JPH0575373A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPH0575373A JPH0575373A JP25711791A JP25711791A JPH0575373A JP H0575373 A JPH0575373 A JP H0575373A JP 25711791 A JP25711791 A JP 25711791A JP 25711791 A JP25711791 A JP 25711791A JP H0575373 A JPH0575373 A JP H0575373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- surface acoustic
- acoustic wave
- piezoelectric
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い音速を維持しつつ且つ圧電体膜の膜厚の
変動に基づく周波数の変動を抑制することができる表面
弾性波素子を提供する。 【構成】 基板上に、ダイヤモンド状層、圧電体層及び
電極を備えた表面弾性波素子において、上記圧電体層の
厚さが電極間距離により定まる波長の１／２以下の厚さ
を有し且つ上記ダイヤモンド状層が８５００ｍ／ｓ以下
の音速を有するダイヤモンド状材料から構成されている
ことを特徴とする上記表面弾性波素子
変動に基づく周波数の変動を抑制することができる表面
弾性波素子を提供する。 【構成】 基板上に、ダイヤモンド状層、圧電体層及び
電極を備えた表面弾性波素子において、上記圧電体層の
厚さが電極間距離により定まる波長の１／２以下の厚さ
を有し且つ上記ダイヤモンド状層が８５００ｍ／ｓ以下
の音速を有するダイヤモンド状材料から構成されている
ことを特徴とする上記表面弾性波素子
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド状炭素膜
層を圧電体層と組み合わせて備える表面弾性波素子に関
し、更に詳細には、高音速を確保し且つ製造時における
圧電体の膜厚変動による製品間の周波数特性のばらつき
が少ない、ダイヤモンド状炭素膜層を圧電体層と組み合
わせて備える表面弾性波素子に関する。
層を圧電体層と組み合わせて備える表面弾性波素子に関
し、更に詳細には、高音速を確保し且つ製造時における
圧電体の膜厚変動による製品間の周波数特性のばらつき
が少ない、ダイヤモンド状炭素膜層を圧電体層と組み合
わせて備える表面弾性波素子に関する。
【０００２】
【従来技術及び発明が解決しようとする課題】物質の表
面近傍を伝搬する表面弾性波（ＳＡＷ）を利用したフィ
ルタがＴＶ・ＶＴＲ用の中間周波フィルタとして実用化
されている。最近、自動車電話／携帯電話といった移動
体通信用のフィルタへの応用が検討されている。移動体
通信には、通常、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数が利用
され、それに従い高周波のＳＡＷフィルタが要求され
る。
面近傍を伝搬する表面弾性波（ＳＡＷ）を利用したフィ
ルタがＴＶ・ＶＴＲ用の中間周波フィルタとして実用化
されている。最近、自動車電話／携帯電話といった移動
体通信用のフィルタへの応用が検討されている。移動体
通信には、通常、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数が利用
され、それに従い高周波のＳＡＷフィルタが要求され
る。
【０００３】ＳＡＷフィルタの動作周波数ｆは、使用す
る基板の音速をυ、基板上に形成する電極パターンの同
極性電極指ピッチ（波長）をλとすると、おおむねｆ＝
υ／λとなる。従って高周波化するにはλを小さくする
か、υを大きくすることが必要である。λを小さくする
には、電極パターンの微細加工が必要になり、これには
加工技術の限界がある。一方、υを大きくするには、ダ
イヤモンドのような高音速基板を使うことが考えられる
が、ダイヤモンド自体は圧電性がないので、さらにダイ
ヤモンド層上に圧電膜を形成することが必要となる。こ
のようなダイヤモンド薄膜を基板と圧電体膜間に形成し
たＳＡＷフィルタがいくつか知られている。
る基板の音速をυ、基板上に形成する電極パターンの同
極性電極指ピッチ（波長）をλとすると、おおむねｆ＝
υ／λとなる。従って高周波化するにはλを小さくする
