JPH0575192A - Semiconductor laser drive circuit - Google Patents

Semiconductor laser drive circuit

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JPH0575192A
JPH0575192A JP3258676A JP25867691A JPH0575192A JP H0575192 A JPH0575192 A JP H0575192A JP 3258676 A JP3258676 A JP 3258676A JP 25867691 A JP25867691 A JP 25867691A JP H0575192 A JPH0575192 A JP H0575192A
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JP
Japan
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current
semiconductor laser
constant
circuit
light
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JP3258676A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaki Sakata
正樹 坂田
Natsuhiro Gotou
夏弘 後藤
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation

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Abstract

PURPOSE:To prevent an increase in noise so as to make no continuous light emission even during a change in environment temperature by electrifying a semiconductor laser device always with a constant dc current of less than an emission start current and by adjusting the amplitude of high frequency current superposed on it according to changes in temperature to control emission power at a constant level. CONSTITUTION:A high frequency current superposition circuit 4 superposes high frequency current pulses on electrification current II of a semiconductor laser 1. This process allows the semiconductor laser 1 to emit light, a photodetector 5 to detect emitted light amount, an I-V conversion circuit 6 to produce voltage signals, a deviation detection circuit 7 to output deviation signal S1, and a high frequency current superposition circuit 4 to control the amplitude of high frequency current according to the deviation signal S1 and to keep emitted light average power constant even during a change in environment temperature. In such a way, the semiconductor laser 1 is energized always with a constant dc current i1 which does not exceed an emission start current even during a change in environment temperature; therefore, an increase in noise is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、特に光ディスク装置に
好適な半導体レーザ駆動回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser drive circuit particularly suitable for an optical disk device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、光ディスク装置では、半導体レ
ーザ素子(以下、単に半導体レーザという)によりレー
ザ光を出射し、各種プリズムやレンズなどの光学系を通
して、レーザ光を光ディスクに照射している。この場
合、出射光の一部が光学系で反射して半導体レーザに戻
る、いわゆる戻り光が発生する。この戻り光は、光ディ
スクに照射するレーザ光のノイズになってしまう。
2. Description of the Related Art Generally, in an optical disk device, a semiconductor laser element (hereinafter, simply referred to as a semiconductor laser) emits a laser beam, and the optical disk is irradiated with the laser beam through an optical system such as various prisms and lenses. In this case, so-called return light is generated in which a part of the emitted light is reflected by the optical system and returns to the semiconductor laser. This return light becomes noise of the laser light with which the optical disc is irradiated.

【0003】このようなノイズを低減するため、例え
ば、特開昭60−192377号公報に見られるよう
に、半導体レーザを駆動する直流電流に高周波のパルス
電流を重畳するようにしたものが提案されている。この
提案では、図10に示すように、レーザ光の発光に最低
必要な閾値電流It以下の直流電流Ibに一定振幅のパ
ルス電流Ipを重畳した電流により、半導体レーザを駆
動するようにしている。
In order to reduce such noise, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-192377, there has been proposed a device in which a high frequency pulse current is superimposed on a direct current for driving a semiconductor laser. ing. In this proposal, as shown in FIG. 10, the semiconductor laser is driven by a current obtained by superimposing a pulse current Ip having a constant amplitude on a direct current Ib that is equal to or less than a threshold current It required for emitting laser light.

【0004】いま、環境温度Tにおいて、半導体レーザ
の光量Lと駆動電流Iと関係である光量−電流特性が、
同図実線に示すような特性であったとする。この場合、
半導体レーザは、そのパルス電流Ipに同期して同図L
pに示すように発光する。
At the ambient temperature T, the light quantity-current characteristic, which is the relationship between the light quantity L of the semiconductor laser and the drive current I, is as follows.
It is assumed that the characteristics are as shown by the solid line in the figure. in this case,
The semiconductor laser is synchronized with its pulse current Ip and is shown in FIG.
It emits light as indicated by p.

【0005】従来は、このようにして半導体レーザを駆
動する場合、発光量の平均パワーPoが常に一定になる
ように、直流電流Ibを調節していた。
Conventionally, when the semiconductor laser is driven in this way, the direct current Ib is adjusted so that the average power Po of the light emission amount is always constant.

【0006】ところで、半導体レーザは、環境温度の変
化により光量−電流特性が変化する性質がある。例え
ば、いま、環境温度がTからT’に上昇したとすると、
光量−電流特性は、同図一点鎖線に示すように変化す
る。この場合、直流電流をIb’まで大きくして、所定
の平均パワーPoを得るようにしていた。
By the way, the semiconductor laser has a property that the light amount-current characteristic changes according to the change of environmental temperature. For example, if the environmental temperature now rises from T to T ',
The light amount-current characteristic changes as shown by the alternate long and short dash line in FIG. In this case, the direct current is increased to Ib 'to obtain a predetermined average power Po.

【0007】ところが、この場合、直流電流Ib’が閾
値電流Itを越えてしまうため、半導体レーザはオフす
る期間がなくなり連続発光する。このように半導体レー
ザが連続発光すると、パルス電流を重畳することによる
ノイズ低減効果が低下し、光ディスクに照射するレーザ
光のノイズが増大していた。
However, in this case, since the direct current Ib 'exceeds the threshold current It, the semiconductor laser does not have an off period and continuously emits light. When the semiconductor laser continuously emits light in this way, the noise reduction effect due to the superposition of pulse currents is reduced, and the noise of the laser light with which the optical disc is irradiated is increased.

