JPH0579845A - 干渉計、その製造および感知方法 - Google Patents

干渉計、その製造および感知方法

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JPH0579845A
JPH0579845A JP3200890A JP20089091A JPH0579845A JP H0579845 A JPH0579845 A JP H0579845A JP 3200890 A JP3200890 A JP 3200890A JP 20089091 A JP20089091 A JP 20089091A JP H0579845 A JPH0579845 A JP H0579845A
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ビヨン・ユン・キム
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 源特性の不安定性または他の顕著な劣化なし
に動作を可能とする干渉計とする。 【構成】 改良されたサニャック干渉計は蛍光光媒体を
含む広帯域光源100を含み、それは蛍光光媒体が超蛍
光によって一時的に非コヒーレント光を発生することを
引起こすのに十分な強度を伴うポンプ源からの光によっ
てポンプされる。好ましい実施例において、超蛍光光媒
体は逆方向ポンプされる光ファイバ130を含む。干渉
計の感知ループ142への光信号入力は変調器によって
増幅され、干渉計ループ142から出力されかつ光源1
00としてかつ増幅器として作用する超蛍光ファイバの
光利得によって増幅される。それは超蛍光ファイバ13
0における利得変調を避けるために、変調周波数は変調
利得深度が実質的に削減されるように選択される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の背景】
【0002】
【発明の分野】この発明は光ファイバのような光導波路
の分野に属し、かつ特に超蛍光ファイバーレーザ源など
を使用する干渉計、回転センサおよびファイバジャイロ
スコープの分野に属する。
【0003】
【関連技術の説明】サニャック(Sagnac)干渉計
はループが装着される物体の回転を感知するために使用
される典型的には光ファイバの光ループを含む。そのよ
うな干渉計は光源からの光エネルギーを光の2つの実質
的には等しいビームに分けることによってかつ光の2つ
のビームが反対方向でループの周りを伝播することを引
起こすことによって動作する。光の2つのビームはルー
プを通過した後で結合されかつ方向性結合器を通過した
後で検出器によって検出される。2つのビームのインタ
ーフェイスによって引き起こされた組合わされた光の強
度における変化が検出される。周知のサニャック効果に
従って、物体およびファイバのループの回転は2つの方
向に伝播する光の間の相対位相の変化を引起し、それは
順に、検出された強度の変化を引起こす。ループの回転
率は強度における検出された変化から決定され得る。た
とえば、米国特許第4、410、275号、第4、52
9、312号、第4、637、722号、第4、68
7、330号および第4、836、676号を参照せ
よ。
【0004】干渉計の光源は好ましくは広帯域源であ
る。共振ファイバレーザ(RFL)および超蛍光ファイ
バレーザ(SFL)は広域スペクトル帯域幅および高電
力出力が可能であり、そのような装置は半導体ダイオー
ド源よりもより良い温度対平均波長安定性を有する。こ
れらの特性は、耐久性とともに、それらを標準超蛍光ダ
イオード源の代替のものにした。共振ファイバレーザは
ポンプ電力に対する出力電力の最も高い割合を提供す
る。二重パス超蛍光レーザは中間値を提供しかつ単一パ
ス超蛍光レーザは最も低い値を与える。それらの源のす
べては光フィードバックに対する感受性(Suscep
tibility)を示し、その結果として共振レーザ
ファイバ源では大きなジャイロ不安定性および出力エラ
ーをもたらし、二重パス超蛍光ファイバレーザでは低い
源出力レベルでの不安定性のオンセットをもたらし、お
よび単一パス超蛍光ファイバレーザではより高いしかし
なお最適源出力よりは少ない類似の動作をもたらす。
【0005】たとえば、米国特許第4、637、025
号に開示されるジャイロスコープは光ファイバのループ
の中へと導入された光を提供するために広帯域光源を使
用する。米国特許第4、637、025号における光源
は、ネオジムまたは他の希土のような活性蛍光材料でド
ープされたコアを有する単一モード光ファイバの中へポ
ンプ信号を導入することによって動作する。ポンプ光は
蛍光材料によって光子の自然放出の増幅を引起こすため
に十分な強度を有する。1つの実施例において(図
1)、ポンプ光はレンズを介して光ファイバへ入力され
る。2つの実施例の第2番目において、ポンプ光は、透
過する(transparent)が放出された光を高
度に反射するダイクロイックレンズを介して導入され
る。ポンプ光は蛍光材料によって吸収されかつその中で
電子をより高いエネルギー状態へと励起し、その結果と
して電子がより低い状態へと遷移するとき放出光を生じ
る。自然放出が起こるランダムな態様のために、増幅さ
れ放出された光は効果的に自然蛍光でありかつ一時的に
非コヒーレントである。
【0006】中間の光装置によって引起こされる吸収損
を減少させるために、特に結合器に関しては、検出器か
ら光源を分離する方向性結合器を省くという提案がなさ
れた。米国特許第4、842、409号において、光源
と光検出器とは、エミッタおよび光エネルギ検出器とし
て二者択一的に用いられる単一の半導体ダイオードの形
で、又は整列されることによって、同一直線上に配置さ
れている。後者の配置において、半導体ダイオードによ
って構成されている光源はその正面およびその背面の双
方を介して結合されかつ光検出器およびY結合器の間に
挿入される(その特許では従来の光装置よりもむしろ集
積された光装置が使用される)。ダイオードはしたがっ
て、エミッタとしてかつ光エネルギーの増幅器として二
者択一的に使用される。いずれの場合においても、半導
体ダイオードはできる限りの長い間、すなわち2つのビ
ームが前進および復帰経路のそれらの全体にわたって伝
播するのに必要とされる時間γ′よりも少し少ない持続
期間の間、光パルスを定期的に放出するために切換えら
れる。切換周期2γ′は従って検出感度を最適化するた
めに使用される位相変調の周期2γに非常に近くなり、
なぜなら光源および干渉計ループの間のビームによって
覆われた前進および復帰経路長が干渉計ループそのもの
の経路リンクと比較して小さいからである。その結果と
して、光検出器からの出力信号において、源切換えから
起こる変調および位相変調から起こる変調に起因して様
々な成分はお互いに重複し、それによって有効信号を検
出することが難しくなる。上で説明された米国特許第
4、842、409号において、困難な点は源およびY
結合器の間に光ファイバの付加長を加えることによって
それらの前進および復帰経路上で2つのビームの伝播時
間を人工的に2倍にすることによって幾分か解消され、
付加長は干渉計ループの長の4分の1に等しい。しかし
ながら、光ファイバの有意長を加えることは干渉計シス
テムの大容量を増加させかつ光エネルギー効率を減少さ
せる。
【0007】米国特許第4、848、910号におい
て、上記の問題に対する別の解決策が提示される。その
解決策は本質的には電子の性質に関しかつ構成要素の光
特性を使用しない。よいエネルギー効率を得るために、
ここで引用された例では光がレーザダイオードから干渉
計リングに至るまでの経過時間γ″に加えて干渉計リン
グの周囲の経過時間の2倍に対応する最大持続期間γ′
の放出および受信光パルスを使用することが必要であ
る。その結果として、放出−受信切換周期2γ′は位相
変調周期2γに非常に接近する。光検出器によって発生
される信号のスペクトルはレーザダイオードの放出−受
信切換に起因する変調によって引起こされる周波数1/
2γの近くでスペクトル線を含む。それらのスペクトル
線は位相変調によって発生された1/2γでの有用なス
ペクトル線の検出を妨げる。米国特許第4、848、9
10号ではレーザダイオード放出−受信切換の結果とし
て生じる変調またはより一般的にはレーザダイオードに
よって放出された光エネルギーの何らかの振幅変調に位
相変調が結合された後、光検出器から生じる信号の異な
るスペクトル線における有用な信号を分離することによ
ってその問題を解決することが提案される。干渉計リン
グから生じる光電力は非常に豊富な調波を持つ周波数ス
ペクトルを有する。2つの変調周波数が僅かに異なって
いる限り、小さな位相差異に対する最大感度で2つのビ
ームの相関の位相差異を計測するために使用されるであ
ろう構成要素が存在する。
【0008】上記で述べられた2つの米国特許において
提案された2つの解決法とは異なって、この発明は上記
で述べられた問題を光源の切換を必要とすることなしに
解決する。この発明の目的はまた上記で述べられた問題
を信号増幅器として使用される超蛍光レーザ源の興味深
い光特性を使用することによって解決するためのもので
ある。
【0009】
【発明の要約】この発明の第1の実施例に従えば、以下
のような干渉計が説明され、すなわちそれは感知ルー
プ、感知ループに結合された光源、(i)感知ループへ
の入力のための入力光信号を生じかつ(ii)感知ルー
プから出力信号を受信する光源を含む。光源は出力信号
の変調に依存する反転変調を表わす発光媒体を含む。反
転変調は遷移周波数より低い出力信号変調周波数に対し
て比較的ハイでありかつ出力信号の変調周波数が遷移周
波数を超えて増加するのに従って減少する。干渉計はさ
らに、感知ループを通って伝播される光を次のように変
調する変調器を含み、すなわち出力信号が変調され、変
調器は前記出力信号の変調が遷移周波数をかなり上回る
周波数となって実質的に反転変調を減少させるような周
波数で駆動されている。
【0010】変調器は以下の式に従って実質的に選択さ
れた周波数fm を有する位相変調を好ましくは含む。
【0011】fm=v/2L ここにおいてvは感知ループを介して伝播する光の速度
であり、Lは(a)位相変調器および感知ループの第1
の端縁と(b)位相変調器および感知ループの第2の端
縁との間で感知ループに沿って計測された差動距離であ
る。
【0012】出力信号変調はfm の周波数成分を、また
は約1kHz以上の周波数を有してもよい。その出力信
号変調は約100−200kHzのオーダの周波数を有
してもよい。遷移周波数は好ましくは実質的に1MHz
より少なくかつ約500hzのオーダであってよい。
【0013】この発明の干渉計において、出力信号は好
ましくは増幅のために光源を介して通過する。干渉計は
出力信号が光源を介して通過した後に出力信号を受信す
るように位置づけられた検出器をさらに含んでもよい。
光源はクラッディングを有するエルビウムドープされた
光ファイバを含んでもよい。
【0014】光源はポンプ光をクラッディングに導入す
るように結合された光ポンピング源を好ましくは含む。
【0015】この発明の第2の局面に従えば、以下のよ
うなステップを含む感知ループおよび検出器を有する干
渉計を製造する方法がまた開示され、すなわちそれは放
出媒体を有する光源をループへと結合するステップと、
ループからの出力信号が出力信号を増幅するために源を
介して通過するように感知ループと検出器との間に光源
を位置づけるステップと、出力信号が変調されるように
変調器をループに結合させかつ出力信号の反転変調によ
って誘起された変調が実質的に解消されるような、放出
媒体の反転変調特性に関して十分にハイである周波数f
m で変調器を駆動するように発生器を結合させるステッ
プとを含む。好ましくは、変調器は位相変調器を含み、
以下の式が成り立つ、すなわち、 fm=v/2L ここにおいてvは感知ループを介して伝播する光の速度
であり、Lは(c)位相変調器および感知ループの第1
の端縁、および(d)位相変調器および感知ループの第
2の端縁の間で感知ループに沿って測定された差動距離
である。
【0016】1つの実施例において、光源はエルビウム
ドープされた光ファイバを含む。この発明の第3の局面
に従えば、以下のようなスナップを含む感知の方法が開
示され、それは増幅された出力信号を提供するために干
渉計からの出力信号を増幅するステップと、増幅された
出力信号を検出するステップと、出力信号が出力信号の
増幅よりも前に変調されるように干渉計において伝播す
る光を変調するステップと、増幅の間に出力信号の反転
変調によって誘起された変調を避けるのに十分にハイで
ある変調のための周波数を利用するステップとを含む。
好ましくは、増幅のステップは出力信号を放出媒体を含
む光ファイバを介して通過させるステップを含む。放出
媒体はエルビウムドープされたシリカを含んでもよい。
【0017】この発明の第4の局面に従えば以下のよう
な干渉計が開示され、すなわちそれは感知ループ、感知
ループに結合された光源、(i)感知ループへの入力の
ための入力光信号を生じ、かつ(ii)感知ループから
出力信号を受信する光源を含み、出力光は増幅された出
力信号を提供するために光源によって増幅されており、
光源は同時に入力光信号を感知ループへと入力しかつ感
知ループからの出力信号を増幅し、感知ループを介して
伝播する光を変調する変調器を含み、変調器は光源にお
いて利得変調を抑圧する周波数で駆動されており、さら
に増幅された出力信号を検出する検出器を含む。
【0018】この発明の第5の局面に従えば、以下のス
テップを含む感知の方法が開示され、すなわちそれは感
知ループへ入力光信号を入力するステップと、感知ルー
プから変調された出力信号を出力するステップと、感知
ループへの入力光信号の入力のステップと同時に出力信
号を増幅するステップとを含み、増幅ステップは出力信
号を利得媒体を介して通過させるステップと、利得媒体
において反転変調を抑圧するために変調の周波数を選択
するステップおよび利得媒体による増幅の後出力信号を
検出するステップを含む。
【0019】
【好ましい実施例の詳細な説明】図1はこの発明に従う
回転センサの好ましい実施例を図示する。それは光源1
00を含むサニャック干渉計102を示す。光源100
は第1の端縁132および第2の端縁134を有する光
ファイバ130のような光導波路を含む。
【0020】好ましい実施例において使用される光ファ
イバ130は単一パス超蛍光ファイバレーザ源である。
このファイバレーザ源は実質的に減少された源フィード
バック感受性を示しかつ短期の騒音期待を確実にする。
超蛍光ファイバレーザ源130が光波長(光ファイバの
吸収帯域と呼ばれる)の特定の範囲内で光エネルギーで
ポンプされるとき、光ファイバ130はポンプ光エネル
ギーの波長に応答する波長を有する出力光を発生する。
たとえば、光ファイバ130はホストガラスのコアを含
み、それはたとえば0.82ミクロンのオーダの波長を
有する光を吸収するネオジウムのような活性の蛍光物質
でドープされる。ポンプ光エネルギーからの吸収光子は
活性材料において電子をより高いエネルギーの電子エネ
ルギー状態に励起させ、かつより低いエネルギーレベル
への電子の遷移が行なわれるとき、光子は特性放出帯域
または蛍光波長で放出される。たとえば、ネオジウムの
場合、放出帯域は1.06ミクロンおよび1.35ミク
ロンである。自然放出のためのより低いエネルギーレベ
ルを介して接地状態へ戻る遷移はランダムな態様におい
て起こり、ポンプ光によって引起こされた光子放出が増
幅された自然蛍光になるということを引起こし、そうし
て放出された出力光が一時的に非コヒーレントになるこ
とを引起こす。光ファイバ130はまたエルビウムドー
プされたファイバであってもよい。以下にさらに詳細に
述べられるように、エルビウムドープされたファイバレ
ーザ源はファイバにおいて漏話効果を避けるために特に
興味深い長い飽和および復帰時定数を有する。
【0021】光源100はダイクロイックミラー122
を使用する蛍光光ファイバの第2の端縁134に結合さ
れるポンプ源120を含む。ポンプ光源120は、たと
えばレーザダイオード、ダイオードアレイポンプ源また
はそのようなものであってよい。図1の実施例におい
て、好ましくはポンプ源120はGaAlAsフェーズ
ドアレイのようなダイオードアレイを含む。そのような
ダイオードアレイポンプ源はSpectraによって製
造された500 mWDiode Lab815nmレ
ーザダイオードアレイのように商業上利用可能であり、
650mAの電流および2.75nmの3dB広帯域を
伴ってほぼ350mWで動作される。源120はたとえ
ば0.82ミクロンの蛍光光ファイバ130の吸収帯域
の1つ内で波長を有する光ポンプ信号を提供する。ポン
プ光源120によって与えられるポンプ光は2つのレン
ズ125および127、ならびにダイクロイックミラー
122を介して光ファイバ130の第2の端縁134へ
と導入される。ダイクロイックミラー122はポンプ光
を完全に反射する。ダイクロイックミラーは二重クラッ
ドファイバを利用するこの発明の好ましい実施例におい
て狭帯域815/1060nmダイクロイックミラーで
ある。ミラーは1060nmの光を透過しかつ815n
mで実質的にすべての光を反射する。ポンプ光はそれか
ら光ファイバ130のコアにおける蛍光材料内を伝播す
る。ポンプ光源120によって与えられるポンプ光の強
度は蛍光材料における電子の反転分布(populat
ioninversion)を引起こすのに十分に大き
いものとして選択され、それによって蛍光材料からの光
の増幅された自然放出を支持する。蛍光光ファイバ13
0の長は実質的にすべてのポンプ光エネルギーが蛍光材
料によって吸収されるように十分に長いものとして選択
される。
【0022】この発明の別の好ましい実施例において、
光ファイバ130はポラロイドコーポレーション(Po
laroid Corporation)から利用可能
であるような二重クラッドネオジウムドープされたファ
イバ導波管である。ファイバの長さはほぼ20mであ
る。好ましくは、二重クラッドファイバの両端は、以下
により詳しく説明されるであろうように、端面反射を抑
圧するために15°で研磨されてきた。二重クラッド光
ファイバ400は図2の横断面図においてさらに詳しく
示される。図示されるように、二重クラッド光ファイバ
400はNd2 3 の約0.5重量パーセントでドープ
されるシリカガラスを含む内部コア420を含む。それ
はまたAl2 3 を3.8重量パーセント含み得る。コ
ア420は0.15の開口数を有する。コア420はほ
ぼ4.8μmの直径を有しかつほぼ矩形(たとえば、示
されるように僅かに丸くされた端部によって接続された
2つの実質的に並列な側を有する)を有する第1のクラ
ッディング422によって取り囲まれる。第1のクラッ
ディング422は110μmに45μmの寸法のほぼ矩
形のものであってコア面積に対する第1のクラッディン
グ面積の比率をはほぼ274である。第1のクラッディ
ング422は主にシリカ(SiO2 )を含みかつ第1の
バッファコーティングである第2のクラッディング42
4によって取り囲まれる。第2のクラッディング424
はほぼ1.39の屈折率を有する軟質フッ素重合体を含
む。第1のクラッディング422と第2のクラッディン
グ424との間の開口数はほぼ0.4である。第2のク
ラッディング424は二重クラッド光ファイバ400を
保護するための商用硬質重合体を含む第2のまたは外側
のバッファコーティング426によって取り囲まれる。
【0023】第1のクラッディング422はファイバが
矩形クラッディングにおいて単一モードコアとして作用
することを許可する。第2のクラッディング424はフ
ァイバがポンプ光のための多重モードファイバコアとし
て作用することを許可する。クラッディング422は大
きな開口数を有し、従ってポンプ光はコアの軸について
ある角度でクラッディングへと導入され得る。このこと
はポンプ光がファイバ400へと直接に結合されること
を許可し、かつダイクロイックミラーの必要性を除去す
る。クラッディング422内のポンプ光は単一モードコ
アへと伝播し、かつ単一モードコアはポンプ光を吸入す
るが、それはポンプ光が単一モードコアに制限される場
合においてよりも長いファイバ長全体にわたって行なわ
れる。二重クラッドファイバは高電力半導体フェーズド
アレイでポンプされ得る。このことは極めて有利なこと
である。なぜならばネオジウムドープされたファイバか
らの有用な量の蛍光のために必要とされる高ポンプ電力
は単一一片レーザダイオードから容易に得られることが
ないからである。
【0024】図1に戻ると、ポンプ光を反対の端部13
2よりもむしろ蛍光ファイバ130の第2の端縁134
に適合することは「逆方向ポンピング(backwar
dpumping)」と呼ばれる。「逆方向ポンピン
グ」を利用する様々な実施例が1989年8月31日の
日付で出願されこの発明の出願人に対して譲渡された、
「超蛍光光ファイバ光源(Superfluoresc
ent Optical Fiber Light S
ource)」と題された同時係属中の米国特許出願連
続番号第401、225号において説明される。この出
願はこれによって引用により援用される。ファイバ13
0の第1の端縁132へと伝播する光(「逆方向伝播
光」)の反射は初めには望ましいと考えられていた。出
願人はしかしながら逆方向伝播光の反射が多くの応用に
おいて所望とされないということがわかった。特に、干
渉計102のループはミラーと同じ効果を与え、かつサ
ニャック干渉計102に導入されかつループの周囲を伝
播する光の50%までが蛍光光ファイバ130に結合し
戻され得る。米国特許第4、637、025号において
のように、もし光が第1の端縁132で反射されると、
それはまたサニャック干渉計102に対して伝播し戻す
であろう。このような状況の下で、光ファイバ130お
よび干渉計102のループは共振空洞の2つのミラーと
して作用する。こうして、共振レーザ動作が起こり得、
それは所望とされない一時にコヒーレントなレーザ光の
発生を引起こす。
【0025】それらの共振の問題を除去するために、端
縁132はポンプ光がファイバ130へと結合されると
き、ポンプダイオード端面および他の構成要素から遭遇
する反射光なしの状態に置かれる。蛍光光ファイバ13
0の第1の端縁132は特定的に第1の端縁132で反
射を排除するように形成される。たとえば、図1におい
て、第1の端縁132を横切る斜線は第1の端縁へと伝
播する光が反射せずに第1の端縁132から放出される
ために第1の端縁132がある角度(たとえば、15
°)で切られるということを示す。実質的に第1の端縁
132に対して伝播するいずれの光も第2の端縁134
に対して反射し戻されないであろう。図1に表示される
実施例において、光ファイバ130の端縁の各々は2つ
の端縁をある角度で切ることによって反射せずに終端と
される(たとえば、第1の端縁132および第2の端縁
134はほぼ15°で切られる)。その代わりとして、
反射防止コーティングを第1の端縁132に適用しても
よい。こうして、適切に端縁132を終端とすることに
よって、この端縁から反射された光を60dB以上抑圧
することができかつ共振レーザ動作が起こることを防ぐ
ことができる。上で説明された「逆方向ポンプされた」
配置は有利でありかつ好ましいものであるが、当業者に
はこの発明が従来の光配置を使用して行なわれ得るとい
うことが明らかであろう。
【0026】超蛍光ファイバ130によって放出された
光エネルギーはいわゆる超放射発光ダイオード(LE
D)によって生じた光に相関して高い放射強度を有す
る。さらに、放出された光はレーザダイオードの特性ス
ペクトル線出力よりも広い波長分布を有し、低い一時的
(temporal)コヒーレンスを有し、かつ一般的
に温度独立である主波長を有する。蛍光光ファイバ13
0に結合されたポンプ光は広帯域光の放出を刺激する。
【0027】放出された光は蛍光光ファイバ130のコ
アにおける蛍光材料内ですべての方向において発生され
る。第2の端縁134の一般的な方向に初めに伝播する
光の部分(ここにおいて順方向伝播光と呼ばれる)は広
帯域出力信号としてそこから放出されるであろう。ネオ
ジウムドープされたファイバの場合において、光は10
60nmで放出される。1060nm蛍光信号はレンズ
127によってコリメートされ(collimate
d)、1060nmで透過性でありかつ第3のレンズ1
29によって合焦されるダイクロイックミラー122を
介して光ファイバ110を介して干渉計102へと伝送
される。ファイバ110は1060nm偏波保存型の単
一モードコーニング(Corning)ファイバであり
得る。SFL源130はほぼ10nmの帯域幅を有する
ほぼ3mWの蛍光電力を生じ、その1.5mWはジャイ
ロファイバ110に結合される。超蛍光ファイバの出力
スペクトルは図3において表示される。スペクトルはほ
ぼ1060nmの波長で約12nmの3dB帯域幅を示
す。好ましくは、光は実質的には完全に第2の端縁13
4からファイバ110の入力へと結合される。
【0028】この発明の代替の好ましい実施例におい
て、バルク光部分およびダイクロイックミラーは超蛍光
ファイバ130を組入れる多重モードファイバ結合器と
置換される。そのような結合器は(図1には表示され
ず)好ましくはマルチプレクシング結合器である。たと
えば、米国特許第4、556、279号において説明さ
れたように、マルチプレクシング結合器は光の波長に従
ってそれが結合器の2個の半体の間の異なるパーセンテ
ージの光に結合するように構成される。たとえば、マル
チプレクシング結合器はポンプ信号の波長(たとえば、
0.82μm)で光ファイバ130に導入された実質的
にすべての光が蛍光光ファイバ130に結合されずしか
し伝送されて上記で説明された蛍光効果を引起こすよう
に構成される。他方、マルチプレクシング結合器は蛍光
光ファイバ130内で発生されかつ第2の端縁134に
対して順方向に伝播する蛍光光が光ファイバ110へ蛍
光光ファイバ130から結合されることを引起こす。結
合された光はサニャック干渉計102のループへと光フ
ァイバ110内を伝播する。バルク光学の代わりにマル
チプレクシング結合器を含むそのような代替の実施例に
おいて、ポンプ源はまた多重モードファイバを介してフ
ァイバ130へ接続され得る。ポンプ源120は光を多
重モードファイバの第1の端縁へと導入し、それは多重
モードファイバの第2の端縁へと伝播する。多重モード
ファイバの第2の端縁は光が光ファイバ130へと結合
されるように光ファイバ130に対して豚のシッポのよ
うな形をしている。そのような実施例は1989年8月
31日の日付で出願された、同時係属中の米国特許出願
連続番号第401、225号において説明され、それは
ここにおいて引用により援用される。
【0029】図1の干渉計102に戻ると、光ファイバ
130によって放出された広帯域出力信号は光ファイバ
110を介してサニャック干渉計102へと導入され
る。方向性結合器140は光ファイバ110の2つの端
縁112および114の間でループ142内に光ファイ
バ110の部分を形成する。ループの長さはたとえばほ
ぼ1kmである。ループ142のファイバ110は3M
Co.によって製造され、20cm直径スプール上で
巻回された好ましくは偏波保持ファイバである。方向性
結合器140は好ましくは米国特許第4、536、05
8号などに従って構成される。方向性結合器140は1
060nmでの動作のために設計されたたとえば研磨さ
れた型の偏波保持結合器である。ループ142は干渉計
102の感知部分として動作する。結合器140は広帯
域光源100(3dB結合器)から光ファイバ110に
結合された広帯域光のほぼ50%を結合する。広帯域光
の50%は第1の方向(図1において時計回り)におい
てループ142の周囲を伝播しかつほぼ50%が第2の
反対の方向(図1において逆時計回り)においてループ
142の周囲を伝播する。図1のサニャック干渉計10
2は変調器158をさらに含み、好ましくは電気出力信
号が同期して復調されることを可能にするためにループ
142内で位相変調を逆伝播光信号に導入するプロセッ
サ154によって駆動される位相変調器158を含む。
位相変調器はたとえばファイバ巻回されたPZT圧電シ
リンダであり、200kHzの周波数(1kmコイルに
対して適切な周波数)で駆動される。位相変調の振幅は
第1の調波ジャイロスコープ出力を最大にするように選
択される。ループ142の周囲を伝播する光は方向性結
合器140によって再び結合され、かつ再び結合された
光信号は蛍光ファイバ130へ伝播し戻される。光のほ
ぼ50%が光ファイバ110の第1の端縁112を介し
て出力信号として与えられ、他の50%がファイバ11
0の第2の端縁を通って存在する。偏波器でのおよびフ
ァイバループ142におけるエポキシボンドされたスプ
ライスにおいて複屈折ファイバ軸アラインメントの精度
は±5°内に見積もられる。
【0030】サニャック干渉計の動作は周知でありかつ
ここにおいて詳しく説明されはしない。当業者は付加的
な構成要素がそのような干渉計の動作を改良するために
しばしば使用されることを認識するであろう。超蛍光フ
ァイバの第1の端縁および第2の端縁の間の回路に対す
る光挿入損はたとえばほぼ27dBである。ファイバ1
10の端縁112および方向性結合器140の間の光フ
ァイバ110上に位置決めされた偏波器160のような
構成要素は様々な適用において有利に使用される。たと
えば、偏波器は2つのGRINレンズの間の小型の方解
石ロッドからなり、35dBよりもさらによい推定光電
力消滅係数(estimated optical p
ower extinction coefficie
nt)を有する。当業者はまたサニャック干渉計102
の部分が集積光構成要素またはバルク光構成要素を利用
して有利に構成され得るということを認識するであろ
う。
【0031】干渉計の出力はレンズ127および129
によって合焦された後第2の端縁134を介して超蛍光
ファイバ130に入る。ダイクロイックミラー122は
ここで再び超蛍光ファイバ130の放出波長での出力光
を透過する状態にある。出力光はそれから今増幅器とし
て作用するレーザファイバ130において増幅される。
超蛍光ファイバ130を介して第2の端縁134から第
1の端縁132へと通過し戻されるジャイロスコープ光
出力信号はこの発明の実験の実施例においてほぼ30d
Bの増幅を経験する。
【0032】当業者はループでの位相変調が位相変調器
周波数と同じ周波数で干渉計によって再び組み合わされ
た信号出力の振幅変調を誘起するということを認識する
であろう。この振幅変調は、もし振幅変調が十分に強く
かつ十分に遅くかつもしそれが増幅するファイバの帯域
幅内であるとすれば、ファイバにおける光利得が同様の
周波数で変調されることを引起すかもしれない。変調さ
れた信号の高い値は上位のレーザ動作レベル集団(po
pulation)を使い尽くし(deplete)、
利得が減少することを引起こす。変調された信号の低い
値は利得に影響を及ぼさず、利得が変化しない状態でい
ることを引起こす。利得の変化は利得深度によって計測
される。もし利得が変調されると、深度は単一体(un
ity)に接近する。利得が変調されないとき、深度は
0である。実際に、利得深度は1と0との間で変化す
る。
【0033】振幅変調された信号はまた同じ周波数で放
出された信号に対して振幅変調をおこさせるであろう。
その結果として、放出された信号およびジャイロスコー
プ信号は干渉計の精密および感度に影響を及ぼす共振効
果を生じ得る。さらに、変調は検出されるべき実信号に
関して重要であり得、かつ騒音源として作用し得る。
【0034】利得変調は振幅器のレーザ動作材料の励起
寿命で変化する。レーザ動作レベルの集団寿命は集団の
1/eが放出されより低いレベルへと下がるまでレーザ
動作レベルの集団が反転状態のままである間の期間とし
て規定される。
【0035】振幅変調されたジャイロスコープ信号(ま
た出力信号と呼ばれる)がファイバ130のレーザ動作
媒体を介して伝播するとき、上位レーザ動作レベルにお
ける集団は信号の周波数変調と歩調をあわせて変化す
る。上位レーザ動作レベルが上位ポンプレベルを介して
接地状態から定められる(populated)速い速
度および速い消耗の速度のために、反転分布は出力信号
の強度変化に続く。上位レーザ動作レベルは迅速に飽和
されかつ強度変化に続くことが可能である。ファイバレ
ーザは相対的に長い上位レーザ動作レベル寿命を有す
る。上位レーザ動作レベルは相対的にゆっくりと定めら
れる。もし振幅変調された出力信号の周波数が集団寿命
に関して十分に高くかつここにおいてスレッショルド周
波数または遷移周波数と呼ばれる周波数よりも超越して
いるとすれば、反転分布(population in
version)は出力信号の強度変化に従うのをやめ
る。源信号はそれから出力信号からのいかなる合成変調
も有さない上位レーザ動作レベルにおける準定常分布密
度を調べる。
【0036】この発明のレーザにおいて、位相変調の周
波数は振幅変調された信号が利得変調を防ぐのに十分に
ハイになるように選択される。エルビウムドープされた
ファイバに対して、利得深度は実質的に1から500k
Hzの周波数までと等しく、それから迅速に減少する。
サニャックジャイロスコープにおいて、位相変調周波数
は方程式によって干渉計ループの長さにリンクされる。
【0037】fm=v/2L ここにおいてfmは位相変調周波数、vは感知ループを
介して伝播する光の速度、およびLは位相変調器および
感知ループの第1の端縁ならびに位相変調器および感知
ループの第2の端縁の間の感知ループに沿って計測され
た差動距離である。
【0038】典型的に、1kmの長さのファイバループ
に対して、位相変調周波数はほぼ200kHzである。
そのような周波数で、利得変調はエルビウムドープされ
たファイバに対してほぼ0である。
【0039】ネオジウムの蛍光寿命は10−15msで
あるエルビウムの寿命よりも少なく、40γsのオーダ
である。従って、エルビウムドープされたファイバに対
するスレッショルド周波数はネオジウムドープされたフ
ァイバに対するスレッショルド周波数よりも少ない。し
かし、200kHzのオーダの周波数では、ネオジウム
ドープされたファイバにおける利得変調もまた無視でき
る。
【0040】対照的に、レーザダイオードは短い上位レ
ーザ寿命を有する。たとえば、レーザダイオードの寿命
は数ナノセカンドのオーダであり、それはスレッショル
ド周波数が1MHzのような極めて高い値となることを
引起こす。利得はこうして非常に高い周波数であって
も、半導体レーザダイオードにおいて変調される。変調
深度がフィードバック信号の強度に依存するので、フィ
ードバック信号を減少させることによってレーザダイオ
ードにおける変調深度を減少させることが可能である。
しかしながら、このことは実質的にはS/N比率を減少
させる。それらの問題のために、レーザダイオードを使
用する先行技術特許(米国特許第4、842、409号
および米国特許第4、848、910号)はレーザダイ
オードを源としてかつ増幅器として連続して使用するた
めにスイッチの使用を開示した。このことは上記で述べ
られた特許が解決できると主張する、他の問題を作り出
した。
【0041】こうして、十分に長い上位のレーザ動作レ
ベル寿命を有するレーザ媒体を選択することによって、
増幅ファイバにおける利得変調を実質的に減少させるこ
とが可能である。もし出力信号の変調周波数が遷移周波
数よりも遙かに大きなものであれば、反転変調はジャイ
ロスコープ適用のために許容可能なレベルへと迅速に減
少する。
【0042】図7を参照すると、ログ−ログ図における
入力ポンプ信号および信号電力の異なる値のために利得
変調が周波数に対してプロットされている。図7はエル
ビウムレーザファイバにおける一時的利得飽和および復
帰の理論的な分析と関連してさらに詳細に説明されるで
あろう。図7は利得変調が上述の遷移周波数と呼ばれる
予め定められた周波数よりも少ない周波数に対して一定
でありかつ無視できないものであるということを明白に
示す。しかしながら、信号の周波数が遷移周波数を超え
て増加すると、利得変調は迅速に減衰しかつ消滅する。
たとえば、エルビウムの場合において、ほぼ500Hz
である遷移周波数より少ないまたはそれに等しい周波数
に対して、図7において曲線1によって表わされるよう
に、利得変調は所与の入力ポンプ電力および信号電力に
対してほぼ0.9に等しい。周波数が500Hzを超え
ると、利得変調が迅速に減少する。1KHzを超える周
波数で、利得変調は無視することができかつ0になる。
減衰利得変調のログ−ログの傾斜はほぼ−1に等しい。
【0043】再び図1を参照すると、第1の端縁132
からの出力信号は検出器150によって検出されこれは
プロセッサ154に与えられた線152上に電気出力信
号を与える。検出器はたとえばシリコンPINフォトダ
イオードである。プロセッサ154はループ142が回
転される方向および割合に応答して電気出力信号を処理
しかつバス156上に計算された出力信号を提供する。
この発明の実験の実施例において、超蛍光ファイバ13
0の端縁132での光電力は8mWであり、その1部分
は検出器に合焦され、0.2mAのdc電流を生じる。
電子へのこの高いレベルの電気入力は電子信号処理回路
を有利に簡素化する。
【0044】この発明の干渉計によって得られる実験の
結果を示す図4に対して参照が今なされる。1つの図は
IからVIIまでが付された7つの領域を含む。領域I
Vを除くすべての領域において、ジャイロスコープはル
ープ軸が大地に並行に配向された静止位置にある。領域
Iにおいて、電子はオンにされる。領域IIにおいて、
ポンプ源はオンである。領域IIIにおいて、位相変調
はオンにされるが回転率は0度/時である。領域IVに
おいて、ループ軸は5度/時の効果的な回転率を与える
大地軸に対する角度に配向される。領域Vにおいて、回
転率は再び無効(mull)となる。領域VIにおい
て、位相変調はオフにされる。領域VIIにおいて、ポ
ンプダイオードはオフにされる。図4における各々の大
きな区分は1分を表わす。領域IおよびVIIはシステ
ムの電子騒音フロアを表わし、それはほぼ、
【0045】
【数1】 である。
【0046】領域IIおよびVI(ファイバレーザが活
性状態にされかつレーザダイオードポンプがオンの状態
である)はrms強度雑音をしめし、それはほぼ、
【0047】
【数2】 と示されることができかつそれは
【0048】
【数3】 の源ビート騒音の理論的レベルに接近している。
【0049】短い雑音およびジョンソン(Johnso
n)雑音の計算された値は、それぞれに、
【0050】
【数4】 である。領域III−V(位相変調(PM)オン)は0
および5°/hr回転率に応答するジャイロを示す。
【0051】低い回転率範囲において、この発明のシス
テムは安定したものでありかつ回転感度を有しそれはほ
ぼ、
【0052】
【数5】 でありそれは超蛍光ファイバレーザ源の帯域幅に相関の
通常ビート雑音によって設定されるように思われる。こ
の発明のシステムにおける高い利得光増幅の付加が正味
の出力雑音レベルを目立って増加させはしないというこ
とが注目に値する。この発明のシステムは利得増幅を伴
わず逆方向ポンプされた干渉計より実質的にさらに感度
が強い。検出器での電力および電流レベルは利得ファイ
バを介して通過し戻ることにおけるジャイロスコープ信
号によって経験された大きな光利得のためにこの発明の
システムにおいては3桁大きい。
【0053】この発明の実験のジャイロスコープ回路に
おいて使用される光構成要素はこの発明のシステムの短
い期間の雑音および感度の値を求めるのに適当である
が、それらは長い期間のドリフトテストから定められる
温度変化に伴って±4°/hrまでのバイアスオフセッ
トおよびバイアスドリフトを許可する。しかしながら、
最適構成要素を使用するジャイロスコープ回路が源から
発生されたシフトの構成要素を除去するであろうことが
当業者には明らかになるであろう。
【0054】エルビウムドープされたファイバ増幅器に
おける過渡利得飽和および復帰の理論的な分析は198
9年8月に発行されたIEEE Photonics
Technology Letters、第1巻の第8
号の、「エルビウムドープされたファイバ増幅器におけ
る過渡利得飽和および復帰(Analysis ofT
ransient Gain Saturation
andRecovery in Erbium Dop
ed Fiber Amplifiers)」と題され
たE. Desurvireによる論文において与えら
れる。この論文はこれによって引用により援用される。
分析はファイバ増幅器として使用されるエルビウムドー
プされたファイバに関するが、他のレーザ動作材料でド
ープされたファイバレーザに対しても性質上有効であ
る。
【0055】周波数変調された回転センサ信号出力の飽
和−誘導漏話によって引起こされた干渉ファイバ光ジャ
イロスコープにおける測定の精密および感度を損なう可
能性がある。上で説明されたように、飽和誘起された漏
話は集団反転における削減または光ファイバにおけるキ
ャリア密度の効果である。
【0056】図5を参照すると、エルビウムドープされ
たファイバの簡素化された3レベルモデルが表わされ
る。モデルは3つのレベルを含みそれは、接地レベル、
励起レベル(または上位レーザ動作レベル)および上位
ポンプレベルである。N1 、N 2 およびN3 はそれぞれ
に接地レベル、励起レベルおよび上位のポンプレベル集
団である。レベル1は(Er3 + のレーザ遷移が1.5
μmである) 413/2レベルに対応し、レベル2は 4
15/2レベルに対応しかつレベル3はポンプ吸収帯域に対
応する。図5において示されるように、文字R、Aij
よびWijは様々なレベル1、2および3からの様々な割
合を規定する。Rはポンピング率であり、Aij=γij -1
は特性寿命γijを有するレベルiからレベルjへの自然
減衰率である。たとえば、エルビウムファイバが蛍光を
発するとき、蛍光寿命はγ21によって与えられ、すなわ
ち、それはレベル2およびレベル1の間の遷移の寿命で
ある。最終的に、Wijは誘導(stimulated)
放出率である。
【0057】原子集団に対する時間依存率方程式は19
89年8月15日に発行されたOptics Lett
ers、第14巻の第16号、「エルビウムドープされ
たファイバ増幅器における過渡利得および漏話(Tra
nsientGain and cross−talk
in Erbium−doped fiberAmp
lifers)」と題されたC.R. Gilesおよ
びE.Desurvireによる論文において与えられ
る。この論文はこれによって引用により援用される。そ
れらの方程式は、
【0058】
【数6】 である。
【0059】上の表記を有して、レベル集団N1 および
2 に対する時間依存率方程式は、
【0060】
【数7】
【0061】
【数8】 である。
【0062】利得飽和のこの分析において、飽和の効果
の非線形性質のためにファイバ全体に沿う利得ダイナミ
クスを研究することは不可能である。しかしながら、フ
ァイバ入力の端縁で利得ダイナミクスを研究することは
可能であり、そこではファイバへのポンプ信号入力およ
びファイバによって放出された信号は一定の初期状態に
よって固定されている。計算を簡素化するために、W12
およびW21は同じ値Wと等しいと仮定される。入力ファ
イバ端縁(z=0)でのWおよびRがある期間の間の時
間において同じ定数値を有すると仮定すると、方程式数
7および数8は積分の後以下の解答をもたらし、それ
は、
【0063】
【数9】 である。
【0064】時定数ω1 -1およびω2 -1は特性減衰時間
であり以下の式によって与えられ、それは、
【0065】
【数10】
【0066】
【数11】 上記の方程式において、数10および数11、P
p (0)ならびにPs (0)はそれぞれz=0、すなわ
ち、ファイバの入力端縁での入力ポンプ電力およびジャ
イロスコープ信号電力である。Pth p は反転分布に対す
るポンプスレッショルドであるが、Psat はジャイロス
コープ信号飽和電力である。ポンプスレッショルド電力
の値および飽和電力の値は理論的に計算され得る。レベ
ル1およびレベル2の間の反転分布はN2 −N1 の差に
よって与えられる。方程式数15は反転の時間依存性が
方程式によって与えられる比率αおよびβによって仲裁
されるということを示し、その方程式は、
【0067】
【数12】
【0068】
【数13】 である。
【0069】ポンプスレッショルドPth p および飽和電
力Psat がγ21 -1に逆に比例するという事実はP
p (0)/Pth p が1よりも遙かに大きいときまたはP
s (0)/Psat が1よりも遙かに大きいとき時定数ω
1 およびω2 が実際に超蛍光寿命から独立しているとい
うことを暗示する。
【0070】ポンプレベルγ32からの減衰時間が超蛍光
時間γ21と比較して一般的に非常に短いエルビウムガラ
スの場合において、比率ε=γ32/γ21はほぼ0になり
得る。方程式数9の解はレベル1および2の集団をもた
らし、それは、
【0071】
【数14】
【0072】
【数15】 であり、ここでN0 i =N0 i (0、0)である。
【0073】レベル3の集団は以下の方程式によって与
えられ、
【0074】
【数16】 である。
【0075】方程式数14および数15から、N1 およ
びN2 が2つの項の和として表わされることができると
いうことが演繹され、第1の項はω1 -1特性1/e寿命
を有しかつt−> ∞に対して消滅する時間依存項であ
り、第2の項は一定でありかつ定常体制(regim
e)に対応する。
【0076】以下の分析は方形パルスがファイバへ入力
されると想定する。同じタイプの分析が正弦信号のよう
な異なる波形を有する変調信号に対して実行され得ると
いうことが当業者には明らかであろう。方形波形は問題
を分析的に扱いやすくするように選択された。△Tの長
さの飽和信号パルスはこのようにファイバへ入力され
る。パルスの長はω1 -1よりも遙かに大きいものとして
選択される。
【0077】方程式数14および数15は時間依存反転
△N12(o、t)の以下の表現をもたらし、それは、
【0078】
【数17】
【0079】
【数18】 である。
【0080】時間依存反転△N12(o、t)のプロット
を示す図6に対して参照がなされる。図6は時間依存反
転△N12(o、t)が信号パルスの間減衰するというこ
とを示す。この位相は飽和体制と呼ばれる。信号がオフ
にされるとき、時間依存反転△N12(o、t)はその初
期値に復帰する。この位相は復帰体制と呼ばれる。典型
的に、飽和および復帰体制は△Ts および△Tr によっ
て測定され、それは飽和位相および復帰位相それぞれの
間の時間反転の90%値および時間反転の10%値の間
で経過した時として規定される。
【0081】上記の分析は今、利得ダイナミクスの制動
効果が時間変化の飽和信号(この理論的な分析における
方形波形のような)によって誘起された利得変調が信号
周波数が増加するにつれて消滅することを引起こすとい
うことを演繹することを許可する。ファイバにおいてt
=0で周波数1/2△T入力を有する方形波形変調信号
に対して、相関の反転変調、すなわち変調利得は方程式
によって与えられ、
【数19】 そこにおいてBはf/2およびf=1/△Tである。項
δ(△N12)は連続する方形パルスの端縁での反転にお
ける差異である。
【0082】
【数20】 は平均反転であり、Kは一定でありかつωおよびω′は
以下のように与えられ、それは、
【0083】
【数21】 である。
【0084】方程式数19は変調が周波数の高い値に対
して消滅しかつ周波数の低い値に対して最大値であると
いうことを示す。
【0085】参照が図7に対して与えられそこでは、相
対反転変調(利得変調)はαおよびβの異なる値に対し
て周波数の関数としてプロットされる。図7はログ−ロ
グプロットにおいて、傾斜が500Hzまでのエルビウ
ムに対してほぼ0でありかつ−1を越えて変化するとい
うことを示す。漏話の相対飽和誘導された変調は500
Hz−1kHzのあたりの周波数で減少し始めかつ10
00kHz(1 Mhz)を越える周波数で消滅し始め
る。図7は相対入力ポンプおよびジャイロスコープ信号
電力の異なる値に対するプロットを示す。実線はγ21
14msに対応する。点線はγ21=10msに対応す
る。点線は右へと移される。このことは上位レーザ動作
寿命の低い値に対して、スレッショルド周波数がより大
きいということを図示する。
【0086】エルビウムドープされたファイバにおい
て、飽和誘起された利得変調はスレッショルド周波数f
=1kHzのあたりで消滅する。上位レーザ動作レベル
における集団はアップポンピングおよび励起された放出
率の間で釣合いが確立されるとき変調レーザ信号の変調
と歩調をそろえて変化する。結果として、反転分布は信
号の変調と歩調を変化しかつこれゆえに利得変調を誘起
する。変調周波数が増加すると、反転分布は上位レーザ
動作レベルが上位ポンプレベルを介して接地状態から定
められる(populated)ゆっくりした割合のた
めに信号の強度変化に従うことをやめる。源信号は変調
信号からのいずれの合成変調をも有さない上位レーザ動
作レベルにおける準定常分布密度を調べる。
【0087】この発明は逆方向ポンピングの利点および
ジャイロスコープ信号の増幅器としての光源の使用を組
み合わせ、かつ34mWの源出力電力レベルで源特性の
不安定性または他の顕著な劣化なしに動作を可能とす
る。このことは以前の順方向ポンプされたシステムに対
して1桁以上の改良を表わしかつ源雑音制限された回転
感度が達成されることを可能にする。組み合わされた源
および増幅器としての源の動作は電子処理を簡素化する
ことができる大いに増加された検出器出力レベルを伴う
ジャイロ性能を可能にする。好ましい実施例と関連して
上で説明されたが、発明の範囲内の修正が当業者に対し
て明らかであり得り、かつそのような修正のすべてがこ
の発明の特許請求の範囲内であるということが意図され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】逆方向ポンプされた超蛍光ファイバ源を含み、
干渉計の出力が、検出される前に超蛍光ファイバ源にお
いて増幅される、この発明に従ったサニャック干渉計の
絵で表わした図解である。
【図2】図1において線1−1に沿ってとらえられる二
重クラッドネオジウムドープされた光ファイバの断面図
である。
【図3】図1に表される干渉計の超蛍光ファイバ源の出
力スペクトルである。
【図4】図1の干渉計の出力を記載する図である。
【図5】異なるレーザ遷移を示すエルビウムガラスの簡
素化されたエネルギーレベル図である。
【図6】△Tの長さの飽和パルスが超蛍光ファイバレー
ザ源に入力されるとき反転分布△N12(o、t)におけ
る変化を図示しかつ初期状態への復帰へと続いていく飽
和体制を示す。
【図7】周波数に対する相関の飽和誘起変調のプロット
である。
【符号の説明】
100 光源 102 干渉計 110 光ファイバ 122 ダイクロイックミラー 127 レンズ 129 レンズ 130 光ファイバ 142 感知ループ 150 検出器 158 変調器 160 偏波器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // G02F 1/35 501 7246−2K (72)発明者 ケネス・エイ・フエスラー アメリカ合衆国、94086 カリフオルニア 州、サニイベイル、ポーク・アベニユ、 1134 (72)発明者 マイケル・ジエイ・エフ・デイゴネツト アメリカ合衆国、93406 カリフオルニア 州、パロ・アルト、ハーバード・ストリー ト、2307 (72)発明者 ビヨン・ユン・キム 大韓民国、ソウル、ソンパー区、ジヤムシ ルドン、101、ウー・スン・アパートメン ツ、13−905 (72)発明者 ハーバート・ジエイ・シヨウ アメリカ合衆国、94305 カリフオルニア 州、スタンフオード、アルバラド・ロウ、 719

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感知ループ(142)、前記感知ループ
    (142)に結合され入力光信号を前記感知ループ(1
    42)へと入力するための光源(100)、および前記
    感知ループ(142)を介して伝播する光を変調する変
