JPH0582995A

JPH0582995A - 広帯域電波吸収体

Info

Publication number: JPH0582995A
Application number: JP3239147A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Naito; 喜之内藤; Michiharu Takahashi; 道晴高橋
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1991-09-19
Filing date: 1991-09-19
Publication date: 1993-04-02
Anticipated expiration: 2011-05-29
Also published as: JP2500160B2; US5394150A

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】フィン型及びラティス型の電波吸収体のよう
に、規則的に空隙部とフェライト部の繰り返し構造を有
する電波吸収体を広い周波数に対応できるようにする。【構成】反射板Ｍ上に、磁性体桟Ｆを間隔Ｓで、格子
状に連続して配置する広帯域電波吸収体にあって、それ
ぞれの磁性体桟の厚みｔmは、反射板から電波到来方向
に順次減少する階段状であり、反射板から電波到来方向
に計った磁性体桟に全体の高さをｈとするとき、ｈを反
射板から電波到来方向に所定の数に分割して、それぞれ
の高さをｈ₁、ｈ₂ｈ₃、・・ｈnとし、各高さに対応する
部分の磁性体の厚みがｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・ｔ
ｍｎであるとき、ｈ＝ｈ₁＋ｈ₂＋ｈ₃・・・＋ｈn、ｈ＞
ｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・ｔｍｎで、かつ間隔が、
Ｓ≧ｔｍ₁の関係を満足する構成を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、広帯域電波吸収体に関
し、特に、フェライト磁性体からなる電波吸収体の広帯
域化に関するものである。この広帯域電波吸収体は、電
子機器からの放射電磁波を測定するための電波暗室や、
建物からのＴＶ電波の反射を防ぐための壁材として広く
使用するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、単一磁性体層からなる電波吸収体
を広帯域化する方法として、例えばタイル状のフェライ
ト（磁性体）を、電波反射板から空気層で浮かして（実
際には発泡ポリウレタン板などを用いる。）配置する方
法が提案されている。

【０００３】例えば、７mmのＮｉＺｎ系焼結フェライト
タイルを反射板から８mm〜１５mmの空気層を介して配置
すると、３０ＭＨz〜１,０００ＭＨzの電波に対して、
反射減衰量２０ｄＢ以下の広帯域の電波吸収体が得られ
る。

【０００４】また、同じく単一磁性体層からなる広帯域
の電波吸収体として、後述するフィン型及びラティス型
の広帯域電波吸収体が本発明者によって提案されてい
る。これらの特性は、例えばラティス型の広帯域電波吸
収体にあっては、厚さ７mm、高さ２０mmのＮｉＺｎ系焼
結フェライトをラティス状にすることにより、３０ＭＨ
z〜７００ＭＨzの電波に対して反射減衰量２０ｄＢ以下
の広帯域の電波吸収体が得られる。

【０００５】図１８は、金属導電反射板Ｍでタイル状の
焼結フェライトＦを裏打ちした、最も基本的なフェライ
ト電波吸収体の断面構造図である。図１８でフェライト
吸収体の表面における電界の反射係数をｓとすると、吸
収体の電力吸収係数は、

【０００６】

【数１】１−｜ｓ｜² ・・・・・・・・・・（１）で表される。従って、｜ｓ｜が小さいほど良い吸収体と
言える。

【０００７】普通は、その良さの一つの目安として

【０００８】

【数２】｜ｓ｜≦０.１・・・・・・・・・（２）すなわち、反射減衰量（−２０log ｓｄＢ）２０ｄＢ
以下、吸収係数≧０.９９を採用している。

【０００９】図１８に示す吸収体の特性を横軸に周波数
ｆ、縦軸に反射係数｜ｓ｜の大きさを用いて示すと、典
型的には図１９のようになる。この場合、｜ｓ｜＝０.
１となる下限周波数（周波数の低い方）をｆL、上限周
波数（周波数高い方）をｆHとすると、図から｜ｓ｜≦
０.１を満足する周波数帯域幅Ｂは、

【００１０】

【数３】Ｂ＝ｆH−ｆL ・・・・・・・・・・・（３）で表される。そこで、周波数帯域幅Ｂについて研究され
ていて、例えば、（イ）下限周波数ｆLが３０ＭＨｚとなるようにする場
合、用いるべきフェライトは、焼結型でＮｉＺｎ系かＭ
ｎＺｎ系のものである。そうすると、一般に上限周波数
ｆHが３００ＭＨｚ〜４００ＭＨｚになってしまう。

【００１１】（ロ）下限周波数ｆLが９０ＭＨｚとなる
ようにする場合、用いるべきフェライトは、やはり焼結
型のものであり、この場合、上限周波数ｆHは３５０Ｍ
Ｈｚ〜５２０ＭＨｚである。

【００１２】一つの応用として前に述べた電子機器から
の放射電磁波を測定するための電波暗室の壁材の場合
は、ｆL＝３０ＭＨｚで、ｆHはひとまずｆH＝１０００
ＭＨｚが要求されていて、（イ）のものでは特性が不十
分である。

【００１３】また、建物からのＴＶ電波の反射を防ぐた
めの壁材の場合は、ｆL＝９０ＭＨｚでｆH＝８００ＭＨ
ｚが要求されていて、（ロ）のものでは特性が不十分で
ある。

【００１４】そこで、図１８の形式のものを次のように
改良することがこれまでに提案されている。

【００１５】一つは、広帯域化の例として、図２０に示
すようにフェライトＦと金属板Ｍとの間に空気、誘電体
または損失誘電体Ｄを挿入したものがある。この場合
は、ｆL＝３０ＭＨｚ、ｆH＝１０００ＭＨｚがようやく
得られる。

【００１６】さらに、もう一つの広帯域化の例として図
２１Ａ（斜視図），図２１Ｂ（図２１ＡのＡ−Ａ’線で
切った断面図）及び図２２に示すような電波吸収体が本
発明者により提案されている（特願平０２−１６２４０
３参照）。すなわち、両図とも磁性体はタイル状の一様
なものでなく周期的な空隙部を有し、かつ厚みｔよりも
高さｈが大きいという特徴を持った焼結フェライトＦを
電波の金属導電反射体Ｍの上に間隔Ｓで配置したもので
ある。

【００１７】便宜上、図２１Ａ，図２１Ｂのものをフィ
ン型電波吸収体、図２２のものをラティス型電波吸収体
と呼ぶことにするが、ラティス型電波吸収体は両偏波用
であり、フィン型電波吸収体はラティス型電波吸収体か
ら縦または横に走るフェライトを省略したもので単一偏
波用であるが両者ともその基本的動作に変わりはない。
ちなみに、このような電波吸収体の場合、図２１Ａ，図
２１ＢのものでｆH＝２,４００ＭＨｚ、図２２のもので
ｆH＝７００ＭＨｚ〜１５００ＭＨｚである。

【００１８】今後、電子機器の動作周波数がより高くな
り、それにより発生する放射電波はより高い周波数に亘
るようになり、要求されるｆHは必然的に高くならざる
を得ないと思われる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、ＥＭＩ
（Ｅlectro Ｍagnetic Ｉnterference）に対する関心が
高く、電波吸収体のより広帯域化が望まれている。

【００２０】本発明は、これらに鑑みなされたものであ
り、本発明の目的は、空隙部とフェライト部が反射板上
で連続して繰り返し構造を有する電波吸収体において、
広い周波数に対応し得ることが可能な技術を提供するこ
とにある。

【００２１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００２２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、反射板上に、磁性体桟を間隔Ｓで、格子
状に連続して配置する広帯域電波吸収体であって、それ
ぞれの磁性体桟の厚みｔmは、反射板から電波到来方向
に順次減少する階段状であり、反射板から電波到来方向
に計った磁性体桟の全体の高さをｈとするとき、ｈを反
射板から電波到来方向に所定の数に分割して、それぞれ
の高さをｈ₁、ｈ₂、ｈ₃、・・ｈnとし、各高さに対応す
る部分の磁性体の厚みがｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・
ｔｍnであるとき、ｈ＝ｈ₁＋ｈ₂＋ｈ₃・・・＋ｈn ｈ＞ｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・ｔｍn で、かつ間隔Ｓが、Ｓ≧ｔｍ₁ の関係を満足することを最も主要な特徴とする。