【0008】一方、温度変化に対して発光量を一定に制
御するための回路方式として、例えば、特開昭61−4
2182号公報に見られるように、温度センサーで環境
温度を検知して、その検知結果により半導体レーザの駆
動電流を調節するものが提案されている。また、特開昭
63−124235号公報に見られるように、受光素子
により半導体レーザの発光量を検知して、その検知結果
により半導体レーザの駆動電流を調節するものが提案さ
れている。
On the other hand, as a circuit system for controlling the light emission amount to a constant value with respect to the temperature change, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-4
As disclosed in Japanese Patent No. 2182, there is proposed one in which an ambient temperature is detected by a temperature sensor and the drive current of a semiconductor laser is adjusted according to the detection result. Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-124235, there has been proposed one in which a light receiving element detects the amount of light emitted from a semiconductor laser and the drive current of the semiconductor laser is adjusted based on the detection result.

【0009】しかしながら、これらの提案のものは、温
度センサーや受光素子と共にそれらのものから検知信号
を取り出す検知回路などが必要であるため、半導体レー
ザの駆動回路が複雑になっていた。
However, these proposals require a temperature sensor and a light receiving element as well as a detection circuit for extracting a detection signal from them, so that the driving circuit of the semiconductor laser is complicated.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来
は、ノイズ低減のために、高周波電流を重畳した直流電
流により半導体レーザを駆動する場合、温度変化によ
り、レーザ光のノイズが増大してしまうという問題があ
った。また、従来は、温度変化に対して発光量を一定に
制御する回路は、回路構成が複雑になってしまうという
問題があった。
As described above, conventionally, in order to reduce noise, when a semiconductor laser is driven by a direct current superposed with a high frequency current, the noise of the laser light increases due to a temperature change. There was a problem that it would end up. Further, conventionally, there has been a problem that the circuit configuration of the circuit for controlling the light emission amount constant with respect to the temperature change becomes complicated.

【0011】本発明は、以上の問題を解決し、レーザ光
のノイズの増大を防止する一方、回路構成を簡単にした
半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to solve the above problems and to provide a semiconductor laser drive circuit having a simplified circuit configuration while preventing an increase in noise of laser light.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】このために、本願の1つ
の発明は、半導体レーザ素子には、常に発光開始電流以
下の一定の直流電流を通電すると共に、その一定電流に
高周波電流を重畳し、直流電流は一定値のままで、高周
波電流の振幅を温度変化に応じて調節することにより、
発光パワーを一定レベルに制御するようにしたことを特
徴としている。また、もう1つの発明は、1つのトラン
ジスタのベース電流に比例した駆動電流を半導体レーザ
素子に通電し、そのベース電流を調節することにより、
発光パワーを任意に設定する光量設定回路を備えている
場合に、その光量設定回路内に、温度上昇に応じて上記
ベース電流を低下させる半導体素子を配設したことを特
徴としている。
To this end, according to one aspect of the present invention, a semiconductor laser device is always supplied with a constant direct current equal to or less than a light emission start current, and a high frequency current is superposed on the constant current. By adjusting the amplitude of the high frequency current according to the temperature change,
The feature is that the emission power is controlled to a constant level. Another invention is to apply a drive current proportional to the base current of one transistor to a semiconductor laser device and adjust the base current,
When a light amount setting circuit for arbitrarily setting the light emission power is provided, the light amount setting circuit is provided with a semiconductor element that lowers the base current according to the temperature rise.

【0013】[0013]

【作用】上記1つの発明によれば、半導体レーザに通電
する直流電流は、常に発光開始電流以下であり、環境温
度が変化しても連続発光することがなくなるので、ノイ
ズの増大が防止される。
According to the above-mentioned invention, the direct current applied to the semiconductor laser is always less than the light emission start current, and continuous light emission does not occur even if the environmental temperature changes, so that the increase of noise is prevented. ..

【0014】また、もう1つの発明では、光量設定回路
に半導体素子を配設するだけで、温度変化に対して発光
量を一定に制御することができるので、半導体レーザ駆
動回路の回路構成が簡単になる。
According to another aspect of the invention, the semiconductor laser drive circuit is simple in circuit configuration because the light emission amount can be controlled to be constant with respect to the temperature change only by disposing a semiconductor element in the light amount setting circuit. become.

【0015】[0015]

【実施例】以下、添付図面を参照しながら、本発明の実
施例を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0016】図1は、本発明の第1の実施例に係る半導
体レーザ駆動回路の回路構成図を示したものである。図
において、半導体レーザ1の一端には電源電圧Vaが印
加され、他端は、電流源回路2とスイッチ回路3と高周
波電流重畳回路4とに接続されている。受光素子5の一
端には、バイアス電圧Vbが印加され、他端は、I−V
変換回路6に接続されている。I−V変換回路6の出力
は、偏差検出回路7,8にそれぞれ入力されている。ま
た、偏差検出回路7には一定の参照電圧Ref1が入力
され、偏差検出回路8には一定の参照電圧Ref2が入
力されている。偏差検出回路7の出力は、高周波電流重
畳回路4に入力されている。高周波電流重畳回路4に
は、図示せぬ制御回路から、その回路動作をオンオフす
る制御信号が入力されている。
FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor laser driving circuit according to the first embodiment of the present invention. In the figure, a power supply voltage Va is applied to one end of a semiconductor laser 1, and the other end is connected to a current source circuit 2, a switch circuit 3, and a high frequency current superposition circuit 4. The bias voltage Vb is applied to one end of the light receiving element 5, and the other end is IV.
It is connected to the conversion circuit 6. The output of the IV conversion circuit 6 is input to the deviation detection circuits 7 and 8, respectively. A constant reference voltage Ref1 is input to the deviation detection circuit 7, and a constant reference voltage Ref2 is input to the deviation detection circuit 8. The output of the deviation detection circuit 7 is input to the high frequency current superposition circuit 4. A control signal for turning the circuit operation on and off is input to the high frequency current superimposing circuit 4 from a control circuit (not shown).

