JPS60222000A - 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 - Google Patents
中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法Info
- Publication number
- JPS60222000A JPS60222000A JP3768884A JP3768884A JPS60222000A JP S60222000 A JPS60222000 A JP S60222000A JP 3768884 A JP3768884 A JP 3768884A JP 3768884 A JP3768884 A JP 3768884A JP S60222000 A JPS60222000 A JP S60222000A
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- neutron beam
- flange
- neutron
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、中性子線発生用ターゲット装置およびその
冷却方法に関するものである。
冷却方法に関するものである。
通常、中性子線発生用ターゲット（以下単にターゲット
という）は銅板やタンタル板の薄膜に弗化リンラムを蒸
着させたもの、またはチタンにトリチウムや重水素を吸
着させたものが用いられ、このターゲットの面に陽子や
重陽子の粒子線を照射し、核反応によシ中性子絆を発生
させる。
という）は銅板やタンタル板の薄膜に弗化リンラムを蒸
着させたもの、またはチタンにトリチウムや重水素を吸
着させたものが用いられ、このターゲットの面に陽子や
重陽子の粒子線を照射し、核反応によシ中性子絆を発生
させる。
従来二中性子線発生用ターゲット装置には、ターゲット
を固定する方法として、ステンレスのコンフラツト型フ
ランジを用いる方法、０リングのゴム・ガスケットを用
いる方法、寸た、インヂウムの溶接による方法などがあ
り、これらの手段によって粒子線を導く真空用ダクト内
の真空を保つ構造であった。
を固定する方法として、ステンレスのコンフラツト型フ
ランジを用いる方法、０リングのゴム・ガスケットを用
いる方法、寸た、インヂウムの溶接による方法などがあ
り、これらの手段によって粒子線を導く真空用ダクト内
の真空を保つ構造であった。
しかＬ、ステンレス′のコンフラツ）・型フランジを用
いる方法は、ターゲソＦで発生した中性子線の散乱に与
える影響が大きいという問題点があった。また、０リン
グのゴム・ガスケットを用いる方法では、タープ７）に
吸着させたトリチウムがゴム内を容易に移動して、大気
中に放出される危険性があるという欠点があった０そし
て、使用温度が低い（１２０℃以下）インヂウムの溶接
による方法は、ターゲットにインヂウムが伺着し交換が
非常に困難であシ、かつ、溶接によるのでトリチウムの
汚染の危険があった。
いる方法は、ターゲソＦで発生した中性子線の散乱に与
える影響が大きいという問題点があった。また、０リン
グのゴム・ガスケットを用いる方法では、タープ７）に
吸着させたトリチウムがゴム内を容易に移動して、大気
中に放出される危険性があるという欠点があった０そし
て、使用温度が低い（１２０℃以下）インヂウムの溶接
による方法は、ターゲットにインヂウムが伺着し交換が
非常に困難であシ、かつ、溶接によるのでトリチウムの
汚染の危険があった。
一方、タープ７）温度はターゲットに照射される粒子束
密度、エネルギー、粒子の種類等によって高温となり、
ターゲットを溶かす結果、真空ダクト内の真空が破られ
る危険があった。
密度、エネルギー、粒子の種類等によって高温となり、
ターゲットを溶かす結果、真空ダクト内の真空が破られ
る危険があった。
また、ターゲットに照射した粒子密度を測定するために
、ターゲットは電気的に他の部品から絶縁して使用しな
りればならない。従来、このターゲットの冷却には圧縮
空気をターゲットに吹きつける方法がとられていた。し
かし、この方法は冷却効率が悪く、陽子々どの粒子束密
度を多く照射できないこと、圧縮空気のノズルがタープ
７）の前方にあるため、その散乱線が測定に影響を与え
る等の欠点があった。
、ターゲットは電気的に他の部品から絶縁して使用しな
りればならない。従来、このターゲットの冷却には圧縮
空気をターゲットに吹きつける方法がとられていた。し
