JPH0574810U - Dicing blade - Google Patents

Dicing blade

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Publication number
JPH0574810U
JPH0574810U JP1412292U JP1412292U JPH0574810U JP H0574810 U JPH0574810 U JP H0574810U JP 1412292 U JP1412292 U JP 1412292U JP 1412292 U JP1412292 U JP 1412292U JP H0574810 U JPH0574810 U JP H0574810U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing
groove
blade
semiconductor wafer
forming
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP1412292U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
政彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP1412292U priority Critical patent/JPH0574810U/en
Publication of JPH0574810U publication Critical patent/JPH0574810U/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイシングと同時に半導体ウエハーの一面の
ダイシング部分にV溝を形成可能なダイシングブレード
を実現する。 【構成】 半導体ウエハーをダイシングするダイシング
ブレードにおいて、半導体ウエハーをダイシングするダ
イシング刃部と、該ダイシング部の途中に設けられ半導
体ウエハーの一面のダイシング部分にV溝を形成するテ
ーパー状のV溝形成刃部とを具備したことを特徴とする
ダイシングブレードである。
(57) [Summary] [Objective] To realize a dicing blade capable of forming a V groove in a dicing portion on one surface of a semiconductor wafer at the same time as dicing. In a dicing blade for dicing a semiconductor wafer, a dicing blade portion for dicing the semiconductor wafer, and a taper-shaped V-groove forming blade for forming a V-groove in a dicing portion on one surface of the semiconductor wafer provided in the dicing portion. And a dicing blade.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、ダイシングと同時に半導体ウエハーの一面のダイシング部分にV溝 を形成可能なダイシングブレードに関するものである。 The present invention relates to a dicing blade capable of forming a V groove in a dicing portion on one surface of a semiconductor wafer at the same time as dicing.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

図5は、従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。 例えば、カタログ「DUAL DICER SERIES」、(株)ディスコ 発行、1990年、10月発行に示されている。 FIG. 5 is an explanatory diagram of a main part configuration of a conventional example that is generally used in the past. For example, it is shown in a catalog “DUAL DICER SERIES”, published by Disco Co., Ltd., issued in October, 1990.

【0003】 図において、 1はダイシング用ブレード、2はV溝用ブレードである。 ダイシング用ブレード1とV溝用ブレード2とはダイシングの間隔tに合わせ てセットされている。 以上の構成において、図6に示す如く、 ダイシング時には、先ず、V溝用ブレード2で半導体ウエハー3にV溝Aを形 成する。次に、ダイシング用ブレード1でV溝Aを掘り下げ、ダイシングBを行 う。In the figure, 1 is a dicing blade and 2 is a V-groove blade. The dicing blade 1 and the V-groove blade 2 are set according to the dicing interval t. In the above structure, as shown in FIG. 6, at the time of dicing, first, the V groove A is formed in the semiconductor wafer 3 by the V groove blade 2. Next, the V groove A is dug down with the dicing blade 1 and dicing B is performed.

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら、この様な装置においては、 (1)V溝A形成とダイシングBとの2工程となり2重の手間となる。 (2)ダイシングブレード1とV溝用ブレード2間の位置合わせが難しく、ダイ シングB溝とV溝Aとの中心がずれてしまう。 本考案は、この問題点を、解決するものである。 However, in such a device, (1) V groove A formation and dicing B are performed in two steps, which is a double labor. (2) Positioning between the dicing blade 1 and the V-groove blade 2 is difficult, and the centers of the dicing B groove and the V groove A are deviated. The present invention solves this problem.

【0005】 本考案の目的は、ダイシングと同時に半導体ウエハーの一面のダイシング部分 にV溝を形成可能なダイシングブレードを提供するにある。An object of the present invention is to provide a dicing blade capable of forming a V groove in a dicing portion on one surface of a semiconductor wafer at the same time as dicing.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

この目的を達成するために、本考案は、半導体ウエハーをダイシングするダイ シングブレードにおいて、 半導体ウエハーをダイシングするダイシング刃部と、該ダイシング部の途中に 設けられ半導体ウエハーの一面のダイシング部分にV溝を形成するテーパー状の V溝形成刃部とを具備したことを特徴とするダイシングブレードを構成したもの である。 In order to achieve this object, the present invention provides a dicing blade for dicing a semiconductor wafer, a dicing blade portion for dicing the semiconductor wafer, and a V-shaped groove on one side of the semiconductor wafer provided in the middle of the dicing portion. And a taper-shaped V-groove forming blade portion for forming a dicing blade.

【0007】[0007]

【作用】[Action]

以上の構成において、ダイシングブレードを半導体ウエハーの所定位置にセッ トしダイシングすることにより、V溝形成とだダイシングとが一度に行える。 以下、実施例に基づき詳細に説明する。 In the above structure, the V-groove formation and the dicing can be performed at once by setting the dicing blade at a predetermined position on the semiconductor wafer and performing the dicing. Hereinafter, detailed description will be given based on examples.

