JPH058245A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH058245A JPH058245A JP19260491A JP19260491A JPH058245A JP H058245 A JPH058245 A JP H058245A JP 19260491 A JP19260491 A JP 19260491A JP 19260491 A JP19260491 A JP 19260491A JP H058245 A JPH058245 A JP H058245A
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- JP
- Japan
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- tape
- tape carrier
- mold
- resin
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- Pending
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢテープを用いた半導体装置の樹脂封止
工程において、高精度の位置決めを可能とすることを目
的とする。 【構成】 モールド金型10上にテープキャリア１を載置
し、モールド金型温度まで上昇させた後、送りローラ16
によりテープキャリア１の長尺方向にテンションを加
え、所定の長さに伸した状態で位置決めを行ない、樹脂
封止することを特徴とする。
工程において、高精度の位置決めを可能とすることを目
的とする。 【構成】 モールド金型10上にテープキャリア１を載置
し、モールド金型温度まで上昇させた後、送りローラ16
によりテープキャリア１の長尺方向にテンションを加
え、所定の長さに伸した状態で位置決めを行ない、樹脂
封止することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を接合し
たテープキャリアを低圧トランスファーモールド法によ
り樹脂封止する際の高精度位置決め方法に関するもので
ある。
たテープキャリアを低圧トランスファーモールド法によ
り樹脂封止する際の高精度位置決め方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路素子（以下、「ＩＣ」と
呼ぶ）の電極接合技術として、従来より広く使用されて
いるワイヤボンディング法に代わって、テープキャリア
を用いたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）法が採用さ
れている。
呼ぶ）の電極接合技術として、従来より広く使用されて
いるワイヤボンディング法に代わって、テープキャリア
を用いたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）法が採用さ
れている。
【０００３】図３(a),(b)はこの種ＴＡＢ法に使用され
るテープキャリアを示す平面図及び側面断面図である。
図において、１はフィルム状のテープ基体であり、全体
が可撓性を有するポリイミド樹脂等の絶縁材料により構
成されている。このテープ基体１の両側縁には本体1aの
長手方向に所定間隔を隔ててパーフォレーション孔２が
設けられており、幅方向中央部には半導体素子３が臨む
センタデバイス孔４が設けられている。また、このセン
タデバイス孔４の周囲には各々が互いに架橋部５を介し
て連接する複数のアウターリード孔６が設けられてお
り、このアウターリード孔６とセンタデバイス孔４との
間には、銅等の導電性金属材料からなるリード７を保持
するリードサポート部９が設けられている。また、リー
ド７は、その先端がデバイス孔４に臨んで半導体素子３
のバンプ８に熱圧着等により接合されるインナーリード
部７aと、このインナーリード部７aに連設されアウター
リード孔６の一部を覆うアウターリード部７bと、この
アウターリード部７bに連設されかつテープ本体1aに接
合されたテストパッド部７cとにより構成されている。
るテープキャリアを示す平面図及び側面断面図である。
図において、１はフィルム状のテープ基体であり、全体
が可撓性を有するポリイミド樹脂等の絶縁材料により構
成されている。このテープ基体１の両側縁には本体1aの
長手方向に所定間隔を隔ててパーフォレーション孔２が
設けられており、幅方向中央部には半導体素子３が臨む
センタデバイス孔４が設けられている。また、このセン
タデバイス孔４の周囲には各々が互いに架橋部５を介し
て連接する複数のアウターリード孔６が設けられてお
り、このアウターリード孔６とセンタデバイス孔４との
間には、銅等の導電性金属材料からなるリード７を保持
するリードサポート部９が設けられている。また、リー
ド７は、その先端がデバイス孔４に臨んで半導体素子３
のバンプ８に熱圧着等により接合されるインナーリード
部７aと、このインナーリード部７aに連設されアウター
リード孔６の一部を覆うアウターリード部７bと、この
アウターリード部７bに連設されかつテープ本体1aに接
合されたテストパッド部７cとにより構成されている。
【０００４】次に、樹脂封止工程について説明する。図
３に示す半導体素子３を接合した長尺状のテープ基体１
を、図４に示すキャビティ11,ランナー12,ゲート13及び
位置決めピン14を備えた下型モールド金型10に載置し、
更にキャビティを備えた上型モールド金型(図示せず)と
重ね合わせて、モールド樹脂をランナー12、ゲート13を
通してキャビティ11に流し込み、半導体素子３を樹脂封
止する。ここで、長尺状のテープ基体１と金型との位置
合せは、図５に示す下型モールド金型10に設けた３本の
位置決めピン14とテープ基体１のパーフォレーション孔
２を用いて行う。即ち、中央の位置決めピン14bにより
テープ基体の回転中心を決定し、両サイドの位置決めピ
ン14a,14bは楕円形状等にして、室温からモールド金型
温度(170〜180℃)に上昇する際のテープ基体の膨張を吸
収するようにしている。
３に示す半導体素子３を接合した長尺状のテープ基体１
を、図４に示すキャビティ11,ランナー12,ゲート13及び
位置決めピン14を備えた下型モールド金型10に載置し、
更にキャビティを備えた上型モールド金型(図示せず)と
重ね合わせて、モールド樹脂をランナー12、ゲート13を
通してキャビティ11に流し込み、半導体素子３を樹脂封
止する。ここで、長尺状のテープ基体１と金型との位置
合せは、図５に示す下型モールド金型10に設けた３本の
位置決めピン14とテープ基体１のパーフォレーション孔
２を用いて行う。即ち、中央の位置決めピン14bにより
テープ基体の回転中心を決定し、両サイドの位置決めピ
ン14a,14bは楕円形状等にして、室温からモールド金型
温度(170〜180℃)に上昇する際のテープ基体の膨張を吸
収するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の樹脂封止工
程において、図４に示すＹ方向においては位置決め精度
は高いが、Ｘ方向は室温からモールド金型温度(170〜18
0℃)に上昇する際の熱膨張のバラツキがあるため位置精
度が悪いという問題があった。
程において、図４に示すＹ方向においては位置決め精度
は高いが、Ｘ方向は室温からモールド金型温度(170〜18
0℃)に上昇する際の熱膨張のバラツキがあるため位置精
度が悪いという問題があった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ＴＡＢテープを用いた半導体
装置の樹脂封止工程において、高精度の位置決めを可能
とすることを目的とする。
るためになされたもので、ＴＡＢテープを用いた半導体
装置の樹脂封止工程において、高精度の位置決めを可能
とすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、モールド金型上にテープキャリアを載
置し、モールド金型温度まで上昇させた後、テープキャ
リアの長尺方向よりテンションを加えて所定の長さに伸
した状態で位置決めして樹脂封止することを特徴とす
る。
置の製造方法は、モールド金型上にテープキャリアを載
置し、モールド金型温度まで上昇させた後、テープキャ
リアの長尺方向よりテンションを加えて所定の長さに伸
した状態で位置決めして樹脂封止することを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】この発明の半導体装置の製造方法によれば、テ
ープキャリアを金型成形温度時と同じテンション及び伸
びの状態で位置決めするので、テープキャリアのパッケ
ージピッチが熱の伸びに左右されず一定になり、樹脂封
止工程時のテープの位置ずれが解消される。
ープキャリアを金型成形温度時と同じテンション及び伸
びの状態で位置決めするので、テープキャリアのパッケ
ージピッチが熱の伸びに左右されず一定になり、樹脂封
止工程時のテープの位置ずれが解消される。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本実施例で使用される下型モールド金型10
を示す斜視図であり、11は半導体素子が配置されるキャ
ビティ、12は樹脂が流通するランナー、13はランナー12
よりキャビティ11内に樹脂を送り込むためのゲート、14
はＴＡＢテープのパーフォレーション孔２に挿入され、
ＴＡＢテープを位置決めする位置決めピン、15は下型モ
ールド金型のセンターブロックを示す。一方、ＴＡＢテ
ープはリール状のものを用い、その細部構成は図３に示
したものと同様である。図２は本実施例のＴＡＢテープ
を引張って位置決めしている状態を示す断面図であり、
16は送りローラを示している。
する。図１は本実施例で使用される下型モールド金型10
を示す斜視図であり、11は半導体素子が配置されるキャ
ビティ、12は樹脂が流通するランナー、13はランナー12
よりキャビティ11内に樹脂を送り込むためのゲート、14
はＴＡＢテープのパーフォレーション孔２に挿入され、
ＴＡＢテープを位置決めする位置決めピン、15は下型モ
ールド金型のセンターブロックを示す。一方、ＴＡＢテ
ープはリール状のものを用い、その細部構成は図３に示
したものと同様である。図２は本実施例のＴＡＢテープ
を引張って位置決めしている状態を示す断面図であり、
16は送りローラを示している。
【００１０】上記実施例においては、ＴＡＢテープをリ
ール状にして、下型モールド金型10に載置する。そし
て、ＴＡＢテープを金型成形温度(170〜180℃)まで上昇
させた後、リール状のＴＡＢテープに対して送りローラ
16により長尺方向より一定のテンションを加えて、Ｘ方
向のＴＡＢテープの長さ(リールの長さ)を所定量伸ば
し、高精度に位置決めする。なお、Ｙ方向の位置決めは
従来と同様である。
ール状にして、下型モールド金型10に載置する。そし
て、ＴＡＢテープを金型成形温度(170〜180℃)まで上昇
させた後、リール状のＴＡＢテープに対して送りローラ
16により長尺方向より一定のテンションを加えて、Ｘ方
向のＴＡＢテープの長さ(リールの長さ)を所定量伸ば
し、高精度に位置決めする。なお、Ｙ方向の位置決めは
従来と同様である。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によればモール
ド金型上にテープキャリアを載置し、モールド金型温度
まで上昇させた後、テープキャリアの長尺方向からテン
ションを加えて所定の長さに伸した状態で位置決めする
ので、テープキャリアのパッケージピッチが熱の伸びに
左右されず一定になり、樹脂封止工程時のテープの高精
度の位置決めが可能となる。
ド金型上にテープキャリアを載置し、モールド金型温度
まで上昇させた後、テープキャリアの長尺方向からテン
ションを加えて所定の長さに伸した状態で位置決めする
ので、テープキャリアのパッケージピッチが熱の伸びに
左右されず一定になり、樹脂封止工程時のテープの高精
度の位置決めが可能となる。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法に使用される下型モールド金型を示す斜視図である。
法に使用される下型モールド金型を示す斜視図である。
【図２】この発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図３】ＴＡＢテープを示す平面図及びＢ−Ｂ線断面図
である。
である。
【図４】半導体装置の製造方法に使用される下型モール
ド金型を示す斜視図である。
ド金型を示す斜視図である。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
１ テープ基体 ２ パーフォレーション孔 ３ 半導体素子 ７ リード 10 下型モールド金型 11 キャビティ 12 ランナー 13 ゲート 14 位置決めピン 16 送りローラ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体素子を接合したテープキャリアを
上下モールド金型により挟持して、トランスファーモー
ルド法により樹脂封止する半導体装置の製造方法におい
て、 上記金型上にテープキャリアを載置してモールド金型温
度まで上昇させた後、テープキャリアの長尺方向よりテ
ンションを加えて所定の長さに伸した状態で位置決めを
行ない、樹脂封止する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260491A JPH058245A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260491A JPH058245A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH058245A true JPH058245A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16294030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19260491A Pending JPH058245A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH058245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478517A (en) * | 1994-02-28 | 1995-12-26 | Gennum Corporation | Method for molding IC chips |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19260491A patent/JPH058245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478517A (en) * | 1994-02-28 | 1995-12-26 | Gennum Corporation | Method for molding IC chips |
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