JPH11354893A - Semiconductor laser driver and driving method - Google Patents

Semiconductor laser driver and driving method

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JPH11354893A
JPH11354893A JP11099681A JP9968199A JPH11354893A JP H11354893 A JPH11354893 A JP H11354893A JP 11099681 A JP11099681 A JP 11099681A JP 9968199 A JP9968199 A JP 9968199A JP H11354893 A JPH11354893 A JP H11354893A
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JP
Japan
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semiconductor laser
voltage
driving device
laser
current
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Withdrawn
Application number
JP11099681A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Kamioka
優一 上岡
Kenji Koishi
健二 小石
Yoshiyuki Miyahata
佳之 宮端
Naoyuki Nakamura
尚幸 中村
Kenichi Tatehara
健一 田手原
Ikuo Hidaka
郁夫 日高
Kiyoshi Nakamori
清 中森
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To drive a multilevel semiconductor laser current stably with high accuracy at high speed by keeping a voltage being applied to the output section of a semiconductor laser driver at a constant level and setting the power supply voltage to minimize a voltage being applied to the output section within the operable range of the driver. SOLUTION: When a drive current is drawn out from the cathode side of a semiconductor laser 4, a voltage detecting section 21 detects the collector voltage of a transistor 18 at the output section of a laser driver. Output signal from the voltage detecting section 21 is the voltage comparion section 22 and compared with the voltage of a reference voltage supply 23 and comparison result is fed back to a power supply transistor 24 in order to control the collector voltage of the transistor 18 at a constant level during recording, erasing and reproducing operations. When the collector voltage of the transistor 18 is set at a minimum operable level, i.e., a minimum level causing no bottoming saturation, generation of heat in the laser drive current output section can be kept at a minimum level.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置の
光ピックアップに搭載されている半導体レーザ制御に関
するものである。
The present invention relates to the control of a semiconductor laser mounted on an optical pickup of an optical disk device.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスク装置は光ピックアップに搭載
された半導体レーザを発光し、再生時にはディスク上に
微弱な再生光を集光し、ディスク上に記録されているピ
ットの反射率、位相差、偏向角などを検出し読みとり、
記録時には再生時より高いパワーで半導体レーザを発光
させ、記録する情報に応じてレーザパワーを変調してデ
ィスク上に記録し、消去時には記録時にほぼ近いレーザ
パワーをディスク上に照射し記録部を消去する。
2. Description of the Related Art An optical disk device emits a semiconductor laser mounted on an optical pickup, condenses weak reproduction light on the disk at the time of reproduction, and reflects the reflectance, phase difference, and deflection of pits recorded on the disk. Detect and read corners, etc.
At the time of recording, the semiconductor laser emits light at a higher power than at the time of reproduction, the laser power is modulated according to the information to be recorded, and the data is recorded on the disk. I do.

【0003】例えば相変化型光ディスクへの記録の場合
は、基本的にはピークパワーとバイアスパワーの2値を
スイッチングし、ピークパワー部でマークを記録し、バ
イアスパワー部で記録マークの消去を行う。
For example, in the case of recording on a phase change type optical disk, basically, two values of peak power and bias power are switched, a mark is recorded in a peak power portion, and a recording mark is erased in a bias power portion. .

【0004】しかし実際には安定した記録マークを形成
するためには2値のスイッチングでは不足であり、図1
に示すとおり、記録すべきマークに対し加えられる熱量
を均一化する目的やマーク始終端部の熱バランスを調整
する目的のために2値以上の複数値のレーザパワースイ
ッチングが必要である。
However, in practice, binary switching is not enough to form a stable recording mark.
As shown in the above, laser power switching of two or more values is required for the purpose of equalizing the amount of heat applied to a mark to be recorded and for adjusting the heat balance at the start and end of the mark.

【0005】近年光ディスクの記録再生も高速化してき
ており上記半導体レーザのスイッチング動作にも、より
高速性が必要とされる様になってきた。
In recent years, the speed of recording / reproducing of an optical disk has also been increased, and the switching operation of the semiconductor laser requires higher speed.

【0006】高速記録時において図1に示す記録パルス
を実現しようとした時に半導体レーザのパルス波形が十
分に高速化されていない場合は、図2に示すようにレー
ザパワーが所望の波高値まで到達せず、記録マークへの
熱量アンバランスが生じ記録マークが歪んでしまう。
When the recording pulse shown in FIG. 1 is to be realized at the time of high-speed recording and the pulse waveform of the semiconductor laser is not sufficiently increased, the laser power reaches a desired peak value as shown in FIG. Without this, a heat amount imbalance to the recording mark occurs, and the recording mark is distorted.

【0007】又、記録マークの前後エッジに情報を持つ
PWM記録においては、記録マークのエッジ位置を正確
にコントロールする必要があるために、記録パルスの立
ち上がり、立下り時間がより短い記録パルスが要求され
ている。
In PWM recording having information at the leading and trailing edges of a recording mark, it is necessary to precisely control the edge position of the recording mark. Have been.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来採用されている半
導体レーザを搭載した光ピックアップと半導体レーザ駆
動装置が分離している方式では、普通、半導体レーザの
駆動電流をフレキシブルケーブル等で伝送する。この場
合、フレキシブルケーブルの寄生容量等の分布定数によ
って駆動電流のスイッチング特性が悪化する。
In a conventional system in which an optical pickup having a semiconductor laser mounted thereon and a semiconductor laser driving device are separated, the driving current of the semiconductor laser is usually transmitted through a flexible cable or the like. In this case, the switching characteristics of the drive current deteriorate due to the distribution constants such as the parasitic capacitance of the flexible cable.

【0009】即ち、このスイッチング特性の悪化が光デ
ィスク装置を高速化するに際しての弊害となる。
That is, the deterioration of the switching characteristics becomes an adverse effect when the speed of the optical disk device is increased.

【0010】本発明は上記弊害に対する改善と、改善に
伴い発生する熱集中化の問題を解決するための省電力化
に関するものである。
The present invention relates to an improvement over the above-mentioned adverse effects, and to power saving for solving the problem of heat concentration caused by the improvement.

【0011】図3は、光ディスク装置の半導体レーザと
駆動装置間の導体等に寄生する容量成分と、半導体レー
ザをパルス状にスイッチングした時の半導体レーザ駆動
電流の立ち上がり時間Tr、立下り時間Tfの関係を示
す。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between a capacitance component parasitic on a conductor between a semiconductor laser and a drive device of an optical disk device and the rise time Tr and fall time Tf of a semiconductor laser drive current when the semiconductor laser is switched in a pulse shape. Show the relationship.

【0012】上記容量成分に着目すれば、容量成分が増
加するに従って、伝送されるパルス電流の高周波成分が
半導体レーザに伝送される前に容量を介してバイパスさ
れ、半導体レーザの駆動パルス波形の立ち上がり時間T
r、立下り時間Tfが大きくなる。すなわち図2に示し
たような鈍った記録パルスに近づいてくる。
Focusing on the above-mentioned capacitance component, as the capacitance component increases, the high-frequency component of the transmitted pulse current is bypassed through the capacitor before being transmitted to the semiconductor laser, and the rising edge of the drive pulse waveform of the semiconductor laser is increased. Time T
r, the fall time Tf increases. That is, the recording pulse approaches a dull recording pulse as shown in FIG.

【0013】仮に、半導体レーザ駆動パルスにおいて最
高周波数f1のパルスが必要とされるとすれば、パルス
幅は0.5/f1が最小パルス幅となる。従って周波数
f1のパルスにおいて、駆動パルスの振幅低下がない条
件とは Tr< 0.5×0.5/f1、 Tf<0.5×0.5/f1 (式1) となる。
If a pulse of the highest frequency f1 is required in the semiconductor laser driving pulse, the minimum pulse width is 0.5 / f1. Therefore, the condition that the amplitude of the driving pulse does not decrease in the pulse of the frequency f1 is Tr <0.5 × 0.5 / f1, and Tf <0.5 × 0.5 / f1 (Equation 1).

【0014】例えば最高周波数=60MHzのパルスス
イッチング実現のためには式1よりTr及びTfは共に
4.16ns以下であることが要求される。
For example, in order to realize pulse switching at a maximum frequency of 60 MHz, it is required from Equation 1 that both Tr and Tf are 4.16 ns or less.

【0015】図3に示す実験結果からは、Tr、Tf<
4.16nsを実現するためには寄生容量成分を10p
F以下が必要であると言える。当条件を満たすためには
半導体レーザとレーザ駆動部間の距離を5cm以内に近
接化することが必要である。
From the experimental results shown in FIG. 3, Tr, Tf <
To realize 4.16 ns, the parasitic capacitance component must be 10p
It can be said that F or less is required. In order to satisfy this condition, it is necessary to make the distance between the semiconductor laser and the laser driver close to each other within 5 cm.

【0016】従って高速レーザスイッチングを達成する
ためにはレーザ駆動装置と半導体レーザ間の分布定数、
主に容量成分を低減する目的で、レーザ駆動装置と半導
体レーザ間を近接させる、すなわち半導体レーザが組み
込まれている光ピックアップ上にレーザ駆動装置を搭載
することが必要となる。又は、光ピックアップと同じ可
動部にレーザ駆動装置を付設することが必要となる。た
だしこの場合問題となるのは半導体レーザとレーザ駆動
装置から発生する熱の問題である。
Therefore, in order to achieve high-speed laser switching, the distribution constant between the laser driving device and the semiconductor laser,
For the purpose of mainly reducing the capacitance component, it is necessary to bring the laser driver close to the semiconductor laser, that is, mount the laser driver on an optical pickup in which the semiconductor laser is incorporated. Alternatively, it is necessary to attach a laser driving device to the same movable portion as the optical pickup. However, a problem in this case is a problem of heat generated from the semiconductor laser and the laser driving device.

【0017】光ディスクへのデータ記録時、半導体レー
ザ駆動電流Iopは数100mAに達し駆動装置出力部
にかかる電圧をVd、比例定数をK1とすると Td=K1×Vd×Iop (式2) の温度上昇が駆動装置に発生する。
At the time of recording data on the optical disk, the semiconductor laser drive current Iop reaches several hundred mA, and the voltage applied to the output of the drive device is Vd, and the proportionality constant is K1, and the temperature rises by Td = K1 × Vd × Iop Is generated in the driving device.

【0018】前述したとおりレーザ駆動装置と半導体レ
ーザとは寄生容量等分布定数の影響を小さくするために
近接して配置する必要があるため駆動装置で発生した熱
は半導体レーザにも伝導する。
As described above, since the laser driving device and the semiconductor laser need to be arranged close to each other in order to reduce the influence of the distribution constant such as parasitic capacitance, the heat generated by the driving device is also transmitted to the semiconductor laser.

【0019】半導体レーザの駆動特性は温度によって大
きく異なり、高温となるほど駆動電流Iopに対するレ
ーザ発光パワーPの関係(微分効率)は悪化し、より多
くの駆動電流Iopが必要となり、更に式1から駆動装
置の温度上昇を加速させる。
The driving characteristics of the semiconductor laser greatly differ depending on the temperature. As the temperature increases, the relation (differential efficiency) of the laser emission power P with respect to the driving current Iop deteriorates, and a larger driving current Iop is required. Accelerate the temperature rise of the device.

【0020】又、半導体レーザはそれ自体が発熱源であ
り、半導体レーザの動作電圧をVop、比例定数をK2
とすれば Tld=K2×Vop×Iop (式3) の温度上昇となる。つまり駆動回路から半導体レーザへ
の熱の伝導率をK3とすれば半導体レーザの温度上昇は Tld=K2×Vop×Iop+K3×K1×Vd×Iop (式4) となる。
The semiconductor laser itself is a heat source. The operating voltage of the semiconductor laser is Vop, and the proportional constant is K2.
Then, the temperature rises as follows: Tld = K2 × Vop × Iop (Equation 3) That is, assuming that the conductivity of heat from the drive circuit to the semiconductor laser is K3, the temperature rise of the semiconductor laser is represented by Tld = K2 × Vop × Iop + K3 × K1 × Vd × Iop (Equation 4).

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】以上の問題点の解決手段
として駆動電流Iopの抑制、比例定数K1,K2、熱
伝導率K3の抑制、駆動装置出力部にかかる電圧Vd、
Vldの抑制が考えられる。
As means for solving the above problems, suppression of the drive current Iop, suppression of the proportional constants K1 and K2, suppression of the thermal conductivity K3, voltage Vd applied to the output of the drive unit,
Vld can be suppressed.

【0022】Iopは半導体レーザ固有の特性であり、
比例定数K1,K2,K3は光ピックアップ構成、及び
熱設計に依存する。又Vopも駆動電流Iopによって
変動するが、変動量はダイオード電圧と内部直列抵抗に
よって決まり、基本的に半導体レーザ固有の値である。
Iop is a characteristic inherent to a semiconductor laser.
The proportional constants K1, K2, and K3 depend on the optical pickup configuration and thermal design. Vop also varies with the drive current Iop, but the amount of variation is determined by the diode voltage and the internal series resistance, and is basically a value unique to the semiconductor laser.

【0023】従ってレーザ駆動装置出力部にかかる電圧
Vdを抑制するすることで光ヘッド部の発熱を抑制す
る。
Accordingly, by suppressing the voltage Vd applied to the output section of the laser driving device, the heat generation of the optical head section is suppressed.

【0024】Vdを抑制するため、レーザ駆動装置出力
部に供給する電圧を制御する電源部を設けレーザ駆動装
置出力部の電圧を監視し、基準となる電圧と比較しその
差分を電源部へフィードバックすることで、常にVdが
一定値を保ち得る様に制御し、更にレーザ駆動装置出力
部が駆動動作可能範囲内でVdが最小値になるように電
源部の電圧を設定する。
In order to suppress Vd, a power supply for controlling the voltage supplied to the output of the laser driving device is provided, the voltage of the output of the laser driving device is monitored, compared with a reference voltage, and the difference is fed back to the power supply. By doing so, control is performed so that Vd can always maintain a constant value, and further, the voltage of the power supply unit is set so that Vd becomes the minimum value within the drive operable range of the laser driver output unit.

【0025】上記電源部は半導体レーザ及び半導体レー
ザ駆動装置が搭載されている光ピックアップ以外の場所
に設置する。即ち半導体レーザ部に熱的に関与しない場
所に余剰発熱部を隔離する。
The power supply section is installed at a place other than the optical pickup on which the semiconductor laser and the semiconductor laser driving device are mounted. That is, the surplus heat generating portion is isolated at a place not thermally related to the semiconductor laser portion.

【0026】さらにACライン電圧の変動、負荷の変
動、及びその他バラツキなどで光ディスク装置の電源電
圧が変動しても常に半導体レーザ駆動装置出力部のVd
は一定に保たれ光ピックアップ内での発熱はこれらの変
動には関係しなくなる。
Further, even if the power supply voltage of the optical disk device fluctuates due to fluctuations in the AC line voltage, fluctuations in the load, and other variations, the voltage Vd of the output section of the semiconductor laser driving device is always maintained.
Is kept constant, and the heat generated in the optical pickup is not related to these fluctuations.

【0027】この様にしてレーザ駆動装置出力部にかか
る電圧Vdを動作可能最低電圧に保つことで光ピックア
ップ部での発熱を常に最小状態に制御することが出来、
結果として安定した高速化半導体レーザ駆動が実現し得
ることになる。
In this way, by keeping the voltage Vd applied to the output portion of the laser driving device at the minimum operable voltage, the heat generation in the optical pickup portion can always be controlled to the minimum state.
As a result, stable high-speed semiconductor laser driving can be realized.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下,本発明の実施形態について
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0029】図4に光ディスク記録再生装置のシステム
構成図を示す。光ディスク1はスピンドルモータ2によ
って一定方向に回転制御されている。3は光ディスク1
にデータの記録再生を行うための光ピックアップであ
る。
FIG. 4 shows a system configuration diagram of the optical disk recording / reproducing apparatus. The rotation of the optical disc 1 is controlled in a fixed direction by a spindle motor 2. 3 is an optical disk 1
An optical pickup for recording and reproducing data.

【0030】図5は光ピックアップ3の構成図でレーザ
駆動装置を含んでいる。半導体レーザ4はレーザ駆動装
置5より供給される駆動電流Iopによりレーザ光aを
出力する。半導体レーザ4より出力されたレーザ光aは
コリメートレンズ6により平行光とされ、ビームスプリ
ッタ7を通過し対物レンズ8に入射される。対物レンズ
8によってレーザ光は集光され、集光スポットは光ディ
スク1のデータ記録面にフォーカスされる。
FIG. 5 is a structural view of the optical pickup 3 and includes a laser driving device. The semiconductor laser 4 outputs a laser beam a by a driving current Iop supplied from a laser driving device 5. Laser light a output from the semiconductor laser 4 is converted into parallel light by a collimator lens 6, passes through a beam splitter 7, and is incident on an objective lens 8. The laser light is focused by the objective lens 8 and the focused spot is focused on the data recording surface of the optical disc 1.

【0031】記録面で反射されたレーザ光は再び対物レ
ンズ8により平行光となり、ビームスプリッタ7によっ
て光路を変更しフォトディテクタ9に集光される。
The laser light reflected on the recording surface is again converted into parallel light by the objective lens 8, the optical path is changed by the beam splitter 7, and the laser light is focused on the photodetector 9.

【0032】フォトディテクタ9によって光ディスク1
の反射光は電気信号に変換され、図4のサーボブロック
10に入力される。フォトディテクタ9の電気信号に応
じて、フォーカス制御、トラッキング制御がなされる。
The optical disk 1 is controlled by the photodetector 9.
Is converted into an electric signal and input to the servo block 10 of FIG. Focus control and tracking control are performed according to an electric signal of the photodetector 9.

【0033】図4、図5で示すb,c,d,e即ちフォ
ーカス信号+、フォーカス信号−、トラッキング信号
+、トラッキング信号−はサーボブロック10に入力さ
れる。サーボブロックではフォーカス信号+、フォーカ
ス信号−からフォーカス誤差信号、トラッキング信号
+、トラッキング信号−からトラッキング誤差信号が作
られる。
4, 5, ie, the focus signal +, the focus signal −, the tracking signal +, and the tracking signal − are input to the servo block 10. In the servo block, a focus error signal is generated from the focus signal + and the focus signal-, and a tracking error signal is generated from the tracking signal + and the tracking signal-.

【0034】フォーカス誤差信号、トラッキング誤差信
号は電流増幅され光ピックアップ3のアクチュエータ1
1に伝えられ、光ピックアップ3の出射光が光ディスク
1の記録面上に集光するように位置制御される。
The focus error signal and the tracking error signal are current-amplified and the actuator 1 of the optical pickup 3
1, and the position of the light emitted from the optical pickup 3 is controlled so as to be focused on the recording surface of the optical disk 1.

【0035】また、フォトディテクタ9から出力される
フォーカス信号b、c、トラッキング信号d、eは同時
に再生信号処理ブロック12に入力され信号中の高周波
帯の信号成分は光ディスク上にピットとして記録されて
いる情報データとして検出される。
The focus signals b and c and the tracking signals d and e output from the photodetector 9 are simultaneously input to the reproduction signal processing block 12, and the high-frequency signal components in the signals are recorded as pits on the optical disk. Detected as information data.

【0036】記録信号処理ブロック13では外部入力デ
ータを光ディスク用に変調、フォーマット変換し、後で
示すレーザパワー、タイミング制御を行う。
The recording signal processing block 13 modulates the external input data for the optical disk and converts the format, and controls the laser power and timing as described later.

【0037】メインコントロールブロック14は以上の
再生信号処理ブロック13、記録信号処理ブロック12
を制御している。
The main control block 14 is composed of the reproduction signal processing block 13 and the recording signal processing block 12 described above.
Is controlling.

