JPH0572151A - 反射高速電子回折・軟ｘ線放射分光分析装置 - Google Patents
反射高速電子回折・軟ｘ線放射分光分析装置Info
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- JPH0572151A JPH0572151A JP3132645A JP13264591A JPH0572151A JP H0572151 A JPH0572151 A JP H0572151A JP 3132645 A JP3132645 A JP 3132645A JP 13264591 A JP13264591 A JP 13264591A JP H0572151 A JPH0572151 A JP H0572151A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置
に関し、超高真空中での反射高速電子回折および軟Ｘ線
放射分光測定をし、試料表面の電子状態並びに原子構造
を短時間で調べる反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分
析装置を提供することを目的とする。 【構成】 超高真空排気可能なオイルフリーポンプ系１
０２、１０３を有し、電子銃１０６を電子線が試料ステ
ージ１０５上の試料表面に対して斜入射する位置に配置
し、斜入射電子線に対する電子線、軟Ｘ線が入射し得る
位置に検出器系１０７、１０４を配置する。これによ
り、表面・界面等に対して、反射高速電子回折と軟Ｘ線
放射分光の同時測定ができ分析表面の吸着物の影響を排
した敏感な測定や表面・界面等の電子状態の情報を得る
ことが容易である。
に関し、超高真空中での反射高速電子回折および軟Ｘ線
放射分光測定をし、試料表面の電子状態並びに原子構造
を短時間で調べる反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分
析装置を提供することを目的とする。 【構成】 超高真空排気可能なオイルフリーポンプ系１
０２、１０３を有し、電子銃１０６を電子線が試料ステ
ージ１０５上の試料表面に対して斜入射する位置に配置
し、斜入射電子線に対する電子線、軟Ｘ線が入射し得る
位置に検出器系１０７、１０４を配置する。これによ
り、表面・界面等に対して、反射高速電子回折と軟Ｘ線
放射分光の同時測定ができ分析表面の吸着物の影響を排
した敏感な測定や表面・界面等の電子状態の情報を得る
ことが容易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体物質の性質を分析
する反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置に関す
るもので、特に、固体表面および界面の電子状態並びに
原子配列状態の非破壊分析等に大きな効果をもたらす反
射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置に関する。
する反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置に関す
るもので、特に、固体表面および界面の電子状態並びに
原子配列状態の非破壊分析等に大きな効果をもたらす反
射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】物質に電子を入射させ、その構成元素の
内殻電子準位に空孔を生成すると、ある確率でＸ線が放
出される。軟Ｘ線放射分光法とは、このようにして生成
されたＸ線のうち、１〜５０ｎｍ付近の波長領域のＸ線
を分光する分光学で、固体物質の場合、価電子帯の電子
状態を調べるのに適している。特に、光の放射や吸収を
伴う遷移の選択則により、価電子帯の電子状態を、波動
関数の対称性に分けて明らかにすることが可能である等
の特徴を有し、近年、分光および検出技術等の進歩とあ
いまって、種々の固体物質の研究に用いられつつある。
これらの状況は、例えば、「真空」（岩見基弘他、第３
３巻、第１１号、８４８頁（１９９０））に記載されて
いる。
内殻電子準位に空孔を生成すると、ある確率でＸ線が放
出される。軟Ｘ線放射分光法とは、このようにして生成
されたＸ線のうち、１〜５０ｎｍ付近の波長領域のＸ線
を分光する分光学で、固体物質の場合、価電子帯の電子
状態を調べるのに適している。特に、光の放射や吸収を
伴う遷移の選択則により、価電子帯の電子状態を、波動
関数の対称性に分けて明らかにすることが可能である等
の特徴を有し、近年、分光および検出技術等の進歩とあ
いまって、種々の固体物質の研究に用いられつつある。
これらの状況は、例えば、「真空」（岩見基弘他、第３
３巻、第１１号、８４８頁（１９９０））に記載されて
いる。
【０００３】以下、図２に示した軟Ｘ線放射分光装置の
一例の概略図に基づき、同装置の従来技術を説明する。
一例の概略図に基づき、同装置の従来技術を説明する。
【０００４】図２において、２１は真空室であり、油拡
散ポンプ２２と油回転ポンプ２３とから成る排気系によ
り、真空室２１内の圧力を１０-4Ｐａ台に保持すること
が可能である。真空室２１内には、電子銃２４、試料ス
テージ２５および軟Ｘ線分光検出器系２６が設置されて
いる。軟Ｘ線分光検出器系２６中に設置されている軟Ｘ
線検出器には、ガス・フロー・比例係数管が用いられて
いる。電子銃２４は、基本的には試料ステージ２５に相
対向する位置に設置されており、電子銃２４より発せら
れた電子線は、基本的に試料ステージ２５に対して垂直
に入射する。ただし、試料ステージ２５を傾斜させるこ
とにより、電子線の入射角は、垂直から水平の範囲で変
化させることができる。軟Ｘ線分光検出器系２６は、試
料ステージ２５の表面の上方あるいは斜め上方に位置す
る。さらに、電子銃２４、試料ステージ２５および軟Ｘ
線分光器２６は、電子銃制御装置２７および制御装置２
８を介して、パーソナルコンピュータ２９に接続されて
おり、測定およびその後のデータ処理は、すべてパーソ
ナルコンピュータにより制御できる。
散ポンプ２２と油回転ポンプ２３とから成る排気系によ
り、真空室２１内の圧力を１０-4Ｐａ台に保持すること
が可能である。真空室２１内には、電子銃２４、試料ス
テージ２５および軟Ｘ線分光検出器系２６が設置されて
いる。軟Ｘ線分光検出器系２６中に設置されている軟Ｘ
線検出器には、ガス・フロー・比例係数管が用いられて
いる。電子銃２４は、基本的には試料ステージ２５に相
対向する位置に設置されており、電子銃２４より発せら
れた電子線は、基本的に試料ステージ２５に対して垂直
に入射する。ただし、試料ステージ２５を傾斜させるこ
とにより、電子線の入射角は、垂直から水平の範囲で変
化させることができる。軟Ｘ線分光検出器系２６は、試
料ステージ２５の表面の上方あるいは斜め上方に位置す
る。さらに、電子銃２４、試料ステージ２５および軟Ｘ
線分光器２６は、電子銃制御装置２７および制御装置２
８を介して、パーソナルコンピュータ２９に接続されて
おり、測定およびその後のデータ処理は、すべてパーソ
ナルコンピュータにより制御できる。
【０００５】図２に示した軟Ｘ線放射分光装置を用いて
測定した、（１１１）表面を有するシリコン（Ｓｉ）結
晶およびチタンシリサイド（ＴｉＳｉ2）からのＳｉ−
Ｌ2,3軟Ｘ線放射スペクトルを図３に示す。これらのス
ペクトルは、バルク物質中では、原則として入射電子線
エネルギー（Ｅp）を変化させてもほとんど変化を見せ
ず、電子線の侵入深さが変化するのみである。言い換え
れば、Ｅpを変えることにより、非破壊深さ方向分析が
できるということである。図３において、軟Ｘ線エネル
ギー（波長）：９０ｅＶ付近のスペクトルに着目する
と、ＴｉＳｉ2では９２ｅＶ付近に一つのピークがある
が、Ｓｉ結晶では８９〜９２ｅＶ付近で二つのピークに
分かれていることが分かる。また、ＴｉＳｉ2では、フ
ェルミ準位（図中ＥFで示す）付近に顕著なピークが見
られる。これは、ＴｉＳｉ2中のＳｉのｓ軌道電子状態
がＥF付近に大きな状態密度を持つためと結論され、こ
のことは、これまでの考え方に変更を迫るものとなっ
た。さらに、図３の結果は、物質による検出スペクトル
形状の差を使った、Ｓｉ化合物／Ｓｉ接合系の非破壊分
析への応用の可能性も示している。以上のように、軟Ｘ
線放射分光装置は、固体物質の性質の非破壊分析、深さ
方向分析等に有望な分析装置である。
測定した、（１１１）表面を有するシリコン（Ｓｉ）結
晶およびチタンシリサイド（ＴｉＳｉ2）からのＳｉ−
Ｌ2,3軟Ｘ線放射スペクトルを図３に示す。これらのス
ペクトルは、バルク物質中では、原則として入射電子線
エネルギー（Ｅp）を変化させてもほとんど変化を見せ
ず、電子線の侵入深さが変化するのみである。言い換え
れば、Ｅpを変えることにより、非破壊深さ方向分析が
できるということである。図３において、軟Ｘ線エネル
ギー（波長）：９０ｅＶ付近のスペクトルに着目する
と、ＴｉＳｉ2では９２ｅＶ付近に一つのピークがある
が、Ｓｉ結晶では８９〜９２ｅＶ付近で二つのピークに
分かれていることが分かる。また、ＴｉＳｉ2では、フ
ェルミ準位（図中ＥFで示す）付近に顕著なピークが見
られる。これは、ＴｉＳｉ2中のＳｉのｓ軌道電子状態
がＥF付近に大きな状態密度を持つためと結論され、こ
のことは、これまでの考え方に変更を迫るものとなっ
た。さらに、図３の結果は、物質による検出スペクトル
形状の差を使った、Ｓｉ化合物／Ｓｉ接合系の非破壊分
析への応用の可能性も示している。以上のように、軟Ｘ
線放射分光装置は、固体物質の性質の非破壊分析、深さ
方向分析等に有望な分析装置である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の軟
Ｘ線放射分光装置では、オイルを用いた拡散ポンプ等を
真空排気系として用いており、前記排気系から真空室内
へのオイルバックが無視できないこと、および、真空室
内の到達真空度が高々１０-4Ｐａ台であること等から、
試料ステージ上の試料表面は真空室内の残留ガス等の吸
着物で覆われてしまうため、表面に敏感な測定は行い得
ない。また、試料表面の原子配列に関する情報を提供す
る手段を持っていない。したがって、固体物質の極表面
で起こっている現象を調べるには不適当な装置構成であ
るという課題を有していた。
Ｘ線放射分光装置では、オイルを用いた拡散ポンプ等を
真空排気系として用いており、前記排気系から真空室内
へのオイルバックが無視できないこと、および、真空室
内の到達真空度が高々１０-4Ｐａ台であること等から、
試料ステージ上の試料表面は真空室内の残留ガス等の吸
着物で覆われてしまうため、表面に敏感な測定は行い得
ない。また、試料表面の原子配列に関する情報を提供す
る手段を持っていない。したがって、固体物質の極表面
で起こっている現象を調べるには不適当な装置構成であ
るという課題を有していた。
【０００７】本発明は上記従来技術の課題を解決するも
ので、超高真空中での反射高速電子回折および軟Ｘ線放
射分光測定を可能にし、清浄固体表面、異種物質を吸着
した固体表面、および、極薄膜／基板接合界面等の、電
子状態並びに原子構造を短時間で調べることのできる反
射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置を提供するこ
とを目的とする。
ので、超高真空中での反射高速電子回折および軟Ｘ線放
射分光測定を可能にし、清浄固体表面、異種物質を吸着
した固体表面、および、極薄膜／基板接合界面等の、電
子状態並びに原子構造を短時間で調べることのできる反
射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、真空排気手段として超高真空排気可能なオ
イルフリーポンプ系を設けた。また、従来装置の構成に
加え、回折電子線検出器系を設けるとともに、電子銃
は、電子線が基本的に試料表面に対して斜入射する位置
に配置し、少なくとも、斜入射電子線に対する反射電子
線が前記回折電子線検出器内に入射し得る位置に前記回
折電子線検出器を配置する、等の手段を講じた。
に本発明は、真空排気手段として超高真空排気可能なオ
イルフリーポンプ系を設けた。また、従来装置の構成に
加え、回折電子線検出器系を設けるとともに、電子銃
は、電子線が基本的に試料表面に対して斜入射する位置
に配置し、少なくとも、斜入射電子線に対する反射電子
線が前記回折電子線検出器内に入射し得る位置に前記回
折電子線検出器を配置する、等の手段を講じた。
【０００９】
【作用】本発明は上記手段を講ずることにより、試料ス
テージ上の試料表面に対する残留ガス等の吸着物の影響
を排除することができるため、試料表面を清浄に保つこ
とができるとともに、清浄表面上に意図する異種物質の
みを吸着した状態等を保てる。言い換えると、残留ガス
等の吸着物の影響を排除した表面敏感な測定が可能であ
る。また、反射高速電子回折測定ができるため、前記表
面等や極薄膜／基板接合界面等の原子構造の情報を得る
ことができるとともに、軟Ｘ線放射分光測定において
も、従来装置に比べ、斜入射電子線による測定が容易で
あることから、深さ方向分析分解能がより高くなり、前
記表面・界面等の電子状態の情報を得ることが可能かつ
容易である。さらに、前記表面・界面等に対して、反射
高速電子回折と軟Ｘ線放射分光の同時測定並びに分析が
可能となり、電子状態および原子構造を総合的に短時間
で解析することができる。
テージ上の試料表面に対する残留ガス等の吸着物の影響
を排除することができるため、試料表面を清浄に保つこ
とができるとともに、清浄表面上に意図する異種物質の
みを吸着した状態等を保てる。言い換えると、残留ガス
等の吸着物の影響を排除した表面敏感な測定が可能であ
る。また、反射高速電子回折測定ができるため、前記表
面等や極薄膜／基板接合界面等の原子構造の情報を得る
ことができるとともに、軟Ｘ線放射分光測定において
も、従来装置に比べ、斜入射電子線による測定が容易で
あることから、深さ方向分析分解能がより高くなり、前
記表面・界面等の電子状態の情報を得ることが可能かつ
容易である。さらに、前記表面・界面等に対して、反射
