JPH0582415A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH0582415A JPH0582415A JP3239934A JP23993491A JPH0582415A JP H0582415 A JPH0582415 A JP H0582415A JP 3239934 A JP3239934 A JP 3239934A JP 23993491 A JP23993491 A JP 23993491A JP H0582415 A JPH0582415 A JP H0582415A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- reticle
- pattern
- same
- light
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光方法に関し，近接するパターンに対して
もデフォーカス光を重畳させるフレックス法を適用でき
るようにしてフォーカスマージンを増加させることを目
的とする。 【構成】 １）工程毎に分割された各階層のレチクルを
用いてレチクルパターンを基板上に露光する際，近接パ
ターンが別個に露光されるように同一階層の露光を複数
回に分けて行う。 ２）前記同一階層の露光を別個のレチクルを用いて行
う。 ３）前記同一階層の露光を同一レチクルを用いてシフト
させて行う。 ４）前記同一階層の露光を位相シフトレチクルを用いて
行うように構成する。
もデフォーカス光を重畳させるフレックス法を適用でき
るようにしてフォーカスマージンを増加させることを目
的とする。 【構成】 １）工程毎に分割された各階層のレチクルを
用いてレチクルパターンを基板上に露光する際，近接パ
ターンが別個に露光されるように同一階層の露光を複数
回に分けて行う。 ２）前記同一階層の露光を別個のレチクルを用いて行
う。 ３）前記同一階層の露光を同一レチクルを用いてシフト
させて行う。 ４）前記同一階層の露光を位相シフトレチクルを用いて
行うように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造工程
における露光方法に関する。半導体装置等の製造におい
て，縮小投影露光装置を用いてレチクルのパターンを基
板上に露光（転写）する際，工程毎に各階層に分割され
たレチクルを使用している。
における露光方法に関する。半導体装置等の製造におい
て，縮小投影露光装置を用いてレチクルのパターンを基
板上に露光（転写）する際，工程毎に各階層に分割され
たレチクルを使用している。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では，工程毎に各階層に分割さ
れた同一層に対しては，１枚のレチクルで全パターンを
一括して露光している。
れた同一層に対しては，１枚のレチクルで全パターンを
一括して露光している。
【０００３】近年，デバイスの高集積化が進むにつれ
て，パターン間の距離が縮小され，露光装置の解像力の
増加が要求されている。一般的に解像力Ｒは次式で表さ
れる。
て，パターン間の距離が縮小され，露光装置の解像力の
増加が要求されている。一般的に解像力Ｒは次式で表さ
れる。
【０００４】Ｒ＝Ｋ1 λ／NA・・・・・・・(1) ここで， Ｋ1 ：定数 λ ：露光波長 NA ：露光装置のレンズの開口数 一方，プロセス中の基板表面の凹凸に対して, 焦点深度
の許容限度を表すフォーカスマージンＦは次式で表され
る。
の許容限度を表すフォーカスマージンＦは次式で表され
る。
【０００５】Ｆ＝Ｋ2 λ／NA2 ・・・・・・(2) ここで， Ｋ2 ：定数 解像力Ｒを増加させるには，λを小さくするか，NAを大
きくするかのどちらかとなる。
きくするかのどちらかとなる。
【０００６】そのどちらの場合にも，(2) 式より, フォ
ーカスマージンＦを減少させる方向になる。このような
問題の解決法の一つとしてフレックス法がある。
ーカスマージンＦを減少させる方向になる。このような
問題の解決法の一つとしてフレックス法がある。
【０００７】これは，孤立パターン（ホールパターン
等）に対し，通常のフォーカス光による露光に，デフォ
ーカス光（フォーカスをずらせた光）による露光を加え
ることにより，露光部の光強度を大きくしてフォーカス
マージンを増加させる方法である。
等）に対し，通常のフォーカス光による露光に，デフォ
ーカス光（フォーカスをずらせた光）による露光を加え
ることにより，露光部の光強度を大きくしてフォーカス
マージンを増加させる方法である。
【０００８】図４ (A)〜(E) は従来のフレックス法の説
明図である。図４(A) はレチクルの平面図で，透過板１
上に孤立したホールを形成した遮光パターン（クロムパ
ターン）２を有する。
明図である。図４(A) はレチクルの平面図で，透過板１
上に孤立したホールを形成した遮光パターン（クロムパ
ターン）２を有する。
【０００９】図４(B),(C) は各ホールを照射する光強度
を示し，図４(B) はフォーカスをずらせた場合，図４
(C) はフォーカスを合わせた場合に対応する。フレック
ス法は，図４(B) と図４(C) を重畳した光強度で露光す
る。
を示し，図４(B) はフォーカスをずらせた場合，図４
(C) はフォーカスを合わせた場合に対応する。フレック
ス法は，図４(B) と図４(C) を重畳した光強度で露光す
る。
【００１０】次に, フォーカスマージンを増加させるた
めに, 図４(D) のようにデフォーカスの光強度を強くす
ると, 近接した孤立パターン間の光の干渉により光強度
の分布がつながってしまう。
めに, 図４(D) のようにデフォーカスの光強度を強くす
ると, 近接した孤立パターン間の光の干渉により光強度
の分布がつながってしまう。
【００１１】従って, 図４(D) と図４(C) を重畳した光
強度の分布は図４(E) のようになり，光強度の分布がつ
ながってしまう。
強度の分布は図４(E) のようになり，光強度の分布がつ
ながってしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のように，従来例
ではデバイスの高集積化に伴い孤立パターン間の距離が
縮まると，フレックス法を適応できなくなる。
ではデバイスの高集積化に伴い孤立パターン間の距離が
縮まると，フレックス法を適応できなくなる。
【００１３】一般的に，孤立パターン間の距離が解像力
と同程度のパターンにフレックス法を適用すると，隣接
するパターン間のデフォーカス光による露光時の干渉が
大きくなり，両方のパターンがつながってしまう。
と同程度のパターンにフレックス法を適用すると，隣接
するパターン間のデフォーカス光による露光時の干渉が
大きくなり，両方のパターンがつながってしまう。
【００１４】本発明は近接する（孤立）パターンに対し
てもデフォーカス光を重畳させるフレックス法を適用で
きるようにして，フォーカスマージンを増加させること
を目的とする。
てもデフォーカス光を重畳させるフレックス法を適用で
きるようにして，フォーカスマージンを増加させること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
工程毎に分割された各階層のレチクルを用いてレチクル
パターンを基板上に露光する際，近接パターンが別個に
露光されるように同一階層の露光を複数回に分けて行う
露光方法，あるいは２）前記同一階層の露光を別個のレ
チクルを用いて行う前記１）記載の露光方法，あるいは
３）前記同一階層の露光を同一レチクルを用いてシフト
させて行う前記１）記載の露光方法，あるいは４）前記
同一階層の露光を位相シフトレチクルを用いて行う前記
１）〜３）記載のいずれかの露光方法により達成され
る。
工程毎に分割された各階層のレチクルを用いてレチクル
パターンを基板上に露光する際，近接パターンが別個に
露光されるように同一階層の露光を複数回に分けて行う
露光方法，あるいは２）前記同一階層の露光を別個のレ
チクルを用いて行う前記１）記載の露光方法，あるいは
３）前記同一階層の露光を同一レチクルを用いてシフト
させて行う前記１）記載の露光方法，あるいは４）前記
同一階層の露光を位相シフトレチクルを用いて行う前記
１）〜３）記載のいずれかの露光方法により達成され
る。
【００１６】
【作用】本発明は同一層の露光を，近接パターンが同時
に露光されないように複数回に分けて行うことにより，
露光時のパターン間の距離を広げることができることを
利用したものである。
に露光されないように複数回に分けて行うことにより，
露光時のパターン間の距離を広げることができることを
利用したものである。
【００１７】その距離は，式(1) で示される解像力以上
となるように，露光波長（ｇ線，ｉ線，KrF レーザ光
等),レンズの開口数等によって決定される。この結果，
高解像で，しかもフォーカスマージンが増加して基板表
面の凹凸に対して対応でき，デバイスの高集積化に寄与
できるようになった。
となるように，露光波長（ｇ線，ｉ線，KrF レーザ光
等),レンズの開口数等によって決定される。この結果，
高解像で，しかもフォーカスマージンが増加して基板表
面の凹凸に対して対応でき，デバイスの高集積化に寄与
できるようになった。
【００１８】
【実施例】図１(A),(B) は本発明の実施例１を説明する
平面図である。図１(A) はDRAMのスタックドキャパシタ
のストレージ電極のコンタクトホールのパターンを示
す。
平面図である。図１(A) はDRAMのスタックドキャパシタ
のストレージ電極のコンタクトホールのパターンを示
す。
【００１９】デバイスの高集積化が進むと各パターン間
は縮まり, これに対応して解像力およびフォーカスマー
ジンの増加が要求される。そのため，デフォーカス光を
重畳させるフレックス法を適用使用とするとパターン間
がつながってしまう。
は縮まり, これに対応して解像力およびフォーカスマー
ジンの増加が要求される。そのため，デフォーカス光を
重畳させるフレックス法を適用使用とするとパターン間
がつながってしまう。
【００２０】そこで, 実施例では図１(B) に示されるよ
うに，網かけのホールと白抜きのホールの２回に分け
て，それぞれの露光に対してフレックス法を用いる。こ
の場合使用するレチクルは別々でも構わないが，メモリ
のように繰り返しパターンの場合は，１個おきにホール
パターンを形成した同一レチクルをシフトさせて使用す
れば, レチクルは１枚で対応できる。
うに，網かけのホールと白抜きのホールの２回に分け
て，それぞれの露光に対してフレックス法を用いる。こ
の場合使用するレチクルは別々でも構わないが，メモリ
のように繰り返しパターンの場合は，１個おきにホール
パターンを形成した同一レチクルをシフトさせて使用す
れば, レチクルは１枚で対応できる。
【００２１】図２は本発明の実施例２を説明する平面図
である。図はSRAMセルにおいて, 電源VCC へのコンタク
トホールの配列を示す平面図であり, 丸印で囲んだパタ
ーンのレチクルをシフトさせて２度露光を行う。
である。図はSRAMセルにおいて, 電源VCC へのコンタク
トホールの配列を示す平面図であり, 丸印で囲んだパタ
ーンのレチクルをシフトさせて２度露光を行う。
【００２２】図３は本発明の実施例３を説明する平面図
である。図はSRAMセルにおいて, セルノードへのコンタ
クトホールの配列を示す平面図であり, 丸印で囲んだパ
ターンのレチクルをシフトさせて２度露光を行う。
である。図はSRAMセルにおいて, セルノードへのコンタ
クトホールの配列を示す平面図であり, 丸印で囲んだパ
ターンのレチクルをシフトさせて２度露光を行う。
【００２３】実施例ではコンタクトホールのような孤立
パターンについて説明したが，配線のようなラインパタ
ーンでも，間隔をあけて複数回露光することにより本発
明を適用することができる。
パターンについて説明したが，配線のようなラインパタ
ーンでも，間隔をあけて複数回露光することにより本発
明を適用することができる。
【００２４】特に，パターン周縁部の境界を強調する周
縁部強調型の位相シフトレチクルでは透過膜部分を予め
大きくしておき，その部分に位相シフタ（レジスト等の
透過膜）を作成するため，孤立パターンを作成する場合
は通常のレチクルに対して透過膜部分が大きく，遮光膜
の部分が小さくなっている。
縁部強調型の位相シフトレチクルでは透過膜部分を予め
大きくしておき，その部分に位相シフタ（レジスト等の
透過膜）を作成するため，孤立パターンを作成する場合
は通常のレチクルに対して透過膜部分が大きく，遮光膜
の部分が小さくなっている。
【００２５】そのため，位相シフトレチクルにフレック
ス法を適用擦る場合は，通常のレチクルに比べて隣接パ
ターンの干渉を受けやすい。従って，このレチクルに本
発明を適用すれば一層効果が大きくなる。
ス法を適用擦る場合は，通常のレチクルに比べて隣接パ
ターンの干渉を受けやすい。従って，このレチクルに本
発明を適用すれば一層効果が大きくなる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば，近接するパターンに対
してデフォーカス光を重畳させるフレックス法を適用で
きるようになり，フォーカスマージンを増加させること
ができた。
してデフォーカス光を重畳させるフレックス法を適用で
きるようになり，フォーカスマージンを増加させること
ができた。
【００２７】この結果，デバイスの高集積化に寄与でき
るようになった。
るようになった。
【図１】 本発明の実施例１を説明する平面図
【図２】 本発明の実施例２を説明する平面図
【図３】 本発明の実施例３を説明する平面図
【図４】 従来のフレックス法の説明図
１ 透過板 ２ 遮光パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 工程毎に分割された各階層のレチクルを
用いてレチクルパターンを基板上に露光する際，近接パ
ターンが別個に露光されるように同一階層の露光を複数
回に分けて行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記同一階層の露光を別個のレチクルを
用いて行うことを特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記同一階層の露光を同一レチクルを用
いてシフトさせて行うことを特徴とする請求項１記載の
露光方法。 - 【請求項４】 前記同一階層の露光を位相シフトレチク
ルを用いて行うことを特徴とする請求項１〜３記載のい
ずれかの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3239934A JPH0582415A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3239934A JPH0582415A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582415A true JPH0582415A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17052006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3239934A Pending JPH0582415A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145785A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法及びインプリント用モールドの製造方法 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3239934A patent/JPH0582415A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145785A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法及びインプリント用モールドの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |