JPH0587949U - Semiconductor chip - Google Patents

Semiconductor chip

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JPH0587949U
JPH0587949U JP2747092U JP2747092U JPH0587949U JP H0587949 U JPH0587949 U JP H0587949U JP 2747092 U JP2747092 U JP 2747092U JP 2747092 U JP2747092 U JP 2747092U JP H0587949 U JPH0587949 U JP H0587949U
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semiconductor chip
substrate
chip
pattern
mounting
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JP2747092U
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均 竹内
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セイコー電子工業株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 フェイスダウンボンディング用の半導体チッ
プA1において、基板A2に対応する能動面と反対側の
裏面3に視覚的に認識可能な位置合わせ用十字マーク4
が形成されていて、基板A2のチップ側十字マーク4に
対応する位置には、基板側十字マーク5が形成されてい
る。 【効果】 半導体チップを実装する時に裏面の目安マー
クと基板のマーク、パターン等を用いて位置合わせを行
うことにより、簡単な方法で位置精度の高いフェイスダ
ウンボンディングが実現できる。
(57) [Summary] [Structure] In the semiconductor chip A1 for face-down bonding, a visually recognizable alignment cross mark 4 is provided on the back surface 3 opposite to the active surface corresponding to the substrate A2.
And the substrate-side cross mark 5 is formed at a position corresponding to the chip-side cross mark 4 on the substrate A2. [Effect] When the semiconductor chip is mounted, by performing alignment using the guide mark on the back surface, the mark on the substrate, the pattern, etc., face-down bonding with high positional accuracy can be realized by a simple method.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は半導体チップに関する。 The present invention relates to a semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

従来、一方の面にのみ能動素子が形成されている半導体チップにおいては、裏 面には認識可能なマーク等は何もないものが知られていた。この半導体チップを その能動面を基板側に向けて実装する際(フェイスダウンボンディング)には、 従来以下のような2つの方法が知られていた。図5はその内の第1の従来例を示 した斜視図である。裏面3に何もマーク等がない半導体チップD19を能動面の 下側にして基板D20の上に外形ガイドマーク21と半導体チップD19の角の 位置を合わせて実装する方法である。いわゆる半導体チップのダイシングの外形 を基準と考える外形ガイドによる方法である。さらに図6に第2の従来例を示す 。この方法では、半導体チップD19の能動面27のパターンをミラーA22と ミラーB23を用いて基板E24の上方のビジョン認識カメラ25でモニターし 位置決めの目安として、位置決め後ミラーA22を半導体チップD19と基板E 24の間から逃がしてチップ保持ツール26を下降して実装する。パターン認識 技術を用いた実装方法である。 Conventionally, it has been known that a semiconductor chip in which an active element is formed only on one surface has no recognizable mark or the like on the back surface. When mounting this semiconductor chip with its active surface facing the substrate side (face-down bonding), the following two methods have been conventionally known. FIG. 5 is a perspective view showing a first conventional example among them. This is a method of mounting the semiconductor chip D19 having no mark on the back surface 3 on the substrate D20 with the outer shape guide mark 21 and the corners of the semiconductor chip D19 aligned with each other on the lower side of the active surface. This is a method based on a so-called outer shape guide, which is based on the so-called outer shape of dicing of a semiconductor chip. Further, FIG. 6 shows a second conventional example. In this method, the pattern of the active surface 27 of the semiconductor chip D19 is monitored by the vision recognition camera 25 above the substrate E24 using the mirror A22 and the mirror B23. The chip holding tool 26 is lowered and mounted by escaping from between 24. This is a mounting method using pattern recognition technology.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかし、従来の半導体チップをフェイスダウンボンディングで実装する場合、 基板に対する半導体チップの位置精度は、狭ピッチ高密度実装を行うためには十 分であるとは言えなかった。図5に示した従来例1のように外形ガイドで実装す る場合の半導体チップと基板との位置関係は半導体チップのスクライブ精度に影 響を受けてしまい30μm程度の誤差がどうしても発生してしまい、高精度を達 成することが困難である。 However, when the conventional semiconductor chip is mounted by face-down bonding, the positional accuracy of the semiconductor chip with respect to the substrate has not been sufficient for performing narrow-pitch high-density mounting. The positional relationship between the semiconductor chip and the substrate when mounted by the outline guide as in Conventional Example 1 shown in FIG. 5 is affected by the scribing accuracy of the semiconductor chip, and an error of about 30 μm inevitably occurs. , It is difficult to achieve high precision.

【0004】 また図6に示したの従来例2のように基板側を向いている半導体チップの能動 面のパターンを目安にする場合は、パターンをモニターするための光学的な経路 が複雑になり、かつパターン認識が終了したら、ミラーを半導体チップの範囲外 に移動し、退避させた後に半導体チップを下方に移動し基板に実装させなければ ならないので、実装装置の構造が複雑になり、装置は高価でかつ位置合わせから 実装するまでの時間(サイクルタイム)が長くかかってしまう。さらに半導体チ ップの能動面のパターンがモニター可能である距離で位置合わせを行ってから基 板に接近させるので接近させるときの誤差が生じる、加えて実装後にはパターン を用いての正確な位置の確認が不可能になる。このため、従来の半導体チップは 200μmピッチパターン程度が限度であった。従来の半導体チップには以上の ような多くの課題があった。Further, when the pattern of the active surface of the semiconductor chip facing the substrate side is used as a guide as in the conventional example 2 shown in FIG. 6, the optical path for monitoring the pattern becomes complicated. Moreover, when the pattern recognition is completed, the mirror has to be moved out of the range of the semiconductor chip, and the semiconductor chip must be moved downward and then mounted on the substrate. It is expensive and takes a long time (cycle time) from alignment to mounting. In addition, since the pattern of the active surface of the semiconductor chip is aligned at a distance where it can be monitored and then the substrate is approached, an error occurs when approaching the substrate. In addition, after mounting, the correct position using the pattern is used. Will be impossible to confirm. Therefore, the conventional semiconductor chip has a limit of about 200 μm pitch pattern. Conventional semiconductor chips have many problems as described above.

【0005】 そこで本考案は、従来のこのような課題を解決するため、フェイスダウンボン ディングにおいても、簡単な方法で、狭ピッチ高密度実装にも対応できる高い位 置精度の実装及び位置検査が可能になるような半導体チップを得ることを目的と している。Therefore, in order to solve such a conventional problem, the present invention is capable of performing mounting and position inspection with high positional accuracy capable of supporting narrow-pitch high-density mounting by a simple method even in face-down bonding. The aim is to obtain a semiconductor chip that will be possible.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記の課題を解決するために、本考案は少なくとも一方の面に能動素子が形成 されている半導体チップにおいて、裏面にもパターンあるいは模様等の視覚的に 認識可能なものを形成し、基板上に正確に実装する際の目安として用いることに より、フェイスダウンボンディングでも簡単な方法で高い位置精度の実装及び位 置検査を実現できるようにした。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention forms a semiconductor chip having an active element formed on at least one surface on the back surface so that a visually recognizable pattern or pattern is formed on the substrate. By using it as a guide for accurate mounting, we have made it possible to realize highly accurate mounting and position inspection with a simple method even for face-down bonding.

【0007】[0007]

【作用】[Action]

上記のように構成された半導体チップにおいては、半導体チップをフェイスダ ウンボンディングする際に、基板上のパターンと、半導体チップ裏面のパターン が同じ方向を向いているので、その両方をモニターしながら基準となるパターン 同士の位置合わせがミラー等の複雑な光学経路を必要とせずに可能となる。この ため、半導体チップ裏面のパターンが能動面のパターンに対して相互位置が十分 に高精度であれば、単純な構造の実装機で高精度な位置決めができる。また、実 装後も半導体チップ裏面のパターンをモニターすることができるので、基板上の パターンとのずれを測定することにより実装位置の検査を行うことも可能となる 。 In the semiconductor chip configured as described above, the pattern on the substrate and the pattern on the back surface of the semiconductor chip face the same direction when face-down bonding the semiconductor chip. It becomes possible to align the different patterns without the need for complicated optical paths such as mirrors. Therefore, if the pattern on the back surface of the semiconductor chip is sufficiently accurate with respect to the pattern on the active surface, the mounting machine with a simple structure can perform highly accurate positioning. Further, since the pattern on the back surface of the semiconductor chip can be monitored even after mounting, it is possible to inspect the mounting position by measuring the deviation from the pattern on the substrate.

【0008】[0008]

【実施例】【Example】

以下に、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。 図1は本考案における半導体チップの実施例1を示す斜視図である。半導体チ ップA1の裏面3の4つの角部には視覚的に認識可能なチップ側十字マーク4が 4つ形成されている。このチップ側十字マーク4は、例えば両面ICのパターン 露光等に用いられる両面アライナを使用することにより、裏面3の反対側面であ る図示しない能動面のパターンや電極に対し3μm以下の高い位置精度で形成す る事が可能である。またマークの形は、十字以外でも四角形や三角形等、位置合 わせに用いる事が可能な形状であればどんなものでもかまわない。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a perspective view showing a first embodiment of a semiconductor chip according to the present invention. Four chip-side cross marks 4 which can be visually recognized are formed at four corners of the back surface 3 of the semiconductor chip A1. The chip-side cross mark 4 has a high positional accuracy of 3 μm or less with respect to the pattern and electrode of the active surface (not shown) on the opposite side of the back surface 3 by using a double-side aligner used for pattern exposure of a double-sided IC, for example. It can be formed with. The shape of the mark may be any shape other than a cross, such as a quadrangle or a triangle, as long as it can be used for alignment.

【0009】 一方、基板A2には基板側十字マーク5が4ケ所、半導体チップA1が正しい 位置に実装されたときにチップ側十字マーク4と決められた位置関係になるよう に形成されている。半導体チップA1を能動面の下側にして基板A2に実装する とき、まず基板A2のおおよその位置に半導体チップA1を置き、それぞれ4ヶ 所の基板側十字マーク5とチップ側十字マーク4とをビジョン認識して、基板側 十字マーク5とチップ側十字マーク4との相対位置が正確に合う様にチップの位 置を補正することにより、基板電極6の位置と半導体チップA1の能動面側の電 極の位置を正確に合せた実装が出来る。このときビジョン認識は、基板側十字マ ーク5も、チップ側十字マーク4も上方から直接カメラあるいは顕微鏡等で目視 し、位置調整が行えるのでミラー等の複雑な経路が不要になる。On the other hand, the board-side cross mark 5 is formed at four places so as to have a predetermined positional relationship with the chip-side cross mark 4 when the semiconductor chip A1 is mounted in a correct position. When mounting the semiconductor chip A1 on the substrate A2 with the lower surface of the active surface, the semiconductor chip A1 is first placed at an approximate position of the substrate A2, and the four cross marks 5 on the substrate side and the four cross marks 4 on the chip side are respectively placed. By recognizing the vision and correcting the position of the chip so that the relative positions of the cross mark 5 on the substrate side and the cross mark 4 on the chip side are exactly aligned, the position of the substrate electrode 6 and the active surface side of the semiconductor chip A1 are It can be mounted with the electrodes positioned exactly. At this time, for vision recognition, since the position of the cross mark 5 on the substrate side and the cross mark 4 on the chip side can be directly observed from above with a camera or a microscope, a complicated path such as a mirror is not necessary.

【0010】 また位置精度の高い実装が可能になる事により、100μm以下のピッチパタ ーンと配線ピッチの狭い高密度実装や高位置精度が要求されるセンサICの実装 にも対応が可能となる。また実装後にチップ側十字マーク4と基板側十字マーク 5の位置を測定する事により、実際には目視出来ない半導体チップA1の能動面 のパターンや電極と基板A2の基板電極6との相互位置関係を推定出来るので位 置検査を正確に行う事ができる。Further, since the mounting with high positional accuracy becomes possible, it becomes possible to support high density mounting with a pitch pattern of 100 μm or less and a narrow wiring pitch, and mounting of a sensor IC that requires high positional accuracy. Further, by measuring the positions of the chip-side cross mark 4 and the board-side cross mark 5 after mounting, the mutual positional relationship between the pattern and electrode of the active surface of the semiconductor chip A1 and the substrate electrode 6 of the substrate A2 that cannot be visually observed actually. Therefore, the position inspection can be performed accurately.

【0011】 図2は本考案にかかる半導体チップの実施例2の斜視図である。基板B9には 左右に3個づつ合計6個の基板電極6が形成され、そこからそれぞれ基板B9の 長手方向に並行に、即ちX方向に基板配線7が6本形成されている。また基板配 線7と直角方向(Y方向)には基板側X方向合わせライン12が4本形成されて いる。一方半導体チップB8の裏面3には実装時に基板配線7と同一直線上にな るチップ側Y方向合わせライン10が3本と、基板側X方向合わせライン12に 対応する位置にチップ側X方向合わせライン11が4本、実施例1と同様に能動 面に対して高い位置精度で形成されている。FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor chip according to a second embodiment of the present invention. Six substrate electrodes 6 are formed on the substrate B9, three on each side, and six substrate wirings 7 are formed in parallel with each other in the longitudinal direction of the substrate B9, that is, in the X direction. Further, four board-side X-direction alignment lines 12 are formed in a direction (Y direction) perpendicular to the board wiring 7. On the other hand, on the back surface 3 of the semiconductor chip B8, there are three chip side Y-direction alignment lines 10 that are on the same straight line as the board wiring 7 during mounting, and chip-side X-direction alignment lines 12 Four lines 11 are formed with high positional accuracy with respect to the active surface as in the first embodiment.

【0012】 半導体チップB8を基板B9にフェイスダウンボンディングするとき、上方か ら、半導体チップB8と基板B9のパターンをビジョン認識して、X方向は基板 側X方向合わせライン12とチップ側X方向合わせライン11を、Y方向は基板 配線7とチップ側Y方向合わせラインを、それぞれ一直線上になるように位置合 わせをする事により、高位置精度の実装ができる。また実装後に、それぞれのラ インのズレを測定する事により容易に実装位置検査を行う事が出来る。本実施例 のように基板上の配線パターンや、基板や半導体チップに形成した線状のパター ンを目安マークとして位置合わせをする事も可能である。When face-down bonding the semiconductor chip B8 to the substrate B9, the patterns of the semiconductor chip B8 and the substrate B9 are visually recognized from above, and the X direction is aligned with the substrate side X direction alignment line 12 and the chip side X direction alignment. By aligning the line 11 with the board wiring 7 in the Y direction and the chip side Y-direction alignment line so as to be aligned with each other, high-position accuracy mounting can be achieved. After mounting, the mounting position can be easily inspected by measuring the deviation of each line. As in the present embodiment, it is possible to perform alignment by using a wiring pattern on the substrate or a linear pattern formed on the substrate or the semiconductor chip as a reference mark.

【0013】 具体的には半導体チップ裏面のマークと基板上のマークとの位置合わせは現在 は精密XYテーブルを有する専用治具で手動で行っているが、チップマウンタを 有するロボットによる機械化も実験的に確認されている。 図3及び図4は本考案にかかる実施例3として両面とも能動素子で構成されて いる半導体チップ(両面IC)を用いた場合の一例を示したものである。図3は 実施例3の実装前の斜視図である。ここでは半導体チップC13の基板側(下側 )を向いた面を表面、上側を向いた面を裏面3とする。半導体チップC13の裏 面3には能動素子を含むチップ裏面パターン28(一部省略)とチップ裏面電極 15が形成されている。また表面には、図示しない能動パターンと、バンプ電極 18が形成されている。Specifically, the mark on the back surface of the semiconductor chip and the mark on the substrate are currently aligned manually with a dedicated jig having a precision XY table, but mechanization by a robot having a chip mounter is also experimental. Has been confirmed. 3 and 4 show an example of a third embodiment according to the present invention in which a semiconductor chip (double-sided IC) having active elements on both sides is used. FIG. 3 is a perspective view of the third embodiment before mounting. Here, the surface of the semiconductor chip C13 facing the substrate side (lower side) is the front surface, and the surface facing the upper side is the back surface 3. On the back surface 3 of the semiconductor chip C13, a chip back surface pattern 28 (partially omitted) including active elements and a chip back surface electrode 15 are formed. Further, an active pattern (not shown) and bump electrodes 18 are formed on the surface.

【0014】 一方、基板C14には半導体チップC13の裏面3にあるチップ裏面電極15 との導通を取るための基板ワイヤボンド用電極16と、同じく表面にあるバンプ 電極18との導通を取るための基板バンプ用電極17、及び基板配線7が形成さ れている。半導体チップC13を基板C14に実装するときは、チップ裏面パタ ーン28やチップ裏面電極15と、基板配線7や基板ワイヤボンド用電極16を 位置合わせの目安として用い、それらの相対位置関係が正しくなるように位置合 わせをする事により高い位置精度での実装が行える。また位置合わせの目安マー クには本実施例のように電極や配線を利用する事もできるし、実施例1や実施例 2の様に専用の位置合わせマークやラインを設けても良い。On the other hand, the substrate C14 has a substrate wire bonding electrode 16 for establishing conduction with the chip back surface electrode 15 on the back surface 3 of the semiconductor chip C13 and a bump electrode 18 for establishing electrical connection with the bump electrode 18 on the front surface. Substrate bump electrodes 17 and substrate wirings 7 are formed. When the semiconductor chip C13 is mounted on the substrate C14, the chip back surface pattern 28 or the chip back surface electrode 15 and the board wiring 7 or the board wire bonding electrode 16 are used as a standard for alignment, and their relative positional relationship is correct. It is possible to mount with high position accuracy by aligning so that Further, an electrode or wiring can be used as the reference mark for alignment as in this embodiment, or a dedicated alignment mark or line can be provided as in the first and second embodiments.