かし、この方法は冷却効率が悪く、陽子々どの粒子束密
度を多く照射できないこと、圧縮空気のノズルがタープ
７）の前方にあるため、その散乱線が測定に影響を与え
る等の欠点があった。
この発明は、上記の実情に鑑みなされたもので、ターゲ
ット・ホールダーの全部品にアルミニウム材を使用し、
絶縁性のよいガス状のフレオンで冷却することにより、
従来の中性子線発生用ターゲット装置における技術上の
問題点をことことく解決し、高粒子束密度を照射しうる
ようにしたものである。以下、この発明について実施例
に基づき説明する。
ット・ホールダーの全部品にアルミニウム材を使用し、
絶縁性のよいガス状のフレオンで冷却することにより、
従来の中性子線発生用ターゲット装置における技術上の
問題点をことことく解決し、高粒子束密度を照射しうる
ようにしたものである。以下、この発明について実施例
に基づき説明する。
第１図は、この発明の実施例の概略構成図である。真空
用ダクト１の先端にアルミニウム・フランジ４（以下単
にフランジという）が溶接されている。粒子線を照射し
て中性子線を発生させるターゲット３をアルミニウム・
ワイヤ・ガスケット２とフランジ４ではさみ、ボルト５
で締め付は真空用ダクト１内の真空を保たせる。
用ダクト１の先端にアルミニウム・フランジ４（以下単
にフランジという）が溶接されている。粒子線を照射し
て中性子線を発生させるターゲット３をアルミニウム・
ワイヤ・ガスケット２とフランジ４ではさみ、ボルト５
で締め付は真空用ダクト１内の真空を保たせる。
ターゲットの冷却には絶縁性のよい７レオン・ガスを使
用する。フレオン・ガスの冷却管６はフランジ４にビス
どめされておシ、フレオン・ガスはフランジ４の外周を
冷却し冷凍機７にもどる。フレオン・ガス冷却管６に一
部絶縁物８（ゴム・ホース）を使用するとともに、真空
用ダクト１の途中に絶縁碍子９を設はターゲット２が電
気的に他の部品から絶縁された状態になる構造とする。
用する。フレオン・ガスの冷却管６はフランジ４にビス
どめされておシ、フレオン・ガスはフランジ４の外周を
冷却し冷凍機７にもどる。フレオン・ガス冷却管６に一
部絶縁物８（ゴム・ホース）を使用するとともに、真空
用ダクト１の途中に絶縁碍子９を設はターゲット２が電
気的に他の部品から絶縁された状態になる構造とする。
このように措成された中性子線発生用ターゲット装置は
、全部品をアルミニウム材を使用することによって、中
性子線の散乱や級数が著しく減少Ｌ−１かつ、熱伝導が
良好なので、真空用ダクト１の先端のフランジ４をフレ
オン・ガスで冷却すると、熱伝導によってアルミニウム
・ワイヤ・ガスケット２を伝わり、ターゲット３を効′
率良く冷却する。
、全部品をアルミニウム材を使用することによって、中
性子線の散乱や級数が著しく減少Ｌ−１かつ、熱伝導が
良好なので、真空用ダクト１の先端のフランジ４をフレ
オン・ガスで冷却すると、熱伝導によってアルミニウム
・ワイヤ・ガスケット２を伝わり、ターゲット３を効′
率良く冷却する。
ターゲット３の温度は、照射される粒子の種類、粒子束
密度、エネルギー等が変化しても、フレオン・カスの流
量を制御することによって、ターゲットの温度を一定に
保つことができる。
密度、エネルギー等が変化しても、フレオン・カスの流
量を制御することによって、ターゲットの温度を一定に
保つことができる。
以上説明したように、この発明によれば中性子線発生用
ターゲット装置にアルミニウム劇のフランジとアルミニ
ウム劇のワイヤ・ガスケットを用いることにより、発生
した中性子線の散乱や吸収の影響を著しく減少させると
共に、ターゲットの交換を容易に行うことができ、オだ
、トリチウムの大気への汚染の危険性を取り除き、ター
ゲットに照射された粒子束密度を正確に測定できる効果
が有る。
ターゲット装置にアルミニウム劇のフランジとアルミニ
ウム劇のワイヤ・ガスケットを用いることにより、発生
した中性子線の散乱や吸収の影響を著しく減少させると
共に、ターゲットの交換を容易に行うことができ、オだ
、トリチウムの大気への汚染の危険性を取り除き、ター
ゲットに照射された粒子束密度を正確に測定できる効果
が有る。
さらに、照射した粒子線によるターゲットの温度上昇が
引き起すターゲットの溶解や、ターゲットに蒸着された
リジウム（Ｌｉ）、トリチウム（Ｔ）、重陽子（Ｄ）等
の温度上昇にともなう損傷、破壊等の事故を防止でき、
高粒子束密度の照射が可能である。
引き起すターゲットの溶解や、ターゲットに蒸着された
