JPH0587881A - Data log circuit - Google Patents

Data log circuit

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JPH0587881A
JPH0587881A JP3276561A JP27656191A JPH0587881A JP H0587881 A JPH0587881 A JP H0587881A JP 3276561 A JP3276561 A JP 3276561A JP 27656191 A JP27656191 A JP 27656191A JP H0587881 A JPH0587881 A JP H0587881A
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JP
Japan
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memory
gate
output
fail
cycle
Prior art date
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Pending
Application number
JP3276561A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Shimizu
清水  晃
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0587881A publication Critical patent/JPH0587881A/en
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Abstract

PURPOSE:To carry out the writing into a pin memory without using a delay line for each channel and accommodate a large quantity of fail information in a pin memory having a small capacity. CONSTITUTION:A plurality of blocks 1A-1C connected with a DUT 10 and gates 2 and 3 which receives the output of each gate 22 in the blocks 1A-1C and generate, the write-in signals in a fail cycle are provided. Further, a fail block memory 4 which receives the output of each gate 22 in the block and a LOG address generator 5 for automatically changing the address of the fail block memory in synchronization with the write-in signal are provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、集積回路試験装置に
おいて、フェイルサイクルとピンフェイル情報を記憶す
るデータログ回路についてのものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data log circuit for storing fail cycle and pin fail information in an integrated circuit tester.

【0002】[0002]

【従来の技術】次に、従来技術によるデータログ回路の
構成を図4に示す。また、図4のタイミングチャートを
図5に示す。図4の10は被測定デバイス(以下、DU
Tという)、11〜13は判定器、21はピンメモリ、
22はゲート、26〜28は遅延線、31〜33はゲー
ト、3はゲート、5はログアドレス発生器、7はテスト
サイクルカウンタ、8はサイクルメモリ、9A〜9Cは
ゲートである。
2. Description of the Related Art Next, a configuration of a data log circuit according to the prior art is shown in FIG. The timing chart of FIG. 4 is shown in FIG. Reference numeral 10 in FIG. 4 is a device under test (hereinafter, DU).
11) to 13 are decision devices, 21 is a pin memory,
Reference numeral 22 is a gate, 26 to 28 are delay lines, 31 to 33 are gates, 3 is a gate, 5 is a log address generator, 7 is a test cycle counter, 8 is a cycle memory, and 9A to 9C are gates.

【0003】ログアドレス発生器5には0アドレスを設
定しておく。DUT10からの出力は判定器11〜13
で判定される。判定器11は図5のサイクルN+1で
「1」を発生する。判定器11の出力はゲート22、ゲ
ート3により書込み同期信号5Aを制御し、図5のサイ
クルN+1のときに書込み信号5Bを発生する。書込み
信号5Bの立上がりエッジのタイミングによりログアド
レス発生器5は次のアドレス「1」を発生する。
A 0 address is set in the log address generator 5. The outputs from the DUT 10 are the decision devices 11 to 13
Is determined by. The determiner 11 generates "1" in the cycle N + 1 in FIG. The output of the determiner 11 controls the write synchronization signal 5A by the gate 22 and the gate 3, and generates the write signal 5B at the cycle N + 1 in FIG. The log address generator 5 generates the next address "1" at the timing of the rising edge of the write signal 5B.

【0004】書込み信号5Bとログアドレス発生器5の
出力5Cはピンメモリ21にも与えられる。また、判定
器11〜13の出力は、遅延線26〜28に与えられ、
書込み信号5Bとログアドレス発生器5の出力5Cとの
時間まで必要な遅延量を持たせた後、ピンメモリ21に
与えられる。遅延線26の出力はピンメモリ21に与え
られ、N+1のサイクルでピンメモリ21は「1」を記
憶すると同時に判定器12、13の判定出力の「0」を
遅延線27、28を通して記憶する。同時にテストサイ
クルカウンタ7の出力としてN+1がサイクルメモリ8
に記憶される。
The write signal 5B and the output 5C of the log address generator 5 are also given to the pin memory 21. The outputs of the decision units 11 to 13 are given to the delay lines 26 to 28,
The write signal 5B and the output 5C of the log address generator 5 are provided with a necessary delay amount up to the time and then given to the pin memory 21. The output of the delay line 26 is given to the pin memory 21, and the pin memory 21 stores "1" in the cycle of N + 1 and simultaneously stores "0" of the determination outputs of the determiners 12 and 13 through the delay lines 27 and 28. At the same time, N + 1 is output from the test cycle counter 7 to the cycle memory 8
Memorized in.

【0005】また、例えば次のN+2のサイクルでは判
定器12から発生した判定信号により同様に書込み信号
5Bを発生し、その立上がりエッジのタイミングでログ
アドレス発生器5は次のアドレス「2」を発生する。判
定器11〜13の判定出力を遅延線26〜28を通して
ピンメモリ21にそれぞれ「0」、「1」、「0」を記
憶する。
Further, for example, in the next N + 2 cycle, the write signal 5B is similarly generated by the determination signal generated from the determination device 12, and the log address generator 5 generates the next address "2" at the timing of the rising edge thereof. To do. "0", "1", and "0" are stored in the pin memory 21 through the delay lines 26 to 28 as the determination outputs of the determiners 11 to 13, respectively.

【0006】また、読み出すときはログアドレス発生器
5にアドレス「0」を設定する。次に、読み出し信号5
Fを「0」にしてピンメモリ21とサイクルメモリ8を
読み出すことにより、どのサイクルでどのチャンネルが
フェイルかがわかる。例では、N+1サイクルで1チャ
ンネル、N+2サイクルで2チャンネルがフェイルであ
ることがわかる。
When reading, the address "0" is set in the log address generator 5. Next, read signal 5
By setting F to “0” and reading the pin memory 21 and the cycle memory 8, it is possible to know in which cycle which channel failed. In the example, it can be seen that 1 channel is failed in N + 1 cycles and 2 channels are failed in N + 2 cycles.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のデータログ回路
ではゲート3、ログアドレス発生器5、テストサイクル
カウンタ7、サイクルメモリ8、ゲート9A〜9Cは判
定器11〜13、ピンメモリ21、ゲート22、ゲート
31〜33とは通常別のユニットとするため、ゲートブ
ロック22の出力1AC、書き込み信号5B、ログアド
レス発生器5の出力5Cの各信号はケーブルを介して接
続される。ゲート22の出力1ACはケーブルの遅延量
Dだけ遅れてゲート3に与えられる。ゲート3より発生
した書き込み信号5B、ログアドレス発生器5の出力5
Cは同様に遅延量Dだけ遅れてピンメモリ21にそれぞ
れ5Ba、5Caとして与えられる。
In the conventional data log circuit, the gate 3, the log address generator 5, the test cycle counter 7, the cycle memory 8, and the gates 9A to 9C are the decision units 11 to 13, the pin memory 21, and the gate 22. , The gates 31 to 33 are usually separate units, so that the output 1AC of the gate block 22, the write signal 5B, and the output 5C of the log address generator 5 are connected via cables. The output 1AC of the gate 22 is given to the gate 3 with a delay of the delay amount D of the cable. Write signal 5B generated from gate 3, output 5 of log address generator 5
Similarly, C is delayed by the delay amount D and given to the pin memory 21 as 5Ba and 5Ca, respectively.

【0008】よって、書き込み信号5B、ログアドレス
発生器5の出力5Cは判定器11〜13の出力に対して
遅延量Dの2倍遅れてピンメモリに与えられるために、
判定器11〜13とピンメモリ21の間には遅延量Dの
2倍の遅延線26〜28をチャンネルごとに挿入する必
要がある。特に、システムサイクルが高速になれば、遅
延線の特性上遅延量の少ない遅延線を多段接続しなけれ
ば正確に信号を転送することができない。
Therefore, the write signal 5B and the output 5C of the log address generator 5 are given to the pin memory with a delay of twice the delay amount D with respect to the outputs of the determiners 11 to 13.
Between the determiners 11 to 13 and the pin memory 21, it is necessary to insert the delay lines 26 to 28 having twice the delay amount D for each channel. In particular, if the system cycle becomes faster, the signal cannot be accurately transferred unless the delay lines having a small delay amount due to the characteristics of the delay line are connected in multiple stages.

【0009】最近のシステムでは、10nsの遅延線を10
段接続する場合もある。さらに、他のチャンネルにフェ
イルが発生するごとに全チャンネルのピンメモリアドレ
スを変更するために多チャンネルを装備する装置ではピ
ンメモリの容量を増やす必要がある。
In modern systems, a 10 ns delay line
It may be connected in stages. Further, in order to change the pin memory addresses of all channels every time a failure occurs in another channel, it is necessary to increase the pin memory capacity in a device equipped with multiple channels.

