CN108666757B - 低剖面天线及终端 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种低剖面天线及终端,该低剖面天线包括:二维周期结构以及设置在所述二维周期结构上的馈电结构,所述馈电结构为与地板平行放置的倒F天线及变形的倒F天线,所述馈电结构与所述二维周期结构发生电磁感应,激励所述二维周期结构的TM0波和TE1波模式进而形成两个不同的天线工作模式,并且通过设计馈电结构和二维周期表面的参数,以及馈电结构在二维周期表面的位置,使两个天线工作模式的频率相互靠近形成一个宽带天线,从而使得在低剖面天线高度足够低的同时保证低剖面天线拥有10%以上的相对带宽,因此能够更好的满足手机等终端设备对于低剖面天线的要求。
Description
技术领域
本申请涉及天线技术,尤其涉及一种低剖面天线及终端。
背景技术
在多入多出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)系统中的终端设备上,需要部署多个工作在相同频段的天线。由于一般终端设备尺寸有限,为了减少天线占用的终端设备的内部空间,并且减小天线和设备中其它器件的相互干扰,提高天线效率和设备的电磁兼容性能,在一些终端设备中,可以将天线部署在设备的后盖上,并且在后盖下方设置一块金属地板将天线与设备相隔离。当天线部署在终端设备的后盖上时,由于终端设备后盖厚度的限制,天线的整体高度也需要尽量降低,一般来讲,当天线的整体高度低于0.1倍波长的时候,天线可以被称为低剖面天线(Low Profile Antenna, LPA),但是对于天线来说,高度越低,天线距离下方金属地板的距离也越小,则天线的辐射性能就越差,表现在天线的辐射效率变低,带宽变窄等,因此,如何保证天线辐射性能的同时将天线高度降低到需要的高度,是低剖面天线设计中需要解决的核心问题。
现有技术中,提出了一些低剖面天线的设计方法以及利用这些方法设计出的低剖面天线,例如,将偶极子天线放置在人工磁导体(Artificial Magnetic Conductor, AMC)表面之上,利用AMC表面同相反射的特性,降低天线的高度。
但是,利用现有技术中的方法设计出的低剖面天线的高度仍然不够低,并且带宽比较窄,不能满足手机等终端设备对于低剖面天线的要求。
发明内容
本申请提供一种低剖面天线及终端,用于解决现有技术中低剖面天线高度不够低并且带宽较窄的问题。
本申请第一方面提供一种低剖面天线,包括:二维周期结构以及设置在所述二维周期结构上的馈电结构;
所述馈电结构为IFA天线,并且IFA天线平行放置于二维周期表面之上。
该低剖面天线由二维周期结构以及设置在该二维周期结构上的馈电结构组成,这种结构能够保证天线高度足够低,并且能够激励起二维周期结构表面的TE波和TM波模式,进而形成两个不同的天线工作模式,调整工作模式的频率,使两个工作模式的频率相互靠近,进而形成一个宽带天线,从而使得在低剖面天线高度足够低的同时保证低剖面天线拥有10%以上的相对带宽,因此能够更好的满足手机等终端设备对于低剖面天线的要求。
在种可选方式中,所述二维周期结构包括带有金属地板的第一介质基板以及印刷在所述第一介质基板上的多个金属贴片;
所述多个金属贴片分布在所述第一介质基板上。
在一种可选方式中,所述多个金属贴片按照预设的二维周期均匀分布在所述第一介质基板上,相邻两个金属贴片之间具有预设宽度的缝隙。
在一种可选方式中,该低剖面天线还包括:第二介质基板。
所述第二介质基板设置在所述二维周期结构与所述馈电结构之间,以使所述馈电结构与所述二维周期结构中的金属贴片相隔离。
在一种可选方式中,所述馈电结构为倒F天线。
在一种可选方式中,所述IFA天线的尺寸范围满足:
L2的范围为0.5p至1.5p,
L3的范围为0.5p至1.5p,
L4的范围为1p至3p,
L5的范围为0.2p至1.5p,
W2的范围为0.1p至0.3p,
W3的范围为0.1p至0.3p,
W4的范围为0.1p至0.3p,
其中,和分别为所述IFA天线中相平行的两个枝节的长度,为所述IFA