リジウム（Ｌｉ）、トリチウム（Ｔ）、重陽子（Ｄ）等
の温度上昇にともなう損傷、破壊等の事故を防止でき、
高粒子束密度の照射が可能である。
ト装置の概略構成図である。
図中、１は真空用ダクト、２はワイヤ・刀ス榛
ケラト、３は中性セ葵生用ターゲット、４はフランジ、
５はネジ、６は冷却管、７は冷凍機、８は絶縁ゴムホー
ス、９は絶縁碍子である。
５はネジ、６は冷却管、７は冷凍機、８は絶縁ゴムホー
ス、９は絶縁碍子である。
第１図
手 続 補 正 書軸発）
昭和３９年 ７２月ノ３ 日
特許庁 志賀 学 殿 Ｊ林
ｌ事件の表示
昭和５９年特許願第３７乙ざざ号
２発明の名称
中性子線発生用ターゲット装置およびその冷却方法３補
正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代Ｕ１区霞が関１丁目３番１号＋＋４Ｉ 業
技 術 院 長 等々力 達４指定代理人 願書の右上に「（特許法第、３ ｆ条ただし書の規定に
よる特許出願）」の記載を記入、同願書の「１発明の名
称」の次の項に「１′特許請求の範囲に記載された発明
の数２」の記載を挿入する。
正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代Ｕ１区霞が関１丁目３番１号＋＋４Ｉ 業
技 術 院 長 等々力 達４指定代理人 願書の右上に「（特許法第、３ ｆ条ただし書の規定に
よる特許出願）」の記載を記入、同願書の「１発明の名
称」の次の項に「１′特許請求の範囲に記載された発明
の数２」の記載を挿入する。
Claims (1)
- （１）粒子線をターゲットに照射し中性子線を発生せし
める中性子線発生用ターゲット装置において、前記ター
ゲットを固定するだめのフランジと、ワイヤーガスケッ
トとがアルミニウム材から成ることを特徴とする中性子
線発４ 牛用ターゲット装置。 （２ン 粒子線をターゲ７）に照射し中性子線を発生せ
しめる中性子線発生用ターゲノ）装置において、前記タ
ーゲットを固定するだめのアルミニウム・フランジの外
周にフレオン・ガス冷却管を設け、冷却されたガス状フ
レオンを用いて前記ターゲットを冷却することを特徴と
する中性子線発生用クーケラト装置の冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3768884A JPS60222000A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3768884A JPS60222000A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60222000A true JPS60222000A (ja) | 1985-11-06 |
| JPH057840B2 JPH057840B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12504510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3768884A Granted JPS60222000A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 中性子線発生用タ−ゲツト装置およびその冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60222000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013154177A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3768884A patent/JPS60222000A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013154177A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
| JPWO2013154177A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2015-12-17 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057840B2 (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |