JPH0590371A - 膜厚測定方法及びその装置 - Google Patents
膜厚測定方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0590371A JPH0590371A JP24865991A JP24865991A JPH0590371A JP H0590371 A JPH0590371 A JP H0590371A JP 24865991 A JP24865991 A JP 24865991A JP 24865991 A JP24865991 A JP 24865991A JP H0590371 A JPH0590371 A JP H0590371A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- resist
- film
- data
- solvent
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レジスト塗布後の放置時間を待たずに安定した
状態の膜厚が測定出来る。 【構成】時間によってレジストの溶剤が蒸発して変化す
る膜厚経時変化データをあらかじめ入力する入力部６
と、測定時のデータと前記膜厚経時変化データとから膜
厚を算出するデータ解析部５とを設け、溶剤が完全に蒸
発したときのレジストの膜厚を出力部７より出力する。
状態の膜厚が測定出来る。 【構成】時間によってレジストの溶剤が蒸発して変化す
る膜厚経時変化データをあらかじめ入力する入力部６
と、測定時のデータと前記膜厚経時変化データとから膜
厚を算出するデータ解析部５とを設け、溶剤が完全に蒸
発したときのレジストの膜厚を出力部７より出力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は膜厚測定方法及びその装
置に関し、特に半導体集積回路製造工程で使用されるマ
スクやウェーハ上のレジストの膜厚測定方法及びその装
置に関する。
置に関し、特に半導体集積回路製造工程で使用されるマ
スクやウェーハ上のレジストの膜厚測定方法及びその装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の膜厚測定装置の一例を示す
概略図である。従来、この種の非接触式の膜厚測定装置
は、例えば、図２に示すように、投射する光を発生する
光源部３と、光を収束し、被測定物４に光を投射する対
物レンズ２と、被測定物４より反射する光の分光強度を
測定し、被測定物４の厚さを求める分光器１とを有して
いる。この被測定物４は、半導体基板に塗布されたレジ
ストそのものである。また、このレジストは、レジスト
塗布装置により、半導体基板にノズルよりレジストを適
量滴下し、１０００〜５０００ｒ．ｐ．ｍに回転させて
得られたものである。
概略図である。従来、この種の非接触式の膜厚測定装置
は、例えば、図２に示すように、投射する光を発生する
光源部３と、光を収束し、被測定物４に光を投射する対
物レンズ２と、被測定物４より反射する光の分光強度を
測定し、被測定物４の厚さを求める分光器１とを有して
いる。この被測定物４は、半導体基板に塗布されたレジ
ストそのものである。また、このレジストは、レジスト
塗布装置により、半導体基板にノズルよりレジストを適
量滴下し、１０００〜５０００ｒ．ｐ．ｍに回転させて
得られたものである。
【０００３】この膜厚測定装置で、レジスト膜の厚さを
測定するには、まず、光をレジスト膜に投射し、そし
て、その反射光を分光器１を通して４００〜８００ｎｍ
の波長に約１００等分し分光器１に内蔵するマイクロコ
ンピュータにより波長に対する反射光の曲線グラフから
反射光の極大値、極小値の波長を選び出し、その値から
各波長における分光強度によりおよその膜厚を計算す
る。そして、その値をもとにさらに正確な膜厚値を求
め、最終的に各波長において算出した膜厚値の平均を求
め、さらに正確な膜厚値を得ていた。
測定するには、まず、光をレジスト膜に投射し、そし
て、その反射光を分光器１を通して４００〜８００ｎｍ
の波長に約１００等分し分光器１に内蔵するマイクロコ
ンピュータにより波長に対する反射光の曲線グラフから
反射光の極大値、極小値の波長を選び出し、その値から
各波長における分光強度によりおよその膜厚を計算す
る。そして、その値をもとにさらに正確な膜厚値を求
め、最終的に各波長において算出した膜厚値の平均を求
め、さらに正確な膜厚値を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３はレジストの膜厚
の経時変化を示すグラフである。しかし、この従来の膜
厚測定器では、レジストを塗布された後、時間経過に伴
って、レジストに含有する溶剤が蒸発するため、図３に
示すように、膜厚が経時変化を起こす。そのため、膜厚
値によってレジストの品質管理等をする場合、被測定物
を塗布後膜厚を測定する迄の厳しい時間管理をするか、
もしくはレジスト塗布後の被測定物に焼きしめを行って
溶剤をあらかじめ蒸発させておく必要があった。前者の
方法は、監理する煩わしさがあるばかりか、塗布後の待
ち時間が長いという欠点がある。また、後者では、焼き
しめという工程が増えることになり、コストが上昇する
という欠点がある。
の経時変化を示すグラフである。しかし、この従来の膜
厚測定器では、レジストを塗布された後、時間経過に伴
って、レジストに含有する溶剤が蒸発するため、図３に
示すように、膜厚が経時変化を起こす。そのため、膜厚
値によってレジストの品質管理等をする場合、被測定物
を塗布後膜厚を測定する迄の厳しい時間管理をするか、
もしくはレジスト塗布後の被測定物に焼きしめを行って
溶剤をあらかじめ蒸発させておく必要があった。前者の
方法は、監理する煩わしさがあるばかりか、塗布後の待
ち時間が長いという欠点がある。また、後者では、焼き
しめという工程が増えることになり、コストが上昇する
という欠点がある。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、塗布後の時間待ちをすることなく、安定した状態の
レジスト膜厚を測定することの出来る膜厚測定方法及び
その装置を提供することである。
く、塗布後の時間待ちをすることなく、安定した状態の
レジスト膜厚を測定することの出来る膜厚測定方法及び
その装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の膜厚測定方法
は、溶剤の蒸発によるレジスト膜の膜厚経時変化データ
をあらかじめ入力する工程と、レジスト膜に光を照射
し、反射する分光強度を測定する工程と、波長毎の分光
強度により前記レジスト膜の膜厚を求める工程と、この
求められた膜厚データと前記膜厚経時変化データとによ
り前記溶剤の全てが蒸発したときの前記レジスト膜の膜
厚を算出する工程とを含んで構成される。
は、溶剤の蒸発によるレジスト膜の膜厚経時変化データ
をあらかじめ入力する工程と、レジスト膜に光を照射
し、反射する分光強度を測定する工程と、波長毎の分光
強度により前記レジスト膜の膜厚を求める工程と、この
求められた膜厚データと前記膜厚経時変化データとによ
り前記溶剤の全てが蒸発したときの前記レジスト膜の膜
厚を算出する工程とを含んで構成される。
【０００７】本発明の膜厚測定装置は、レジスト膜に光
を反射する光源部と、このレジスト膜より反射する光の
分光強度を測定し、前記レジスト膜の膜厚を求める分光
器と、溶剤の蒸発によるレジスト膜の膜厚経時変化デー
タをあらかじめ入力するデータ入力部と、前記分光器に
よる測定データと前記膜厚経時変化データとにより、前
記溶剤の全てが蒸発したとき前記レジスト膜の膜厚を算
出するデータ解析部とを備えている。
を反射する光源部と、このレジスト膜より反射する光の
分光強度を測定し、前記レジスト膜の膜厚を求める分光
器と、溶剤の蒸発によるレジスト膜の膜厚経時変化デー
タをあらかじめ入力するデータ入力部と、前記分光器に
よる測定データと前記膜厚経時変化データとにより、前
記溶剤の全てが蒸発したとき前記レジスト膜の膜厚を算
出するデータ解析部とを備えている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例における膜厚測定
装置を示す概略図である。この膜厚測定装置は、図１に
示すように、溶剤の蒸発によるレジスト膜厚の経時変化
データを入力し、記憶するデータ入力部６と、分光器１
の測定時のデータとデータ入力部６の経時変化データと
から溶剤の全てが蒸発したときのレジスト膜厚を算出す
るデータ解析部５と、データ解析部５の出力値を表示す
る出力部７とを設けたことである。
装置を示す概略図である。この膜厚測定装置は、図１に
示すように、溶剤の蒸発によるレジスト膜厚の経時変化
データを入力し、記憶するデータ入力部６と、分光器１
の測定時のデータとデータ入力部６の経時変化データと
から溶剤の全てが蒸発したときのレジスト膜厚を算出す
るデータ解析部５と、データ解析部５の出力値を表示す
る出力部７とを設けたことである。
【００１０】次に、この膜厚測定装置をデータを説明す
る。まず、あらかじめ、レジストに含有する溶剤が蒸発
する経時変化データとしてレジスト塗布後の放置時間と
膜厚減少値の関係を数点をデータ入力部６に入力する。
次に、レジストが塗布された被測定物４の上に光源部３
より対物レンズ２を通して光を照射し、その反射鏡を分
光器１を通して４００〜８００ｎｍの波長に約１００等
分し、波長に対する反射光の強度の曲線グラフから反射
光の極大値、極小値の波長を選び出し、その値から各波
長におけるおよその膜厚を求め、そして最終的に各波長
において算出した膜厚値の平均を求め、さらに正確な膜
厚測定時における膜厚値を得る。
る。まず、あらかじめ、レジストに含有する溶剤が蒸発
する経時変化データとしてレジスト塗布後の放置時間と
膜厚減少値の関係を数点をデータ入力部６に入力する。
次に、レジストが塗布された被測定物４の上に光源部３
より対物レンズ２を通して光を照射し、その反射鏡を分
光器１を通して４００〜８００ｎｍの波長に約１００等
分し、波長に対する反射光の強度の曲線グラフから反射
光の極大値、極小値の波長を選び出し、その値から各波
長におけるおよその膜厚を求め、そして最終的に各波長
において算出した膜厚値の平均を求め、さらに正確な膜
厚測定時における膜厚値を得る。
【００１１】次に、塗布後の放置時間後の経時変化膜厚
データをデータ入力部６より抽出し、データ解析部５で
膜厚測定時における膜厚値とで演算し、レジストに含有
する溶剤が全て蒸発したときの最終的に安定な膜厚を算
出する。そして、この膜厚値を出力部７に出力する。
データをデータ入力部６より抽出し、データ解析部５で
膜厚測定時における膜厚値とで演算し、レジストに含有
する溶剤が全て蒸発したときの最終的に安定な膜厚を算
出する。そして、この膜厚値を出力部７に出力する。
【００１２】また、入力部６に入力される被測定物４に
塗布されるレジストに含有する溶剤が蒸発するときの経
時変化膜厚データ、すなわち塗布後放置時間と膜厚減少
値の関係は、ほぼ二次曲線として見なされるので、この
ことを利用して、この二次曲線の二次項の係数ａ，一次
項の係数ｂ及び定数をｃとし、これらの定数ａ，ｂ，ｃ
を入力する。次に被測定物１１の膜厚測定を行い、この
データと塗布後の放置時間の経時変化データとをデータ
解析部５に入力することによって、あらかじめ入力した
データからデータ解析部５において、レジストに含有す
る溶剤が全て蒸発し、最終的に安定な膜厚を算出する。
この方法はデータ入力部６に入れるデータが少くて済む
ので、算出が早く出来る利点がある。
塗布されるレジストに含有する溶剤が蒸発するときの経
時変化膜厚データ、すなわち塗布後放置時間と膜厚減少
値の関係は、ほぼ二次曲線として見なされるので、この
ことを利用して、この二次曲線の二次項の係数ａ，一次
項の係数ｂ及び定数をｃとし、これらの定数ａ，ｂ，ｃ
を入力する。次に被測定物１１の膜厚測定を行い、この
データと塗布後の放置時間の経時変化データとをデータ
解析部５に入力することによって、あらかじめ入力した
データからデータ解析部５において、レジストに含有す
る溶剤が全て蒸発し、最終的に安定な膜厚を算出する。
この方法はデータ入力部６に入れるデータが少くて済む
ので、算出が早く出来る利点がある。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、膜厚の経
時変化データをあらかじめ記憶する入力部と、測定時の
データと前記経時変化データとから溶剤が全て蒸発した
ときの膜厚を算出するデータ解析部とを設けることによ
って、時間待ちすることなく安定した状態の膜厚を測定
することの出来る膜厚測定方法及びその装置が得られる
という効果がある。
時変化データをあらかじめ記憶する入力部と、測定時の
データと前記経時変化データとから溶剤が全て蒸発した
ときの膜厚を算出するデータ解析部とを設けることによ
って、時間待ちすることなく安定した状態の膜厚を測定
することの出来る膜厚測定方法及びその装置が得られる
という効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す膜厚測定装置の概略図
である。
である。
【図２】従来の一例を示す膜厚測定装置の概略図であ
る。
る。
【図３】レジストの膜厚の経時変化を示すグラフであ
る。
る。
１ 分光器 ２ 対物レンズ ３ 光源部 ４ 被測定物 ５ データ解析部 ６ データ入力部 ７ 出力部
Claims (2)
- 【請求項１】 溶剤の蒸発によるレジスト膜の膜厚経時
変化データをあらかじめ入力する工程と、レジスト膜に
光を照射し、反射する分光強度を測定する工程と、波長
毎の分光強度により前記レジスト膜の膜厚を求める工程
と、この求められた膜厚データと前記膜厚経時変化デー
タとにより前記溶剤の全てが蒸発したときの前記レジス
ト膜の膜厚を算出する工程とを含んでいることを特徴と
する膜厚測定方法。 - 【請求項２】 レジスト膜に光を反射する光源部と、こ
のレジスト膜より反射する光の分光強度を測定し、前記
レジスト膜の膜厚を求める分光器と、溶剤の蒸発による
レジスト膜の膜厚経時変化データをあらかじめ入力する
データ入力部と、前記分光器による測定データと前記膜
厚経時変化データとにより、前記溶剤の全てが蒸発した
とき前記レジスト膜の膜厚を算出するデータ解析部とを
備えることを特徴とする膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24865991A JPH0590371A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 膜厚測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24865991A JPH0590371A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 膜厚測定方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590371A true JPH0590371A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17181427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24865991A Pending JPH0590371A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 膜厚測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590371A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07306016A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Nissan Motor Co Ltd | 塗装膜厚計測装置 |
| JPH10270517A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ｐ型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 |
| JP5367196B1 (ja) * | 2012-09-10 | 2013-12-11 | 株式会社シンクロン | 測定装置及び成膜装置 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24865991A patent/JPH0590371A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07306016A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Nissan Motor Co Ltd | 塗装膜厚計測装置 |
| JPH10270517A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ｐ型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 |
| JP5367196B1 (ja) * | 2012-09-10 | 2013-12-11 | 株式会社シンクロン | 測定装置及び成膜装置 |
| WO2014038090A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | 株式会社シンクロン | 測定装置及び成膜装置 |
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