【0008】[0008]

【実施例】【Example】

図1は本考案の一実施例の要部構成説明図である。 11は、半導体ウエハー3をダイシングBするダイシング刃部である。 12は、ダイシング刃部11の途中に設けられ、半導体ウエハー1の一面のダ イシング部分13にV溝Aを形成するテーパー状のV溝形成刃部である。 FIG. 1 is an explanatory view of the main configuration of an embodiment of the present invention. Reference numeral 11 is a dicing blade portion for performing dicing B on the semiconductor wafer 3. Reference numeral 12 denotes a tapered V groove forming blade portion which is provided in the middle of the dicing blade portion 11 and forms the V groove A in the dicing portion 13 on one surface of the semiconductor wafer 1.

【0009】 以上の構成において、図2に示す如く、ダイシングブレードを半導体ウエハー 3の所定位置にセットしダイシングすることにより、V溝A形成とダイシングB とが一度に行える。In the above structure, as shown in FIG. 2, by setting the dicing blade at a predetermined position on the semiconductor wafer 3 and performing dicing, the V groove A formation and the dicing B can be performed at the same time.

【0010】 この結果、 (1)V溝A形成とダイシングBとが1工程で出来、製造コストが低減できる。 (2)ダイシング溝とV溝の中心を容易に一致出来る。 図3は、本考案の他の実施例の要部構成説明図である。 本実施例では、ダイシング刃部21の先端をテーパー状としたものである。 図4は、本考案の他の実施例の要部構成説明図である。 本実施例では、V溝形成刃部31の形状を曲面状としたものである。As a result, (1) V-groove A formation and dicing B can be performed in one step, and the manufacturing cost can be reduced. (2) The centers of the dicing groove and the V groove can be easily aligned with each other. FIG. 3 is an explanatory view of a main part configuration of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the tip of the dicing blade portion 21 is tapered. FIG. 4 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the V-groove forming blade portion 31 has a curved surface.

【0011】[0011]

【考案の効果】[Effect of the device]

以上説明したように、本考案は、半導体ウエハーをダイシングするダイシング ブレードにおいて、 半導体ウエハーをダイシングするダイシング刃部と、該ダイシング部の途中に 設けられ半導体ウエハーの一面のダイシング部分にV溝を形成するテーパー状の V溝形成刃部とを具備したことを特徴とするダイシングブレードを構成した。 As described above, according to the present invention, in a dicing blade for dicing a semiconductor wafer, a dicing blade portion for dicing the semiconductor wafer and a V groove is formed in the dicing portion on one surface of the semiconductor wafer provided in the middle of the dicing portion. A dicing blade having a tapered V-groove forming blade was constructed.

【0012】 この結果、 (1)V溝形成とダイシングとが1工程で出来、製造コストが低減できる。 (2)ダイシング溝とV溝の中心を容易に一致出来る。As a result, (1) V-groove formation and dicing can be performed in one step, and manufacturing cost can be reduced. (2) The centers of the dicing groove and the V groove can be easily aligned with each other.

【0013】 従って、本考案によれば、ダイシングと同時に半導体ウエハーの一面のダイシ ング部分にV溝を形成可能なダイシングブレードを実現することが出来る。Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a dicing blade capable of forming a V groove in a dicing portion on one surface of a semiconductor wafer at the same time as dicing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の一実施例の要部構成説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a main part configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】図1の動作説明図である。FIG. 2 is an operation explanatory diagram of FIG.

【図3】本考案の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a main part configuration of another embodiment of the present invention.

【図4】本考案の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.

【図5】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional example that is generally used in the past.

【図6】図5の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3…半導体ウエハー 11…ダイシング刃部 12…V溝形成刃部 21…ダイシング刃部 31…V溝形成刃部 3 ... Semiconductor wafer 11 ... Dicing blade portion 12 ... V groove forming blade portion 21 ... Dicing blade portion 31 ... V groove forming blade portion

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】半導体ウエハーをダイシングするダイシン
グブレードにおいて、 半導体ウエハーをダイシングするダイシング刃部と、 該ダイシング部の途中に設けられ半導体ウエハーの一面
のダイシング部分にV溝を形成するテーパー状のV溝形
成刃部とを具備したことを特徴とするダイシングブレー
ド。
1. A dicing blade for dicing a semiconductor wafer, wherein a dicing blade portion for dicing the semiconductor wafer, and a tapered V groove for forming a V groove in a dicing portion on one surface of the semiconductor wafer provided in the dicing portion. A dicing blade comprising a forming blade portion.
JP1412292U 1992-03-17 1992-03-17 Dicing blade Withdrawn JPH0574810U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1412292U JPH0574810U (en) 1992-03-17 1992-03-17 Dicing blade

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1412292U JPH0574810U (en) 1992-03-17 1992-03-17 Dicing blade

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0574810U true JPH0574810U (en) 1993-10-12

Family

ID=11852323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1412292U Withdrawn JPH0574810U (en) 1992-03-17 1992-03-17 Dicing blade

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JP (1) JPH0574810U (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012035607A (en) * 2010-08-11 2012-02-23 Toshiba Tec Corp Ink-jet head and method of manufacturing the same
US9701043B2 (en) 2012-04-24 2017-07-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dicing blade

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012035607A (en) * 2010-08-11 2012-02-23 Toshiba Tec Corp Ink-jet head and method of manufacturing the same
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Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19960606