    調器(158)を含む干渉計であって、前記干渉計は、 前記光源(100)が前記感知ループ(142)によっ
    て出力されかつかつ前記変調器(158)によって変調
    された前記光信号を受信し、前記光源(100)は前記
    出力信号の変調に依存する反転変調を示す光放出媒体を
    含み、前記反転変調は遷移周波数より低い出力信号変調
    周波数に対して相対的にハイでありかつ出力信号の変調
    周波数が遷移周波数を越えて増加するとき減少し、 前記変調器(158)は前記出力信号の前記変調が前記
    遷移周波数を十分に越えた周波数となって実質的に前記
    反転変調を削減することを引起こす周波数で駆動される
    ことを特徴とする、干渉計。
  2. 【請求項2】 前記変調器(158)がfm =v/2L
    に従って実質的に選択された周波数fm を有する位相変
    調器を含み、そこではvが感知ループ(142)を介し
    て伝播する光の速度でありかつLが位相変調器および感
    知ループ(142)の第1の端縁、ならびに位相変調器
    および感知ループ(142)の第2の端縁の間で感知ル
    ープ(142)に沿って測定された差動距離である、請
    求項1に記載の干渉計。
  3. 【請求項3】 前記出力信号変調がfm の周波数成分を
    有する、請求項2に記載の干渉計。
  4. 【請求項4】 前記出力信号変調が約1kHzと以上の
    周波数を有する、前記の請求項のいずれか1つに従う干
    渉計。
  5. 【請求項5】 前記出力信号変調が100−200kH
    zに類する周波数を有する、前記の請求項のいずれか1
    つに従う干渉計。
  6. 【請求項6】 前記遷移周波数が実質的に1MHzより
    も少ない、前記の請求項のいずれか1つに従う干渉計。
  7. 【請求項7】 前記遷移周波数が約500Hzのオーダ
    ーである、請求項6に従う干渉計。
  8. 【請求項8】 前記出力信号が増幅のために前記光源
    (100)を通過し、前記干渉計は前記出力信号が前記
    光源(100)通過した後で前記出力信号を受けとるよ
    うに位置決めされた検出器(150)をさらに含む、前
    記の請求項のいずれか1つに従う干渉計。
  9. 【請求項9】 前記光源(100)がエルビウムドープ
    された光ファイバを含む、前記の請求項のいずれか1つ
    に従う干渉計。
  10. 【請求項10】 前記光源(100)がクラッディング
    を有する光ファイバを含む、前記請求項のいずれか1つ
    に従う干渉計。
  11. 【請求項11】 前記光源(100)がポンプ光を前記
    グラッディング内に導入するように結合された光ポンピ
    ング源(120)を含む、前記の請求項のいずれか1つ
    に従う、干渉計。
  12. 【請求項12】 前記光源(100)および前記ループ
    (142)の間に位置づけされる偏波器(160)をさ
    らに含み、前記源(100)からの入力光が前記偏波器
    (160)を介して通過しかつ前記ループ(142)か
    らの光出力もまた前記偏波器(160)を介して通過す
    るようにされている、前記の請求項のいずれか1つに従
    う干渉計。
  13. 【請求項13】 感知ループ(142)、前記感知ルー
    プ(142)に結合された光源(100)、変調器(1
    58)および検出器(150)を含む干渉計であって、 前記光源(100)は前記感知ループ(142)への入
    力のための入力光信号を生じかつ前記感知ループ(14
    2)から出力信号を受信し、前記出力光は前記光源(1
    00)によって増幅され、増幅された出力信号をそれが
    前記検出器(150)によって検出されるべく提供し、
    前記光源(100)は同時に前記入力光信号を前記感知
    ループ(142)へ入力しかつ前記感知ループ(14
    2)からの前記出力信号を増幅し、 前記変調器(158)は感知ループ(142)を介して
    伝播する光を変調し、前記変調器(158)は前記光源
    (100)において利得変調を抑圧する周波数で駆動さ
    れることを特徴とする干渉計。
  14. 【請求項14】 感知ループ(142)および検出器
    (150)を有する干渉計を製造する方法であって、 放出媒体を有する光源(100)を前記ループ(14
    2)へと結合するステップと、 前記ループ(142)からの出力信号が前記出力信号を
    増幅するために前記源(100)を介して通過するよう
    に前記感知ループ(142)および前記検出器(15
    0)の間に前記光源(100)を位置決めするステップ
    と、 前記出力信号が変調されるように変調器(158)を前
    記ループ(142)へと結合するステップと、 前記出力信号の反転変調に誘起された変調が実質的に解
    消されるように前記放出媒体の反転変調特性に関して十
    分にハイである周波数fm で前記変調器(158)を駆
    動するように発生器を結合するステップとを含む製造方
    法。
  15. 【請求項15】 前記変調器(158)が位相変調器を
    含み、fm =v/2Lであり、そこではvが感知ループ
    (142)を介して伝播する光の速度でありかつLが位
    相変調器および感知ループ(142)の第1の端縁、な
    らびに位相変調器および感知ループ(142)の第2の
    端縁の間で感知ループ(142)に沿って測定された差
    動距離である、請求項14に記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記光源(100)がエルビウムドー
    プされた光ファイバを含む、請求項14または15に記
    載の方法。
  17. 【請求項17】 感知の方法であって、 増幅された出力信号を与えるように干渉計からの出力信
    号を増幅するステップと、 前記増幅された出力信号を検出するステップと、 前記出力信号の前記増幅よりも前に前記出力信号が変調
    されるように前記干渉計において伝播する光を変調する
    ステップと、 前記増幅の間前記出力信号の反転変調に誘起された変調
    を避けるために十分にハイである前記変調のための周波
    数を利用するステップとを含む感知の方法。
  18. 【請求項18】 増幅のステップが放出媒体を含む光フ
    ァイバを介して前記出力信号を通過させるステップを含
    む、請求項17に記載の方法。
  19. 【請求項19】 放出媒体がエルビウムドープされたシ
    リカを含む、請求項17または18に記載の方法。
  20. 【請求項20】 感知の方法であって、 入力光信号を感知ループ(142)に入力するステップ
    と、 変調された出力信号を前記感知ループ(142)から出
    力するステップと前記入力光信号を前記感知ループ(1
    42)へと入力するステップと同時に前記出力信号を増
    幅するステップとを含み、前記増幅ステップは利得媒体
    を介して前記出力信号を通過させるステップを含み、 前記利得媒体において反転変調を抑圧するために前記変
    調の周波数を選択するステップと、 前記利得媒体による増幅の後前記出力信号を検出するス
    テップとをさらに含む感知の方法。
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