JPH058242U - 気化器の温度制御装置 - Google Patents
気化器の温度制御装置Info
- Publication number
- JPH058242U JPH058242U JP1165091U JP1165091U JPH058242U JP H058242 U JPH058242 U JP H058242U JP 1165091 U JP1165091 U JP 1165091U JP 1165091 U JP1165091 U JP 1165091U JP H058242 U JPH058242 U JP H058242U
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- Japan
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- temperature
- ceramic heater
- wave
- vaporizer
- carburetor
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Abstract
(57)【要約】
[目的] セラミックヒータで加熱される気化器の温度
変動を小さくできる温度制御装置を得る。 [構成] 気化器1にはセラミックヒータ7と温度セン
サ12が設けられている。運転中に気化器温度が目標温
度より低下したときは、反転手段14の作用によりセラ
ミックヒータ7に半波が給電される。そしてゆっくり昇
温していくことから、オーバーシュートが抑制され、気
化器温度はほぼ目標温度に維持される。また反転手段1
4は、半波の極性を周期的に変化させる。そのため、発
熱体6とリード線8とを接続するろう材9は、マイグレ
ーションを起こすことが防止される。
変動を小さくできる温度制御装置を得る。 [構成] 気化器1にはセラミックヒータ7と温度セン
サ12が設けられている。運転中に気化器温度が目標温
度より低下したときは、反転手段14の作用によりセラ
ミックヒータ7に半波が給電される。そしてゆっくり昇
温していくことから、オーバーシュートが抑制され、気
化器温度はほぼ目標温度に維持される。また反転手段1
4は、半波の極性を周期的に変化させる。そのため、発
熱体6とリード線8とを接続するろう材9は、マイグレ
ーションを起こすことが防止される。
Description
【0001】
この考案は、気化式燃焼器に用いられる気化器の温度制御装置の改良に関する ものである。
【0002】
従来より、石油ファンヒータに代表される気化式燃焼器においては、予熱時間 を短くする等のために、気化器の熱源にセラミックヒータを用いたものが知られ ているところである。即ち、セラミックヒータの多くは、アルミナ(Al2O3) 、窒化珪素(Si3N4)といった耐熱絶縁素材に発熱体としてのタングステンを プリントし、タングステンとリード線とを銀ろうあるいは銀−銅ろうでろう付け して形成されており、ワット密度が高く且つ抵抗値の温度係数が大なので、予熱 の開始直後、つまりセラミックヒータが低温のときほど抵抗値が小さく大電流が 流れることにより、気化器を急激に昇温させることができる。そして予熱完了後 においては、図4の(A)に示すON・OFF制御あるいは同(B)の位相制御 等により給電量が制御されて、気化器をほぼ目標温度に維持するようになってい る。
【0003】
ところで前記したON・OFF制御は、セラミックヒータの容量にかなりの余 裕があるので、ONに伴って気化器が急速に昇温していく。その結果、続くOF F後にオーバーシュートし目標温度に対して数十℃も温度が振れるので、気化器 の内部圧力や気化ガス温度が変動して脈動燃焼等を引き起こす。そこで、例えば ON時に商用電源の半波を給電することにより、気化器の昇温速度を小さくして 前記の不具合を解消する方法が考えられるものの、係る如く直流あるいは直流に 類似した電流が流れると、ろう材に含まれる銀は銀イオンとなって+極から−極 に移動する、所謂マイグレーションを起こすために、最悪には短期間の使用でタ ングステンにろう付けされたリード線が剥離する等が発生することとなる。
【0004】 他方、位相制御による方法は、特に負荷電流が大のときにノイズが生じ易く、 その対策のためにノイズ吸収用コイル等を必要としてコストアップすると共に、 制御設計も複雑なものとなる欠点があった。
【0005】 この考案は前記した課題に鑑みなされたもので、その目的とするところは、長 期の使用に耐え、しかも簡易な構成で気化器の温度変動を大幅に小さくできる温 度制御装置を得ることにある。
【0006】
上記した目的を達成するためにこの考案は、灯油の気化ガスをバーナに供給す る気化器と、気化器を加熱するセラミックヒータと、気化器温度を検出する温度 センサと、気化器温度を予め定められた目標温度に維持するべくセラミックヒー タへの給電を制御する制御部とを備えたものであって、前記制御部は商用電源の 全波ならびに半波をセラミックヒータに給電する構成を成し、且つ半波を給電す るときに周期的に極性を反転させる反転手段を備えてなるものである。
【0007】
係る構成とすれば、セラミックヒータに半波が給電されることにより、オーバ ーシュートが小さくなって気化器の温度変動を抑制できると共に、該半波は周期 的に極性が変化するので、マイグレーションの発生も防止できることとなる。
【0008】
以下、この考案の一実施例を添付図により詳細に説明する。図1において、1 は一端が送油パイプ2に連接する内周気化室3、外周気化室4等が形成された気 化器で、内周気化室3と外周気化室4の間には、耐熱絶縁素材5に発熱体6がプ リントされた中空円筒形状のセラミックヒータ7が嵌入している。前記発熱体6 はリード線8と銀ろうあるいは銀−銅ろうといったろう材9にてろう付けされ、 該リード線8にフォトトライアックカプラ10を介して商用電源11が接続して いる。12は気化器1の温度を検出し、マイクロコンピュータを備えた制御部1 3に出力する温度センサである。制御部13は、セラミックヒータ7に商用電源 11の全波ならびに半波を給電する構成を成し、更に半波を給電するときに周期 的に極性を反転させる反転手段14を備えている。 なお、15は外周気化室4と連通する案内筒で、その先端には図示しないノズ ルが形成されている。
【0009】 前記した構成において、運転開始操作がなされると予熱となり、制御部13が フォトトライアックカプラ10をオンさせて、セラミックヒータ7に商用電源1 1をそのまま給電する。而して、気化器温度が灯油を気化させるに十分な温度に 達したことを温度センサ11が検出すると、適宜の送油手段が動作することによ り、送油パイプ2から内周気化室3に流入した灯油は昇温しながら外周気化室4 に達し、これより気化ガスとなって案内筒15に至り、ノズルよりバーナに噴出 して燃焼に供される。
【0010】 次に、燃焼中における気化器1の温度制御を、反転手段14が商用電源のゼロ クロス毎に行う図2のフローチャートと、図3を併用して説明する。 従来のON・OFF制御で述べた如く、セラミックヒータ7への給電停止によ り気化器温度が目標温度より低下した場合、制御部13は、S1において制御信 号の出力を停止してフォトトライアックカプラ10をオフし、続いて極性フラグ KFGを調査し(S2)、商用電源の半周期毎にKFGを反復変化させる(S3 )。さらに、位相フラグIFGを継続させるか否かを判断するカウンタCNTを 調査し(S4)、該調査において、CNT≠0のときは減算が行われ(S5)、 他方CNT=0のときは既定値(例えば5)が代入される(S6)。なお既定値 は、後述する半波給電の給電率を高く設定したいときは小、反対に低くしたいと きは大とする。そしてS6の実行後は、IFGを調査し(S7)、IFGの値を 変化させる(S8)。
【0011】 且又、S5あるいはS8に続いてIFGの調査と(S9)、KFGの調査(S 10)が行われる。そしてIFGとKFGが共に1あるいは0のときは、制御信 号の出力がなされるので(S11)、フォトトライアックカプラ10がオンし、 図3の最下段に示す半波がセラミックヒータ7に給電される。よって気化器温度 は従来に比してゆっくり昇温し、目標温度に復帰した後に給電を停止してもオー バーシュートが殆ど発生せず、ほぼ目標温度を保持することから、脈動燃焼等を 有効に防止できることとなる。加えて該半波は、周期的に極性が変化することか ら、半波給電を長時間継続させても、ろう材9がマイグレーションを起こすこと がないものである。
【0012】 なお、前記した一実施例において、気化器1はこれに限定するものではなく、 セラミックヒータにより高温に加熱される構造であれば、如何なるものでも構わ ない。また反転手段14を、燃焼時に限らず、予熱時も動作させるように構成す る等は、本考案の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更し得ることは言うまでもない 。
【0013】
以上に述べた通り本考案の気化器の温度制御装置は、気化器の温度を制御する 制御部は、商用電源の全波ならびに半波をセラミックヒータに給電する構成を成 し、且つ半波を給電するときに周期的に極性を反転させる反転手段を備えている 。従って、セラミックヒータに半波を給電することにより、オーバーシュートが 大幅に抑制されて気化器をほぼ目標温度に維持できると共に、該半波は周期的に 極性が変化して、マイグレーションを生じることを防止するので、長期の使用に 耐えるといった優れた効果を奏する。
【図1】本考案の実施例の構成図である。
【図2】反転手段の動作を説明するフローチャートであ
る。
る。
【図3】極性、位相の各フラグの変化およびセラミック
ヒータへの給電波形を説明する図である。
ヒータへの給電波形を説明する図である。
【図4】(A)、(B)は各々ON・OFF制御、位相
制御を説明する波形図である。
制御を説明する波形図である。
1 気化器 7 セラミックヒータ 12 温度センサ 13 制御部 14 反転手段
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】灯油の気化ガスをバーナに供給する気化器
と、気化器を加熱するセラミックヒータと、気化器温度
を検出する温度センサと、気化器温度を予め定められた
目標温度に維持するべくセラミックヒータへの給電を制
御する制御部とを備えたものであって、前記制御部は商
用電源の全波ならびに半波をセラミックヒータに給電す
る構成を成し、且つ半波を給電するときに周期的に極性
を反転させる反転手段を備えてなることを特徴とする気
化器の温度制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165091U JPH058242U (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 気化器の温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165091U JPH058242U (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 気化器の温度制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH058242U true JPH058242U (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=11783834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1165091U Pending JPH058242U (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 気化器の温度制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH058242U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0222797U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-15 | ||
JP2014219488A (ja) * | 2013-05-04 | 2014-11-20 | ホーチキ株式会社 | セラミックデバイス及びその動作方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02238217A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液体燃料燃焼装置 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP1165091U patent/JPH058242U/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02238217A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液体燃料燃焼装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0222797U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-15 | ||
JPH0310952Y2 (ja) * | 1988-07-26 | 1991-03-18 | ||
JP2014219488A (ja) * | 2013-05-04 | 2014-11-20 | ホーチキ株式会社 | セラミックデバイス及びその動作方法 |
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