天线中与所述相平行的两个枝节相垂直的枝节的长度,为长度为的枝节的宽度,为长度为的枝节的宽度,为长度为的枝节的宽度,为所述平行的两
个枝节之间的距离,为所述二维周期结构中周期的长度,所述周期的长度为单个金属贴
片的长度与相邻两个金属贴片之间的缝隙宽度之和。
在一种可选方式中,所述二维周期结构中的多个金属贴片为正方形。
在一种可选方式中,所述馈电结构在接地点的位置通过通孔与所述二维周期结构的金属地板连接。
本申请第二方面提供一种终端,该终端上设置至少一个前述第一方面的低剖面天线。
在一种可选方式中,所述低剖面天线集成在所述终端的后盖上。
在一种可选方式中,当所述低剖面天线为多个时,多个所述低剖面天线按照预设的排列方式分布在所述终端的后盖上。
在一种可选方式中,所述终端内设置的所述低剖面天线的数量为8个。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的一种低剖面天线的立体结构示意图;
图2为本发明实施例1提供的一种低剖面天线的结构参数示意图;
图3为本发明实施例1提供的一种低剖面天线的截面结构示意图;
图4(a)为满足本申请中馈电结构要求的一种馈电结构示例图;
图4(b)为满足本申请中馈电结构要求的另一种馈电结构示例图;
图4(c)为满足本申请中馈电结构要求的又一种馈电结构示例图;
图4(d)为满足本申请中馈电结构要求的再一种馈电结构示例图;
图5为在给定金属贴片尺寸以及周期大小时所得到的二维周期结构的色散图;
图6为通过仿真得到的天线的回波损耗示意图;
图7为通过仿真得到的天线的增益示意图;
图8为天线在3.4GHz的辐射方向示意图;
图9为天线在3.8GHz的辐射方向示意图;
图10为本申请提出的终端MIMO天线实施例一的结构示意图;
图11为天线1的仿真S参数示意图;
图12为天线8的仿真S参数示意图;
图13为天线1的仿真效率示意图;
图14为天线8的仿真效率示意图。
具体实施方式
对于天线来说,当天线距离金属地板的高度越低,则天线的辐射效率越低,带宽也越窄,因此,如何在保证天线带宽的同时将天线高度降低到需要的高度,是低剖面天线设计中需要解决的核心问题。现有技术中提出的一种通过将偶极子天线放置在AMC表面的方法,所设计出的低剖面天线,天线高度一般能达到0.04倍波长左右,这个高度仍然不能满足很多场景的要求,而如果继续降低天线高度,则天线的工作带宽会大幅缩小,因此,现有技术仍未有效地解决低剖面天线在降低高度的同时不能保证天线带宽的问题。
基于上述问题,本申请提出一种低剖面天线,通过特定的结构设计,使得天线的整体高度可以降低到0.01倍波长左右,同时天线的相对带宽达到10%以上,能够更好的满足各种应用对天线带宽的要求。将该低剖面天线应用于手机等终端时,由于天线的整体高度非常低,因此就可以将该天线设置在手机的后盖上,利用手机后盖的空间实现电磁信号的接收,极大地提升手机等终端的信号的收发质量。
图1为本申请提出的低剖面天线实施例一的立体结构示意图,图2为本申请提出的低剖面天线实施例一的结构参数示意图,图3为本申请提出的低剖面天线实施例一的截面示意图,如图1、图2及图3所示,该低剖面天线包括:二维周期结构1以及设置在二维周期结构1上的馈电结构2。
其中,馈电结构2为IFA天线,并且IFA平行放置于二维周期表面之上。
除了图1所示出的馈电结构,馈电结构还可以是IFA天线的简单变形,图4(a)为满足本申请中馈电结构要求的一种馈电结构示例图,图4(b)为满足本申请中馈电结构要求的另一种馈电结构示例图,图4(c)为满足本申请中馈电结构要求的又一种馈电结构示例图,图4(d)为满足本申请中馈电结构要求的再一种馈电结构示例图。
本实施例中低剖面天线由二维周期结构以及设置在二维周期结构上的馈电结构组成,馈电结构与二维周期结构之间通过另一介质基板相隔离,而馈电结构和二维周期结构本身的高度可以设置的很低,因此,可以保证低剖面天线的整体高度足够低。
低剖面天线的馈电结构与其下方的二维周期结构产生电磁感应,从而激励起二维周期结构表面的TE波模式以及TM波模式,其中,TE波是指电场方向与电磁波传播方向垂直的波,TM波是指磁场方向与电磁波传播方向垂直的波,每一个波模式对应一个相对比较窄的工作带宽,通过调整馈电结构以及二维周期表面的尺寸,使两个模式的中心频率相互靠近但又不至于重合,这样便将两个比较窄的频带合并成一个比较宽的频段,从而在保证天线高度较低的前提下,也能获得宽带天线的效果。
本实施例中,低剖面天线由二维周期结构以及设置在二维周期结构上的馈电结构组成,这种结构能够保证天线高度足够低,并且,通过将馈电结构设置为IFA天线的形式,能够激励起二维周期结构表面的TE波和TM波,进而形成两个天线工作模式,从而使得在低剖面天线高度足够低的同时保证低剖面天线拥有10%以上的相对带宽,因此能够更好的满足手机等终端设备对于低剖面天线的要求。
另一实施例中,继续参照图1、图2和图3,二维周期结构1包括带有金属地板111的第一介质基板11以及印刷在第一介质基板11上的多个金属贴片12。
其中,多个金属贴片12的形状及尺寸可以相同,也可以略微不同,可以根据实际需要灵活设置。并且,多个金属贴片12按照预设的二维周期均匀分布在第一介质基板11上,相邻两个金属贴片12之间具有预设宽度的缝隙。
具体地,二维周期结构可以看作由一个预设的单元结构(如金属贴片)按照特定的方式在二维平面不断的做周期性的重复,本实施例中,参照图1及图2,一个金属贴片12可以看做是一个单元结构,将金属贴片12在二维平面上(设为xy平面)以周期(Px,Py),在x轴和y轴方向分别做5次周期性的重复,即可得到本实施例中的二维周期结构。其中Px为单元结构在x轴方向上的周期,Py为单元结构在y轴方向上的周期,在本实施例中,设置Px=Py=P。参照图2,假设金属贴片的长度为L1,宽度为W1,在本实施例中,设置L1=W1, 一般来说P>L1,因此相邻单元结构之间会有一定宽度的缝隙,设缝隙的宽度为g,则g=P-L1。
对于第一介质基板,一般需要考虑介质基板的厚度和介电常数两个参数,这两个参数需要根据天线的设计要求进行设置,例如,如果要求天线的整体厚度为0.01λ,则第一介质基板的厚度可以设置为0.005λ~0.009λ,其中,λ为特定谐振频率所对应的波长,第一介质基板的介电常数需要根据介质基板的厚度和工作频率进行设置。
低剖面天线工作过程中,馈电结构所产生的电流在激励二维周期结构的两种漏波模式时,所得到的两种漏波模式的谐振频率与金属贴片的尺寸、二维周期P的尺寸以及馈电结构各枝节的尺寸这些参数相关,即不同尺寸的金属贴片、不同尺寸的二维周期以及不同尺寸的馈电结构枝节,都会使得两种漏波模式的谐振频率发生变化,即使得天线的带宽发生变化,因此,在低剖面天线设计过程中,需要根据目标带宽及天线的目标厚度来确定上述这些参数。
在一种可选的实施方式中,确定天线的参数可以按照如下过程来进行:
步骤1、根据需要确定天线的工作频段(f1,f2)以及天线的总体厚度H。
步骤2、选取金属贴片的尺寸(L1,W1)以及周期P的大小。
步骤3、利用特征模式分析的方法,通过仿真计算确定二维周期结构的色散图,通过色散图确定TE1模式表面波的截止频率fc,判断fc和步骤1所给出的频率f2是否满足公式f2=(0.8fc~fc),若不满足,则重新执行步骤2,即重新定义新的金属贴片尺寸以及周期P的大小,再基于新定义的参数进行分析计算新的表面波截止频率fc,直到计算出的fc满足上述公式。
表面波是相对于前述的漏波模式的另一种波传播方式,表面波会沿着二维周期结构的传播,不会向外辐射能量,当表面波到达二维周期结构的边界时,会发生散射,扰乱天线的辐射方向,在MIMO天线设计中,表面波还会增加天线之间的耦合,因此在低剖面天线应用中,应尽量使天线工作在TE1模式表面波的截止频率以下,以避免强烈的表面波的产生。图5为在给定金属贴片尺寸以及周期大小时所得到的二维周期结构的色散图,其中,横轴表示相移,具体指电磁波在单位周期上传播的相移,单位为度,纵轴表示频率,如图5所示,TE1模式的表面波截止频率约为4.2E+09Hz,即4.2GHz。
步骤4、确定好二维周期结构的参数之后,需要进一步确定馈电结构的参数,一般通过仿真计算的方式确定天线的回波损耗,增益以及其它天线参数,通过仿真得到的天线参数,判断在步骤1中所确定的工作频段上天线的性能是否满足天线应用的要求,如果不满足,则继续调整馈电结构参数并基于新的馈电结构参数进行仿真计算,直到满足上述要求。
在图1~3所示的实施例中,首先设定天线的工作频率为3.4~3.8GHz,天线的整体厚度H为1mm左右,按照步骤1~4确定天线的全部参数,图6为通过仿真得到的天线的回波损耗示意图,其中横着表示工作频率,纵轴表示天线的回波损耗(Return Loss,RL),在终端天线中一般要求回波损耗RL<-6dB。图7为通过仿真计算==得到的天线的增益示意图,横轴表示工作频率,纵轴表示天线的增益。基于图6的数据,以RL<-6dB的标准,天线的工作频率为3.4GHz~3.9GHz,带宽达到500MHz,相对带宽约为14%,在整个频段内,天线的增益在5dB以上,在3.45GHz和3.85GHz,天线的回波损耗达到最小值,分别对应二维周期表面的两个漏波模式。基于图5的数据,TE1模式的表面波截止频率为4.2GHz,因此,在图6中,虽然在4.2GHz附近天线的回波损耗也很小,但是由于产生了强烈的TE1模式的表面波,天线的增益却只有3.5dB左右,因此在4.2GHz,天线不能有效工作。图8为天线在3.4GHz的辐射方向示意图,图9为天线在3.8GHz的辐射方向示意图,从图8和图9可以看出,天线主要朝上方辐射。
本实施例中,通过在第一介质基板上设置金属贴片以及在相邻两个金属贴片之间预设宽度的缝隙,使得该低剖面天线可以工作在需要的带宽下。
另外,第一介质基板上方设置金属贴片,而在第一介质基板下方设置金属地板,当将该低剖面天线用在终端设备上时,就可以通过该金属地板将该低剖面天线与终端设备内部的器件隔离,不会对终端设备的器件功能造成影响。
在一种可选的实施方式中,馈电结构2具体可以为倒F(Invert-F Antenna,IFA)天线。图1中的馈电结构即是以IFA天线为例进行说明,当馈电结构为IFA天线时,参照图2,IFA天线的尺寸范围满足:
L2的范围为0.5p至1.5p,
L3的范围为0.5p至1.5p,
L4的范围为1p至3p,
L5的范围为0.2p至1.5p,
W2的范围为0.1p至0.3p,
W3的范围为0.1p至0.3p,
W4的范围为0.1p至0.3p,
其中,和分别为IFA天线中平行的两个枝节的长度,为IFA天线中与
平行的两个枝节相垂直的枝节的长度,为长度为的枝节的宽度,为长度为的枝节的宽度,为长度为的枝节的宽度,为平行的两个枝节之间的距
离,为二维周期结构中周期的长度,周期的长度为单个金属贴片的长度与相邻两个金属
贴片之间的缝隙宽度之和。
即,馈电结构参数与二维周期的长度之间满足如上要求,在满足上述要求的基础上,馈电结构参数可以按照实际需要进行调整,以满足天线的带宽要求。
另一实施例中,参照图3,第二介质基板,上述低剖面天线还包括:第二介质基板3。
其中,第二介质基板3设置在二维周期结构1与馈电结构2之间,这样能够使得馈电结构2与二维周期结构1中的金属贴片相互隔离,以使得馈电结构与金属贴片之间没有电连接,以保证天线的正常工作。
另外,馈电结构2在接地点的位置通过通孔与二维周期结构的金属地板连接。
可选地,参照图1及图2,二维周期结构1的多个金属贴片分别为正方形。将金属贴片设置成正方形可以降低天线制作的复杂度。但是,需要说明的是,二维周期结构1也可以根据需要设置为其他形状,例如长方形、正六边形、圆形或其他形状。
经实际验证,本申请所提出的低剖面天线的整体高度可以达到0.01λ,相比于现有技术中的低剖面天线来说,高度降低程度得到极大提升,同时,在这样的高度下,本申请所提出的低剖面天线仍然能够工作在较大的带宽下。
图10为本申请提出的终端MIMO天线实施例一的结构示意图,如图10所示,该终端上设置至少一个前述的低剖面天线。
可选地,至少一个低剖面天线可以设置在终端的后盖上,即将低剖面天线集成在终端的后盖上。当低剖面天线为多个时,多个低剖面天线可以按照预设的排列方式分布在终端的后盖上。
示例性地,参照图10,在终端的后盖上可以设置8个前述的低剖面天线,在一个较大的二维周期结构表面,设置8个馈电结构,构成8个低剖面天线,整个二维周期表面的单元个数为16*8个。
图11为天线1的仿真S参数示意图,图12为天线8的仿真S参数示意图,图13为天线1的仿真效率示意图,图14为天线8的仿真效率示意图,从图13和图14中可以看出,终端MIMO天线中的天线单元在工作频段内可以达到60%以上的效率。
需要说明的是,天线的排列方式并不限于图10所示的排列方式,其他的排列方式可以通过仿真的方法简单获取,天线的数量也不限于8个,天线数量可以根据应用场景和需求设置为其它任意数量。
以手机为例,现有的手机中,天线放置在手机内部,受周围器件的影响,天线的效率在高频段(1.7G~2.7G)一般只能达到30%~60%,而如果使用本申请的方法,在手机上使用前述的低剖面天线,天线的效率可以达到60%以上,因此,本申请所提供的集成了前述低剖面天线的终端的天线效率得到了有效提升。
另外,由于本申请所提出的低剖面天线的整体厚度得到大幅降低,因此可以将低剖面天线设置在手机等终端的后盖上,这样不会占用手机等终端的内部空间,保证终端可以实现更多其他的功能。
进一步地,如前所述,本申请所提出的低剖面天线的二维周期结构包含了金属地板,该金属地板能够将天线与手机内部的器件相隔离,使得天线与其它器件相互之间没有影响,因此极大地提高了天线的发射和接收信号的能力。
更进一步地,由于受周围器件的影响比较小,因此天线的设计复杂度也得到了大幅降低。
Claims (9)
1.一种低剖面天线,用于终端设备,其特征在于,包括:二维周期结构以及设置在所述二维周期结构上的馈电结构;
所述馈电结构能够与所述二维周期结构发生电磁感应以激励所述二维周期结构的TM0和TE1模式的波,以形成天线的两个工作模式,调整所述两个工作模式的频率,使所述两个工作模式相互靠近形成一个宽带天线;
所述馈电结构为与地板平行放置的倒F天线(Inverter-F antenna,IFA);
所述IFA天线的尺寸范围满足:
L2的范围为0.5p至1.5p,
L3的范围为0.5p至1.5p,
L4的范围为1p至3p,
L5的范围为0.2p至1.5p,
W2的范围为0.1p至0.3p,
W3的范围为0.1p至0.3p,
W4的范围为0.1p至0.3p,
其中,和分别为所述IFA天线中相平行的两个枝节的长度,为所述IFA天线
中与所述相平行的两个枝节相垂直的枝节的长度,为长度为的枝节的宽度,
为长度为的枝节的宽度,为长度为的枝节的宽度,为所述平行的两个枝节
之间的距离,p为所述二维周期结构中周期的长度,所述周期的长度为单个金属贴片的长度
与相邻两个金属贴片之间的缝隙宽度之和;
所述馈电结构在接地点的位置通过通孔与所述二维周期结构的金属地板连接。
2.根据权利要求1所述的低剖面天线,其特征在于,所述二维周期结构包括带有金属地板的第一介质基板以及印刷在所述第一介质基板上的多个金属贴片;
所述多个金属贴片分布在所述第一介质基板上。
3.根据权利要求2所述的低剖面天线,其特征在于,所述多个金属贴片按照预设的二维周期均匀分布在所述第一介质基板上,相邻两个金属贴片之间具有预设宽度的缝隙。
4.根据权利要求3所述的低剖面天线,其特征在于,还包括:第二介质基板;
所述第二介质基板设置在所述二维周期结构与所述馈电结构之间,以使所述馈电结构与所述二维周期结构中的金属贴片相隔离。
5.根据权利要求1-4任一项所述的低剖面天线,其特征在于,所述二维周期结构中的多个金属贴片为正方形。
6.一种终端,其特征在于,所述终端上设置至少一个如权利要求1-5任一项所述的低剖面天线。
7.根据权利要求6所述的终端,其特征在于,所述低剖面天线集成在所述终端的后盖上。
8.根据权利要求7所述的终端,其特征在于,当所述低剖面天线为多个时,多个所述低剖面天线按照预设的排列方式分布在所述终端的后盖上。
9.根据权利要求6-8任一项所述的终端,其特征在于,所述终端内设置的所述低剖面天线的数量为8个。
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- 2017-03-27 CN CN201710189115.3A patent/CN108666757B/zh active Active
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