【0017】偏差検出回路8の出力は、レベル保持回路
9に入力され、そのレベル保持回路9の出力は、電流源
回路10に入力されている。電流源回路10の出力の一
端は、スイッチ回路3に接続され、他端はアースされて
いる。切換回路11には、図示せぬ制御回路から、スイ
ッチ回路3を制御するためのオンオフ信号と、データ信
号とが入力され、その内の一方によりスイッチ回路3が
制御されているようになっている。
The output of the deviation detection circuit 8 is input to the level holding circuit 9, and the output of the level holding circuit 9 is input to the current source circuit 10. One end of the output of the current source circuit 10 is connected to the switch circuit 3, and the other end is grounded. An ON / OFF signal for controlling the switch circuit 3 and a data signal are input to the switching circuit 11 from a control circuit (not shown), and one of them controls the switch circuit 3. ..

【0018】以上の構成で、本実施例の半導体レーザ駆
動回路は、動作モードとして、図2に示すように、再生
モードと記録/消去モードとパワー制御モードとの3つ
の動作モードを有し、必要に応じて各モードが切り換わ
るようになっている。
With the above structure, the semiconductor laser drive circuit of this embodiment has three operation modes, as shown in FIG. 2, which are a reproduction mode, a recording / erasing mode, and a power control mode. Each mode can be switched as needed.

【0019】再生モードは、図示せぬ光ディスクから記
録データを読み取るときのモードである。記録/消去モ
ードは、その光ディスクにデータを記録したり、記録デ
ータを消去したりするモードである。パワー制御モード
は、そのデータ記録や消去を行なう際のレーザ光の出射
光量を調節するモードである。このパワー制御モードの
動作は、回路の起動直後に一度実行する一方、起動後に
は、例えば一定時間おき、あるいは光ディスクの一定数
のセクタをアクセスするごとに繰り返し実行するもので
ある。
The reproduction mode is a mode for reading recorded data from an optical disk (not shown). The recording / erasing mode is a mode for recording data on the optical disc and erasing the recorded data. The power control mode is a mode for adjusting the amount of laser light emitted when recording or erasing the data. The operation in the power control mode is executed once immediately after the circuit is started up, and is repeatedly executed after the circuit is started, for example, at regular intervals or every time a certain number of sectors of the optical disk are accessed.

【0020】次に、この半導体レーザ駆動回路の動作を
説明する。
Next, the operation of this semiconductor laser drive circuit will be described.

【0021】電流源回路2は、半導体レーザ1に常時一
定電流I1を通電する。この一定電流I1は、図3に示
すように、半導体レーザ1の発光に最低必要な閾値電流
It以下に設定されている。
The current source circuit 2 constantly applies a constant current I1 to the semiconductor laser 1. As shown in FIG. 3, the constant current I1 is set to be equal to or lower than the threshold current It that is the minimum required for the light emission of the semiconductor laser 1.

【0022】いま、再生モードに設定されているものと
する。この場合、図4に示すように、高周波電流重畳回
路4の動作をオンにして(処理101)、スイッチ回路
3をオフにする(処理102)。
Now, assume that the reproduction mode is set. In this case, as shown in FIG. 4, the operation of the high frequency current superposition circuit 4 is turned on (process 101) and the switch circuit 3 is turned off (process 102).

【0023】高周波電流重畳回路4がオンすると、図3
に示すように、半導体レーザ1の通電電流I1に高周波
電流パルスが重畳される。これにより、半導体レーザ1
が発光し、受光素子5はその出射光量を検知する。I−
V変換回路6は、その検知された出射光量を電圧信号と
して出力する。偏差検出回路7は、その電圧信号と一定
の参照電圧Ref1との偏差を偏差信号S1として出力
する。高周波電流重畳回路4は、その偏差信号S1に応
じて出力する高周波電流の振幅を制御する。
When the high frequency current superposition circuit 4 is turned on, FIG.
As shown in, the high frequency current pulse is superimposed on the conduction current I1 of the semiconductor laser 1. As a result, the semiconductor laser 1
Is emitted, and the light receiving element 5 detects the amount of emitted light. I-
The V conversion circuit 6 outputs the detected emitted light amount as a voltage signal. The deviation detection circuit 7 outputs the deviation between the voltage signal and the constant reference voltage Ref1 as a deviation signal S1. The high frequency current superimposing circuit 4 controls the amplitude of the high frequency current output according to the deviation signal S1.

【0024】いま、環境温度T1で、半導体レーザ1が
同図実線に示すような光量−電流特性を有していたとす
ると、高周波電流の一定の振幅Ih1において、一定の
平均パワーP1の出射光が得られるようになる。
Now, assuming that the semiconductor laser 1 has the light quantity-current characteristics as shown by the solid line in the figure at the ambient temperature T1, the emitted light having a constant average power P1 at a constant amplitude Ih1 of the high frequency current. You will get it.

【0025】ここで、例えば、環境温度がT’に上昇
し、上記光量−電流特性が一点鎖線に示すように変化し
たとする。この場合、半導体レーザの出射光量が低下す
ることになる。出射光量が低下すると、受光素子5の検
知レベルが低下し、I−V変換回路6の電圧信号も低下
し、偏差検出回路7が出力する偏差信号S1が上昇す
る。高周波電流重畳回路4は、その偏差信号S1の上昇
に応じて、高周波電流の振幅を増大する。これにより、
高周波電流の振幅がIh2に増大して、出射光の平均パ
ワーP1が一定に保持されるようになる。
Here, for example, it is assumed that the ambient temperature rises to T'and the light amount-current characteristic is changed as shown by the alternate long and short dash line. In this case, the amount of light emitted from the semiconductor laser is reduced. When the amount of emitted light decreases, the detection level of the light receiving element 5 decreases, the voltage signal of the IV conversion circuit 6 also decreases, and the deviation signal S1 output by the deviation detection circuit 7 increases. The high frequency current superimposing circuit 4 increases the amplitude of the high frequency current according to the rise of the deviation signal S1. This allows
The amplitude of the high frequency current is increased to Ih2, and the average power P1 of the emitted light is kept constant.

【0026】また、環境温度が低下した場合には、上記
と反対の動作により、出射光の平均パワーP1が同様に
保持される。このように出射光のパワーが一定に保持さ
れた状態で、図示せぬ再生手段により、光デイスク再生
動作が実行される。
Further, when the environmental temperature is lowered, the average power P1 of the emitted light is similarly maintained by the operation opposite to the above. In this way, the optical disk reproducing operation is executed by the reproducing means (not shown) while the power of the emitted light is kept constant.

【0027】次に、パワー制御モードに設定されたとす
る。この場合、図5に示すように、高周波電流重畳回路
4の動作をオフし(処理201)、スイッチ回路3をオ
ンにする(処理202)。
Next, assume that the power control mode is set. In this case, as shown in FIG. 5, the operation of the high frequency current superposition circuit 4 is turned off (process 201) and the switch circuit 3 is turned on (process 202).

【0028】この場合、スイッチ回路3は、半導体レー
ザ1に電流I2を通電する。これにより、半導体レーザ
1が発光し、前記と同様に、受光素子5がその出射光量
を検知し、I−V変換回路6から検知レベレを示す電圧
信号が出力される。偏差検出回路8は、その電圧信号
と、一定の参照電圧Ref2との偏差を偏差信号S2と
して出力する。レベル保持回路9は、まず最初、入力さ
れた偏差信号S2をそのまま出力する。電流源回路10
は、その偏差信号S2に応じて電流I2を制御する。
In this case, the switch circuit 3 supplies the semiconductor laser 1 with the current I2. As a result, the semiconductor laser 1 emits light, the light receiving element 5 detects the amount of emitted light, and the IV conversion circuit 6 outputs a voltage signal indicating the detection level, as described above. The deviation detection circuit 8 outputs the deviation between the voltage signal and the constant reference voltage Ref2 as the deviation signal S2. First, the level holding circuit 9 outputs the inputted deviation signal S2 as it is. Current source circuit 10
Controls the current I2 according to the deviation signal S2.

【0029】これにより、半導体レーザ1は、図6に示
すように、電流I1とI2の和の電流が通電され、その
出射光量が一定の平均パワーP2に制御される(処理2
03)。なお、この平均パワーP2は、再生モード時の
平均パワーP1より大きく設定されている。レベル保持
回路9は、この状態で、入力している偏差信号S2の値
を保持する(処理204)。
As a result, as shown in FIG. 6, the semiconductor laser 1 is supplied with a current that is the sum of the currents I1 and I2, and the amount of emitted light is controlled to a constant average power P2 (process 2).
03). The average power P2 is set to be larger than the average power P1 in the reproduction mode. In this state, the level holding circuit 9 holds the value of the input deviation signal S2 (process 204).

【0030】次に、記録/消去モードに設定されたとす
る。この場合、図7に示すように、高周波電流重畳回路
4の動作はオフする(処理301)。そして、スイッチ
回路3に所定のデータ信号を入力する(処理302)。
Next, it is assumed that the recording / erasing mode is set. In this case, as shown in FIG. 7, the operation of the high frequency current superposition circuit 4 is turned off (process 301). Then, a predetermined data signal is input to the switch circuit 3 (process 302).

【0031】このデータ信号は、光ディスクにデータを
記録する場合は、記録する2値データであり、消去する
場合は、オール”1”いうような一定信号である。この
データ信号により、電流I2がオンオフされる。これに
より、図6の一点鎖線に示すように、半導体レーザ1
は、データ信号に応じて発光して、変調されたレーザ光
が出射される。このレーザ光により、光ディスクに対し
てデータの記録または消去が実行される。
This data signal is binary data to be recorded when data is recorded on the optical disk, and is a constant signal such as all "1" when erasing. The current I2 is turned on / off by this data signal. As a result, as shown by the alternate long and short dash line in FIG.
Emits light according to the data signal, and the modulated laser light is emitted. Data recording or erasing is performed on the optical disk by this laser light.

【0032】以上のように、本実施例では、半導体レー
ザ1には、常に一定の直流電流I1を通電し、再生モー
ドでは、その一定電流に高周波電流を重畳すると共に、
その高周波電流の振幅を調節することにより半導体レー
ザ1の出射光量を一定レベルに制御するようにしてい
る。これにより、環境温度が変化しても、直流電流I1
が、発光開始電流Itを越えることがなくなるので、ノ
イズの増大が防止される。
As described above, in this embodiment, the semiconductor laser 1 is always supplied with a constant direct current I1, and in the reproducing mode, a high frequency current is superposed on the constant current.
By adjusting the amplitude of the high frequency current, the amount of light emitted from the semiconductor laser 1 is controlled to a constant level. As a result, even if the environmental temperature changes, the direct current I1
However, since it does not exceed the light emission start current It, an increase in noise is prevented.

【0033】また、記録/消去モードでは、上記高周波
電流の重畳を停止して、別の電流I2を重畳し、その電
流値を調節することにより、出射光量を一定レベルに制
御するようにしている。このように、再生モード時と記
録/消去モード時とで、電流源回路2など主要回路を共
用するので、部品点数を削減することができる。
In the recording / erasing mode, the superposition of the high frequency current is stopped, another current I2 is superposed, and the current value is adjusted to control the emitted light quantity to a constant level. .. In this way, since the main circuit such as the current source circuit 2 is shared between the reproduction mode and the recording / erasing mode, the number of parts can be reduced.

【0034】なお、上述の実施例では、半導体レーザ1
の出射光量を受光素子5で検知し、この検知レベルに基
ずいて高周波電流の振幅を調整するようにしたが、予め
各温度に適応する高周波電流の振幅値を記憶しておき、
動作時に、環境温度を検知して、その検知温度に対応す
る振幅に調整するようにしてもよい。
In the above embodiment, the semiconductor laser 1
The amount of light emitted from the sensor is detected by the light receiving element 5, and the amplitude of the high frequency current is adjusted based on the detection level. However, the amplitude value of the high frequency current adapted to each temperature is stored in advance,
During operation, the ambient temperature may be detected and adjusted to an amplitude corresponding to the detected temperature.

【0035】次に、本発明の第2の実施例を説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0036】図8は、本発明の第2の実施例に係る半導
体レーザ駆動回路の回路図を示したものである。図にお
いて、半導体レーザD1には、ダイオードD2が逆方向
に並列接続され、その一端には、電源電圧Vcが印加さ
れている。その他端は、トランジスタTr1とTr2の
それぞれのコレクタに接続されている。トランジスタT
r1のベースには、オンオフ信号が入力され、そのエミ
ッタは、抵抗R1を介してアースされている。
FIG. 8 is a circuit diagram of a semiconductor laser drive circuit according to the second embodiment of the present invention. In the figure, a diode D2 is connected in parallel to the semiconductor laser D1 in the opposite direction, and a power supply voltage Vc is applied to one end thereof. The other ends are connected to the collectors of the transistors Tr1 and Tr2, respectively. Transistor T
An on / off signal is input to the base of r1 and its emitter is grounded via a resistor R1.

【0037】トランジスタTr2のベースには、データ
信号が入力され、そのエミッタは、トランジスタTr3
のエミッタと、トランジスタTr4のコレクタとに接続
されている。トランジスタTr4のベースは、トランジ
スタTr5のベースとそのコレクタとトランジスタTr
6のコレクタとに接続されている。トランジスタTr4
のエミッタは、抵抗R2を介してアースされ、トランジ
スタTr5のエミッタは、抵抗R3を介してアースされ
ている。
A data signal is input to the base of the transistor Tr2, and its emitter is the transistor Tr3.
Of the transistor Tr4 and the collector of the transistor Tr4. The base of the transistor Tr4 is the base of the transistor Tr5, its collector, and the transistor Tr5.
It is connected to 6 collectors. Transistor Tr4
Of the transistor Tr5 is grounded through the resistor R2, and the emitter of the transistor Tr5 is grounded through the resistor R3.

【0038】トランジスタTr3のコレクタには、電源
電圧Vdが印加され、そのコレクタとベース間には、抵
抗R4が接続されている。トランジスタTr6のコレク
タは、抵抗R5を介して電源電圧Vdのラインに接続さ
れ、そのベースは、抵抗R6を介して可変抵抗器VRの
可動端子に接続されている。その可変抵抗器VRの一端
には、直列接続された2個のダイオードD3を介して、
電源電圧Vcが印加され、他端は抵抗R7を介してアー
スされている。
The power supply voltage Vd is applied to the collector of the transistor Tr3, and the resistor R4 is connected between the collector and the base of the transistor Tr3. The collector of the transistor Tr6 is connected to the line of the power supply voltage Vd via the resistor R5, and its base is connected to the movable terminal of the variable resistor VR via the resistor R6. At one end of the variable resistor VR, via two diodes D3 connected in series,
The power supply voltage Vc is applied, and the other end is grounded via the resistor R7.

【0039】なお、同図において、ダイオードD3を配
設しない回路、すなわち、電源電圧Vcを直接可変抵抗
器VRの一端に印加する回路は、既知回路である。
In the figure, the circuit without the diode D3, that is, the circuit for directly applying the power supply voltage Vc to one end of the variable resistor VR is a known circuit.

【0040】以上の構成で、本実施例の半導体レーザ駆
動回路は、動作モードとして、再生モードと記録/消去
モードとを有している。
With the above configuration, the semiconductor laser drive circuit of this embodiment has a reproduction mode and a recording / erasing mode as operation modes.

【0041】いま、再生モードに設定されたとすると、
トランジスタTr1のベースには、オンオフ信号として
一定の正電圧が印加され、トランジスタTr2のベース
のデータ信号はオフ、つまり電圧零に設定される。
Now, assuming that the playback mode is set,
A constant positive voltage is applied as an on / off signal to the base of the transistor Tr1, and the data signal of the base of the transistor Tr2 is turned off, that is, set to zero voltage.

【0042】トランジスタTr1は、ベースに上記正電
圧が印加されることによりオンする。そして、電源電圧
Vcにより、半導体レーザD1,トランジスタTr1お
よび抵抗R1の経路で一定電流が流れ、半導体レーザD
1が発光する。なお、このとき、トランジスタTr2は
オフし、トランジスタTr2側には電流は流れない。
The transistor Tr1 is turned on by applying the positive voltage to the base. Then, due to the power supply voltage Vc, a constant current flows in the path of the semiconductor laser D1, the transistor Tr1 and the resistor R1,
1 emits light. At this time, the transistor Tr2 is turned off, and no current flows on the transistor Tr2 side.

【0043】この半導体レーザD1の出射光により図示
せぬ光ディスクからの所定のデータ読取動作が実行され
る。
A predetermined data reading operation from an optical disk (not shown) is executed by the emitted light of the semiconductor laser D1.

【0044】次に、記録/消去モードにされたとする。
この場合、トランジスタTr1のベースのオンオフ信号
はオフつまり電圧零に設定され、トランジスタTr2の
ベースには、データ信号が入力される。このデータ信号
は、一定電圧がオンオフする2値信号である。
Next, assume that the recording / erasing mode is set.
In this case, the on / off signal of the base of the transistor Tr1 is turned off, that is, the voltage is set to zero, and the data signal is input to the base of the transistor Tr2. This data signal is a binary signal in which a constant voltage is turned on / off.

【0045】このデータ信号の一定電圧がオンになった
時点では、トランジスタTr2がオンする。
When the constant voltage of the data signal is turned on, the transistor Tr2 is turned on.

【0046】一方、トランジスタTr6のベースには、
可変抵抗器VRの調節状態に応じた電流が流入し、その
コレクタからエミッタ間が導通状態になる。そして、電
源電圧Vdにより、抵抗R5,トランジスタTr6,ト
ランジスタTr4のベースへと電流が流れ、トランジス
タTr4も導通状態になる。そして、電源電圧Vcによ
り、半導体レーザD1,トランジスタTr2,トランジ
スタTr4および抵抗R2の経路で電流が流れ、半導体
レーザD1が発光する。
On the other hand, at the base of the transistor Tr6,
A current corresponding to the adjustment state of the variable resistor VR flows in, and the collector and the emitter of the variable resistor VR become conductive. Then, the power supply voltage Vd causes a current to flow to the bases of the resistor R5, the transistor Tr6, and the transistor Tr4, and the transistor Tr4 also becomes conductive. Then, the power supply voltage Vc causes a current to flow in the path of the semiconductor laser D1, the transistor Tr2, the transistor Tr4, and the resistor R2, and the semiconductor laser D1 emits light.

【0047】この場合、可変抵抗器VRの可動端子がダ
イオードD3側の端子に近くなるほど、トランジスタT
r6のベース電流が増大して、そのコレクタ電流も増大
する。このコレクタ電流は、トランジスタTr4のベー
ス電流であり、このベース電流が増大すると、半導体レ
ーザD1の通電電流も増大する。
In this case, as the movable terminal of the variable resistor VR becomes closer to the terminal on the diode D3 side, the transistor T
The base current of r6 increases and its collector current also increases. This collector current is the base current of the transistor Tr4, and when the base current increases, the energizing current of the semiconductor laser D1 also increases.

【0048】可変抵抗器VRは、このように半導体レー
ザD1の通電電流を調節するものであり、予め半導体レ
ーザD1から適切な出射光量が得られる状態に調整され
ている。
The variable resistor VR adjusts the energizing current of the semiconductor laser D1 in this way, and is adjusted in advance so that an appropriate amount of emitted light can be obtained from the semiconductor laser D1.

【0049】データ信号の一定電圧がオフになった時点
では、トランジスタTr2はオフし、半導体レーザD1
が消灯する。なお、トランジスタTr3,Tr5,抵抗
R4およびR3は、トランジスタTr2およびTr4の
オンオフ動作を安定化するためのものである。
When the constant voltage of the data signal is turned off, the transistor Tr2 is turned off and the semiconductor laser D1 is turned on.
Turns off. The transistors Tr3, Tr5, and the resistors R4 and R3 serve to stabilize the on / off operation of the transistors Tr2 and Tr4.

【0050】このようにデータ信号に応じて半導体レー
ザD1が発光する。この半導体レーザD1の出射光によ
り、図示せぬ光ディスクに対して所定の情報記録あるい
は記録データの消去動作が実行される。
In this way, the semiconductor laser D1 emits light according to the data signal. Predetermined information recording or erasing of recorded data is performed on an optical disc (not shown) by the emitted light of the semiconductor laser D1.

【0051】ところで、半導体レーザD1は、環境温度
の変化に応じて発光量が変化する性質がある。例えば、
一定電流で駆動する場合、環境温度が上昇すると、発光
量は増大する。また、一般にエミッタ接地のトランジス
タ回路は、温度が上昇すると、コレクタ電流が増大する
特性がある。
By the way, the semiconductor laser D1 has a property that the amount of emitted light changes according to the change of the environmental temperature. For example,
When driven with a constant current, the amount of light emission increases as the environmental temperature rises. Further, in general, a transistor circuit with a grounded emitter has a characteristic that the collector current increases as the temperature rises.

【0052】従って、本実施例のように、半導体レーザ
D1の通電電流をトランジスタTr1によりオンオフす
る回路では、環境温度が上昇すると、半導体レーザD1
の発光量は増加し、温度が低下すると発光量も減少する
ことになる。
Therefore, in the circuit as in the present embodiment, in which the conduction current of the semiconductor laser D1 is turned on / off by the transistor Tr1, the semiconductor laser D1 is increased when the environmental temperature rises.
The amount of emitted light increases, and the amount of emitted light also decreases as the temperature decreases.

【0053】ところで、一般に、ダイオードの順方向電
圧と電流とは、図9に示すように、一方が上昇すると他
方も上昇する。なお、同図の電流量は、対数スケールで
示している。この図から明らかなように、ダイオード
は、一定電流を流す場合、環境温度が上昇すると、電圧
が低下する特性がある。
By the way, generally, as shown in FIG. 9, the forward voltage and current of the diode rise when one rises and the other rises. The current amount in the figure is shown on a logarithmic scale. As is clear from this figure, the diode has a characteristic that the voltage decreases when the environmental temperature rises when a constant current flows.

【0054】従って、本実施例では、環境温度が上昇す
ると、ダイオードD3の両端の電圧が低下する。可変抵
抗器VRのダイオードD3側端子には、電源電圧Vcか
らダイオードD3の電圧分だけ低下した電圧が印加され
るため、温度上昇により、その端子電圧が上昇し、可動
端子の電圧も上昇して、トランジスタTr6のベース電
流が減少する。これにより、トランジスタTr4のコレ
クタ電流が減少して、半導体レーザD1の通電電流が減
少するようになる。また、環境温度が低下すると、ダイ
オードD3の両端の電圧が増大し、上記と反対に半導体
レーザD1の通電電流が増大するようになる。
Therefore, in this embodiment, when the environmental temperature rises, the voltage across the diode D3 drops. Since a voltage reduced by the voltage of the diode D3 from the power supply voltage Vc is applied to the diode D3 side terminal of the variable resistor VR, the terminal voltage rises due to the temperature rise and the voltage of the movable terminal also rises. , The base current of the transistor Tr6 decreases. As a result, the collector current of the transistor Tr4 decreases, and the conduction current of the semiconductor laser D1 decreases. Further, when the environmental temperature decreases, the voltage across the diode D3 increases, and conversely to the above, the conduction current of the semiconductor laser D1 increases.

【0055】本実施例では、このような通電電流の制御
により、半導体レーザD1の発光量の増減を抑制して常
に一定レベルを維持するように設定している。
In the present embodiment, such control of the energizing current is set so as to suppress the increase or decrease in the light emission amount of the semiconductor laser D1 and always maintain a constant level.

【0056】以上のように、本実施例では、トランジス
タTr6のベース電流に比例した駆動電流を半導体レー
ザD1に通電し、そのベース電流を可変抵抗器VRによ
り調節することにより、発光パワーを任意に設定するよ
うにしている。そして、可変抵抗器VRと電源電圧Vc
のラインとの間にダイオードD2を挿入して、温度上昇
に応じて上記ベース電流を低下させ、これにより、半導
体レーザD1の発光量を一定に保持するようにしてい
る。
As described above, in the present embodiment, a drive current proportional to the base current of the transistor Tr6 is applied to the semiconductor laser D1 and the base current is adjusted by the variable resistor VR, so that the emission power can be arbitrarily set. I am trying to set it. Then, the variable resistor VR and the power supply voltage Vc
The diode D2 is inserted between this line and the line to reduce the base current in accordance with the temperature rise, thereby keeping the light emission amount of the semiconductor laser D1 constant.

【0057】従って、従来のような温度センサーや受光
素子および検知回路が不要になり、駆動回路を簡単に構
成することができる。
Therefore, the temperature sensor, the light receiving element and the detection circuit as in the prior art are not required, and the drive circuit can be simply constructed.

【0058】なお、上記第2の実施例では、記録/消去
モードの場合のみ、温度変化に対して出射光量を一定に
制御するようにしたが、再生モードの場合にも、同様の
回路で出射光量を一定に制御するようにしてもよい。
In the second embodiment, the amount of emitted light is controlled to be constant with respect to the temperature change only in the recording / erasing mode, but in the reproducing mode as well, the same circuit emits light. The amount of light may be controlled to be constant.

【0059】また、ダイオードの温度特性を利用するよ
うにしたが、例えば、トランジンタの3端子の内の2端
子は、同様の特性を有することが知られている。従っ
て、このような他の半導体素子を同様に使用できること
はいうまでもない。
Although the temperature characteristic of the diode is used, it is known that, for example, two terminals out of the three terminals of the transistor have the same characteristics. Therefore, it goes without saying that such other semiconductor elements can be used in the same manner.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上のように、本願の1つの発明によれ
ば、半導体レーザ素子には、発光開始電流以下の常に一
定の直流電流を通電し、その一定電流に重畳する高周波
電流の振幅を調節することにより、レーザ光の平均パワ
ーを一定レベルに制御するようにしたので、環境温度が
変化しても、直流電流が発光開始電流を越えることがな
くなるので、ノイズの増大が防止される。
As described above, according to one invention of the present application, a constant direct current equal to or lower than the light emission start current is passed through the semiconductor laser device, and the amplitude of the high frequency current superimposed on the constant current is changed. By adjusting the average power of the laser light to a constant level, the direct current does not exceed the light emission start current even if the environmental temperature changes, so that the increase of noise is prevented.

【0061】また、もう1つの発明によれば、トランジ
スタのベース電流を調節して半導体レーザ素子の出射光
量を設定する光量設定回路に、半導体素子を配設するだ
けで、温度変化に対して発光量を一定に保持することが
できるので、回路構成が簡単になる。
According to another aspect of the invention, the semiconductor element is simply arranged in the light quantity setting circuit for adjusting the base current of the transistor to set the quantity of light emitted from the semiconductor laser element. Since the amount can be kept constant, the circuit configuration becomes simple.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る半導体レーザ駆動
回路のブロック構成図を示したものである。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor laser drive circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】上記半導体レーザ駆動回路の動作モードの説明
図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of an operation mode of the semiconductor laser drive circuit.

【図3】再生モードにおける半導体レーザの駆動状態説
明図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a driving state of a semiconductor laser in a reproduction mode.

【図4】再生モード時の動作フローチャートである。FIG. 4 is an operation flowchart in a reproduction mode.

【図5】パワー制御モード時の動作フローチャートであ
る。
FIG. 5 is an operation flowchart in a power control mode.

【図6】パワー制御モードおよび記録/消去モードにお
ける半導体レーザの駆動状態説明図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a driving state of a semiconductor laser in a power control mode and a recording / erasing mode.

【図7】記録/消去モード時の動作フローチャートであ
る。
FIG. 7 is an operation flowchart in a recording / erasing mode.

【図8】本発明の第2の実施例に係る半導体レーザ駆動
回路の回路図を示したものである。
FIG. 8 is a circuit diagram of a semiconductor laser drive circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図9】ダイオードの電圧・電流特性を示すグラフ図で
ある。
FIG. 9 is a graph showing a voltage / current characteristic of a diode.

【図10】従来の半導体レーザの駆動状態説明図であ
る。
FIG. 10 is a diagram illustrating a driving state of a conventional semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,D1 半導体レーザ 2,10 電流源回路 3 スイッチ回路 4 高周波電流重畳回路 5 受光素子 6 I−V変換回路 7,8 偏差検出回路 9 レベル保持回路 11 切換回路 D2,D3 ダイオード Tr1〜Tr6 トランジスタ R1〜R7 抵抗 VR 可変抵抗器 1, D1 semiconductor laser 2, 10 current source circuit 3 switch circuit 4 high frequency current superimposing circuit 5 light receiving element 6 IV conversion circuit 7, 8 deviation detection circuit 9 level holding circuit 11 switching circuit D2, D3 diode Tr1 to Tr6 transistor R1 ~ R7 resistance VR variable resistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザ素子に高周波電流を重畳し
た直流電流を通電して発光させ、その発光の平均パワー
を温度変化に拘らず常に一定に保持する半導体レーザ駆
動回路において、常に上記半導体レーザ素子に発光開始
電流以下の一定の直流電流を通電する一定電流通電手段
と、上記一定電流に高周波電流を重畳する高周波電流重
畳手段と、その高周波電流の振幅を温度変化に応じて調
節することにより上記平均パワーを一定に保持する発光
パワー制御手段とを備えていることを特徴とする半導体
レーザ駆動回路。
1. A semiconductor laser drive circuit, wherein a direct current in which a high-frequency current is superimposed is passed through a semiconductor laser device to cause it to emit light, and the average power of the emitted light is always kept constant regardless of temperature changes. A constant current supply means for supplying a constant direct current equal to or less than the light emission start current, a high-frequency current superimposing means for superimposing a high-frequency current on the constant current, and the amplitude of the high-frequency current being adjusted according to temperature changes A semiconductor laser drive circuit, comprising: a light emission power control means for keeping the average power constant.
【請求項2】 上記高周波電流の重畳を停止して上記一
定電流に他の直流電流を重畳する直流電流重畳手段と、
上記他の直流電流の電流値を調節することにより半導体
レーザの発光パワーを上記平均パワーより大きい一定レ
ベルに保持する第2の発光パワー制御手段とを備えてい
ることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回
路。
2. A direct current superimposing means for stopping the superimposition of the high frequency current and superimposing another direct current on the constant current,
2. A second light emission power control means for maintaining the light emission power of the semiconductor laser at a constant level higher than the average power by adjusting the current value of the other direct current. Semiconductor laser drive circuit.
【請求項3】 半導体レーザ素子に通電して発光させ、
その発光の平均パワーを温度変化に拘らず常に一定に保
持する半導体レーザ駆動回路において、1つのトランジ
スタのベース電流に比例した駆動電流を上記半導体レー
ザ素子に通電して発光させる半導体レーザ駆動回路と、
上記ベース電流を任意に調節することにより上記半導体
レーザ素子の発光パワーを任意に設定する光量設定回路
と、その光量設定回路に挿入され環境温度の上昇に応じ
て上記ベース電流を低下させる半導体素子とを備えてい
ることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
3. A semiconductor laser device is energized to emit light,
In a semiconductor laser drive circuit that always keeps the average power of the emitted light constant regardless of temperature changes, a semiconductor laser drive circuit that applies a drive current proportional to the base current of one transistor to the semiconductor laser element to emit light.
A light amount setting circuit that arbitrarily sets the light emission power of the semiconductor laser device by arbitrarily adjusting the base current, and a semiconductor device that is inserted into the light amount setting circuit and that lowers the base current according to an increase in environmental temperature. A semiconductor laser drive circuit comprising:
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