【００２３】

【作用】前述の手段によれば、それぞれの磁性体桟の厚
みｔmは、反射板から電波到来方向に順次減少する階段
状であり、反射板から電波到来方向に計った磁性体桟に
全体の高さをｈとするとき、ｈを反射板から電波到来方
向に所定の数に分割して、それぞれの高さをｈ₁、ｈ₂、
ｈ₃、・・ｈnとし、各高さに対応する部分の磁性体の厚
みがｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・ｔｍnであるとき、ｈ＝ｈ₁＋ｈ₂＋ｈ₃・・・＋ｈn ｈ＞ｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・ｔｍn で、かつ間隔Ｓが、Ｓ≧ｔｍ₁ の関係を満足する構成、すなわち、電波吸収体の高さｈ
が比較的高いので、その高さの範囲内を区分し、それぞ
れの高さと実効誘電率、実効透磁率を変化させることに
より、広帯域な入力インピーダンス特性を容易に得るこ
とができる。

【００２４】また、電波吸収体に空隙部を有するため、
例えば反射板を金網又は細穴を有する金属板等にするこ
とにより、電波暗室用の吸収体壁材としたとき、室内の
照明、換気がしやすく、大電力にも強制空冷により耐え
得る壁材にすることができる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。

【００２６】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２７】本発明の広帯域電波吸収体は、磁性体と空
隙部が金属導電反射体上で連続して繰り返す構造の電波
吸収体については成立するが、主として前述の電波吸収
体の代表的な構造である図２１Ａ（斜視図），図２１Ｂ
（断面図）の電波吸収体の特性を用いて、本発明の実施
例を詳細に説明する。

【００２８】また、以下に述べる本発明の実施例の特性
は、すべて図１７Ａ（縦断面図），図１７Ｂ（横断面
図）に示すようなトリプレート線路を用い、ＴＥＭ波に
よる実験結果を示している。なお、図１７Ａ，図１７Ｂ
において、１１は入力コネクター、１２は外部導体平
板、１３は内部導体平板、１４は金属導電反射体、１５
は測定試料である。このトリプレート線路の特性インピ
ーダンスは５０オームである。

【００２９】〔実施例１〕図１は、本発明に係る基本電
波吸収体の構成を示す断面図であり、前述の図２１Ｂ
（断面図）の電波吸収体を説明の都合上、必要な符号を
入れて再掲したものである。また、同図１の電波吸収体
表面（ａーａ’）から反射板Ｍ方向を見込む入力インピ
ーダンスと周波数の関係を、高さｈを５mmステップで可
変し測定し、測定に供した線路の特性インピーダンス
（５０オーム）で正規化して示したのが図２である。

【００３０】使用した磁性体材料は、直流時の透磁率
２,２００のＮｉＺｎ系焼結フェライトＦであり、ｔ＝
７.５mm、ｈ＝５〜２５mm、Ｓ＝２０mmである。

【００３１】この場合に、反射減衰量が２０ｄＢ以下と
なる範囲で最も広帯域になったのが図３であり、図３の
定在波比（ＳＷＲ：Ｓtanding Ｗave Ｒatio）＝１.２
の円内にあるのが周波数帯域である。この周波数帯域は
５０メガヘルツ（ＭＨｚ）〜２,４００ＭＨｚである。

【００３２】図２及び図３に示す特性は、測定に際して
トリプレート線路を用いた。図４は、電波吸収体を概念
的に示した図であり、空間に媒質が存在するとしてい
る。そして、各媒質はそれぞれ比透磁率がμｒ１〜μｒ
ｎ，比誘電率がεｒ1〜εｒnをもち、それぞれの厚みが
ｄ1〜ｄnのものが反射板Ｍから電波到来方向に重畳して
いる。

【００３３】ここで、平面波を問題にしている場合に
は、このように空間内にある媒質の問題もその振る舞い
は分布定数回路上の電圧、電流の伝搬状態に近似できる
ので、分布線路上の問題として扱って良いことが知られ
ている。

【００３４】分布線路上の一つの問題として、図５に示
すように、特性インピーダンスＺｃ₁線路に、負荷イン
ピーダンスをＺｄ₀を接続して、負荷からの距離ｄ₁だけ
離れた点（ａーａ’）から負荷側を見込む入力インピー
ダンスをＺｄ₁とすると、電気工学で周知のごとく、

【００３５】

【数４】

【００３６】で表現される。ここで、γ₁は線路の伝搬
定数、Ｚｃ₁は線路の特性インピーダンスである。

【００３７】いま、（４）式において、Ｚｄ₀が反射板
のように短絡状態にある場合、Ｚｄ₀＝０であるから、

【００３８】

【数５】Ｚｄ₁＝Ｚｃ₁ tanｈγ₁ｄ₁ ・・・・・・・・・・・（５）となる。実は、図２に示す特性は、この（５）式におい
て、ｄ₁を変化した場合に等価であり、その様子は、図
６Ａに図１の一部と対応させて示している。

【００３９】また、図６Ｂに示すように、図６Ａに示す
構成の後にさらに特性の異なる線路を接続し、ｂーｂ’
面から反射板Ｍ方向を見た時の入力インピーダンスＺｄ
₂は、（４）式と同様に、

【００４０】

【数６】

【００４１】となり、同様にして、図６Ｃに示すよう
に、さらに線路を重ねて接続し、ｃーｃ’面から反射板
Ｍ方向を見た時の入力インピーダンスＺｄ₃は、

【００４２】

【数７】

【００４３】となる。

【００４４】以下、同様にして多段に何段接続したとし
ても、次々にその前段までの入力インピーダンスＺｄn-
₁を表す式を（４）式に代入していけば求めることがで
きる。すなわち、ｎ段接続したときの入力インピーダン
スＺｄnは、

【００４５】

【数８】

【００４６】ここで、Ｚｄnはｎ段目の入力インピーダ
ンス、Ｚｄn-₁は前段ｎ−１での入力インピーダンス、
Ｚｃnはｎ段目の線路の特性インピーダンス、γnはｎ段
目の線路の伝搬定数、ｄnはｎ段目の線路の長さであ
る。

【００４７】いま、（５）式を（６）式に代入して、

【００４８】

【数９】

【００４９】（９）式を（７）式に代入して、

【００５０】

【数１０】

【００５１】が得られるが、以上の（５）式，（９）
式，（１０）式が図６Ａ，図６Ｂ，図６Ｃの入力インピ
ーダンスに対応している。

【００５２】電波吸収体の場合、図４に示すように、反
射板Ｍ上にある特定の媒質があり、その媒質の有する比
透磁率をμｒ、比誘電率εｒとすると、

【００５３】

【数１１】

【００５４】

【数１２】

【００５５】とおけるから、分布定数線路で扱うため
（５）式（１１）式，（１２）式を代入して、

【００５６】

【数１３】

【００５７】が得られ、以下同様の手法で、２段，３段
の時も、

【００５８】

【数１４】

【００５９】

【数１５】

【００６０】と順次段数が増加していっても、正規化入
力インピーダンスは、全て媒質の界インピーダスηとそ
の長さｄ並びに伝搬定数γで表現される。したがって、
本発明は、任意の段数において最も広帯域になるように
各段の媒質の比透磁率μｒと比誘電率εｒとの長さの組
み合せを選択することになる。

【００６１】一般に、磁性体の比透磁率μｒ，比誘電率
εｒは、

【００６２】

【数１６】 μｒ＝μｒ₁−ｊμｒ₂ εｒ＝εｒ₁−ｊεｒ₂ ・・・・・・・・・・・・（１６）で表すことができ、かつ周波数分散特性を持っている。
そこで、媒質の定数がどの程度変化させ得るかを検討し
ておく必要がある。

【００６３】ＮｉＺｎ系焼結フェライトの比透磁率μｒ
は、直流時の値でμｒ₁＝１０〜２,５００程度の値が得
られ、μｒ₂の値もμｒ₁が大きければ大きく、小さけれ
ば小さいのが一般的である。ところが、図１のように、
空隙をもたせることによって、同図１のａーａ’点から
反射板Ｍ方向を見たときの比透磁率μｒは、磁性体を充
填したときの比透磁率から、その厚みと高さによって見
かけ上の比透磁率（実効比透磁率）が変化する。このこ
とはμｒ₂についても同様である。勿論、同じ高さの時
は厚さｔが薄くなるに従って低くなり、厚さｔが間隔Ｓ
に等しい（ｔ＝Ｓ）の時は２,５００となり最高値を示
す。

