JPH057335A - Electronic still camera - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は電子スチルカメラ(スチ
ルビデオカメラともいう)に関し、特にその測光に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic still camera (also referred to as a still video camera), and more particularly to photometry thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は従来の電子スチルカメラのブロッ
ク図である。図において、1はレンズユニット、2はレ
ンズ駆動モータであり、22はシャッタ、3は絞り、4
はシャッタ・絞り駆動回路である。5は画像を電気信号
に変換する固体撮像素子であり、システム制御回路9の
指示により垂直方向の任意の行を指定して蓄積電荷をリ
セットしたり読み出すことが出来る機能がある。23は
γ補正回路である。6は固体撮像素子5の出力をアナロ
グ−ディジタル変換するA/D変換回路である。現状安
価に得られるA/D変換回路は8ビット分解能程度のも
のが多いので、γ補正回路23によってγ補正を行って
からA/D変換を行うことによって量子化ノイズの発生
を抑えている。7はA/D変換回路6の出力を記憶する
フレームメモリである。9はシステム全体を制御するシ
ステム制御回路である。10はメモリ7の出力に対して
帯域制限等の処理を行う撮像信号処理回路である。11
は撮像信号処理回路10の出力をディジタル−アナログ
変換するD/A変換回路である。12はD/A変換回路
11の出力をFM変調するFM変調回路である。13は
FM変調回路12の出力を電流増幅するREC(記録)
アンプである。14は磁気ヘッド、15は記録媒体であ
る磁気シート、16は磁気シート15を回転させるモー
タ、17はモータの回転を安定させるためのモータサー
ボ回路である。20はレリーズスイッチでありこのスイ
ッチの投入とともに一連の撮影動作が開始される。21
はA/D変換回路6の信号の平均値を算出する平均値算
出回路である。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a block diagram of a conventional electronic still camera. In the figure, 1 is a lens unit, 2 is a lens drive motor, 22 is a shutter, 3 is an aperture, and 4
Is a shutter / aperture drive circuit. Reference numeral 5 denotes a solid-state image sensor that converts an image into an electric signal, and has a function of resetting or reading the accumulated charge by designating an arbitrary row in the vertical direction according to an instruction from the system control circuit 9. Reference numeral 23 is a γ correction circuit. Reference numeral 6 denotes an A / D conversion circuit that performs analog-digital conversion on the output of the solid-state image sensor 5. Currently, most of the A / D conversion circuits that can be obtained at low cost have about 8-bit resolution. Therefore, the γ correction is performed by the γ correction circuit 23 and then the A / D conversion is performed to suppress the generation of quantization noise. A frame memory 7 stores the output of the A / D conversion circuit 6. A system control circuit 9 controls the entire system. An image pickup signal processing circuit 10 performs processing such as band limitation on the output of the memory 7. 11
Is a D / A conversion circuit for digital-to-analog converting the output of the imaging signal processing circuit 10. Reference numeral 12 is an FM modulation circuit that FM-modulates the output of the D / A conversion circuit 11. 13 is a REC (record) for current-amplifying the output of the FM modulation circuit 12.
It is an amplifier. Reference numeral 14 is a magnetic head, 15 is a magnetic sheet as a recording medium, 16 is a motor for rotating the magnetic sheet 15, and 17 is a motor servo circuit for stabilizing the rotation of the motor. Reference numeral 20 denotes a release switch. When the switch is turned on, a series of photographing operations is started. 21
Is an average value calculation circuit for calculating the average value of the signals of the A / D conversion circuit 6.
