μｍで分子量約
１０００から４０００００のフェニルフルオロポリシラ
ンが得られた。
ｌ、真空槽内の圧力を６Ｐａ、高周波電力を１５０Ｗに
設定し実施例１と同様にフェニルフルオロシランのプラ
ズマ重合を行ったところ、膜厚が１．５μｍで分子量約
１０００から４０００００のフェニルフルオロポリシラ
ンが得られた。
【００３８】実施例１０ 実施例７と同様にしてフェニルフルオロシランのプラズ
マ重合を９０分行ったところ、膜厚が３．０μｍで分子
量が約１０００から５０００００のフェニルフルオロポ
リシランが得られた。
マ重合を９０分行ったところ、膜厚が３．０μｍで分子
量が約１０００から５０００００のフェニルフルオロポ
リシランが得られた。
【００３９】実施例１１ 実施例７と同様にしてフェニルトリフルオロメチルシラ
ンのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．２μｍで
分子量が約１０００から３７０００００のフェニルトリ
フルオロメチルポリシランが得られた。
ンのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．２μｍで
分子量が約１０００から３７０００００のフェニルトリ
フルオロメチルポリシランが得られた。
【００４０】実施例１２ 実施例７と同様にしてフェニルペンタフルオロエチルシ
ランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．０μｍ
で分子量が約１０００から３５０００００のフェニルペ
ンタフルオロエチルポリシランが得られた。
ランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．０μｍ
で分子量が約１０００から３５０００００のフェニルペ
ンタフルオロエチルポリシランが得られた。
【００４１】実施例１３ 実施例７と同様にしてトリフルオロメチルヘプタフルオ
ロプロピルシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚
が１．０μｍで分子量が約１０００から３５０００００
のトリフルオロメチルヘプタフルオロプロピルポリシラ
ンが得られた。
ロプロピルシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚
が１．０μｍで分子量が約１０００から３５０００００
のトリフルオロメチルヘプタフルオロプロピルポリシラ
ンが得られた。
【００４２】実施例１４ 実施例７と同様にしてペンタフルオロフェニルフルオロ
シランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．１μ
ｍで分子量が約１０００から３４０００００のペンタフ
ルオロフェニルフルオロポリシランが得られた。
シランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．１μ
ｍで分子量が約１０００から３４０００００のペンタフ
ルオロフェニルフルオロポリシランが得られた。
【００４３】実施例１５ 実施例７と同様にしてトリフルオロメチルヘプタフルオ
ロプロピルフェニルシランのプラズマ重合を行ったとこ
ろ、膜厚が１．３μｍで分子量が約１０００から３８０
００００のトリフルオロメチルヘプタフルオロプロピル
フェニルポリシランが得られた。
ロプロピルフェニルシランのプラズマ重合を行ったとこ
ろ、膜厚が１．３μｍで分子量が約１０００から３８０
００００のトリフルオロメチルヘプタフルオロプロピル
フェニルポリシランが得られた。
【００４４】実施例１６ 実施例７と同様にしてジトリデカフルオロヘキシルシラ
ンのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が０．９μｍで
分子量が約１０００から３００００００のジトリデカフ
ルオロヘキシルポリシランが得られた。
ンのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が０．９μｍで
分子量が約１０００から３００００００のジトリデカフ
ルオロヘキシルポリシランが得られた。
【００４５】実施例１７ 実施例７と同様にしてジトリデカフルオロヘキシルフェ
ニルシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．
２μｍで分子量が約１０００から４２０００００のジト
リデカフルオロヘキシルフェニルポリシランが得られ
た。
ニルシランのプラズマ重合を行ったところ、膜厚が１．
２μｍで分子量が約１０００から４２０００００のジト
リデカフルオロヘキシルフェニルポリシランが得られ
た。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、感光性材料、非線形光
学材料、光電変換材料、導電性材料、焦電材料、圧電材
料などの機能性高分子材料として極めて有用な新規な１
次元可溶性ポリシランを簡便なプラズマ重合を用いて合
成、成膜することができ、さらに、この膜は溶液中で合
成したポリマを溶剤に溶解させスピンコートして成膜し
た膜と同様の膜になる。したがって、本発明の新規なポ
リシラン及びそのプラズマ重合による合成、成膜法は効
用大なるものである。
学材料、光電変換材料、導電性材料、焦電材料、圧電材
料などの機能性高分子材料として極めて有用な新規な１
次元可溶性ポリシランを簡便なプラズマ重合を用いて合
成、成膜することができ、さらに、この膜は溶液中で合
成したポリマを溶剤に溶解させスピンコートして成膜し
た膜と同様の膜になる。したがって、本発明の新規なポ
リシラン及びそのプラズマ重合による合成、成膜法は効
用大なるものである。
Claims (3)
- 【請求項１】化１で表されることを特徴とするポリシラ
ン 【化１】 但し、Ｒ1とＲ2はフルオロ基、パーフルオロアルキル
基、フェニル基、パーフルオロフェニル基、パーフルオ
ロアルキル置換フェニル基から選ばれた異なる基であ
り、ｎは重合度を表す。 - 【請求項２】化２で表されることを特徴とするポリシラ
ン 【化２】 但し、Ｒ3はパーフルオロアルキル基またはパーフルオ
ロアルキル置換フェニル基であり、ｍは重合度を表す。 - 【請求項３】請求項１記載の化１又は請求項２記載の化
２で表されるポリシランをプラズマ重合で合成すること
を特徴とするポリシランの合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25346491A JPH0593072A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | ポリシラン及びその合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25346491A JPH0593072A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | ポリシラン及びその合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593072A true JPH0593072A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17251753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25346491A Pending JPH0593072A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | ポリシラン及びその合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0593072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08143677A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 一方向電気伝導性ケイ素系プラズマ重合膜及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57117531A (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-22 | Ibm | Aromatic polymer |
| JPH02202524A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25346491A patent/JPH0593072A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57117531A (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-22 | Ibm | Aromatic polymer |
| JPH02202524A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08143677A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 一方向電気伝導性ケイ素系プラズマ重合膜及びその製造方法 |
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