か、υを大きくすることが必要である。λを小さくする
には、電極パターンの微細加工が必要になり、これには
加工技術の限界がある。一方、υを大きくするには、ダ
イヤモンドのような高音速基板を使うことが考えられる
が、ダイヤモンド自体は圧電性がないので、さらにダイ
ヤモンド層上に圧電膜を形成することが必要となる。こ
のようなダイヤモンド薄膜を基板と圧電体膜間に形成し
たＳＡＷフィルタがいくつか知られている。
【０００４】昭和６３年３月１５日に出願された特開平
１−２３３８１９号及び昭和６３年９月１日に出願され
た特開昭２−２０９１０号には、単結晶半導体基板上
に、ダイヤモンド結晶薄膜及び窒化アルミニウム薄膜を
順次形成した三層複合構造弾性表面波素子が開示されて
おり、同一出願人により昭和６３年１１月１８日に出願
された特開昭２−１３７４１３号には、誘電体薄膜及び
圧電体薄膜が形成されたダイヤモンド単結晶を基板に埋
め込んだ弾性表面波デバイスの製造方法が記載されてい
る。これらの出願はいずれも単結晶等の結晶体ダイヤモ
ンドを対象としている。
１−２３３８１９号及び昭和６３年９月１日に出願され
た特開昭２−２０９１０号には、単結晶半導体基板上
に、ダイヤモンド結晶薄膜及び窒化アルミニウム薄膜を
順次形成した三層複合構造弾性表面波素子が開示されて
おり、同一出願人により昭和６３年１１月１８日に出願
された特開昭２−１３７４１３号には、誘電体薄膜及び
圧電体薄膜が形成されたダイヤモンド単結晶を基板に埋
め込んだ弾性表面波デバイスの製造方法が記載されてい
る。これらの出願はいずれも単結晶等の結晶体ダイヤモ
ンドを対象としている。
【０００５】昭和６２年７月１６日に出願された特開昭
６４−２０７１４号は、基板上にダイヤモンド薄膜、イ
ンタデジタルトランスデューサー及び圧電体膜とを組み
合わせて備えた表面波装置を開示している。この出願に
おいて、ダイヤモンド薄膜は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法で形成され
ることが記載されている。この技術で開示されたダイヤ
モンド状膜の音速は約１２０００ｍ／ｓであることが記
載されている。
６４−２０７１４号は、基板上にダイヤモンド薄膜、イ
ンタデジタルトランスデューサー及び圧電体膜とを組み
合わせて備えた表面波装置を開示している。この出願に
おいて、ダイヤモンド薄膜は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法で形成され
ることが記載されている。この技術で開示されたダイヤ
モンド状膜の音速は約１２０００ｍ／ｓであることが記
載されている。
【０００６】昭和６２年９月３日に出願された特開昭６
４−６２９１１号は、単結晶または多結晶ダイヤモンド
層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素子を開示
しており、同一出願人により昭和６２年１０月１６日に
出願された特開平１−１０３３１０号は、ダイヤモンド
状炭素膜層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素
子を開示している。しかしながら、かかるダイヤモンド
状炭素膜層の物性及び作成条件は何ら特定されていな
い。
４−６２９１１号は、単結晶または多結晶ダイヤモンド
層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素子を開示
しており、同一出願人により昭和６２年１０月１６日に
出願された特開平１−１０３３１０号は、ダイヤモンド
状炭素膜層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素
子を開示している。しかしながら、かかるダイヤモンド
状炭素膜層の物性及び作成条件は何ら特定されていな
い。
【０００７】また、平成１年３月１４日に特許出願され
た特開平２−２３９７１５号には、ダイヤモンド基板上
に圧電体薄膜が形成された弾性表面波基板が開示されて
おり、ダイヤモンドとして人工及び天然ダイヤモンドを
対象としているが、圧電体の膜厚、ダイヤモンドの物性
に関して何ら記載されていない。
た特開平２−２３９７１５号には、ダイヤモンド基板上
に圧電体薄膜が形成された弾性表面波基板が開示されて
おり、ダイヤモンドとして人工及び天然ダイヤモンドを
対象としているが、圧電体の膜厚、ダイヤモンドの物性
に関して何ら記載されていない。
【０００８】しかしながら、上記のダイヤモンド単結晶
や音速の比較的高いダイヤモンド状炭素膜をそれらの半
分程度の音速を持つ圧電層を組み合わせると、圧電体膜
の膜厚の変動に伴って音速の変化の割合も大きくなると
いう問題があった。すなわち、圧電体膜をＣＶＤ法等を
用いてダイヤモンド薄膜上に形成すると、得られた圧電
体の膜厚にばらつきが生じ、それによってかかる圧電体
層を用いた素子の周波数特性が製品間で大きく異なって
くるという深刻な問題があった。図１は、基板上にダイ
ヤモンド単結晶膜またはダイヤモンド状炭素膜及びＡｌ
Ｎ圧電体を順次形成した表面弾性波素子について、圧電
体膜の膜厚を表す因子ｋＨ（ｋは波数で２π／λ、Ｈは
圧電体の膜厚）に対する音速の関係を示すグラフであ
る。図中、縦軸は音速、横軸は規格された膜厚ｋＨをそ
れぞれ示し、ダイヤモンド単結晶を用いた場合及び表面
弾性波音速が約８０００ｍ／ｓのダイヤモンド状炭素膜
を用いた場合の音速特性曲線を示す。このグラフから、
ダイヤモンド状単結晶膜を用いると、ダイヤモンド状炭
素膜を用いた場合に比べて、音速の絶対値自体は高いが
圧電体の膜厚がわずかに変動するとこの素子から得られ
る音速も一層大きく変動することがわかる。また、圧電
体の膜厚が薄くなる程、膜厚の変動に対する音速の変動
も大きくなることがわかる。一方で、ｋＨがあまり大き
くなると音波は圧電体層を伝搬するようになるために音
速の低い表面弾性波素子しか得られない。
や音速の比較的高いダイヤモンド状炭素膜をそれらの半
分程度の音速を持つ圧電層を組み合わせると、圧電体膜
の膜厚の変動に伴って音速の変化の割合も大きくなると
いう問題があった。すなわち、圧電体膜をＣＶＤ法等を
用いてダイヤモンド薄膜上に形成すると、得られた圧電
体の膜厚にばらつきが生じ、それによってかかる圧電体
層を用いた素子の周波数特性が製品間で大きく異なって
くるという深刻な問題があった。図１は、基板上にダイ
ヤモンド単結晶膜またはダイヤモンド状炭素膜及びＡｌ
Ｎ圧電体を順次形成した表面弾性波素子について、圧電
体膜の膜厚を表す因子ｋＨ（ｋは波数で２π／λ、Ｈは
圧電体の膜厚）に対する音速の関係を示すグラフであ
る。図中、縦軸は音速、横軸は規格された膜厚ｋＨをそ
れぞれ示し、ダイヤモンド単結晶を用いた場合及び表面
弾性波音速が約８０００ｍ／ｓのダイヤモンド状炭素膜
を用いた場合の音速特性曲線を示す。このグラフから、
ダイヤモンド状単結晶膜を用いると、ダイヤモンド状炭
素膜を用いた場合に比べて、音速の絶対値自体は高いが
圧電体の膜厚がわずかに変動するとこの素子から得られ
る音速も一層大きく変動することがわかる。また、圧電
体の膜厚が薄くなる程、膜厚の変動に対する音速の変動
も大きくなることがわかる。一方で、ｋＨがあまり大き
くなると音波は圧電体層を伝搬するようになるために音
速の低い表面弾性波素子しか得られない。
【０００９】従って、本発明の目的は、高音速を維持し
つつ且つ製造時の圧電体膜の膜厚の変動に基づく製品間
の周波数特性の変動を低減することができる表面弾性波
素子を提供することにある。
つつ且つ製造時の圧電体膜の膜厚の変動に基づく製品間
の周波数特性の変動を低減することができる表面弾性波
素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記従来技術
の欠点を解消すべく鋭意検討、研究を重ねた結果、図１
に示した試験結果に基づいて、表面弾性波素子の圧電体
膜の膜厚を調整し且つ所定の音速を有するダイヤモンド
状炭素膜を用いることによって、製造時の圧電体膜の膜
厚の変動に基づく周波数変動を抑制することができ且つ
比較的高周波数を得ることができること見出した。
の欠点を解消すべく鋭意検討、研究を重ねた結果、図１
に示した試験結果に基づいて、表面弾性波素子の圧電体
膜の膜厚を調整し且つ所定の音速を有するダイヤモンド
状炭素膜を用いることによって、製造時の圧電体膜の膜
厚の変動に基づく周波数変動を抑制することができ且つ
比較的高周波数を得ることができること見出した。
【００１１】すなわち、本発明は、基板上に、ダイヤモ
ンド状炭素膜層、圧電体層及び電極を備えた表面弾性波
素子において、上記圧電体層の厚さが上記電極の同極性
電極指間隔で定まる波長の１／２以下の厚さを有し且つ
上記ダイヤモンド状層が８５００ｍ／ｓ以下の表面弾性
波音速を有するダイヤモンド状炭素膜材料から構成され
ていることを特徴とする上記表面弾性波素子を提供する
ものである。
ンド状炭素膜層、圧電体層及び電極を備えた表面弾性波
素子において、上記圧電体層の厚さが上記電極の同極性
電極指間隔で定まる波長の１／２以下の厚さを有し且つ
上記ダイヤモンド状層が８５００ｍ／ｓ以下の表面弾性
波音速を有するダイヤモンド状炭素膜材料から構成され
ていることを特徴とする上記表面弾性波素子を提供する
ものである。
【００１２】また、本発明は、基板上に、ダイヤモンド
状炭素膜層、圧電体層及び電極を備えた表面弾性波素子
において、上記圧電体層の厚さが上記電極の同極性電極
指間隔で定まる波長の１／２以下の厚さを有し、上記ダ
イヤモンド状炭素膜層が上記波長の１．５倍以上の厚さ
及び８５００ｍ／ｓ以下の表面弾性波音速を有するダイ
ヤモンド状炭素膜材料から構成されていることを特徴と
する上記表面弾性波素子を提供するものである。
状炭素膜層、圧電体層及び電極を備えた表面弾性波素子
において、上記圧電体層の厚さが上記電極の同極性電極
指間隔で定まる波長の１／２以下の厚さを有し、上記ダ
イヤモンド状炭素膜層が上記波長の１．５倍以上の厚さ
及び８５００ｍ／ｓ以下の表面弾性波音速を有するダイ
ヤモンド状炭素膜材料から構成されていることを特徴と
する上記表面弾性波素子を提供するものである。
【００１３】本発明に従えば、本発明の表面弾性波素子
で用いる圧電体の膜厚は、電極間距離で定まる波長の１
／２以下である必要がある。圧電体の膜厚がくし型電極
の波長の１／２を超えると、図１からもわかるようにか
かる圧電体から構成した素子の周波数が低下するために
好ましくない。
で用いる圧電体の膜厚は、電極間距離で定まる波長の１
／２以下である必要がある。圧電体の膜厚がくし型電極
の波長の１／２を超えると、図１からもわかるようにか
かる圧電体から構成した素子の周波数が低下するために
好ましくない。
【００１４】本発明で用いる圧電体材料としては、Ｚｎ
Ｏ、ＡｌＮ，ＺｎＳ，ＬｉＮｂＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 等が挙
げられるが、特にそれらに制限されない。ＡｌＮはＺｎ
Ｏよりも音速を向上出来るため有利である。これらの圧
電材料は、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等の種々
の方法により形成できる。これらの圧電体膜は一般には
ダイヤモンド状炭素膜層上に形成されるが、成膜時の基
板温度を高くするのが好ましい。また、上記のような圧
電体層の膜厚を調整することは、スッパタリングの時間
等の条件を適宜調節することによりなし得る。
Ｏ、ＡｌＮ，ＺｎＳ，ＬｉＮｂＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 等が挙
げられるが、特にそれらに制限されない。ＡｌＮはＺｎ
Ｏよりも音速を向上出来るため有利である。これらの圧
電材料は、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等の種々
の方法により形成できる。これらの圧電体膜は一般には
ダイヤモンド状炭素膜層上に形成されるが、成膜時の基
板温度を高くするのが好ましい。また、上記のような圧
電体層の膜厚を調整することは、スッパタリングの時間
等の条件を適宜調節することによりなし得る。
【００１５】本発明に従えば、本発明の表面弾性波素子
は基板と圧電体層との間にダイヤモンド状炭素膜層が提
供され、かかるダイヤモンド状炭素膜層の表面弾性波音
速は８５００ｍ／ｓ以下である必要がある。図１に示す
ようにダイヤモンド単結晶では圧電体膜の厚さの変化に
よる周波数の変動（図中の曲線の傾斜）が極めて高いた
めに、本発明では適当ではない。ダイヤモンド状炭素膜
であっても、圧電体膜の厚さの変化による周波数の変動
を低減することと一定の高音速を確保することとのバラ
ンスから、その表面弾性波音速が８５００ｍ／ｓ以下で
あるダイヤモンド状炭素膜が要求される。
は基板と圧電体層との間にダイヤモンド状炭素膜層が提
供され、かかるダイヤモンド状炭素膜層の表面弾性波音
速は８５００ｍ／ｓ以下である必要がある。図１に示す
ようにダイヤモンド単結晶では圧電体膜の厚さの変化に
よる周波数の変動（図中の曲線の傾斜）が極めて高いた
めに、本発明では適当ではない。ダイヤモンド状炭素膜
であっても、圧電体膜の厚さの変化による周波数の変動
を低減することと一定の高音速を確保することとのバラ
ンスから、その表面弾性波音速が８５００ｍ／ｓ以下で
あるダイヤモンド状炭素膜が要求される。
【００１６】本発明に用いるダイヤモンド状炭素膜層
は、種々の方法で形成できるが、特に、平滑度の高いダ
イヤモンド状炭素膜層が得られるという理由でイオン化
蒸着法が好ましい。ダイヤモンド状層の膜厚が余り薄い
と下地である基板により音速に悪影響を及ぼされるため
に、電極の電極間距離により定まる波長の１．５倍以上
の膜厚が好ましい。基板上に音速が８５００ｍ／ｓ以下
のダイヤモンド状炭素膜層を形成するには、例えば、特
開平第１−２３４３９６号、同第１−２３４３９７号、
同２−１９６０９５号等に記載されたイオン化蒸着装置
を用いて形成することができる。
は、種々の方法で形成できるが、特に、平滑度の高いダ
イヤモンド状炭素膜層が得られるという理由でイオン化
蒸着法が好ましい。ダイヤモンド状層の膜厚が余り薄い
と下地である基板により音速に悪影響を及ぼされるため
に、電極の電極間距離により定まる波長の１．５倍以上
の膜厚が好ましい。基板上に音速が８５００ｍ／ｓ以下
のダイヤモンド状炭素膜層を形成するには、例えば、特
開平第１−２３４３９６号、同第１−２３４３９７号、
同２−１９６０９５号等に記載されたイオン化蒸着装置
を用いて形成することができる。
【００１７】上記のようなダイヤモンド状炭素膜層を形
成する基板材料は特に制限されず、アルミナ、ＳｉＣ、
Ｓｉ3 Ｎ4 等のセラミックス、Ｍｏ、Ｗ等の金属、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも一種を含む合金及びガラ
ス、Ｓｉ等の種々の材料を用いることができる。
成する基板材料は特に制限されず、アルミナ、ＳｉＣ、
Ｓｉ3 Ｎ4 等のセラミックス、Ｍｏ、Ｗ等の金属、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも一種を含む合金及びガラ
ス、Ｓｉ等の種々の材料を用いることができる。
【００１８】本発明に用いる電極層は、アルミニウム、
金等の金属が用いられる。電極層の形成は、フォトリソ
グラフィーが好適である。電極層の形成位置は、特に限
定されず、圧電体層上、ダイヤモンド状層上のいずれで
もかまわず、電極の形状はくし型が一般的である。ま
た、対向電極の有無及び位置も特に制限されない。
金等の金属が用いられる。電極層の形成は、フォトリソ
グラフィーが好適である。電極層の形成位置は、特に限
定されず、圧電体層上、ダイヤモンド状層上のいずれで
もかまわず、電極の形状はくし型が一般的である。ま
た、対向電極の有無及び位置も特に制限されない。
【００１９】
【実施例】イオン化蒸着装置によりＳｉ基板上にダイヤ
モンド状炭素膜を形成した。イオン化蒸着装置は、前記
の特開平第１−２３４３９６号、同第１−２３４３９７
号、同第２−１９６０９５号に示されているような装置
を用い、グリッド電圧Ｖａ及びフィラメント電圧Ｖｄを
適宜調節することによって、それぞれ、表面波音速が８
０００ｍ／秒及び６０００ｍ／秒を有するダイヤモンド
状炭素膜を基板上に形成した。Ｖa 、Ｖｄ及び得られた
ダイヤモンド状炭素膜の表面波音速の関係を表１に示
す。
モンド状炭素膜を形成した。イオン化蒸着装置は、前記
の特開平第１−２３４３９６号、同第１−２３４３９７
号、同第２−１９６０９５号に示されているような装置
を用い、グリッド電圧Ｖａ及びフィラメント電圧Ｖｄを
適宜調節することによって、それぞれ、表面波音速が８
０００ｍ／秒及び６０００ｍ／秒を有するダイヤモンド
状炭素膜を基板上に形成した。Ｖa 、Ｖｄ及び得られた
ダイヤモンド状炭素膜の表面波音速の関係を表１に示
す。
【００２０】
【表１】 実験No. Ｖa （Ｖ） Ｖｄ（Ｖ） 表面波音速（ｍ／秒） （ｋＨ→０） １ −９００ −３０ ８０００ ２ −７００ −２０ ６０００
【００２１】また、上記のように形成されたダイヤモン
ド状炭素膜上に、圧電膜としてＡｌＮをスパッタ法によ
り種々の膜厚で形成した。例えば、ｋＨ＝０．５の場合
の表面弾性波音速とそのｋＨに対する変化率を表２に示
す。
ド状炭素膜上に、圧電膜としてＡｌＮをスパッタ法によ
り種々の膜厚で形成した。例えば、ｋＨ＝０．５の場合
の表面弾性波音速とそのｋＨに対する変化率を表２に示
す。
【００２２】
【表２】 υ0.5 (m/s) （Δυ／Δ（ｋＨ））／υ0.5 単結晶ダイヤモンド ９５４０ １５．２％ ダイヤモンド状炭素膜 ７６９０ ６．８％ 表２より、ダイヤモンド状炭素膜を用いると、音速では
従来のＬｉＮｂＯ3 の約２倍になり、一方で、表面波音
速のｋＨに対する変化率から判断すると、表面弾性波素
子を量産した場合に、音速特性及びそれに比例する周波
数特性の製品間のバラツキが単結晶ダイヤモンドを用い
た場合に比べて半分以下になることがわかる。
従来のＬｉＮｂＯ3 の約２倍になり、一方で、表面波音
速のｋＨに対する変化率から判断すると、表面弾性波素
子を量産した場合に、音速特性及びそれに比例する周波
数特性の製品間のバラツキが単結晶ダイヤモンドを用い
た場合に比べて半分以下になることがわかる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の表面弾性波素子によれば、従来
知られているＬｉＮｂＯ3 等の単結晶基板に比べて高周
波数のＳＡＷフィルターが得られ、また圧電体の膜厚変
動による表面弾性波素子の周波数の変動が少ない。
知られているＬｉＮｂＯ3 等の単結晶基板に比べて高周
波数のＳＡＷフィルターが得られ、また圧電体の膜厚変
動による表面弾性波素子の周波数の変動が少ない。
【図１】基板と圧電体間にダイヤモンド薄膜を有する表
面弾性波素子において、圧電体の膜厚の変化に対する素
子の音速の変化の割合を示すグラフである。
面弾性波素子において、圧電体の膜厚の変化に対する素
子の音速の変化の割合を示すグラフである。
１：基板上にダイヤモンド単結晶層及びＡｌＮ圧電体層
を順次形成した表面弾性波素子の音速特性 ２：基板上にダイヤモンド状炭素膜層及びＡｌＮ圧電体
層を順次形成した表面弾性波素子の音速特性
を順次形成した表面弾性波素子の音速特性 ２：基板上にダイヤモンド状炭素膜層及びＡｌＮ圧電体
層を順次形成した表面弾性波素子の音速特性
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、ダイヤモンド状炭素膜層、圧
電体層及び電極を備えた表面弾性波素子において、 上記圧電体層の厚さが上記電極の同極性電極指間隔で定
まる波長の１／２以下の厚さを有し且つ上記ダイヤモン
ド状層が８５００ｍ／ｓ以下の表面弾性波音速を有する
ダイヤモンド状炭素膜材料から構成されていることを特
徴とする上記表面弾性波素子。 - 【請求項２】 基板上に、ダイヤモンド状炭素膜層、圧
電体層及び電極を備えた表面弾性波素子において、 上記圧電体層の厚さが上記電極の同極性電極指間隔で定
まる波長の１／２以下の厚さを有し、上記ダイヤモンド
状炭素膜層が上記波長の１．５倍以上の厚さ及び８５０
０ｍ／ｓ以下の表面弾性波音速を有するダイヤモンド状
炭素膜材料から構成されていることを特徴とする上記表
面弾性波素子。 - 【請求項３】 上記圧電体層がＡｌＮからなる請求項１
または２の表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25711791A JPH0575373A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25711791A JPH0575373A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575373A true JPH0575373A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17301972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25711791A Withdrawn JPH0575373A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020120191A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP25711791A patent/JPH0575373A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020120191A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
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