【0010】この発明は、チャンネルごとの遅延線を用
いることなくピンメモリに書込むとともに、少容量のピ
ンメモリで大量のフェイル情報を格納するデータログ回
路の提供を目的とする。
It is an object of the present invention to provide a data log circuit for writing to a pin memory without using a delay line for each channel and storing a large amount of fail information with a small capacity pin memory.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明では、DUT10に接続される複数の判定
器11〜13と、判定器11〜13の出力を入力とする
ピンメモリ21と、判定器11〜13の出力を入力と
し、フェイルサイクルだけ書込み信号を発生するゲート
22と、読み出し、書込み信号に同期してピンメモリ2
1のアドレスを自動変更するピンメモリアドレス発生器
25とで1つのブロックを構成し、複数のブロックをD
UT10に接続し、各ゲート22の出力を入力とし、フ
ェイルサイクルだけ書込み信号を発生するゲート2、3
と、ブロック内の各ゲート22の出力を入力とするフェ
イルブロックメモリ4と、書込み信号に同期してフェイ
ルブロックメモリ4のアドレスを自動変更するログアド
レス発生器5とを備える。
In order to achieve this object, according to the present invention, a plurality of judging devices 11 to 13 connected to the DUT 10 and a pin memory 21 having the outputs of the judging devices 11 to 13 as inputs, A gate 22 that receives the outputs of the determiners 11 to 13 and that generates a write signal only during a fail cycle, and a pin memory 2 that synchronizes with the read and write signals
One block is configured with the pin memory address generator 25 that automatically changes the address of 1 and multiple blocks are
Gates 2 and 3 which are connected to the UT 10 and which receive the output of each gate 22 as an input and generate a write signal only during a fail cycle.
And a fail block memory 4 that receives the output of each gate 22 in the block, and a log address generator 5 that automatically changes the address of the fail block memory 4 in synchronization with a write signal.

【0012】[0012]

【作用】次に、この発明によるデータログ回路の構成を
図1に示す。また、図1のタイミングチャートを図2
に、メモリ書込み例を図3により説明する。図1の1A
〜1Cはブロック、2はゲート、4はフェイルブロック
メモリであり、その他は図4と同じである。ブロック1
A〜1Cはそれぞれ同じ構成になっており、判定器11
〜13、ピンメモリ21、ゲート22、ゲート23、ゲ
ート24、ピンメモリアドレス発生器25、ゲート31
〜33から構成される。ブロック1A〜1C内の判定器
11〜13、ピンメモリ21、ゲート22、ゲート31
〜33は図4と同じものである。DUT10には複数の
ブロック1A〜1Cが接続される。図1には図4の遅延
線26〜28はない。
The structure of the data log circuit according to the present invention is shown in FIG. 2 is a timing chart of FIG.
An example of memory writing will be described with reference to FIG. 1A of FIG.
1C is a block, 2 is a gate, 4 is a fail block memory, and the others are the same as in FIG. Block 1
Each of A to 1C has the same configuration, and the determiner 11
˜13, pin memory 21, gate 22, gate 23, gate 24, pin memory address generator 25, gate 31
Is composed of .about.33. The determiners 11 to 13, the pin memory 21, the gate 22, and the gate 31 in the blocks 1A to 1C
33 are the same as in FIG. A plurality of blocks 1A to 1C are connected to the DUT 10. 1 does not have the delay lines 26-28 of FIG.

【0013】DUT10からの出力は判定器11〜13
で判定される。判定器11〜13の出力はフェイルのと
き「1」となる。判定器11〜13の出力はピンメモリ
21のデータ入力端子に与えられる。判定器11〜13
の出力のうちどれかが「1」のときにはゲート22、2
3と書込み同期信号1ABにより書込み信号1AEがピ
ンメモリ21の書込みイネーブル端子に与えられる。ま
た書込み信号1AEはゲート24を通りピンメモリアド
レス発生器25に与えられ、図2の書込み信号1AEの
立上がりエッジのタイミングで次のアドレスを発生す
る。
The outputs from the DUT 10 are the decision devices 11-13.
Is determined by. The outputs of the determiners 11 to 13 are “1” in the case of failure. The outputs of the determiners 11 to 13 are given to the data input terminal of the pin memory 21. Judgment device 11-13
When any one of the outputs of "1" is "1", the gates 22 and 2
The write signal 1AE is given to the write enable terminal of the pin memory 21 by 3 and the write synchronization signal 1AB. Further, the write signal 1AE is applied to the pin memory address generator 25 through the gate 24, and the next address is generated at the timing of the rising edge of the write signal 1AE in FIG.

【0014】ピンメモリアドレス発生器25の出力1A
Fはピンメモリ21のアドレスに与えられる。また、ゲ
ート22の出力1ACが「0」のときには書込み信号1
AEは発生しないし、ピンメモリアドレス発生器25の
出力も変化しない。
Output 1A of pin memory address generator 25
F is given to the address of the pin memory 21. When the output 1AC of the gate 22 is "0", the write signal 1
AE does not occur, and the output of the pin memory address generator 25 does not change.

【0015】一方、ゲート22の出力1ACはフェイル
ブロックメモリ4のデータ入力端子とゲート2に与えら
れる。ゲート2の出力が「1」のときはゲート3とログ
書込み周期信号5Aにより書込み信号5Bがフェイルブ
ロックメモリ4の書込みイネーブル端子に与えられる。
On the other hand, the output 1AC of the gate 22 is given to the data input terminal of the fail block memory 4 and the gate 2. When the output of the gate 2 is "1", the write signal 5B is given to the write enable terminal of the fail block memory 4 by the gate 3 and the log write cycle signal 5A.

【0016】ログアドレス発生器5は書込み信号5Bの
立上がりエッジのタイミングで次のアドレスを発生す
る。ログアドレス発生器5の出力はフェイルブロックメ
モリ4とサイクルメモリ8に与えられる。また、ゲート
2の出力が「0」のときには書込み信号5Bは発生しな
いし、ログアドレス発生器5は次のアドレスを発生しな
い。
The log address generator 5 generates the next address at the timing of the rising edge of the write signal 5B. The output of the log address generator 5 is given to the fail block memory 4 and the cycle memory 8. When the output of the gate 2 is "0", the write signal 5B is not generated and the log address generator 5 does not generate the next address.

【0017】読み出し時にはピンメモリアドレス発生器
25とログアドレス発生器5には初期値「0」を設定す
る。ログ読み出し信号5Dを「0」にしてフェイルブロ
ックメモリ4を読み出す。次に、出力端子5Eに「1」
が出力されたブロックに対応する読み出し信号1AA〜
1CAのどれかを「0」にしてピンメモリ21を読み出
すと同時にゲート24により読み出し信号1AA〜1C
Aの立上がりエッジのタイミングでピンメモリアドレス
発生器25の出力は自動的に次のアドレスを発生する。
At the time of reading, an initial value "0" is set in the pin memory address generator 25 and the log address generator 5. The log read signal 5D is set to "0" to read the fail block memory 4. Next, set the output terminal 5E to "1".
Read signal 1AA ~ corresponding to the block from which
When one of the 1CAs is set to "0" and the pin memory 21 is read out, the gate 24 simultaneously reads out the read signals 1AA to 1C.
At the timing of the rising edge of A, the output of the pin memory address generator 25 automatically generates the next address.

【0018】「0」が読み出されたブロックには読み出
し信号1AA〜1CAは与えない。以上により各ブロッ
クのピンメモリからフェイル情報を読み出し、フェイル
が発生したサイクルとチャンネルを知ることができる。
The read signals 1AA to 1CA are not given to the block from which "0" is read. As described above, the fail information can be read from the pin memory of each block, and the cycle and channel in which the failure has occurred can be known.

【0019】[0019]

【実施例】次に、データログ回路の動作例を図1につい
て説明する。また、タイムチャートを図2に、メモリ書
込み例を図3に示す。図3は図2のタイムチャートの時
の判定器出力状態、各ブロックのピンメモリの書き込み
データ、フェイルブロックメモリの書き込みデータ、サ
イクルメモリの書き込みデータをそれぞれ示したもので
ある。半導体試験装置では1ブロックが32〜64チャンネ
ルで構成される。ピンメモリアドレス発生器25とログ
アドレス発生器5には初期値として「0」を設定する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an operation example of the data log circuit will be described with reference to FIG. A time chart is shown in FIG. 2 and an example of memory writing is shown in FIG. FIG. 3 shows the output state of the determiner, the write data of the pin memory of each block, the write data of the fail block memory, and the write data of the cycle memory at the time chart of FIG. In the semiconductor test equipment, one block consists of 32 to 64 channels. “0” is set as an initial value in the pin memory address generator 25 and the log address generator 5.

【0020】DUT10からの出力は判定器11〜13
で判定される。判定器11〜13はテストサイクルごと
に判定を行ない、フェイルでは「1」、パスでは「0」
を出力する。判定器11〜13の出力はピンメモリ21
とゲート22に接続される。例えば、N+1サイクルで
判定器11の出力が「1」になるとゲート23より書込
み信号1AEが発生し、ピンメモリ21の書込みイネー
ブル端子に与えられる。書込み信号1AEはゲート24
を通してピンメモリアドレス発生器25にも与えられ、
書込み信号1AEの立上がりエッジのタイミングで次の
アドレス「1」を発生する。したがって、ピンメモリ2
1はN+1のサイクルでアドレス0のD10に「1」、D
11、D12には「0」を書込む。またN;N+2のサイク
ルでは何も書込み動作はしない。
The outputs from the DUT 10 are the decision devices 11-13.
Is determined by. The determiners 11 to 13 make a determination for each test cycle, "1" for fail and "0" for pass.
Is output. The outputs of the determiners 11 to 13 are pin memories 21.
Is connected to the gate 22. For example, when the output of the determiner 11 becomes “1” in N + 1 cycles, the write signal 1AE is generated from the gate 23 and applied to the write enable terminal of the pin memory 21. Write signal 1AE is applied to gate 24
Is also given to the pin memory address generator 25 through
The next address "1" is generated at the timing of the rising edge of the write signal 1AE. Therefore, the pin memory 2
1 is “1” in D10 of address 0 in the cycle of N + 1, D
Write "0" in 11 and D12. No write operation is performed in the cycle of N; N + 2.

【0021】一方、オア信号1ACはゲート2、3によ
り書込み信号5Bとなり、フェイルブロックメモリ4と
サイクルメモリ8の書込みイネーブル端子に与えられ
る。オア信号1ACはN+1のサイクルで「1」なの
で、書込み信号5BがN+1のサイクルで発生する。
On the other hand, the OR signal 1AC becomes the write signal 5B by the gates 2 and 3 and is given to the write enable terminals of the fail block memory 4 and the cycle memory 8. Since the OR signal 1AC is "1" in the N + 1 cycle, the write signal 5B is generated in the N + 1 cycle.

【0022】また、オア信号1AC〜1CCはフェイル
ブロックメモリ4にも与えられるので、N+1のサイク
ルでD0に「1」が書込まれると同時にサイクルメモリ
8にはテストサイクルカウンタ7の出力N+1が書込ま
れる。また書込み信号5Bはゲート3を通してログアド
レス発生器5にも与えられ、書込み信号5Bの立上がり
エッジのタイミングで次のアドレス「1」を発生する。
また、N+2のサイクルではブロック1Bからのオア信
号1BCによりアドレス「1」のD1に「1」を書込
む。
Further, since the OR signals 1AC to 1CC are also applied to the fail block memory 4, "1" is written in D0 in the cycle of N + 1, and at the same time, the output N + 1 of the test cycle counter 7 is written in the cycle memory 8. Get caught. The write signal 5B is also applied to the log address generator 5 through the gate 3 to generate the next address "1" at the timing of the rising edge of the write signal 5B.
In the N + 2 cycle, "1" is written in D1 of the address "1" by the OR signal 1BC from the block 1B.

【0023】次に読み出す場合を説明する。ピンメモリ
アドレス発生器25とログアドレス発生器5には初期値
として「0」を設定する。読み出し信号5Dを「0」に
してフェイルブロックメモリ4を読み出す。例ではゲー
ト6Aから「1」が出力端子5Eに出力される。同時に
サイクルメモリ8からフェイルのあったサイクルN+1
が読み出される。
Next, the case of reading will be described. “0” is set as an initial value in the pin memory address generator 25 and the log address generator 5. The read signal 5D is set to "0" to read the fail block memory 4. In the example, the gate 6A outputs "1" to the output terminal 5E. At the same time, the cycle memory 8 failed from the cycle memory 8 N + 1
Is read.

【0024】次に、ブロック1Aの読み出し信号1AA
を「0」にしてピンメモリ21を読み出し、ゲート31
から「1」が出力端子1ADに出力され、チャンネル1
のフェイルとして読み出される。読み出し信号1AAは
ゲート24を通してピンメモリアドレス発生器25に接
続され、読み出し信号1AAの立上がりエッジのタイミ
ングでピンメモリアドレス発生器25の出力は次のアド
レスを発生する。
Next, the read signal 1AA of the block 1A
Is set to "0", the pin memory 21 is read, and the gate 31
"1" is output to the output terminal 1AD from the channel 1
Is read as a fail. The read signal 1AA is connected to the pin memory address generator 25 through the gate 24, and the output of the pin memory address generator 25 generates the next address at the timing of the rising edge of the read signal 1AA.

