JPH0582674A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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JPH0582674A
JPH0582674A JP24217591A JP24217591A JPH0582674A JP H0582674 A JPH0582674 A JP H0582674A JP 24217591 A JP24217591 A JP 24217591A JP 24217591 A JP24217591 A JP 24217591A JP H0582674 A JPH0582674 A JP H0582674A
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JP
Japan
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resin
heat sink
semiconductor device
manufacturing
pellet
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JP24217591A
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Inventor
Yoshifumi Yoshikawa
桂史 吉川
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ペレットを固着した放熱板から発生又
は進行するクラックを抑制した樹脂封止型半導体装置及
びその製造方法を提供する。 【構成】 放熱板1上に固着した半導体ペレット3とリ
ード2の遊端部とを金属細線4で電気的に接続して放熱
板1と半導体ペレット3を含む主要部を、高抗張率部材
からなる多数の長繊維状充填材13を含んだ樹脂12に
て樹脂封止成形してなり、長繊維状充填材13を、少な
くとも放熱板1の角部1aと樹脂12の被覆の外壁とを
結ぶ面に交叉するように配する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットを樹脂
封止成形した樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の一例を図2を参
照して次に説明する。図において(1)は放熱板、
(2)はリード、(3)は半導体ペレット(以下、ペレ
ットと称す。)、(4)は金属細線、(5)は封止用樹
脂で、上記半導体装置(6)は放熱板(1)上にペレッ
ト(3)を固着してその電極パッド(図示せず)とリー
ド(2)の遊端部とを金属細線(4)で電気的に接続し
て放熱板(1)とペレット(3)を含む主要部全面を樹
脂(5)にて樹脂封止成形したものである。
【0003】上記半導体装置(6)を樹脂封止成形する
際、図3に示すように、リードフレーム(7)を用い
る。上記リードフレーム(7)は複数の放熱板(1)
と、各放熱板(1)の複数本のリード(2)とを吊りピ
ン(8)とタイバ(9)で連結一体化したものである。
そして、まず、リードフレーム(7)の各放熱板(1)
上にペレット(3)を順次、固着し、各ペレット(3)
の電極パッドとこれに対応するリード(2)の先端部と
の間に金属細線(4)をボンディングし、次に、各放熱
板(1)及びリード(2)の遊端部を含む主要部全面
(図示鎖線内)を樹脂(5)にて封止成形し、その後、
リードフレーム(7)のタイバ(9)を切断除去し、続
いて各リード(2)を所定の姿勢に折曲形成する等して
所望の樹脂封止型半導体装置(6)を得る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、製造後、熱抵抗試験等の高温下での特性検査を行な
う時、放熱板(1)と樹脂(5)との熱膨張率が異な
り、前者の熱膨張率が大きく、後者の熱膨張率が小さく
て放熱板(1)が相対的に大きく膨張するため、図2及
び図3に示すように、収縮・硬化の際、特に放熱板
(1)の下部の絶縁肉厚の薄い部分で、ストレスの集中
し易い角部(1a)から下方に、且つ、平面的に放熱板
(1)の対角線方向(図3の点線を参照)にクラック
(10)が発生し易く、そこから湿気が侵入してペレッ
ト(3)の電極等を腐食する点である。特に、樹脂
(5)の絶縁肉厚を出来るだけ薄くして小型化を図る最
近の樹脂封止型半導体装置では顕著に発生していた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂封止型半
導体装置として、放熱板上に固着したペレットとリード
遊端部とを金属細線で電気的に接続して上記放熱板とペ
レットを含む主要部を、高抗張率部材からなる多数の長
繊維状充填材を含んだ樹脂にて樹脂封止成形し、長繊維
状充填材を、少なくとも放熱板の角部と樹脂被覆の外壁
とを結ぶ面に交叉するように配したことを特徴とし、
又、その製造方法として、高抗張率部材からなる多数の
長繊維状充填材を含む樹脂を用いて樹脂封止成形するこ
とを特徴とする。
【0006】
【作用】上記技術的手段によれば、放熱板とペレットを
含む主要部全面を、高抗張率部材からなる多数の長繊維
状充填材を含んだ樹脂にて樹脂封止成形して半導体装置
を形成し、且つ、長繊維状充填材を、少なくとも放熱板
の角部と樹脂の外壁とを結ぶ面に交叉するように配する
と、特に放熱板の下部の絶縁肉厚の薄い部分でその角部
から発生し易いクラックを抑制する。
【0007】
【実施例】本発明の実施例を図1を参照して以下に説明
する。同図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置(1
1)の側断面図を示し、図2に示す部分と同一部分には
同一参照符号を付してその説明を省略する。相違する点
は、放熱板(1)とペレット(3)を含む主要部全面
を、高抗張率部材からなる多数の長繊維状充填材(1
3)、例えば0.5mm程度の長さの炭素繊維を30〜
70%含んだ樹脂(12)にて樹脂封止成形して半導体
装置(11)を形成したことで、且つ、長繊維状充填材
(13)を、少なくとも放熱板(1)の角部(1a)と
樹脂(12)の被覆の外壁とを結ぶ面に交叉するよう
に、即ち図2に示すクラック(10)の進行方向となる
角部(1a)から下方に、且つ、平面的に放熱板(1)
の対角線方向(図3の点線を参照)に交叉するように配
する。
【0008】上記構成によれば、製造後、熱抵抗試験等
の高温下での特性検査を行なう時、放熱板(1)と樹脂
(12)との熱膨張率の差によって、図2に示すよう
に、特に放熱板(1)の下部の絶縁肉厚の薄い部分でそ
の角部(1a)から下方にクラック(10)が生じて
も、長繊維状充填材(13)が引っ掛かってその発生及
び進行を抑制する。
【0009】又、上記樹脂封止型半導体装置(11)を
製造する際、高抗張率部材からなる多数の長繊維状充填
材(13)を含んだ樹脂(12)を用いて放熱板(1)
とペレット(3)を含む主要部全面を樹脂封止成形す
る。この時、樹脂注入口(ゲート)(A)は、図示のよ
うに、樹脂(12)の左又は右側面にあり、充填材(1
3)は樹脂(12)の流れ方向に配向し易く、結果とし
て少なくとも放熱板(1)の角部(1a)と樹脂(1
2)の被覆の外壁とを結ぶ面に交叉するように、即ち図
2に示すクラック(10)の進行方向となる角部(1
a)から下方に、且つ、平面的に放熱板(1)の対角線
方向(図3の点線を参照)に交叉するように配する。又
は、上述のように配向しない場合、上記樹脂注入口
(A)の位置や樹脂(12)の加圧速度等を調整してそ
の流れを制御する手段を適宜、設ければ良い。更に、充
填材(13)の配向方向をチェックして樹脂(12)の
流れ方向を確認出来る。
【0010】
【発明の効果】本発明によれば、放熱板とペレットを含
む主要部全面を、高抗張率部材からなる多数の長繊維状
充填材を含んだ樹脂にて樹脂封止成形して半導体装置を
形成したから、ペレットを固着した放熱板に発生するク
ラックが抑制され、製品の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の実施例を
示す側断面図である。
【図2】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す側断
面図である。
【図3】樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレーム
の部分平面図である。
【符号の説明】
1 放熱板 2 リード 3 半導体ペレット 4 金属細線 12 封止用樹脂 13 長繊維状充填材

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱板上に固着した半導体ペレットとリ
    ード遊端部とを金属細線で電気的に接続して上記放熱板
    と半導体ペレットを含む主要部を、高抗張率部材からな
    る多数の長繊維状充填材を含んだ樹脂にて樹脂封止成形
    したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 長繊維状充填材を、少なくとも放熱板の
    角部と樹脂被覆の外壁とを結ぶ面に交叉するように配し
    たことを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 高抗張率部材からなる多数の長繊維状充
    填材を含む樹脂を用いて樹脂封止成形することを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP24217591A 1991-09-21 1991-09-21 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 Pending JPH0582674A (ja)

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JP (1) JPH0582674A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698899A (en) * 1995-11-30 1997-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with first and second sealing resins
WO2020044668A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 ローム株式会社 半導体装置

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