JPH057840B2 - - Google Patents
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- JPH057840B2 JPH057840B2 JP3768884A JP3768884A JPH057840B2 JP H057840 B2 JPH057840 B2 JP H057840B2 JP 3768884 A JP3768884 A JP 3768884A JP 3768884 A JP3768884 A JP 3768884A JP H057840 B2 JPH057840 B2 JP H057840B2
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- neutron beam
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- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、中性子線発生用ターゲツト装置お
よびその冷却方法に関するものである。
よびその冷却方法に関するものである。
通常、中性子線発生用ターゲツト（以下単にタ
ーゲツトという）は銅板やタンタル板の薄膜に弗
化リシウムを蒸着させたもの、またはチタンにト
リチウムや重水素を吸着させたものが用いられ、
このターゲツトの面に陽子や重陽子の粒子線を照
射し、核反応により中性子線を発生させる。
ーゲツトという）は銅板やタンタル板の薄膜に弗
化リシウムを蒸着させたもの、またはチタンにト
リチウムや重水素を吸着させたものが用いられ、
このターゲツトの面に陽子や重陽子の粒子線を照
射し、核反応により中性子線を発生させる。
従来、中性子線発生用ターゲツト装置には、タ
ーゲツトを固定する方法として、ステンレスのコ
ンフラツト型フランジを用いる方法、Ｏリングの
ゴム・ガスケツトを用いる方法、また、インヂウ
ムの溶接による方法などがあり、これらの手段に
よつて粒子線を導く真空用ダクト内の真空を保つ
構造であつた。
ーゲツトを固定する方法として、ステンレスのコ
ンフラツト型フランジを用いる方法、Ｏリングの
ゴム・ガスケツトを用いる方法、また、インヂウ
ムの溶接による方法などがあり、これらの手段に
よつて粒子線を導く真空用ダクト内の真空を保つ
構造であつた。
しかし、ステンレスのコンフラツト型フランジ
を用いる方法は、ターゲツトで発生した中性子線
の散乱に与える影響が大きいという問題点があつ
た。また、Ｏリングのゴム・ガスケツトを用いる
方法では、ターゲツトに吸着させたトリチウムが
ゴム内を容易に移動して、大気中に放出される危
険性はあるという欠点があつた。そして、使用温
度が低い（120℃以下）インヂウムの溶接による
方法は、ターゲツトにインヂウムが付着し交換が
非常に困難であり、かつ、溶接によるのでトリチ
ウムの汚染の危険があつた。
を用いる方法は、ターゲツトで発生した中性子線
の散乱に与える影響が大きいという問題点があつ
た。また、Ｏリングのゴム・ガスケツトを用いる
方法では、ターゲツトに吸着させたトリチウムが
ゴム内を容易に移動して、大気中に放出される危
険性はあるという欠点があつた。そして、使用温
度が低い（120℃以下）インヂウムの溶接による
方法は、ターゲツトにインヂウムが付着し交換が
非常に困難であり、かつ、溶接によるのでトリチ
ウムの汚染の危険があつた。
一方、ターゲツト温度はターゲツトに照射され
る粒子束密度、エネルギー、粒子の種類等によつ
て高温となり、ターゲツトを溶かす結果、真空ダ
クト内の真空が破られる危険があつた。
る粒子束密度、エネルギー、粒子の種類等によつ
て高温となり、ターゲツトを溶かす結果、真空ダ
クト内の真空が破られる危険があつた。
また、ターゲツトに照射した粒子密度を測定す
るために、ターゲツトは電気的に他の部品から絶
縁して使用しなければならない。従来、このター
ゲツトの冷却には圧縮空気をターゲツトに吹きつ
ける方法がとられていた。しかし、この方法は冷
却効率が悪く、陽子などの粒子束密度を多く照射
できないこと、圧縮空気のノズルがターゲツトの
前方にあるため、その散乱線が測定に影響を与え
る等の欠点があつた。
るために、ターゲツトは電気的に他の部品から絶
縁して使用しなければならない。従来、このター
ゲツトの冷却には圧縮空気をターゲツトに吹きつ
ける方法がとられていた。しかし、この方法は冷
却効率が悪く、陽子などの粒子束密度を多く照射
できないこと、圧縮空気のノズルがターゲツトの
前方にあるため、その散乱線が測定に影響を与え
る等の欠点があつた。
この発明は、上記の実情に鑑みなされたもの
で、ターゲツト・ホールダーの全部品にアルミニ
ウム材を使用し、絶縁性のよいガス状のフレオン
で冷却することにより、従来の中性子線発生用タ
ーゲツト装置における技術上の問題点をことごと
く解決し、高粒子束密度を照射しうるようにした
ものである。以下、この発明について実施例に基
づき説明する。
で、ターゲツト・ホールダーの全部品にアルミニ
ウム材を使用し、絶縁性のよいガス状のフレオン
で冷却することにより、従来の中性子線発生用タ
ーゲツト装置における技術上の問題点をことごと
く解決し、高粒子束密度を照射しうるようにした
ものである。以下、この発明について実施例に基
づき説明する。
第１図は、この発明の実施例の概略構成図であ
る。真空用ダクト１の先端にアルミニウム・フラ
ンジ４（以下単にフランジという）が溶接されて
いる。粒子線を照射して中性子線を発生させるタ
ーゲツト３をアルミニウム・ワイヤ・ガスケツト
２とフランジ４ではさみ、ボルト５で締め付け真
空用ダクト１内の真空を保たせる。ターゲツトの
冷却には絶縁性のよいフレオン・ガスを使用す
る。フレオン・ガスの冷却管６はフランジ４にビ
スどめされており、フレオン・ガスはフランジ４
の外周を冷却し冷凍機７にもどる。フレオン・ガ
ス冷却管６に一部絶縁物８（ゴム・ホース）を使
用するとともに、真空用ダクト１の途中に絶縁碍
子９を設けターゲツト２が電気的に他の部品から
絶縁された状態になる構造とする。
る。真空用ダクト１の先端にアルミニウム・フラ
ンジ４（以下単にフランジという）が溶接されて
いる。粒子線を照射して中性子線を発生させるタ
ーゲツト３をアルミニウム・ワイヤ・ガスケツト
２とフランジ４ではさみ、ボルト５で締め付け真
空用ダクト１内の真空を保たせる。ターゲツトの
冷却には絶縁性のよいフレオン・ガスを使用す
る。フレオン・ガスの冷却管６はフランジ４にビ
スどめされており、フレオン・ガスはフランジ４
の外周を冷却し冷凍機７にもどる。フレオン・ガ
ス冷却管６に一部絶縁物８（ゴム・ホース）を使
用するとともに、真空用ダクト１の途中に絶縁碍
子９を設けターゲツト２が電気的に他の部品から
絶縁された状態になる構造とする。
このように構成された中性子線発生用ターゲツ
ト装置は、全部品をアルミニウム材を使用するこ
とによつて、中性子線の散乱や吸収が著しく減少
し、かつ、熱伝導が良好なので、真空用ダクト１
の先端のフランジ４をフレオン・ガスで冷却する
と、熱伝導によつてアルミニウム・ワイヤ・ガス
ケツト２に伝わり、ターゲツト３を効率良く冷却
する。
ト装置は、全部品をアルミニウム材を使用するこ
とによつて、中性子線の散乱や吸収が著しく減少
し、かつ、熱伝導が良好なので、真空用ダクト１
の先端のフランジ４をフレオン・ガスで冷却する
と、熱伝導によつてアルミニウム・ワイヤ・ガス
ケツト２に伝わり、ターゲツト３を効率良く冷却
する。
ターゲツト３の温度は、照射される粒子の種
類、粒子束密度、エネルギー等が変化しても、フ
レオン・ガスの流量を制御することによつて、タ
ーゲツトの温度を一定に保つことができる。
類、粒子束密度、エネルギー等が変化しても、フ
レオン・ガスの流量を制御することによつて、タ
ーゲツトの温度を一定に保つことができる。
以上説明したように、この発明によれば中性子
線発生用ターゲツト装置にアルミニウム材のフラ
ンジとアルミニウム材のワイヤ・ガスケツトを用
いることにより、発生した中性子線の散乱や吸収
の影響を著しく減少させると共に、ターゲツトの
交換を容易に行うことができ、また、トリチウム
の大気への汚染の危険性を取り除き、ターゲツト
に照射された粒子束密度を正確に測定できる効果
が有る。
線発生用ターゲツト装置にアルミニウム材のフラ
ンジとアルミニウム材のワイヤ・ガスケツトを用
いることにより、発生した中性子線の散乱や吸収
の影響を著しく減少させると共に、ターゲツトの
交換を容易に行うことができ、また、トリチウム
の大気への汚染の危険性を取り除き、ターゲツト
に照射された粒子束密度を正確に測定できる効果
が有る。
さらに、照射した粒子線によるターゲツトの温
度上昇が引き起すターゲツトの溶解や、ターゲツ
トに蒸着されたリシウム（Li）、トリチウム
（Ｔ），重陽子（Ｄ）等の温度上昇にともなう損
傷、破壊等の事故を防止でき、高粒子束密度の照
射が可能である。
度上昇が引き起すターゲツトの溶解や、ターゲツ
トに蒸着されたリシウム（Li）、トリチウム
（Ｔ），重陽子（Ｄ）等の温度上昇にともなう損
傷、破壊等の事故を防止でき、高粒子束密度の照
射が可能である。
第１図は、この発明の中性子線発生用ターゲツ
ト装置の概略構成図である。 図中、１は真空用ダクト、２はワイヤ・ガスケ
ツト、３は中性子線発生用ターゲツト、４はフラ
ンジ、５はネジ、６は冷却管、７は冷凍機、８は
絶縁ゴムホース、９は絶縁碍子である。
ト装置の概略構成図である。 図中、１は真空用ダクト、２はワイヤ・ガスケ
ツト、３は中性子線発生用ターゲツト、４はフラ
ンジ、５はネジ、６は冷却管、７は冷凍機、８は
絶縁ゴムホース、９は絶縁碍子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 粒子線をターゲツトに照射し中性子線を発生
せしめる中性子線発生用ターゲツト装置におい
て、前記ターゲツトを固定するためのフランジ
と、ワイヤーガスケツトとがアルミニウム材から
成ることを特徴とする中性子線発生用ターゲツト
装置。 ２ 粒子線をターゲツトに照射し中性子線を発生
せしめる中性子線発生用ターゲツト装置におい
て、前記ターゲツトを固定するためのアルミニウ
ム・フランジの外周にフレオン・ガス冷却管を設
け、冷却されたガス状フレオンを用いて前記ター
ゲツトを冷却することを特徴とする中性子線発生
用ターゲツト装置の冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3768884A JPS60222000A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3768884A JPS60222000A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60222000A JPS60222000A (ja) | 1985-11-06 |
| JPH057840B2 true JPH057840B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12504510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3768884A Granted JPS60222000A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60222000A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013154177A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3768884A patent/JPS60222000A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60222000A (ja) | 1985-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |