JPH058800U - Power supply switching circuit - Google Patents

Power supply switching circuit

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JPH058800U JP6337891U JP6337891U JPH058800U JP H058800 U JPH058800 U JP H058800U JP 6337891 U JP6337891 U JP 6337891U JP 6337891 U JP6337891 U JP 6337891U JP H058800 U JPH058800 U JP H058800U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 RAM等のバックアップ機能を有する集積回
路装置の動作を常に保障することができる電源切換回路
を提供する。 【構成】 例えば、スイッチ10をオン状態にすると、
電圧比較回路2は電池13の電圧VDDと電池14の電圧
BAT を比較する。電池13の電圧VDDが電池14の電
圧VBAT に比して高ければ、インバータ回路3,4の出
力に基づいて、Pチャネル型IG−FET5はオン状態
になり、Pチャネル型IG−FET6はオフ状態にな
る。このため、RAM回路ブロック12の駆動電圧とし
て電圧VDDが供給される。電圧比較回路2及びインバー
タ回路3,4は電源出力端子9の出力電圧に基づいて駆
動する。 【効果】 電池14の電圧VBAT が低下していても、電
池13の電圧VDDが集積回路装置1の動作を保障できる
電圧であれば、集積回路装置1の通常動作を保障するこ
とができる。容量11を設けることによりノイズの発生
を防止できる。
(57) [Summary] [Object] To provide a power supply switching circuit capable of always ensuring the operation of an integrated circuit device having a backup function such as a RAM. [Configuration] For example, when the switch 10 is turned on,
The voltage comparison circuit 2 compares the voltage V DD of the battery 13 with the voltage V BAT of the battery 14. If the voltage V DD of the battery 13 is higher than the voltage V BAT of the battery 14, the P-channel IG-FET 5 is turned on based on the outputs of the inverter circuits 3 and 4, and the P-channel IG-FET 6 is Turns off. Therefore, the voltage V DD is supplied as the drive voltage for the RAM circuit block 12. The voltage comparison circuit 2 and the inverter circuits 3 and 4 are driven based on the output voltage of the power output terminal 9. [Effect] Even if the voltage V BAT of the battery 14 is lowered, the normal operation of the integrated circuit device 1 can be guaranteed if the voltage V DD of the battery 13 is a voltage that can guarantee the operation of the integrated circuit device 1. .. By providing the capacitor 11, it is possible to prevent the generation of noise.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は2種類の電源電圧を比較し切り換える電源切換回路に関し、特に、R AM等のバックアップ機能を有する半導体装置等に使用するのに好適の電源切換 回路に関する。 The present invention relates to a power supply switching circuit for comparing and switching two kinds of power supply voltages, and more particularly to a power supply switching circuit suitable for use in a semiconductor device having a backup function such as RAM.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

図3は従来の電源切換回路を備えた集積回路装置を示す回路図である。集積回 路装置1はその電源端子7がスイッチ10を介して通常動作用の電池13に接続 されていると共に、その電源端子8がバックアップ用の電池14に接続されてい る。この集積回路装置1は以下に示すように構成されている。電圧比較回路2は その+入力端が電源端子7に接続され、その−入力端が電源端子8に接続されて いる。インバータ回路3は電源比較回路2の比較結果を入力し、これを反転して 出力する。インバータ回路4はインバータ回路3の出力を入力し、これを反転し て出力する。Pチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(以下、Pチャネ ル型IG−FETという)5はそのゲートがインバータ回路3の出力端に接続さ れ、そのドレインが電源端子7に接続され、そのソースが電源出力端子9に接続 されている。Pチャネル型IG−FET6はそのゲートがインバータ回路4の出 力端に接続され、そのドレインが電源端子8に接続され、そのソースが電源出力 端子9に接続されている。RAM回路ブロック12はその駆動電圧が電源出力端 子9から供給され、インバータ回路4の出力がRAM制御信号16として供給さ れている。また、電圧比較回路2及びインバータ回路3はその駆動電圧が電源端 子8から供給され、インバータ回路4はその駆動電圧が電源端子7から供給され ている。 FIG. 3 is a circuit diagram showing an integrated circuit device having a conventional power supply switching circuit. The integrated circuit device 1 has a power supply terminal 7 connected to a battery 13 for normal operation via a switch 10 and a power supply terminal 8 connected to a backup battery 14. The integrated circuit device 1 is configured as shown below. The voltage comparator circuit 2 has its + input terminal connected to the power supply terminal 7, and its − input terminal connected to the power supply terminal 8. The inverter circuit 3 inputs the comparison result of the power supply comparison circuit 2, inverts it, and outputs it. The inverter circuit 4 inputs the output of the inverter circuit 3, inverts it, and outputs it. The P-channel type insulated gate field effect transistor (hereinafter referred to as P-channel type IG-FET) 5 has its gate connected to the output terminal of the inverter circuit 3, its drain connected to the power supply terminal 7, and its source connected to it. It is connected to the power output terminal 9. The P-channel IG-FET 6 has its gate connected to the output terminal of the inverter circuit 4, its drain connected to the power supply terminal 8, and its source connected to the power supply output terminal 9. The drive voltage of the RAM circuit block 12 is supplied from the power supply output terminal 9, and the output of the inverter circuit 4 is supplied as the RAM control signal 16. The drive voltage of the voltage comparison circuit 2 and the inverter circuit 3 is supplied from the power supply terminal 8, and the drive voltage of the inverter circuit 4 is supplied from the power supply terminal 7.

【0003】 このように構成される集積回路装置においては、通常動作時にスイッチ10を オン状態にすると、電圧比較回路2は電池13の電圧VDDと電池14の電圧VBA T を比較し、その比較結果を出力する。この場合、電池13の電圧VDDが電池1 4の電圧VBAT に比して高ければ、インバータ回路3,4の出力に基づいて、P チャネル型IG−FET5はオン状態になり、Pチャネル型IG−FET6はオ フ状態になる。このため、RAM回路ブロック12の駆動電圧として電圧VDDが 供給される。また、スイッチ10をオフ状態にすると、Pチャネル型IG−FE T5がオフ状態になり、Pチャネル型IG−FET6がオン状態になるため、R AM回路ブロック12の駆動電圧として電圧VBAT が供給される。このようにし て、集積回路装置の電源を切り換えることができる。In the integrated circuit device thus configured, when the switch 10 is turned on in the normal operation, the voltage comparison circuit 2 causes the voltage V of the battery 13 to rise.DDAnd the voltage V of the battery 14BA T Are compared and the comparison result is output. In this case, the voltage V of the battery 13DDIs the voltage V of the battery 14BAT If it is higher than that, the P-channel type IG-FET 5 is turned on and the P-channel type IG-FET 6 is turned off based on the outputs of the inverter circuits 3 and 4. Therefore, as the drive voltage of the RAM circuit block 12, the voltage VDDIs supplied. When the switch 10 is turned off, the P-channel type IG-FET 5 is turned off and the P-channel type IG-FET 6 is turned on. Therefore, the voltage V as the drive voltage of the RAM circuit block 12 is reduced.BAT Is supplied. In this way, the power supply of the integrated circuit device can be switched.

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら、上述した従来の電源切換回路においては、電圧比較回路2及び インバータ回路3の駆動電圧が電源端子8から供給され、インバータ回路4の駆 動電圧が電源端子7から供給されているため、バックアップ用の電池14の電圧 VBAT が集積回路装置1の動作電圧以下に低下した場合、通常動作用の電池13 の電圧VDDを供給しても、集積回路装置1の動作を保障することができないとい う問題点がある。However, in the above-described conventional power supply switching circuit, the drive voltage of the voltage comparison circuit 2 and the inverter circuit 3 is supplied from the power supply terminal 8 and the drive voltage of the inverter circuit 4 is supplied from the power supply terminal 7, so that a backup If the voltage V BAT of the battery 14 for operation drops below the operating voltage of the integrated circuit device 1, the operation of the integrated circuit device 1 cannot be guaranteed even if the voltage V DD of the battery 13 for normal operation is supplied. There is a problem.

【0005】 本考案はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、集積回路装置の動作を 常に保障することができる電源切換回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a power supply switching circuit that can always guarantee the operation of the integrated circuit device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案に係る電源切換回路は、第1及び第2の電源の電圧を比較する電圧比較 回路と、この電圧比較回路の比較結果を入力する第1のインバータ回路と、この 第1のインバータ回路の出力を入力する第2のインバータ回路と、ゲートが前記 第1のインバータ回路の出力端に接続されドレインが前記第1の電源に接続され ソースが出力端子に接続された第1のPチャネル型絶縁ゲート型電界効果トラン ジスタと、ゲートが前記第2のインバータ回路の出力端に接続されドレインが前 記第2の電源に接続されソースが前記出力端子に接続された第2のPチャネル型 絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記出力端子と接地端子との間に接続さ れた容量とを有し、前記電圧比較回路並びに前記第1及び前記第2のインバータ 回路は前記出力端子の出力電圧に基づいて駆動することを特徴とする。 A power supply switching circuit according to the present invention comprises a voltage comparison circuit for comparing voltages of a first power supply and a second power supply, a first inverter circuit for inputting a comparison result of the voltage comparison circuit, and a first inverter circuit of the first inverter circuit. A second inverter circuit for inputting an output, and a first P-channel type insulation having a gate connected to the output terminal of the first inverter circuit, a drain connected to the first power supply, and a source connected to an output terminal. A gate type field effect transistor, and a second P-channel type insulated gate having a gate connected to the output terminal of the second inverter circuit, a drain connected to the second power source, and a source connected to the output terminal. -Type field effect transistor and a capacitor connected between the output terminal and the ground terminal, and the voltage comparison circuit and the first and second inverter circuits output the output. And drives based on the output voltage of the child.

【0007】[0007]

【作用】[Action]

本考案においては、電圧比較回路が第1及び第2の電源の電圧を比較し、第1 の電源の電圧が第2の電源の電圧に比して大きい場合、第1及び第2のインバー タ回路の出力に基づいて、第1のPチャネル型IG−FETがオン状態になり、 第2のPチャネル型IG−FETがオフ状態になる。このとき、出力端子には前 記第1の電源の電圧が供給される。一方、第2の電源の電圧が第1の電源の電圧 に比して大きい場合、第1及び第2のインバータ回路の出力に基づいて、第1の Pチャネル型IG−FETがオフ状態になり、第2のPチャネル型IG−FET がオン状態になる。このとき、出力端子には前記第1の電源の電圧が供給される 。従って、前記電圧比較回路並びに前記第1及び前記第2のインバータ回路の駆 動電圧には前記出力端子の出力電圧、即ち前記第1及び前記第2の電源の電圧の うちの高い方が供給されるので、この電圧比較回路を備えた集積回路装置の動作 を常に保障することができる。例えば、第1の電源として通常動作用の電池を使 用し、第2の電源としてバックアップ用の電池を使用した場合、このバックアッ プ用の電池の電圧が低下しても、集積回路装置の動作を常に保障することができ る。 In the present invention, the voltage comparison circuit compares the voltages of the first and second power supplies, and when the voltage of the first power supply is larger than the voltage of the second power supply, the first and second inverters. Based on the output of the circuit, the first P-channel type IG-FET is turned on and the second P-channel type IG-FET is turned off. At this time, the voltage of the first power supply is supplied to the output terminal. On the other hand, when the voltage of the second power supply is higher than the voltage of the first power supply, the first P-channel IG-FET is turned off based on the outputs of the first and second inverter circuits. , The second P-channel IG-FET is turned on. At this time, the voltage of the first power supply is supplied to the output terminal. Therefore, the driving voltage of the voltage comparison circuit and the first and second inverter circuits is supplied with the higher one of the output voltages of the output terminals, that is, the voltages of the first and second power supplies. Therefore, the operation of the integrated circuit device including this voltage comparison circuit can always be guaranteed. For example, when a battery for normal operation is used as the first power source and a battery for backup is used as the second power source, even if the voltage of the battery for backup decreases, the operation of the integrated circuit device Can always be guaranteed.

【0008】 なお、本考案においては、前記出力端子と接地端子との間に容量を接続するた め、電源切替時に第1及び第2のPチャネル型IG−FETのソース電圧が変動 することを防止でき、これにより回路動作を安定させることができる。In the present invention, since the capacitance is connected between the output terminal and the ground terminal, it is possible to prevent the source voltage of the first and second P-channel IG-FETs from changing when the power source is switched. This can be prevented, and thus the circuit operation can be stabilized.

【0009】[0009]

【実施例】【Example】

次に、本考案の実施例について添付の図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0010】 図1は本考案の第1の実施例に係る電源切換回路を備えた集積回路装置を示す 回路図である。集積回路装置1はその電源端子7がスイッチ10を介して通常動 作用の電池13に接続されていると共に、その電源端子8がバックアップ用の電 池14に接続されている。この集積回路装置1は以下に示すように構成されてい る。電圧比較回路2はその+入力端が電源端子7に接続され、その−入力端が電 源端子8に接続されている。インバータ回路3は電源比較回路2の比較結果を入 力し、これを反転して出力する。インバータ回路4はインバータ回路3の出力を 入力し、これを反転して出力する。Pチャネル型IG−FET5はそのゲートが インバータ回路3の出力端に接続され、そのドレインが電源端子7に接続され、 そのソースが電源出力端子9に接続されている。Pチャネル型IG−FET6は そのゲートがインバータ回路4の出力端に接続され、そのドレインが電源端子8 に接続され、そのソースが電源出力端子9に接続されている。RAM回路ブロッ ク12はその駆動電圧が電源出力端子9から供給され、インバータ回路4の出力 がRAM制御信号16として供給されている。容量11はその一端が電源出力端 子9に接続され、その他端が接地されている。また、電圧比較回路2及びインバ ータ回路3,4はその駆動電圧が電源出力端子9から供給されている。FIG. 1 is a circuit diagram showing an integrated circuit device having a power supply switching circuit according to a first embodiment of the present invention. The integrated circuit device 1 has its power supply terminal 7 connected to a normal operating battery 13 via a switch 10, and its power supply terminal 8 connected to a backup battery 14. The integrated circuit device 1 is configured as shown below. The + input end of the voltage comparison circuit 2 is connected to the power supply terminal 7, and the − input end thereof is connected to the power supply terminal 8. The inverter circuit 3 inputs the comparison result of the power supply comparison circuit 2, inverts it, and outputs it. The inverter circuit 4 inputs the output of the inverter circuit 3, inverts it, and outputs it. The P-channel IG-FET 5 has its gate connected to the output terminal of the inverter circuit 3, its drain connected to the power supply terminal 7, and its source connected to the power supply output terminal 9. The P-channel type IG-FET 6 has its gate connected to the output terminal of the inverter circuit 4, its drain connected to the power supply terminal 8 and its source connected to the power supply output terminal 9. The drive voltage of the RAM circuit block 12 is supplied from the power supply output terminal 9, and the output of the inverter circuit 4 is supplied as the RAM control signal 16. One end of the capacitor 11 is connected to the power output terminal 9 and the other end is grounded. The drive voltage of the voltage comparison circuit 2 and the inverter circuits 3 and 4 is supplied from the power output terminal 9.

【0011】 このように構成される集積回路装置においては、通常動作時にスイッチ10を オン状態にすると、電圧比較回路2は電池13の電圧VDDと電池14の電圧VBA T を比較し、その比較結果を出力する。この場合、電池13の電圧VDDが電池1 4の電圧VBAT に比して高ければ、インバータ回路3,4の出力に基づいて、P チャネル型IG−FET5はオン状態になり、Pチャネル型IG−FET6はオ フ状態になる。このため、RAM回路ブロック12の駆動電圧として電圧VDDが 供給される。また、スイッチ10をオフ状態にすると、Pチャネル型IG−FE T5がオフ状態になり、Pチャネル型IG−FET6がオン状態になるため、R AM回路ブロック12の駆動電圧として電圧VBAT が供給される。このようにし て、集積回路装置の電源を切り換えることができる。In the integrated circuit device configured as above, when the switch 10 is turned on during the normal operation, the voltage comparison circuit 2 causes the voltage V of the battery 13 to rise.DDAnd the voltage V of the battery 14BA T Are compared and the comparison result is output. In this case, the voltage V of the battery 13DDIs the voltage V of the battery 14BAT If it is higher than that, the P-channel type IG-FET 5 is turned on and the P-channel type IG-FET 6 is turned off based on the outputs of the inverter circuits 3 and 4. Therefore, as the drive voltage of the RAM circuit block 12, the voltage VDDIs supplied. When the switch 10 is turned off, the P-channel type IG-FET 5 is turned off and the P-channel type IG-FET 6 is turned on. Therefore, the voltage V as the drive voltage of the RAM circuit block 12 is reduced.BAT Is supplied. In this way, the power supply of the integrated circuit device can be switched.

【0012】 本実施例によれば、スイッチ10をオン状態にした場合に、電圧比較回路2及 びインバータ回路3,4の駆動電圧にはPチャネル型IG−FET5を介して電 池13の電圧VDDが供給されるため、電池14の電圧VBAT が集積回路装置1の 動作を保障できない電圧であっても、電池13の電圧VDDが集積回路装置1の動 作を保障できる電圧であれば、集積回路装置1の通常動作を保障することができ る。According to this embodiment, when the switch 10 is turned on, the drive voltage of the voltage comparison circuit 2 and the inverter circuits 3 and 4 is the voltage of the battery 13 via the P-channel IG-FET 5. Since V DD is supplied, even if the voltage V BAT of the battery 14 is a voltage that cannot guarantee the operation of the integrated circuit device 1, the voltage V DD of the battery 13 must be a voltage that guarantees the operation of the integrated circuit device 1. Thus, the normal operation of the integrated circuit device 1 can be guaranteed.

【0013】 なお、本実施例においては、Pチャネル型IG−FET5,6のソース容量が 接続されているため、電源切替時の動作電流によりPチャネル型IG−FET5 ,6のソース電圧が変動することを防止でき、ノイズの発生を防止できる。これ により、回路動作を安定させることができる。In this embodiment, since the source capacitances of the P-channel type IG-FETs 5 and 6 are connected, the source voltage of the P-channel type IG-FETs 5 and 6 fluctuates due to the operating current when the power source is switched. This can be prevented, and the generation of noise can be prevented. As a result, the circuit operation can be stabilized.

【0014】 図2は本考案の第2の実施例に係る電源切換回路を備えた集積回路装置を示す 回路図である。なお、本実施例は集積回路装置1の外部に設けたRAM集積回路 15の電源を切り換えるものであるので、図2において図1と同一物には同一符 号を付してその部分の詳細な説明は省略する。FIG. 2 is a circuit diagram showing an integrated circuit device having a power supply switching circuit according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the power source of the RAM integrated circuit 15 provided outside the integrated circuit device 1 is switched. Therefore, in FIG. 2, the same parts as those in FIG. The description is omitted.

【0015】 本実施例においては、図1におけるRAM回路ブロック12の替わりに、集積 回路装置1の外部にRAM集積回路15が設けられていて、RAM集積回路15 はその駆動電圧が電源出力端子9から供給され、インバータ回路4の出力がRA M制御信号16として供給されている。In the present embodiment, a RAM integrated circuit 15 is provided outside the integrated circuit device 1 instead of the RAM circuit block 12 in FIG. 1, and the RAM integrated circuit 15 has a driving voltage of the power supply output terminal 9 And the output of the inverter circuit 4 is supplied as the RAM control signal 16.

【0016】 この場合、電池13の電圧VDDが集積回路装置1及びRAM集積回路15の動 作を保障できる電圧であれば、電池14の電圧VBAT が低下していても、スイッ チ10がオン状態であるときの通常動作を保障することができる。In this case, if the voltage V DD of the battery 13 is a voltage that can guarantee the operation of the integrated circuit device 1 and the RAM integrated circuit 15, the switch 10 can operate even if the voltage V BAT of the battery 14 is lowered. It is possible to guarantee normal operation when in the on state.

【0017】[0017]

【考案の効果】[Effect of the device]

以上説明したように本考案によれば、切り換えを制御する電圧比較回路並びに 第1及び第2のインバータ回路の駆動電圧には第1及び第2の電源の電圧のうち の高い方が供給されるから、集積回路装置の動作を常に保障することができる。 As described above, according to the present invention, the higher one of the voltages of the first and second power supplies is supplied to the drive voltage of the voltage comparison circuit for controlling switching and the first and second inverter circuits. Therefore, the operation of the integrated circuit device can always be guaranteed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の第1の実施例に係る電源切換回路を備
えた集積回路装置を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an integrated circuit device including a power supply switching circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本考案の第2の実施例に係る電源切換回路を備
えた集積回路装置を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an integrated circuit device including a power supply switching circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の電源切換回路を備えた集積回路装置を示
す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an integrated circuit device including a conventional power supply switching circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1;集積回路装置 2;電圧比較回路 3,4;インバータ回路 5,6;Pチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ 7,8;電源端子 9;電源出力端子 10;スイッチ 11;容量 12;RAM回路ブロック 13,14;電池 15;RAM集積回路 16;RAM制御信号
1; Integrated circuit device 2; Voltage comparison circuit 3, 4; Inverter circuit 5, 6; P-channel insulated gate field effect transistor 7, 8; Power supply terminal 9; Power supply output terminal 10; Switch 11; Capacitance 12; RAM circuit Blocks 13 and 14; Battery 15; RAM integrated circuit 16; RAM control signal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 7832−5B G06F 1/00 335 C ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location 7832-5B G06F 1/00 335 C

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 第1及び第2の電源の電圧を比較する電
圧比較回路と、この電圧比較回路の比較結果を入力する
第1のインバータ回路と、この第1のインバータ回路の
出力を入力する第2のインバータ回路と、ゲートが前記
第1のインバータ回路の出力端に接続されドレインが前
記第1の電源に接続されソースが出力端子に接続された
第1のPチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
と、ゲートが前記第2のインバータ回路の出力端に接続
されドレインが前記第2の電源に接続されソースが前記
出力端子に接続された第2のPチャネル型絶縁ゲート型
電界効果トランジスタと、前記出力端子と接地端子との
間に接続された容量とを有し、前記電圧比較回路並びに
前記第1及び前記第2のインバータ回路は前記出力端子
の出力電圧に基づいて駆動することを特徴とする電源切
換回路。
Claims for utility model registration 1. A voltage comparison circuit for comparing the voltages of the first and second power supplies, a first inverter circuit for inputting the comparison result of the voltage comparison circuit, and the first A second inverter circuit for inputting the output of the first inverter circuit, a first inverter circuit having a gate connected to the output terminal of the first inverter circuit, a drain connected to the first power supply, and a source connected to the output terminal. P-channel type insulated gate field effect transistor, and second P-channel type whose gate is connected to the output terminal of the second inverter circuit, drain is connected to the second power source and source is connected to the output terminal. An insulated gate field effect transistor; and a capacitor connected between the output terminal and the ground terminal, wherein the voltage comparison circuit and the first and second inverter circuits are Power supply switching circuit, characterized in that the drive based on the output voltage of the output terminal.
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