【0003】図5は、よく用いられる固体撮像素子の一
例としてのインターライン型CCDの概念図である。図
において、102は光を電荷に変えて蓄積するフォトダ
イオード、103はフォトダイオードから移された蓄積
電荷を1H(水平走査期間)に1段ずつ垂直に転送する
垂直CCDである。V1〜V4は垂直CCDの転送電極
であり、V1はフォトダイオードの奇数行の電荷を垂直
CCDに転送する転送ゲートをかねている。また、V3
は同様に偶数行のフォトダイオードに対応する転送ゲー
トとなっている。垂直CCDは4相の転送パルスで駆動
される。104は垂直CCD103より1Hに1段転送
されてくる電荷を水平に転送する水平CCDである。H
1,H2は水平CCDの転送電極であり2相のパルスで
駆動される。105は電荷を電圧に変換し出力する出力
アンプである。Voutは出力端子である。106は不
要電荷を掃き捨てるためのトップドレインである。Vs
ubは基板バイアス端子である。FIG. 5 is a conceptual diagram of an interline CCD as an example of a solid-state image pickup element that is often used. In the figure, reference numeral 102 denotes a photodiode that converts light into electric charges and accumulates the electric charges, and 103 denotes a vertical CCD that vertically transfers the accumulated electric charges transferred from the photodiode one by one in 1H (horizontal scanning period). V1 to V4 are transfer electrodes of the vertical CCD, and V1 also serves as a transfer gate for transferring the charges in the odd rows of the photodiodes to the vertical CCD. Also, V3
Are also transfer gates corresponding to the photodiodes in even rows. The vertical CCD is driven by four-phase transfer pulses. Reference numeral 104 denotes a horizontal CCD that horizontally transfers the charges transferred from the vertical CCD 103 one stage to 1H. H
Reference numerals 1 and H2 denote transfer electrodes of the horizontal CCD, which are driven by two-phase pulses. Reference numeral 105 denotes an output amplifier that converts charges into a voltage and outputs the voltage. Vout is an output terminal. Reference numeral 106 is a top drain for sweeping away unnecessary charges. Vs
ub is a substrate bias terminal.
【0004】図6は図5に示すインターライン型のCC
Dの駆動タイミングを示す図である。図6において、時
刻t1から奇数フィールド垂直ブランキング期間が開始
される。時刻t2に転送ゲートV1をハイレベルにして
奇数行の電荷を垂直CCD103に転送する。時刻t3
よりV1からV4に4相に駆動パルスを印加することに
よって1Hに1ラインずつ電荷を水平CCD104にシ
フトし水平方向に高速転送して読み出す。時刻t5で奇
数フィールドの電荷の読出しを終了し偶数フィールドの
垂直ブランキング期間になる。時刻t6で転送ゲートV
3をハイレベルにすることによって偶数行の電荷を垂直
CCD103に転送し時刻t7から読出しを開始する。
基板バイアス端子Vsubに30V程度のパルスを与え
ることによってそれまでフォトダイオード102に蓄積
されていた電荷を基板方向に掃き捨ていることが可能で
ある。このことを利用して電荷蓄積時間のコントロール
が可能である。図6の時刻t4は水平ブランキング期間
であり、時刻t4に図示のように基板バイアス端子Vs
ubにパルスを印加した場合、時刻t4からt6迄がフ
ォトダイオード12の電荷蓄積時間となる。FIG. 6 is an interline type CC shown in FIG.
It is a figure which shows the drive timing of D. In FIG. 6, the odd field vertical blanking period starts from time t1. At time t2, the transfer gate V1 is set to the high level to transfer the charges in the odd rows to the vertical CCD 103. Time t3
By applying drive pulses in four phases from V1 to V4, charges are shifted line by line in 1H to the horizontal CCD 104, and are transferred at high speed in the horizontal direction for reading. At time t5, the reading of the charges in the odd fields is completed, and the vertical blanking period of the even fields starts. Transfer gate V at time t6
By setting 3 to the high level, the charges in the even rows are transferred to the vertical CCD 103 and the reading is started from the time t7.
By applying a pulse of about 30 V to the substrate bias terminal Vsub, it is possible to sweep away the charges accumulated in the photodiode 102 until then in the substrate direction. This can be used to control the charge storage time. The time t4 in FIG. 6 is the horizontal blanking period, and as shown in the figure at the time t4, the substrate bias terminal Vs
When a pulse is applied to ub, the charge accumulation time of the photodiode 12 is from time t4 to t6.
【0005】図7は図4に示す従来の電子スチルカメラ
の動作シークエンスを示す図である。時刻T0にレリー
ズスイッチ20が投入されるとシャッタ22が開き、一
連の撮影シークエンスが開始される。時刻T0からT1
の間に、ある絞り値にて電荷蓄積時間を変えながらM回
の走査すなわち測光走査を行い、固体撮像素子5の出力
平均値より最適絞り値Avおよび最適シャッタスピード
Tvを算出する。さらに詳しく測光動作について説明す
ると、まず絞り3を解放にして電荷蓄積時間を変えなが
らK回の走査を行い同時に平均値算出回路21にて固体
撮像素子5の出力走査毎の平均値を算出する。電荷蓄積
時間は最初の走査では最大値(例えば1/30秒)にし
走査毎に前回走査の1/2の蓄積時間に変化させて行
く。平均値算出回路21は出力である平均値がある値の
範囲内に入っていればその値からシステム制御回路9に
て適正露光量(最適露出量ともいう)を得るシャッタス
ピードと絞り値であるTvとAvを計算することが出来
る。平均値が大きすぎた場合は固体撮像素子5のエリア
の大部分が飽和していたと考えられる。また平均値が小
さすぎた場合はS/Nが悪すぎて適正露光量を得る際の
計算の誤差が大きくなりすぎるため画像の平均値が適正
な範囲に入るまで電荷蓄積時間を変えながら走査する。
最小の電荷蓄積時間にしても最適露光量が得られなかっ
た場合は絞り3を1段絞って再び電荷蓄積時間を変えな
がらM回の走査を行う。この動作を最適露光量が得られ
るまで繰り返す。T1からT2の間に絞りをAvに設定
しT2に固体撮像素子5のVsubにリセットパルスを
印加して全蓄積電荷を基板に掃き捨て本露出を開始す
る。時刻T3にシャッタ22を閉じ本露出を終了する。
次に時刻T4からT5にかけて信号の読出し走査を行う
とともに磁気シート15に処理信号を記録する。FIG. 7 is a diagram showing an operation sequence of the conventional electronic still camera shown in FIG. When the release switch 20 is turned on at time T0, the shutter 22 is opened and a series of photographing sequences is started. From time T0 to T1
In the meantime, scanning is performed M times, that is, photometric scanning while changing the charge accumulation time at a certain aperture value, and the optimal aperture value Av and the optimal shutter speed Tv are calculated from the average output value of the solid-state image sensor 5. In more detail, the photometry operation will be described. First, the diaphragm 3 is opened, the scanning is performed K times while changing the charge accumulation time, and at the same time, the average value calculation circuit 21 calculates the average value for each output scan of the solid-state image sensor 5. The charge storage time is set to the maximum value (for example, 1/30 seconds) in the first scan and is changed to ½ of the previous scan in each scan. The average value calculation circuit 21 is a shutter speed and an aperture value at which the system control circuit 9 obtains an appropriate exposure amount (also referred to as an optimum exposure amount) from an output average value within a range of a certain value. Tv and Av can be calculated. If the average value is too large, it is considered that most of the area of the solid-state image sensor 5 is saturated. If the average value is too small, the S / N is too bad and the calculation error when obtaining the appropriate exposure amount becomes too large. Therefore, scanning is performed while changing the charge accumulation time until the average value of the image falls within the appropriate range. ..
If the optimum exposure amount is not obtained even with the minimum charge accumulation time, the diaphragm 3 is narrowed down by one step and scanning is performed M times while changing the charge accumulation time again. This operation is repeated until the optimum exposure amount is obtained. The aperture is set to Av between T1 and T2, and a reset pulse is applied to Vsub of the solid-state image sensor 5 at T2 to sweep all the accumulated charges to the substrate and start the main exposure. At time T3, the shutter 22 is closed and the main exposure is finished.
Next, from time T4 to T5, the signal read scanning is performed and the processed signal is recorded on the magnetic sheet 15.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来、図7に示すよう
に測光走査は時間を短縮するために走査する毎にシャッ
タ22を閉じることをせずにシャッタ22を開けたま
ま、固体撮像素子5の電子シャッタ動作によって電荷蓄
積時間を制御している。しかしながら前記従来例では、
電荷蓄積時間が短かく高輝度被写体が存在した場合に
は、スミアという現象が発生し、測光精度が悪化する。
図8はスミア現象を説明する図である。インターライン
型CCDでは垂直転送は1Hに1段ずつ行われるため、
高輝度被写体の画像が投影されている箇所では斜め入射
光等の影響で垂直転送路中に露光電荷が発生してしま
う。この電荷は1Hに1段ずつ転送され出力されるため
縦帯状の偽信号となってしまう。実際に画像を記録する
場合は、このスミア現象を防ぐためにシャッタ22を閉
じた状態で固体撮像素子5の信号を読み出すため、スミ
アは発生しない。したがって、測光時にスミア信号を含
んだ信号で最適露出量を求めるとスミアの量によっては
本露出時に露出量不足となってしまう場合が有る。Conventionally, as shown in FIG. 7, in the photometric scanning, the solid-state image pickup device 5 is left open without closing the shutter 22 each time the scanning is performed in order to shorten the time. The electronic shutter operation controls the charge storage time. However, in the conventional example,
When there is a high-luminance subject with a short charge accumulation time, a phenomenon called smear occurs and the photometric accuracy deteriorates.
FIG. 8 is a diagram for explaining the smear phenomenon. In the interline CCD, vertical transfer is performed one stage at 1H.
At locations where an image of a high-brightness subject is projected, exposure charges are generated in the vertical transfer path due to the influence of obliquely incident light or the like. Since this charge is transferred and output one stage at 1H, it becomes a vertical band-shaped false signal. When actually recording an image, smear does not occur because the signal of the solid-state image sensor 5 is read with the shutter 22 closed to prevent the smear phenomenon. Therefore, if the optimum exposure amount is obtained from the signal including the smear signal during photometry, the exposure amount may be insufficient during the main exposure depending on the amount of smear.
【0007】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、スミア現象による誤差のない測光
のできる電子スチルカメラを提供することを目的とする
ものである。The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object thereof is to provide an electronic still camera capable of photometry without an error due to a smear phenomenon.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、電子スチルカメラをつぎの(1)のとおりに
構成する。According to the present invention, in order to achieve the above object, an electronic still camera is constructed as described in (1) below.
【0009】(1)固体撮像素子と、該固体撮像素子を
駆動し測光情報を得る測光手段と、前記固体撮像素子を
駆動しスミア情報を検出するスミア情報検出手段と、前
記測光手段の出力と前記スミア情報検出手段の出力にも
とづいて所要の露光量を算出する露光量算出手段とを備
えた電子スチルカメラ。(1) Solid-state imaging device, photometric means for driving the solid-state imaging device to obtain photometric information, smear information detecting means for driving the solid-state imaging device to detect smear information, and output of the photometric means. An electronic still camera comprising: an exposure amount calculation unit that calculates a required exposure amount based on the output of the smear information detection unit.
【0010】[0010]
【作用】前記(1)の構成により、測光情報とスミア情
報が得られ、この測光情報とスミア情報にもとづいて所
要の露光量が算出される。With the configuration (1), the photometric information and the smear information are obtained, and the required exposure amount is calculated based on the photometric information and the smear information.
【0011】[0011]
【実施例】以下本発明を実施例により詳しく説明する。
図1は本発明の第1実施例である“電子スチルカメラ”
のブロック図である。図において、図4と同一番号を付
したブロックは同一の機能を有しており、異なっている
のは固体撮像素子5の出力に対するゲインを切り替える
可変ゲインアンプ24と可変ゲインアンプ24の出力に
対してγ補正をオンオフできるよにう構成した可変γ補
正回路25、測光前の走査よりスミア成分の平均値を記
憶するスミア値メモリ26、測光走査時に測光領域のデ
ータの平均値からスミア値を減算する減算回路27であ
る。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples.
FIG. 1 shows an "electronic still camera" which is a first embodiment of the present invention.
It is a block diagram of. In the figure, blocks denoted by the same numbers as in FIG. 4 have the same function, except that the variable gain amplifier 24 for switching the gain for the output of the solid-state imaging device 5 and the output of the variable gain amplifier 24 are different. Variable γ correction circuit 25 configured to turn on / off the γ correction by means of, a smear value memory 26 for storing the average value of the smear component from the scan before the photometry, the smear value is subtracted from the average value of the data of the photometry area during the photometry scan Is a subtraction circuit 27 for
【0012】図2は本実施例の測光動作を示すタイミン
グチャートであり、図3は本実施例の測光動作を示すフ
ローチャートである。以下図2,図3を参照しながら、
本実施例の動作を説明する。FIG. 2 is a timing chart showing the photometric operation of this embodiment, and FIG. 3 is a flow chart showing the photometric operation of this embodiment. Referring to FIGS. 2 and 3 below,
The operation of this embodiment will be described.
【0013】先ず、可変γ補正回路25においてγを1
に設定する(ステップS1参照)。可変ゲインアンプ2
4は測光に適したゲインに設定されている。First, γ is set to 1 in the variable γ correction circuit 25.
(See step S1). Variable gain amplifier 2
4 is set to a gain suitable for photometry.
【0014】実際の測光データを得るための測光走査の
前に測光前走査を1V期間行う(S2)。フォトダイオ
ード102の蓄積電荷を有効期間ですべて読み出したあ
と、空走査を1H行うことによってスミア信号(情報)
の検出が行われる。このスミア信号の1画素当りの平均
値Vsmを平均値算出回路21にて算出し(S3)、ス
ミア値メモリ26に記憶し(S4)全測光走査が終了す
るまでその値を保持する。次に測光データを得るための
測光走査を行う(S5,測光走査1)。測光領域の1画
素当りの平均値Vmeanを求めた後(S6)、先に記
憶されているスミアの値Vsmを測光領域のデータ平均
値Vmeanから減算回路27によって減算する(S
7)ことによってスミアによるデータの誤差を補正す
る。Before the photometric scanning for obtaining the actual photometric data, the pre-photometric scanning is performed for 1V period (S2). The smear signal (information) is obtained by performing a blank scan for 1H after reading out all the charges accumulated in the photodiode 102 in the effective period.
Is detected. The average value Vsm per pixel of the smear signal is calculated by the average value calculation circuit 21 (S3) and stored in the smear value memory 26 (S4), and the value is held until all photometric scanning is completed. Next, photometric scanning is performed to obtain photometric data (S5, photometric scanning 1). After obtaining the average value Vmean per pixel in the photometric area (S6), the previously stored smear value Vsm is subtracted from the data average value Vmean in the photometric area by the subtraction circuit 27 (S6).
By 7), the data error due to smear is corrected.
【0015】この補正後の値Vmが所定の上限値Vma
xと下限値Vminの範囲中にあれば(S8 YE
S)、この値Vmにもとづいて最適露出量を算出し(S
9)測光動作を終了する。前記Vmが上限値Vmaxと
下限値Vminの範囲内にないときは(S8 NO)、
電荷蓄積時間又は絞り値を変更し(S10)ステップS
5に戻り再度測光走査(測光走査2)をくり返す。この
ような測光走査のくり返し(測光走査1,2……)によ
りVmin≦Vm≦Vmaxになれば、そのVm値にも
とづいて最適露出量を算出し測光動作を終了する。フロ
ーチャートでは省略されているが、前述の測光走査のく
り返しによるVmin≦Vm≦Vmaxにならないとき
は、測光範囲外として測光動作を終了する。The corrected value Vm is a predetermined upper limit value Vma.
If x is within the range of the lower limit value Vmin (S8 YE
S), and the optimum exposure amount is calculated based on this value Vm (S
9) End the photometric operation. When the Vm is not within the range between the upper limit value Vmax and the lower limit value Vmin (S8 NO),
Change the charge accumulation time or aperture value (S10) Step S
Returning to step 5, the photometric scanning (photometric scanning 2) is repeated again. When Vmin ≦ Vm ≦ Vmax is obtained by repeating such photometric scanning (photometric scanning 1, 2, ...), the optimum exposure amount is calculated based on the Vm value and the photometric operation is completed. Although omitted in the flow chart, when Vmin ≦ Vm ≦ Vmax is not satisfied due to the repetition of the above-described photometric scanning, the photometric operation is ended outside the photometric range.
【0016】算出した最適露出量により絞り値Av,シ
ャッタスピートTvを決定し本露出を行う。本露出の際
は可変γ補正回路25のγ値は0.45に設定される。The aperture value Av and the shutter speed Tv are determined based on the calculated optimum exposure amount, and the main exposure is performed. At the time of main exposure, the γ value of the variable γ correction circuit 25 is set to 0.45.
【0017】以上の第1実施例では、測光前走査におい
て、蓄積電荷を有効期間中にすべてを読み出した後、空
走査を行いスミア情報を検出しているが、蓄積電荷の読
出しを禁止してスミア情報を検出するようにしてもよ
い。この例を本発明の第2実施例として説明する。In the above-described first embodiment, in the pre-photometric scanning, after all the accumulated charges are read during the effective period, the blank scan is performed to detect the smear information, but the reading of the accumulated charges is prohibited. You may make it detect smear information. This example will be described as a second embodiment of the present invention.
【0018】本実施例の構成は、システム制御回路9,
平均値算出回路21以外は第1実施例と同様である。図
9,図10に示すように、固体撮像素子5の垂直CCD
の転送電極V1,V3をハイレベルにすることなく(フ
ォトダイオード102から垂直CCD103への読出し
パルスを与えずに)、測光前走査を2V期間行う。この
ことにより蓄積電荷の読出しを禁止した状態で、2V目
即ち測光前走査2の有効期間にスミア信号のみが出力さ
れる。即ち、測光前走査1,測光前走査2の期間中に、
垂直CCDに発生した電荷であるスミア信号が出力され
る。The configuration of this embodiment has a system control circuit 9,
The configuration is the same as that of the first embodiment except the average value calculation circuit 21. As shown in FIGS. 9 and 10, the vertical CCD of the solid-state imaging device 5
The pre-photometric scanning is performed for 2V period without setting the transfer electrodes V1 and V3 of (1) to the high level (without applying the read pulse from the photodiode 102 to the vertical CCD 103). As a result, only the smear signal is output during the second V, that is, the effective period of the pre-photometric scan 2, in a state in which the reading of the accumulated charge is prohibited. That is, during the period of pre-photometric scanning 1 and pre-photometric scanning 2,
A smear signal which is a charge generated in the vertical CCD is output.
【0019】本実施例では、測光前走査時と測光走査時
とで同一の画像範囲の信号を平均することになり、測光
走査時と同一の手法でスミア信号の平均値を算出するこ
とができる。In this embodiment, signals in the same image range are averaged during pre-photometric scanning and during photometric scanning, and the average value of smear signals can be calculated by the same method as during photometric scanning. ..
【0020】又、蓄積電荷の読出しを別の手法で禁止し
てスミア情報を検出するようにしてもよい。この例を本
発明の第3実施例として説明する。Further, the reading of the accumulated charge may be prohibited by another method to detect the smear information. This example will be described as a third embodiment of the present invention.
【0021】本実施例の構成は、システム制御回路9以
外は第2実施例と同様である。図11に示すように、時
刻t2およびt6でフォトダイオード102から垂直C
CD103へ電荷を読出す直前に基板バイアス端子Vs
ubにリセットパルスを与え蓄積されていた電荷を全て
基板方向に掃き捨てることによって読出しを禁止してい
る。The configuration of this embodiment is the same as that of the second embodiment except the system control circuit 9. As shown in FIG. 11, the vertical C from the photodiode 102 at times t2 and t6.
Immediately before the charge is read out to the CD 103, the substrate bias terminal Vs
Reading is prohibited by applying a reset pulse to ub and sweeping away all the accumulated charges toward the substrate.
【0022】なお、以上の各実施例は、測光前走査によ
りスミア情報を検出し、これをメモリに保持して最適露
出量を算出するものであるが、本発明はこれに限定され
るものではなく、測光情報をメモリに保持し、測光後走
査でスミア情報を検出し、これら測光情報,スミア情報
にもとづいて最適露出量を算出する手法で実施すること
もできる。In each of the above embodiments, the smear information is detected by the pre-photometric scanning, and the smear information is stored in the memory to calculate the optimum exposure amount. However, the present invention is not limited to this. Alternatively, it is also possible to carry out a method in which the photometric information is held in the memory, the smear information is detected by the post-photometric scanning, and the optimum exposure amount is calculated based on the photometric information and the smear information.
【0023】又、従来例,実施例の説明では、“最適露
出量”という用語を用いているが、この“最適”の条件
は撮影目的,照明条件,撮影者の主観等により変り一義
的に決まるものではない。そこで疑義が生じないよう
に、請求項では最適露出量に対応するものとして“所要
の露出量”という用語を用いている。Although the term "optimal exposure amount" is used in the description of the conventional example and the example, this "optimal" condition varies uniquely depending on the photographing purpose, lighting conditions, subjectivity of the photographer, etc. It is not decided. Therefore, in order to avoid doubt, the term “required exposure amount” is used in the claims to correspond to the optimum exposure amount.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、撮
像に用いる固体撮像素子を用いてTTLに測光データを
得る際にスミアによる測光データの誤差が生じないた
め、極めて高い測光データを得ることができる。As described above, according to the present invention, an extremely high photometric data can be obtained because an error of the photometric data due to smear does not occur when obtaining the photometric data in the TTL by using the solid-state image pickup device used for imaging. be able to.
【図1】 第1実施例のブロック図FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment.
【図2】 第1実施例の測光動作を示すタイミングチャ
ートFIG. 2 is a timing chart showing the photometric operation of the first embodiment.
【図3】 第1実施例の測光動作を示すフローチャートFIG. 3 is a flowchart showing a photometric operation of the first embodiment.
【図4】 従来例のブロック図FIG. 4 is a block diagram of a conventional example.
【図5】 インターライン型CCDの概念図FIG. 5 is a conceptual diagram of an interline CCD.
【図6】 インターライン型CCDの駆動タイングの例
を示す図FIG. 6 is a diagram showing an example of driving tones of an interline CCD.
【図7】 従来例の動作シーケンスを示す図FIG. 7 is a diagram showing an operation sequence of a conventional example.
【図8】 スミア現象の説明図FIG. 8 is an explanatory diagram of the smear phenomenon.
【図9】 第2実施例の測光動作を示すタイミングチャ
ートFIG. 9 is a timing chart showing the photometric operation of the second embodiment.
【図10】 第2実施例の測光動作におけるインターラ
イン型CCDの駆動タイミングを示す図FIG. 10 is a diagram showing the drive timing of the interline CCD in the photometric operation of the second embodiment.
【図11】 第3実施例の測光動作におけるインターラ
イン型CCDの駆動タイミングを示す図FIG. 11 is a diagram showing the drive timing of the interline CCD in the photometric operation of the third embodiment.
5 固体撮像素子 9 システム制御回路 5 Solid-state image sensor 9 System control circuit
Claims (1)
し測光情報を得る測光手段と、前記固体撮像素子を駆動
しスミア情報を検出するスミア情報検出手段と、前記測
光手段の出力と前記スミア情報検出手段の出力にもとづ
いて所要の露光量を算出する露光量算出手段とを備えた
ことを特徴とする電子スチルカメラ。Claim: What is claimed is: 1. A solid-state image sensor, a photometric unit that drives the solid-state image sensor to obtain photometric information, a smear information detection unit that drives the solid-state image sensor, and detects smear information. An electronic still camera comprising: an exposure amount calculation unit that calculates a required exposure amount based on the output of the photometric unit and the output of the smear information detection unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3149142A JPH057335A (en) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | Electronic still camera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3149142A JPH057335A (en) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | Electronic still camera |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH057335A true JPH057335A (en) | 1993-01-14 |
Family
ID=15468684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3149142A Pending JPH057335A (en) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | Electronic still camera |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH057335A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111898A (en) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Olympus Optical Co Ltd | Image pickup device |
US6618090B1 (en) | 1997-10-03 | 2003-09-09 | Olympus Optical, Co. | Automatic exposure control apparatus |
JP2005286547A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | Solid-state imaging apparatus |
US8040407B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and image capturing apparatus control method |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3149142A patent/JPH057335A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6618090B1 (en) | 1997-10-03 | 2003-09-09 | Olympus Optical, Co. | Automatic exposure control apparatus |
US7167204B2 (en) | 1997-10-03 | 2007-01-23 | Olympus Corporation | Automatic exposure control apparatus and method |
US7289155B2 (en) | 1997-10-03 | 2007-10-30 | Olympus Corporation | Automatic exposure control apparatus and method |
JP2001111898A (en) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Olympus Optical Co Ltd | Image pickup device |
JP4503740B2 (en) * | 1999-10-14 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | Imaging device |
JP2005286547A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | Solid-state imaging apparatus |
US8040407B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and image capturing apparatus control method |
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