【0015】 図4は実施例3の実装後の斜視図である。半導体チップC13の裏面3はチッ プ裏面電極15と基板ワイヤボンド用電極16の間をワイヤボンドする事により 基板C14と電気的導通が図られている。また半導体チップC13の表面はバン プ電極18のバンプが基板バンプ用電極17に圧着される事により基板C14と の導通を取っている。FIG. 4 is a perspective view after mounting the third embodiment. The back surface 3 of the semiconductor chip C13 is electrically connected to the board C14 by wire bonding between the chip back surface electrode 15 and the board wire bonding electrode 16. The surface of the semiconductor chip C13 is electrically connected to the substrate C14 by the bumps of the bump electrodes 18 being pressure-bonded to the substrate bump electrodes 17.

【0016】[0016]

【考案の効果】[Effect of the device]

この考案は、以上説明したように半導体チップの裏面に認識可能な模様等を形 成し、半導体チップを基板上に正確に実装する際の目安マークとして用いること により、従来例に比べ約10倍の高位置精度での実装が可能になる事により、セ ンサ等の高い位置精度が要求される半導体チップの実装が可能になるばかりでな く、従来例だと200μmピッチパターン程度が限度であったが、本考案では1 00μm以下も対応可能で1/2以下の狭配線ピッチでの高密度実装も実現でき 、さらに従来例でのミラーの動作時間が省けるので約2倍のスピードで実装が可 能であり、半導体を用いたデバイスの小型化、高機能化が図れるという効果があ る。 As described above, this invention forms a recognizable pattern on the back surface of the semiconductor chip and uses it as a reference mark when mounting the semiconductor chip on the substrate accurately. This enables not only mounting of semiconductor chips that require high positioning accuracy, such as sensors, but the conventional example has a limit of about 200 μm pitch pattern. However, the present invention can handle 100 μm or less and can realize high-density mounting with a narrow wiring pitch of 1/2 or less. Furthermore, since the mirror operation time in the conventional example can be omitted, mounting can be performed at about twice the speed. It is possible, and there is an effect that a device using a semiconductor can be miniaturized and highly functionalized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案にかかる半導体チップの実施例1の斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor chip according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本考案にかかる半導体チップの実施例2の斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor chip according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本考案にかかる半導体チップの実施例3の実装
前の斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor chip according to a third embodiment of the present invention before mounting.

【図4】本考案にかかる半導体チップの実施例3の実装
後の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view after mounting a semiconductor chip according to a third embodiment of the present invention.

【図5】従来の半導体チップの例1の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of Example 1 of a conventional semiconductor chip.

【図6】従来の半導体チップの例2の正面図である。FIG. 6 is a front view of Example 2 of a conventional semiconductor chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップA 2 基板A 3 半導体チップ裏面 4 チップ側十字マーク 5 基板側十字マーク 6 基板電極 7 基板配線 8 半導体チップB 9 基板B 10 チップ側Y方向合わせライン 11 チップ側X方向合わせライン 12 基板側X方向合わせライン 13 半導体チップC 14 基板C 15 チップ裏面電極 16 基板ワイヤボンド用電極 17 基板バンプ用電極 18 バンプ電極 19 半導体チップD 20 基板D 21 外形ガイドマーク 22 ミラーA 23 ミラーB 24 基板E 25 ビジョン認識カメラ 26 チップ保持ツール 27 半導体チップ能動面 28 チップ裏面パターン 1 Semiconductor Chip A 2 Substrate A 3 Back Side of Semiconductor Chip 4 Cross Mark on Chip Side 5 Cross Mark on Board Side 6 Board Electrode 7 Board Wiring 8 Semiconductor Chip B 9 Board B 10 Chip Y Side Alignment Line 11 Chip Side X Alignment Line 12 Board Side X direction alignment line 13 Semiconductor chip C 14 Substrate C 15 Chip back surface electrode 16 Substrate wire bonding electrode 17 Substrate bump electrode 18 Bump electrode 19 Semiconductor chip D 20 Substrate D 21 External shape guide mark 22 Mirror A 23 Mirror B 24 Substrate E 25 Vision Recognition Camera 26 Chip Holding Tool 27 Semiconductor Chip Active Surface 28 Chip Backside Pattern

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 少なくとも一方の面に能動素子が形成さ
れている半導体チップにおいて、他方の面に位置合わせ
用パターンあるいは模様等の視覚的に認識可能なものが
形成されていることを特徴とする半導体チップ。
1. A semiconductor chip having an active element formed on at least one surface thereof, and a visually recognizable one such as a positioning pattern or a pattern is formed on the other surface. Semiconductor chip.
JP2747092U 1992-04-24 1992-04-24 Semiconductor chip Pending JPH0587949U (en)

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