【0025】次にログアドレス発生器5にアドレス
「1」を設定して、同様にフェイルブロックメモリ4、
サイクルメモリ8を読み出し、次にブロック1Bを読み
出す。以上を繰り返すことによりフェイルが発生したサ
イクルとチャンネルを知ることができる。
Next, the address "1" is set in the log address generator 5, and the fail block memory 4 and
The cycle memory 8 is read, and then the block 1B is read. By repeating the above, the cycle in which the failure has occurred and the channel can be known.

【0026】[0026]

【発明の効果】この発明によれば、ピンメモリの書込み
がブロック毎に独立しているので、最短の時間で書込ま
れるため判定器からピンメモリまでの間に多段の遅延線
を用いる必要がない。さらに、少容量のピンメモリで大
量のフェイル情報を格納することが可能となる。
According to the present invention, since writing to the pin memory is independent for each block, the writing is performed in the shortest time, and therefore it is necessary to use a multistage delay line between the determiner and the pin memory. Absent. Further, it becomes possible to store a large amount of fail information with a small capacity pin memory.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明によるデータログ回路の構成図であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram of a data log circuit according to the present invention.

【図2】図1のタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart of FIG.

【図3】図1のメモリ書込み例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of memory writing in FIG. 1.

【図4】従来技術によるデータログ回路の構成図であ
る。
FIG. 4 is a configuration diagram of a data log circuit according to a conventional technique.

【図5】図4のタイミングチャートである。FIG. 5 is a timing chart of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A〜1C ブロック 2 ゲート 3 ゲート 4 フェイルブロックメモリ 5 ログアドレス発生器 6A〜6C ゲート 7 テストサイクルカウンタ 8 サイクルメモリ 9A〜9C ゲート 10 DUT(被測定デバイス) 11〜13 判定器 21 ピンメモリ 22 ゲート 23 ゲート 24 ゲート 25 ピンメモリアドレス発生器 1A to 1C block 2 gate 3 gate 4 fail block memory 5 log address generator 6A to 6C gate 7 test cycle counter 8 cycle memory 9A to 9C gate 10 DUT (device under test) 11 to 13 decision device 21 pin memory 22 gate 23 Gate 24 Gate 25 Pin Memory Address Generator

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被測定デバイス(10)に接続される複数の
判定器と、前記判定器出力を入力とするピンメモリ(21)
と、前記判定器の出力を入力とし、フェイルサイクルだ
け書込み信号を発生する第1のゲート(22)と、読み出
し、書込み信号に同期してピンメモリ(21)のアドレスを
自動変更するピンメモリアドレス発生器(25)とで1つの
ブロックを構成し、複数の前記ブロックを被測定デバイ
ス(10)に複数個接続し、 前記各第1のゲート(22)の出力を入力とし、フェイルサ
イクルだけ書込み信号を発生する第2のゲート(2) 、
(3) と、 前記ブロック内の各第1のゲート(22)の出力を入力とす
るフェイルブロックメモリ(4) と、 書込み信号に同期してフェイルブロックメモリ(4) のア
ドレスを自動変更するログアドレス発生器(5) とを備え
ることを特徴とするデータログ回路。
1. A plurality of judging devices connected to a device under test (10), and a pin memory (21) having inputs of the judging device outputs.
And a first gate (22) which receives the output of the judging device as an input and generates a write signal only in a fail cycle, and a pin memory address which automatically changes the address of the pin memory (21) in synchronization with the read and write signals. One block is composed of the generator (25), a plurality of the blocks are connected to the device under test (10), the output of each of the first gates (22) is used as an input, and only the fail cycle is written. A second gate (2) for generating a signal,
(3), a fail block memory (4) that receives the output of each first gate (22) in the block, and a log that automatically changes the address of the fail block memory (4) in synchronization with the write signal. A data log circuit comprising an address generator (5).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7240256B2 (en) * 2001-05-16 2007-07-03 Advantest Corp. Semiconductor memory test apparatus and method for address generation for defect analysis

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7240256B2 (en) * 2001-05-16 2007-07-03 Advantest Corp. Semiconductor memory test apparatus and method for address generation for defect analysis

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