【0038】図6には例として相変化型光ディスクにマ
ークを記録するときの半導体レーザのパワーと記録マー
クを示している。ピークパワー1(PEAK1),ピー
クパワー2(PEAK2)は光ディスク1上に記録マー
クを形成するためのパワーである。バイアスパワー1
(BIAS1)は下地に記録されたマークを消去するた
めのパワーである。バイアスパワー2(BIAS2)は
マークの熱蓄積を低減するためのパワーである。
FIG. 6 shows, as an example, the power of a semiconductor laser and the recording marks when recording marks on a phase-change optical disk. The peak power 1 (PEAK1) and the peak power 2 (PEAK2) are powers for forming a recording mark on the optical disc 1. Bias power 1
(BIAS1) is the power for erasing the mark recorded on the base. Bias power 2 (BIAS2) is power for reducing the heat accumulation of the mark.

【0039】また、記録しないエリアに関しては、常に
再生パワー(READ)がオンになる。
The reproduction power (READ) is always turned on for an area where no recording is performed.

【0040】すなわち、本例では光ディスクへのデータ
記録、再生に5値のレーザパワー設定を必要とすること
を意味している。
That is, in this example, it means that quinary laser power setting is required for recording and reproducing data on the optical disk.

【0041】図7には半導体レーザ駆動装置の構成図を
示している。再生パワー設定電流入力(IINRD)、
ピークパワー1設定電流入力(IINPK1)、ピーク
パワー2設定電流入力(IINPK2)、バイアスパワ
ー1設定電流入力(IINBS1)、バイアスパワー2
設定電流入力(IINBS2)がそれぞれ記録信号処理
ブロック13より電流入力バッファー部15に入力され
ている。
FIG. 7 shows a configuration diagram of a semiconductor laser driving device. Reproduction power setting current input (IINRD),
Peak power 1 setting current input (IINPK1), peak power 2 setting current input (IINPK2), bias power 1 setting current input (IINBS1), bias power 2
The set current input (IINBS2) is input from the recording signal processing block 13 to the current input buffer unit 15.

【0042】パワー設定信号は電流入力形態を取ること
で電送路のインピーダンスを小さくできフレキシブルケ
ーブル等による長い伝送路においてノイズの影響を最小
限にする。なお、上記IINRD,IINPK1,II
NPK2,IINBS1,IINBS2は電流入力が絶
対条件ではなく電圧入力形態をとることも可能である。
The power setting signal takes the form of a current input so that the impedance of the transmission line can be reduced and the influence of noise on a long transmission line such as a flexible cable is minimized. Note that the above IINRD, IINPK1, II
The current input of NPK2, IINBS1, and IINBS2 can take a voltage input form instead of an absolute condition.

【0043】タイミング信号は再生パワータイミング信
号(RDMD)、ピークパワー1タイミング信号(PK
1MD+、PK1MD−)、ピークパワー2タイミング
信号(PK2MD+、PK2MD−)、バイアスパワー
1タイミング信号(BS1MD+、BS1MD−)、バ
イアスパワー2タイミング信号(BS2MD)である。
The timing signals are a reproduction power timing signal (RDMD) and a peak power 1 timing signal (PK
1MD +, PK1MD-), a peak power 2 timing signal (PK2MD +, PK2MD-), a bias power 1 timing signal (BS1MD +, BS1MD-), and a bias power 2 timing signal (BS2MD).

【0044】電流駆動装置内の電流バッファー部15に
入力されたパワー設定電流に対して、パワータイミング
信号はイネーブル信号として機能する。
The power timing signal functions as an enable signal for the power setting current input to the current buffer unit 15 in the current driver.

【0045】図8には図6で示したレーザ発光を実現す
るためのタイミング信号のスイッチングタイミングを示
したものである。再生パワータイミング信号RDMDは
再生パワー発光時間の間は常にアクティブ状態、バイア
スパワー2タイミング信号BS2MDも記録または消去
エリアにおいては常にアクティブ状態であり、スイッチ
ングスピードとして高速性をあまり必要としない。した
がって本例では上記2タイミング信号に関してはシング
ルエンドのタイミング伝送方式をとりシングルエンドロ
ジック入力部16に入力される。
FIG. 8 shows switching timings of timing signals for realizing the laser emission shown in FIG. The reproduction power timing signal RDMD is always in the active state during the reproduction power emission time, and the bias power 2 timing signal BS2MD is also always in the active state in the recording or erasing area, so that the switching speed does not require much high speed. Therefore, in this example, the two timing signals are input to the single-ended logic input unit 16 using a single-ended timing transmission method.

【0046】図8中では、BS2MDはLレベルをアク
ティブ状態としている。ピークパワー1タイミング信号
PK1MD、ピークパワー2タイミング信号PK2M
D、バイアスパワー1タイミング信号BS1MDは図8
で示すとおり、記録マーク形成時において高速のスイッ
チングを必要とするタイミング信号であり差動形態をと
り、図7に示す差動ロジック入力部に入力される。差動
入力の制御信号の演算後の信号をそれぞれ以下のとおり
定義する。
In FIG. 8, BS2MD is in an active state at L level. Peak power 1 timing signal PK1MD, Peak power 2 timing signal PK2M
D, bias power 1 timing signal BS1MD is shown in FIG.
As shown by, this is a timing signal that requires high-speed switching when forming a recording mark, takes a differential form, and is input to the differential logic input unit shown in FIG. The signals after the operation of the differential input control signal are defined as follows.

【0047】 PK1MD=(PK1MD+)−(PK1MD−) (式5) PK2MD=(PK2MD+)−(PK2MD−) (式6) BS1MD=(BS1MD+)−(BS1MD−) (式7) 図8のPK1MDを例にとるとPK1MD+がHレベ
ル、PK1MD−がLレベルの時をアクティブ状態とす
る。差動形態のデータ伝送のためフレキシブルケーブル
等による長い伝送路においても進入ノイズ成分をキャン
セルすることが可能である。又、正論理入力と負論理入
力のクロス点が演算結果のエッジ位置となるために、電
圧変動や、ノイズによってデューティーの変化が生じた
としても、最終的な差分演算後のデューティーに影響を
与えることは少なくなる。
PK1MD = (PK1MD +) − (PK1MD−) (Equation 5) PK2MD = (PK2MD +) − (PK2MD−) (Equation 6) BS1MD = (BS1MD +) − (BS1MD−) (Equation 7) PK1MD in FIG. For example, when PK1MD + is at H level and PK1MD- is at L level, the active state is set. For differential data transmission, it is possible to cancel the ingress noise component even on a long transmission line such as a flexible cable. In addition, since the cross point between the positive logic input and the negative logic input is the edge position of the calculation result, even if the duty changes due to voltage fluctuation or noise, it affects the duty after the final difference calculation. Less things.

【0048】記録マークの長さに情報を持たすPWM記
録を採用する光ディスク記録方法では記録パルスのデュ
ーティー保存性は極めて重要である。
In an optical disk recording method employing PWM recording having information on the length of a recording mark, the duty preservability of recording pulses is extremely important.

【0049】以上定義のもとで、各制御線と、Iopの
関係を以下のとおりにしめす。 Iop=G×( RDMD×IINRD +PK1MD×IINPK1 +PK2MD×IINPK2 +BS1MD×IINBS1 +BS2MD×IINBS2) (式8) となる。Gは図7の18に示す電流駆動部のゲインであ
る。
Under the above definition, the relationship between each control line and Iop is as follows. Iop = G × (RDMD × IINRD + PK1MD × IINPK1 + PK2MD × IINPK2 + BS1MD × IINBS1 + BS2MD × IINBS2) (Equation 8) G is the gain of the current driver shown at 18 in FIG.

【0050】以上の様に制御タイミングに高速性を必要
とする記録及び消去動作については、タイミング信号を
二信号差動式とし、対ノイズ強度を増すことで精度の向
上をはかり、又、半導体レーザ駆動信号の作成には加算
方式を採用し、最終的に加算合成するまでの分散された
より小さいレベルの各要素電流を取り扱い処理するため
バッファ部15、16、17での発熱量及びスイッチン
グ特性等において有利となる。
As described above, for the recording and erasing operations which require high-speed control timing, the timing signal is of a two-signal differential type, and the accuracy is improved by increasing the noise strength. A drive signal is created by using an addition method, and in order to handle and process each element current of a smaller and smaller level dispersed until finally adding and combining, the amount of heat generated in the buffer units 15, 16, and 17 and the switching characteristics are determined. This is advantageous.

【0051】図9、図10は半導体レーザ電流駆動装置
の出力部18の構成を簡略化して記した図である。
FIGS. 9 and 10 are simplified diagrams of the configuration of the output section 18 of the semiconductor laser current driver.

【0052】図9は半導体レーザ4のカソード側から吸
い出す方向に駆動電流Iopを供給する方式を示し、図
10は半導体レーザ4のアノード側から流し込む方向に
駆動電流Iopを供給する方式を示す。
FIG. 9 shows a method of supplying a drive current Iop in a direction of drawing from the cathode side of the semiconductor laser 4, and FIG. 10 shows a method of supplying a drive current Iop in a direction of flowing from the anode side of the semiconductor laser 4.

【0053】レーザ駆動電流Iopは数100mAのオ
ーダであり、光ピックアップ上で消費される電力の大半
はレーザ駆動電流Iopによるものである。光ピックア
ップ3上での消費電力は P=VCC×Iop (式9) であらわす事ができる。VCCは電源電圧であって、V
CCが最も大きい方向にばらついた時、消費電力が最大
となる。VCCの内訳は図9に示すとおり、半導体レー
ザ4の動作電圧Vopと駆動出力部18の動作電圧Vd
であり、 VCC=Vop+Vd (式10) となる。VCCは図11に示すとおりメイン部19から
フレキシブルケーブル20で伝送される事が一般的であ
り、フレキシブルケーブル上での電圧降下など考えられ
るが、本例では単純化のため省略している。尚メイン部
19には再生信号処理ブロック12、記録信号処理ブロ
ック13、コントロールブロック等が実装されている。
The laser drive current Iop is on the order of several hundred mA, and most of the power consumed on the optical pickup is due to the laser drive current Iop. The power consumption on the optical pickup 3 can be expressed by P = VCC × Iop (Equation 9). VCC is a power supply voltage, and V
When the CC varies in the largest direction, the power consumption becomes maximum. As shown in FIG. 9, the breakdown of VCC is the operating voltage Vop of the semiconductor laser 4 and the operating voltage Vd of the drive output unit 18.
And VCC = Vop + Vd (Equation 10). The VCC is generally transmitted from the main unit 19 via the flexible cable 20 as shown in FIG. 11, and a voltage drop on the flexible cable can be considered, but is omitted in this example for simplification. Note that the main unit 19 includes a reproduction signal processing block 12, a recording signal processing block 13, a control block, and the like.

【0054】又、半導体レーザ4の動作電圧Vopは一
定ではなく、動作電流Iopによって変化する。一般に
半導体レーザ内のダイオード電圧Vld、内部抵抗Rs
とすれば Vop=Vld+Iop×Rs (式11) とあらわされる。以上から式9を書き換えると P=(Vop+Vd)×Iop (式12) =(Vld+Iop×Rs+Vd)×Iop (式13) となる。
The operating voltage Vop of the semiconductor laser 4 is not constant, but changes with the operating current Iop. Generally, the diode voltage Vld and the internal resistance Rs in the semiconductor laser
Then, Vop = Vld + Iop × Rs (Equation 11) is obtained. From the above, rewriting Expression 9 gives P = (Vop + Vd) × Iop (Expression 12) = (Vld + Iop × Rs + Vd) × Iop (Expression 13)

【0055】図12には半導体レーザ4の出力光パワー
と、駆動電流Iopの関係をしめしている。
FIG. 12 shows the relationship between the output light power of the semiconductor laser 4 and the drive current Iop.

【0056】半導体レーザは閾値電流Ith以上の電流
に対して微分効率ηを傾きとして、駆動電流Iopに比
例したパワーを発光する。半導体レーザの上記特性は使
用環境温度と、長時間使用による素子の劣化によって変
化する。
The semiconductor laser emits power in proportion to the drive current Iop with the gradient of the differential efficiency η with respect to the current equal to or higher than the threshold current Ith. The above characteristics of the semiconductor laser change depending on the use environment temperature and the deterioration of the element due to long-term use.

【0057】Ith1、η1はそれぞれ常温で且つ使用
期間の初期状態の出力レーザパワー対駆動電流の関係を
示したグラフであるが、高温時または、長期間の使用後
にはIth2、η2で示すグラフへと移行する。つまり
一定のレーザパワーP1を出射するに必要な駆動電流値
は前者でIop1、後者でIop2(Iop1<Iop
2)となる。駆動電流Iopが増加すると、式2から式
4で示したとおり、レーザ駆動装置5の発熱は増大し、
半導体レーザ4の温度が上昇する。温度が上昇すればさ
らに大きな駆動電流Iopを必要とするといった悪循環
につながるおそれがあり、光ピックアップ3上での省電
力化は重要となる。
Ith1 and η1 are graphs showing the relationship between the output laser power and the driving current in the initial state of the use period at room temperature, respectively. When the temperature is high or after long-term use, the graphs show Ith2 and η2. And migrate. That is, the driving current value required to emit a constant laser power P1 is Iop1 in the former, and Iop2 in the latter (Iop1 <Iop1).
2). When the driving current Iop increases, the heat generation of the laser driving device 5 increases as shown in Expressions 2 to 4,
The temperature of the semiconductor laser 4 increases. If the temperature rises, it may lead to a vicious cycle in which a larger drive current Iop is required, and power saving on the optical pickup 3 is important.

【0058】式9、式13より光ヘッドの省電力には駆
動電流Iopを小さくすることが有効であるが、半導体
レーザ駆動電流、温度特性、経年変化は半導体レーザ素
子への依存が高く制御が難しい。
From the equations (9) and (13), it is effective to reduce the drive current Iop to save the power of the optical head. However, the semiconductor laser drive current, temperature characteristics, and aging are highly dependent on the semiconductor laser element and can be controlled. difficult.

【0059】したがって式9からVCCを抑制するこ
と、つまり式12よりレーザ駆動装置出力部にかかる電
圧Vdを抑制することで省電力化が可能となる。
Therefore, the power can be saved by suppressing VCC according to Equation 9, that is, by suppressing the voltage Vd applied to the output portion of the laser driving device according to Equation 12.

【0060】図13、図14は上記省電力化を盛り込ん
だレーザ駆動装置出力部の回路である。図13は図9で
示した半導体レーザ4のカソード側より駆動電流Iop
を引き出す方式のレーザ駆動方法による場合を示す。電
圧検出部21はレーザ駆動装置出力部のトランジスタ1
8のコレクタ電圧を検出する。
FIGS. 13 and 14 show the circuit of the output section of the laser driving device incorporating the above power saving. FIG. 13 shows the driving current Iop from the cathode side of the semiconductor laser 4 shown in FIG.
The case of a laser driving method of a system for extracting The voltage detection unit 21 is a transistor 1 of the laser driving device output unit.
8 is detected.

【0061】トランジスタ18のコレクタ電流は記録時
はパルス状であり、再生時はDCであり、消去時はパル
ス状であったりDCであったりする。従って電圧検出部
21としては、1例として、記録時のピークパワー2、
消去時のバイアスパワー1、そして再生時のリードパワ
ーそれぞれの駆動電流が流れている期間に同期したゲー
ト型電圧検出装置が適当である。
The collector current of the transistor 18 is pulse-shaped at the time of recording, DC at the time of reproduction, and pulse-shaped or DC at the time of erasing. Therefore, as an example, the voltage detector 21 has a peak power 2 during recording,
It is appropriate to use a gate-type voltage detection device synchronized with a period in which the drive currents of the bias power 1 at the time of erasing and the read power at the time of reproduction are flowing.

【0062】電圧検出部21の出力信号は電圧比較部2
2で、基準電圧源23の電圧と比較され、比較結果は電
源部トランジスタ24にフィードバックされ、本例では
トランジスタ18のコレクタ電圧が記録、消去、再生時
それぞれにおいて常に一定電圧に制御される。
The output signal of the voltage detector 21 is supplied to the voltage comparator 2
In step 2, the voltage is compared with the voltage of the reference voltage source 23, and the comparison result is fed back to the power supply transistor 24. In this example, the collector voltage of the transistor 18 is always controlled to a constant voltage during recording, erasing, and reproducing.

【0063】トランジスタ18のコレクタ電圧を動作可
能最小値、即ちボトミング飽和しない範囲で最小値に設
定すれば、レーザ駆動電流出力部における発熱量を最小
に維持することが出来る。
If the collector voltage of the transistor 18 is set to the minimum operable value, that is, the minimum value within a range where the bottoming does not saturate, the amount of heat generated in the laser drive current output unit can be kept to a minimum.

【0064】以上は基準電圧源23を一定電圧としてい
るが基準電圧源23を記録、消去及び再生の各モードに
対して最適な値に切り替えることも可能である。
In the above description, the reference voltage source 23 has a constant voltage. However, the reference voltage source 23 can be switched to an optimum value for each of the recording, erasing, and reproducing modes.

【0065】図14は図10で示した半導体レーザ4の
アノード側から駆動電流Iopを流し込む方式のレーザ
駆動方法に省電力化を盛り込んだ例である。図13の場
合と同様に駆動トランジスタ18のコレクタ電圧を電圧
検出部21が検出し電圧検出部21の出力は、電圧比較
部22で基準電圧源23の電圧と比較され、その結果を
電源部トランジスタ24にフィードバックする。
FIG. 14 shows an example in which power saving is incorporated in a laser driving method of a method in which a driving current Iop flows from the anode side of the semiconductor laser 4 shown in FIG. As in the case of FIG. 13, the voltage detector 21 detects the collector voltage of the driving transistor 18, and the output of the voltage detector 21 is compared with the voltage of the reference voltage source 23 by the voltage comparator 22. Feedback to 24.

【0066】図13で、電源部トランジスタ24のエミ
ッタ電圧は光ディスク装置の電源電圧であるから、バラ
ツキを生じるが基準電圧源23は、例えばバンドギャッ
プといった電圧変動の少ないものから構成されているの
で電源変動に対してもトランジスタ18のコレクタ電圧
は安定している。
In FIG. 13, since the emitter voltage of the power supply section transistor 24 is the power supply voltage of the optical disk device, there is a variation, but the reference voltage source 23 is constituted by a source having a small voltage fluctuation such as a band gap. The collector voltage of the transistor 18 is stable against the fluctuation.

【0067】電源部トランジスタ24のコレクタ電圧V
CEの変動分ΔVCEによるトランジスタ24の消費電
力の変動分ΔPPは ΔPP= ΔVCE×Iop (式14) となる。従って電源部トランジスタ24は光ピックアッ
プより分離した場所、例えば図11に示すメイン部19
に配置することで光ディスク装置の電源電圧変動分に対
しても熱源を光ピックアップ上からメイン部に追いやる
結果となる。
Collector voltage V of power supply transistor 24
The variation ΔPP in power consumption of the transistor 24 due to the variation ΔVCE in CE is as follows: ΔPP = ΔVCE × Iop (Equation 14). Therefore, the power supply transistor 24 is located at a location separated from the optical pickup, for example, the main unit 19 shown in FIG.
In this case, the heat source is driven from the optical pickup to the main unit even when the power supply voltage of the optical disk device fluctuates.

【0068】式9で示したVCCは電源部トランジスタ
24のコレクタ電圧となり、コレクタ電圧をVCとすれ
ば P=Vc×Iop (式15) 一方、VC=Vop+Vdであるから式14から P=(Vop+Vd)×Iop (式16) =(Vld+Iop×Rs+Vd)×Iop (式17) となる。Vop、Vld、Rsは半導体レーザ3固有の
値であり変化しないため光ピックアップ3の消費電力P
も電源変動の影響を受けないことが判る。
VCC shown in Equation 9 is the collector voltage of the power supply transistor 24. If the collector voltage is VC, P = Vc × Iop (Equation 15) On the other hand, since VC = Vop + Vd, P = (Vop + Vd) from Equation 14. ) × Iop (Equation 16) = (Vld + Iop × Rs + Vd) × Iop (Equation 17) Vop, Vld, and Rs are values inherent in the semiconductor laser 3 and do not change, so that the power consumption P of the optical pickup 3
It is also found that the power supply is not affected by the power supply fluctuation.

【0069】又、基準電圧源23の電圧をレーザ駆動装
置出力部電圧Vdが動作可能最小値となるよう調整する
ことで、式16、17から明らかなとおり光ヘッド上の
消費電力の低減が達成される。
Further, by adjusting the voltage of the reference voltage source 23 so that the output voltage Vd of the laser driving device becomes the operable minimum value, the power consumption on the optical head can be reduced as is apparent from the equations (16) and (17). Is done.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上、本実施例の様にレーザ駆動装置を
半導体レーザが組み込まれているピックアップ上に配置
し、レーザ駆動装置出力部にかかる電圧Vdを動作可能
最小値に調整することで光ピックアップ上の発熱を最小
限に抑えることが出来、多値半導体レーザ電流駆動を安
定に高精度に高速化することが可能となる。即ちより高
速度な記録再生が実現出来る。
As described above, the laser driving device is arranged on the pickup in which the semiconductor laser is incorporated as in this embodiment, and the voltage Vd applied to the output portion of the laser driving device is adjusted to the minimum operable value. Heat generation on the pickup can be minimized, and multi-level semiconductor laser current driving can be stably, accurately, and speeded up. That is, higher-speed recording and reproduction can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】光ディスクの記録パルス波形と記録マークを示
す図
FIG. 1 is a diagram showing a recording pulse waveform and a recording mark of an optical disk.

【図2】記録パルスに「なまり」が発生し、振幅が低下
した場合の波形と記録マーク例を示す図
FIG. 2 is a diagram showing a waveform and an example of a recording mark when “rounding” occurs in a recording pulse and the amplitude decreases.

【図3】半導体レーザと半導体レーザ駆動部間の導体に
寄生する容量と、パルス波形立ち上がり時間Trと立下
がり時間Tfとの関係図
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a parasitic capacitance of a conductor between a semiconductor laser and a semiconductor laser driver, and a pulse waveform rising time Tr and a falling time Tf.

【図4】光ディスクシステム構成図FIG. 4 is a configuration diagram of an optical disk system.

【図5】光ピックアップ構成図FIG. 5 is a configuration diagram of an optical pickup.

【図6】光ディスク記録マークと半導体レーザパワー対
応図
FIG. 6 is a diagram showing optical disk recording marks and semiconductor laser power correspondence.

【図7】半導体レーザ駆動装置構成図FIG. 7 is a configuration diagram of a semiconductor laser driving device.

【図8】半導体レーザパワーとタイミング信号対応図FIG. 8 is a diagram showing correspondence between a semiconductor laser power and a timing signal.

【図9】レーザ駆動装置出力部構成図FIG. 9 is a configuration diagram of an output unit of a laser driving device.

【図10】レーザ駆動装置出力部構成図FIG. 10 is a configuration diagram of an output unit of a laser driving device.

【図11】光ヘッド配置図FIG. 11 is an optical head layout.

【図12】半導体レーザの出力パワー対駆動電流図FIG. 12 is a diagram showing output power versus drive current of a semiconductor laser.

【図13】省電力レーザ駆動装置出力部構成図FIG. 13 is a configuration diagram of an output unit of a power saving laser driving device.

【図14】省電力レーザ駆動装置出力部構成図FIG. 14 is a configuration diagram of an output unit of a power saving laser driving device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ディスク 2 スピンドルモータ 3 光ピックアップ 4 半導体レーザ 5 レーザ駆動装置 6 コリメートレンズ 7 ビームスプリッタ 8 対物レンズ 9 フォトディテクタ 10 サーボブロック 11 アクチェエータ 12 再生信号処理ブロック 13 記録信号処理ブロック 14 メインコントロールブロック 15 電流入力バッファー部 16 シングルエンドロジック入力部 17 差動ロジック入力部 18 レーザ駆動装置出力部 19 メイン部 20 フレキシブルケーブル 21 電圧検出部 22 電圧比較部 23 基準電圧源 24 電源部トランジスタ a レーザ光 b フォーカス信号+ c フォーカス信号− d トラッキング信号+ e トラッキング信号− DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical disk 2 Spindle motor 3 Optical pickup 4 Semiconductor laser 5 Laser drive device 6 Collimating lens 7 Beam splitter 8 Objective lens 9 Photodetector 10 Servo block 11 Actuator 12 Reproduction signal processing block 13 Recording signal processing block 14 Main control block 15 Current input buffer section Reference Signs List 16 Single-ended logic input unit 17 Differential logic input unit 18 Laser drive unit output unit 19 Main unit 20 Flexible cable 21 Voltage detection unit 22 Voltage comparison unit 23 Reference voltage source 24 Power supply unit transistor a Laser beam b Focus signal + c Focus signal − D tracking signal + e tracking signal −

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 尚幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田手原 健一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 日高 郁夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中森 清 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naoyuki Nakamura 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Ikuo Hidaka 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Kiyoshi Nakamori 1006 Odaka Kadoma Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ディスクを使用してデータの再生およ
びデータの記録を行うための半導体レーザ駆動装置で、 半導体レーザをパルス状に光変調する時の最高周波数f
(f>0)に対して、前記光変調波形の立ち上がり時間
Ta(Ta>0)と立下り時間Tb(Tb>0)の関係
がTa<0.5×0.5÷f、 Tb<0.5×0.5
÷fとなるように前記半導体レーザ駆動装置と前記半導
体レーザとの間の距離Lを5cm>L>0の条件に近接
することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
1. A semiconductor laser driving device for reproducing data and recording data using an optical disk, wherein a maximum frequency f when the semiconductor laser is optically modulated in a pulsed manner.
(F> 0), the relationship between the rise time Ta (Ta> 0) and the fall time Tb (Tb> 0) of the optical modulation waveform is Ta <0.5 × 0.5 ÷ f, Tb <0. 0.5 × 0.5
A semiconductor laser driving device, wherein a distance L between the semiconductor laser driving device and the semiconductor laser is close to a condition of 5 cm>L> 0 so that Δf is satisfied.
【請求項2】 前記半導体レーザ駆動装置は光ピックア
ップと同じ可動部に搭載されていることを特徴とする請
求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein said semiconductor laser driving device is mounted on the same movable part as an optical pickup.
【請求項3】 前記半導体レーザ駆動装置はN個(Nは
自然数)のレーザパワー設定信号入力部と前記N値のレ
ーザパワー設定信号を各々選択するためのN個の切り替
えタイミング信号入力部と前記切り替えタイミング信号
にて選択されたP個(PはN以下の自然数)のレーザパ
ワー設定信号を加算するための信号加算部と前記信号加
算部によって加算されたP個の前記レーザパワー設定信
号に応じて、半導体レーザに駆動電流を供給する電流源
とを有する請求項2記載の半導体レーザ駆動装置。
3. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein the N laser power setting signal input units (N is a natural number), and the N switching timing signal input units for selecting the N-value laser power setting signals, respectively. A signal adding unit for adding P (P is a natural number equal to or less than N) laser power setting signals selected by the switching timing signal and the P laser power setting signals added by the signal adding unit. 3. The semiconductor laser driving device according to claim 2, further comprising: a current source for supplying a driving current to the semiconductor laser.
【請求項4】 前記N個のレーザパワー設定信号は電流
入力形態をとることを特徴とする請求項3記載の半導体
レーザ駆動装置。
4. The semiconductor laser driving device according to claim 3, wherein said N laser power setting signals take a current input form.
【請求項5】 前記N個の切り替えタイミング信号入力
手段のうちM個(MはN以下の自然数)のタイミング信
号入力部は差動型の入力形態を有することを特徴とする
請求項3記載の半導体レーザ駆動装置。
5. The apparatus according to claim 3, wherein M (M is a natural number equal to or less than N) timing signal input sections of said N switching timing signal input means have a differential input form. Semiconductor laser drive.
【請求項6】 前記半導体レーザ駆動装置の半導体レー
ザ駆動出力部にかかる電圧値を基準値と比較し、一定値
に制御するための、電源部と電源部の電圧制御部とを有
する請求項3記載の半導体レーザ駆動装置。
6. A power supply unit and a voltage control unit of the power supply unit for comparing a voltage value applied to a semiconductor laser drive output unit of the semiconductor laser drive device with a reference value and controlling the voltage value to a constant value. 14. The semiconductor laser driving device according to claim 1.
【請求項7】 前記半導体レーザ駆動装置出力部にかか
る電圧値が前記半導体レーザ駆動装置出力部の動作可能
最小値となるように前記電源部を制御することを特徴と
する請求項6記載の半導体レーザ駆動装置。
7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the power supply unit is controlled such that a voltage value applied to the output unit of the semiconductor laser driving device becomes a minimum value at which the output unit of the semiconductor laser driving device can operate. Laser drive.
【請求項8】 前記電源部は前記光ピックアップと同じ
可動部外に設けられている事を特徴とする請求項6記載
の半導体レーザ駆動装置。
8. The semiconductor laser driving device according to claim 6, wherein said power supply section is provided outside the same movable section as said optical pickup.
【請求項9】 光ディスクを使用してデータの再生およ
びデータの記録を行うための半導体レーザ駆動方法で、 半導体レーザをパルス状に光変調する時の最高周波数f
(f>0)に対して、前記光変調波形の立ち上がり時間
Ta(Ta>0)と立下り時間Tb(Tb>0)の関係
がTa<0.5×0.5÷f、 Tb<0.5×0.5
÷fとなるように前記半導体レーザ駆動装置と前記半導
体レーザとの間の距離Lを5cm>L>0の条件に近接
することを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
9. A semiconductor laser driving method for reproducing data and recording data using an optical disk, wherein the maximum frequency f when the semiconductor laser is optically modulated in a pulsed manner.
(F> 0), the relationship between the rise time Ta (Ta> 0) and the fall time Tb (Tb> 0) of the optical modulation waveform is Ta <0.5 × 0.5 ÷ f, Tb <0. 0.5 × 0.5
A method of driving a semiconductor laser, wherein a distance L between the semiconductor laser driving device and the semiconductor laser is close to a condition of 5 cm>L> 0 so that ÷ f.
【請求項10】 前記半導体レーザの電流駆動部は前記
半導体レーザと同じく前記光ピックアップと同じ可動部
に搭載されていることを特徴とする請求項9記載の電流
駆動方法。
10. The current driving method according to claim 9, wherein the current driving section of the semiconductor laser is mounted on the same movable section as the optical pickup like the semiconductor laser.
【請求項11】 前記電流駆動方法でN個(Nは自然
数)のレーザパワー設定信号を入力し、前記N個のレー
ザパワー設定信号をN個の切り替えタイミング信号で選
択し、前記選択されたP個(PはN以下の自然数)のレ
ーザパワー設定信号を加算し、前記加算された設定信号
に応じた駆動電流を前記半導体レーザに供給する請求項
10記載の半導体レーザ駆動方法。
11. An N laser power setting signal (N is a natural number) is input by the current driving method, and the N laser power setting signals are selected by N switching timing signals. 11. The semiconductor laser driving method according to claim 10, wherein (where P is a natural number equal to or less than N) laser power setting signals are added, and a driving current corresponding to the added setting signal is supplied to the semiconductor laser.
【請求項12】 前記N値のレーザパワー設定信号を電
流入力とすることを特徴とする請求項11記載のレーザ
パワー駆動方法。
12. The laser power driving method according to claim 11, wherein the N-level laser power setting signal is used as a current input.
【請求項13】 前記N個の切り替えタイミング信号の
うちM個(MはN以下の自然数)の切り替えタイミング
信号を差動信号によって伝送することを特徴とする請求
項11記載の半導体レーザ駆動方法。
13. The semiconductor laser driving method according to claim 11, wherein M (M is a natural number equal to or less than N) switching timing signals among the N switching timing signals are transmitted by differential signals.
【請求項14】 前記半導体レーザ駆動出力部の電圧を
観測し、前記観測値をもとに前記半導体レーザと駆動出
力部に電流を供給する電源部の電圧を制御し前記半導体
レーザ駆動出力部の電圧を一定電圧となるよう制御する
請求項11記載の半導体レーザ駆動方法。
14. The semiconductor laser drive output section monitors a voltage of the semiconductor laser drive output section, and controls a voltage of a power supply section for supplying a current to the semiconductor laser and the drive output section based on the observed value. 12. The semiconductor laser driving method according to claim 11, wherein the voltage is controlled to be constant.
【請求項15】 前記半導体レーザ駆動出力部への供給
電圧を前記駆動出力部の動作可能最小値となるよう制御
する請求項14記載の半導体レーザ駆動方法。
15. The semiconductor laser driving method according to claim 14, wherein a supply voltage to said semiconductor laser drive output section is controlled to be a minimum value at which said drive output section can operate.
【請求項16】 前記電源部は前記光ピックアップと同
じ可動部外の領域に設けられ、光ピックアップと同じ可
動部に搭載された半導体レーザ及び半導体レーザ電流駆
動部に電流を供給する事を特徴とする請求項14記載の
半導体レーザ駆動方法。
16. The power supply section is provided in a region outside the same movable section as the optical pickup, and supplies a current to a semiconductor laser and a semiconductor laser current drive section mounted on the same movable section as the optical pickup. The method for driving a semiconductor laser according to claim 14, wherein
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