【００６４】また、見かけ上の比誘電率（実効比誘電
率）も同じであり、ｔｍ＝Ｓの時が最高で約１５、間隔
Ｓを２０mmとしたとき、ｔ＝６.５mmで約εｒ₁＝１.２
まで低下させることができる。ただし、これを格子状に
組み合せた図２４に示すような構造にすると、厚みと高
さが同じ条件として、比透磁率についてはほとんど図２
１Ａ，図２１Ｂの場合と変わらないが実効比誘電率はε
ｒ₁＝４.０になる。また、フェライト間に導電材料を介
在させることにより実効比誘電率は大幅に増加させ得
る。

【００６５】なお、ＮｉＺｎ系焼結フェライトの比誘電
率εｒについて、εｒ₁の値は周波数に対してほとんど
一定と見なしてよく、εｒ₂の値は非常に小さいのが普
通である。本発明の要旨は、まさにこの点にあり、空隙
部と磁性体部が規則的に配置することにより、フェライ
トタイルなどの磁性体層の誘電率が約１５と比較的高い
値であるのに対して所望の値にコントロールして利用す
るところにある。

【００６６】図７は、本発明の実施例１のフィン型広帯
域電波吸収体の構成を示す断面図である。本実施例１の
フィン型広帯域電波吸収体は、図７に示すように、反射
板Ｍからそれぞれ高さｈ₁，ｈ₂、厚さｔｍ₁，ｔｍ₂の焼
結フェライトＦを２段重ねとした構成になっている。前
記焼結フェライトＦとしては、直流時の比透磁率１.５
００のＮｉＺｎ系の材料を使用する。ｔｍ₁＝９.５mm、
ｔｍ₂＝６.５mm、ｈ₁＝７mm、ｈ₂＝１２mm、間隔Ｓ＝２
０mmのときのフェライト表面における正規化インピーダ
ンスを図８に示す。

【００６７】本実施例１によれば、図８に示すように、
３０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚの周波数に亘り、ＳＷＲ
１．２以下になっている。

【００６８】〔実施例２〕図９Ａは、本発明の実施例２
のラティス型広帯域電波吸収体の構成を示す斜視図であ
り、図９Ｂは、図９ＡのＡーＡ’線における断面を示す
図である。本実施例２のラティス型広帯域電波吸収体
は、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、反射板Ｍからそれ
ぞれ高さｈ₁，ｈ₂，ｈ₃、厚さｔｍ₁，ｔｍ₂，ｔｍ₃の焼
結フェライトＦを３段重ねとした構成になっている。そ
して、前記焼結フェライトＦとしては、直流時の比透磁
率１.５００のＮｉＺｎ系の材料を使用する。ｈ₁＝４m
m，ｔｍ₁＝１０mm、ｈ₂＝５mm，ｔｍ₂＝６.５mm、ｈ₃＝
５mm，ｔｍ₃＝４.５mm、間隔Ｓ＝２０mmのときのフェラ
イト表面における正規化インピーダンスを図１０に示
す。

【００６９】本実施例２によれば、図１０に示すよう
に、ＳＷＲ１．２以内に３０ＭＨｚ〜２６００ＭＨｚま
で整合することができる。

【００７０】〔実施例３〕図１１は、本発明の本実施例
３の他のフィン型広帯域電波吸収体の構成を示す断面図
である。本実施例３のフィン型広帯域電波吸収体は、図
１１に示すように、反射板Ｍからそれぞれ高さｈ₁，
ｈ₂，ｈ₃、厚さｔｍ₁，ｔｍ₂，ｔｍ₃の焼結フェライト
Ｆを３段重ねとした構成になっている。そして、前記焼
結フェライトＦとしては、直流時の比透磁率１.５００
のＮｉＺｎ系の材料を使用する。ｈ₁＝６mm，ｔｍ₁＝８
mm、ｈ₂＝６mm，ｔｍ₂＝７mm、ｈ₃＝５mm，ｔｍ₃＝６.
５mm、間隔Ｓ＝２０mmのときのフェライト表面における
正規化インピーダンスを図１２に示す。

【００７１】本実施例３によれば、図１２に示すよう
に、３０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚまで反射量−２０ｄＢ
以下の吸収特性が得られた。

【００７２】〔実施例４〕図１３Ａは、本発明の実施例
４の他のフィン型広帯域電波吸収体の構成を示す斜視図
であり、図１３Ｂは、図１３ＡのＡーＡ’線における断
面を示す図である。本実施例４のフィン型広帯域電波吸
収体は、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、前記焼結
フェライトＦの形状をテーパー状にしたものである。つ
まり、焼結フェライトＦの分割した各部の高さｈ₁，
ｈ₂，ｈ₃，・・・・ｈnを十分細かくし、各部の厚みを
電波到来方向に従って極僅かづつ減少させて行くと、極
限においてはテーパー状になる。そして、前記焼結フェ
ライトＦとしては、直流時の比透磁率２.５００のＮｉ
Ｚｎ系の材料を使用する。ｔｍ₁＝１０mm、ｔｍ₂＝４m
m、ｈ＝２０mm、間隔Ｓ＝２０mmのときのフェライト表
面における正規化インピーダンスを図１４に示す。

【００７３】本実施例４によれば、図１４に示すよう
に、３０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚまで反射量−２０ｄＢ
以下の吸収特性が得られた。

【００７４】以上の説明からわかるように、前記本発明
の実施例１〜４によれば、フィン型電波吸収体またはラ
ティス型電波吸収体のように、規則的に空隙の繰り返し
構造を有する電波吸収体（焼結フェライトＦ）であり、
電波吸収体の高さｈが比較的高いので、その高さの範囲
内を区分し、それぞれの高さと実効誘電率、実効透磁率
を変化させることにより、広帯域な入力インピーダンス
特性を容易に得ることができる。

【００７５】また、電波吸収体に空隙部を有するので、
例えば反射板を金網又は細穴を有する金属板等にするこ
とにより、電波暗室用の吸収体壁材としたとき、室内の
照明、換気がしやすく、大電力にも強制空冷により耐え
得る壁材にすることができる。

【００７６】また、本発明の広帯域電波吸収体は、これ
単独での利用は勿論のこと、図１５に示すように、その
前方（入射波方向）に誘電体膜又は低透磁率磁性体膜Ｒ
Ｆを追加してさらに広帯域化をはかることが可能であ
る。また、図１６に示すように、同じくその前方に損失
誘電体ＤＬを付加して使用することができる。いずれの
場合も、本発明の電波吸収体がすでに相当高い周波数ま
で広帯域化されているので、付加する誘電体膜や磁性体
膜の位置、損失誘電体の高さは、最大でも本発明の電波
吸収体の最高使用周波数の２分の１波長以内であるから
従来の磁性体膜や誘電体膜の付加した吸収体に較べ大幅
に全体の高さが低くできる。

【００７７】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。

【００７８】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、フィン型又はラティス型の電波吸収体のように、規
則的に空隙部とフェライト部の繰り返し構造を有する電
波吸収体をその高さの範囲内を区分し、それぞれの高さ
と実効誘電率、実効透磁率を変化させることにより、広
帯域な入力インピーダンス特性を容易に得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基本電波吸収体の構成を示す断
面図、

【図２】図１の広帯域電波吸収体の線路の特性インピ
ーダンスで正規化したスミスチャート、

【図３】本実施例１の最も特性の良かった高さの場合
の特性の中心部を拡大したスミスチャート、

【図４】本実施例１のフィン型広帯域電波吸収体の線
路の特性インピーダンスで正規化したスミスチャート、

【図５】分布線路上の問題を説明するための図、

【図６Ａ】本発明の原理を説明するための図、

【図６Ｂ】本発明の原理を説明するための図、

【図６Ｃ】本発明の原理を説明するための図、

【図７】本発明の本実施例１のフィン型広帯域電波吸
収体の構成を示す断面図、

【図８】本実施例のフェライト表面における正規化イ
ンピーダンスを示す図、

【図９Ａ】本発明の実施例２のラティス型広帯域電波
吸収体の構成を示す斜視図、

【図９Ｂ】図９ＡのＡーＡ’線における断面図、

【図１０】本実施例２のフェライト表面における正規
化インピーダンスを示す図、

【図１１】本発明の本実施例３の他のフィン型広帯域
電波吸収体の構成を示す断面図、

【図１２】本実施例３のフェライト表面における正規
化インピーダンスを示す図、

【図１３Ａ】本発明の実施例４の他のフィン型広帯域
電波吸収体の構成を示す斜視図、

【図１３Ｂ】図１３ＡのＡーＡ’線における断面図、

【図１４】本実施例４のフェライト表面における正規
化インピーダンスを示す図、

【図１５】本発明の応用例の構成を示す断面図、

【図１６】本発明の他の応用例の構成を示す断面図、

【図１７Ａ】試料測定に用いられるトリプレート線路
の構成を示す縦断面図、

【図１７Ｂ】図１７Ａの横断面図、

【図１８】基本的なフェライト電波吸収体の断面構造
図、

【図１９】図１８に示すフェライト電波吸収体の特性
を示す図、

【図２０】広帯域化したフェライト電波吸収体の例を
示す断面図、

【図２１Ａ】広帯域化したフェライト電波吸収体の他
の例を示す斜視図、

【図２１Ｂ】図２１Ａの断面図、

【図２２】広帯域化したフェライト電波吸収体の他の
例を示す斜視図。

【符号の説明】

Ｍ…金属導体反射板、Ｆ…フェライト磁性体、Ｓ…フェ
ライト磁性体の間隔、ｈ…フェライト磁性体の全体の高
さ、ｈ₁〜ｈn…フェライト磁性体の各部の高さ、ｔｍ…
フェライト磁性体の厚さ、ｔｍ₁〜ｔｍn…フェライト磁
性体の各部の厚さ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反射板上に、磁性体桟を間隔Ｓで、格子
状に連続して配置する広帯域電波吸収体であって、それ
ぞれの磁性体桟の厚みｔmは、反射板から電波到来方向
に順次減少する階段状であり、反射板から電波到来方向
に計った磁性体桟の全体の高さをｈとするとき、その高
さｈを反射板から電波到来方向に所定の数に分割して、
それぞれの高さをｈ₁、ｈ₂、ｈ₃、・・ｈnとし、各高さ
に対応する部分の磁性体の厚みがｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔ
ｍ₃、・・・ｔｍnであるとき、ｈ＝ｈ₁＋ｈ₂＋ｈ₃・・・＋ｈn ｈ＞ｔｍ₁、ｔｍ₂、ｔｍ₃、・・・ｔｍn で、かつ間隔Ｓが、Ｓ≧ｔｍ₁ の関係を満足することを特徴とする広帯域電波吸収体。
【請求項２】請求項１に記載の広帯域電波吸収体にお
いて、前記磁性体桟は、直流時の透磁率５００以上の焼
結フェライトであり、ｈ₁は１５mm以下、ｈ₂は３０mm以
下の高さで、ｔｍ₁＞ｔｍ₂の２段の階段状からなること
を特徴とする広帯域電波吸収体。
【請求項３】請求項１に記載の広帯域電波吸収体にお
いて、前記磁性体桟は、直流時の透磁率５００以上の焼
結フェライトであり、ｈ₁は１５mm以下、ｈ₂は３０mm以
下、ｈ₃は３０mm以下の高さで、ｔｍ₁＞ｔｍ₂＞ｔｍ₃の
３段の階段状からなることを特徴とする広帯域電波吸収
体。
【請求項４】請求項１乃至３の各項に記載の広帯域電
波吸収体において、分割した高さの各部に厚みの異なる
誘電体または導電性物質を対向する磁性体桟間に介在さ
せたことを特徴とする広帯域電波吸収体。
【請求項５】請求項４に記載の広帯域電波吸収体にお
いて、磁性体桟の厚みは各部で同一（ｔｍ₁＝ｔｍ₂＝ｔ
ｍ₃・・・＝ｔｍn）であることを特徴とする広帯域電波
吸収体。
【請求項６】請求項１に記載の広帯域電波吸収体にお
いて、反射板から電波到来方向に向かって磁性体桟の厚
みが連続して減少することを特徴とする広帯域電波吸収
体。
【請求項７】請求項１乃至６の各項に記載の広帯域電
波吸収体のうち少なくとも２つ以上を組み合せてなるこ
とを特徴とする広帯域電波吸収体。
【請求項８】請求項１乃至７の各項に記載の広帯域電
波吸収体において、格子状の磁性体桟のうち、同一方向
に配置された磁性体桟の一部または全部を省略してなる
ことを特徴とする広帯域電波吸収体。
【請求項９】請求項１乃至８の各項に記載の広帯域電
波吸収体において、該広帯域電波吸収体の前面に損失誘
電体または磁性体膜を付加したことを特徴とする広帯域
電波吸収体。