高速電子回折と軟Ｘ線放射分光の同時測定並びに分析が
可能となり、電子状態および原子構造を総合的に短時間
で解析することができる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の反射高速電子回折・軟Ｘ線
放射分光分析装置の一実施例の概略図である。
放射分光分析装置の一実施例の概略図である。
【００１１】図１において、１０１はオールメタルシー
ルの真空室であり、スパッタイオンポンプ１０２および
ターボ分子ポンプ１０３よりなる排気系が接続されてい
る。以上の構成により、真空室１０１は、１０-7Ｐａ台
以下の圧力下でオイルフリーで清浄な超高真空状態に保
持することができる。大気からの真空室排気（以下、
「荒引き」と称す）にはソープションポンプ等を用いて
も良く、荒引き後、超高真空排気に移る前段の高真空排
気には、チタンサブリメーションポンプを用いることも
できる。また、従来装置では、軟Ｘ線分光検出器系と試
料ステージが同一真空室内に設置されていたが、本実施
例では、さらに、軟Ｘ線分光検出器系１０４と、試料ス
テージ１０５が設置されている真空室１０１とは真空系
を独立させるとともに、両者を差動排気系により接続さ
せている。これにより、真空室１０１内の超高真空化が
さらに容易になるとともに、試料ステージ１０５上の試
料表面の清浄化が向上する。
ルの真空室であり、スパッタイオンポンプ１０２および
ターボ分子ポンプ１０３よりなる排気系が接続されてい
る。以上の構成により、真空室１０１は、１０-7Ｐａ台
以下の圧力下でオイルフリーで清浄な超高真空状態に保
持することができる。大気からの真空室排気（以下、
「荒引き」と称す）にはソープションポンプ等を用いて
も良く、荒引き後、超高真空排気に移る前段の高真空排
気には、チタンサブリメーションポンプを用いることも
できる。また、従来装置では、軟Ｘ線分光検出器系と試
料ステージが同一真空室内に設置されていたが、本実施
例では、さらに、軟Ｘ線分光検出器系１０４と、試料ス
テージ１０５が設置されている真空室１０１とは真空系
を独立させるとともに、両者を差動排気系により接続さ
せている。これにより、真空室１０１内の超高真空化が
さらに容易になるとともに、試料ステージ１０５上の試
料表面の清浄化が向上する。
【００１２】真空室１０１内には、試料ステージ１０５
に加え、電子銃１０６および回折電子線検出器系１０７
（本実施例では蛍光スクリーンを用いている）が設置さ
れており、電子銃１０６は、電子線が基本的に試料ステ
ージ１０５上の試料表面に対して斜入射する位置に配置
し、少なくとも、斜入射電子線に対する反射電子線が検
出器系１０７内に入射し得る位置に検出器系１０７を配
置している。前記斜入射角は、本実施例では、固体表面
および界面の電子状態，原子状態を良好に観察できるよ
うに数度以下（少なくとも１０度以下）である。さら
に、前記軟Ｘ線検出器系１０４も、放射軟Ｘ線検出方向
が試料表面と小角をなすような位置に配置している。以
上の構成により反射高速電子回折測定が可能になるとと
もに、斜入射電子線による軟Ｘ線放射分光測定も同時か
つ効果的に行うことができる。一方、試料ステージ１０
５を傾斜させることにより、電子線の入射角は、垂直か
ら水平の範囲で変化させることができるので、従来装置
と同様な軟Ｘ線放射分光測定にも対応できる。また、電
子銃１０６は、電子線エネルギー（Ｅp）を数十ｋｅＶ
で任意に設定でき、電子線の直径および電流を、それぞ
れ、１μｍ以下並びに２μＡ以下に設定できる。これら
電子銃１０６の性能により、局所深さ方向分析が可能で
ある。試料ステージ１０５と小角をなす斜め上方に配置
した軟Ｘ線分光検出器系１０４は、凹面回折格子（金が
表面にコーティングされており、１ｍｍあたり６００〜
２４００本の溝を有する）および入射スリットをローラ
ンド円上に配置したローランド円マウント型式の斜入射
型の回折格子分光系１０８、並びに、マルチチャンネル
プレートとフォトダイオードアレイを組み合わせたポジ
ションセンシティブ検出器１０９により構成されてお
り、本構成の点からも、高分解能短時間測定を促進でき
る。
に加え、電子銃１０６および回折電子線検出器系１０７
（本実施例では蛍光スクリーンを用いている）が設置さ
れており、電子銃１０６は、電子線が基本的に試料ステ
ージ１０５上の試料表面に対して斜入射する位置に配置
し、少なくとも、斜入射電子線に対する反射電子線が検
出器系１０７内に入射し得る位置に検出器系１０７を配
置している。前記斜入射角は、本実施例では、固体表面
および界面の電子状態，原子状態を良好に観察できるよ
うに数度以下（少なくとも１０度以下）である。さら
に、前記軟Ｘ線検出器系１０４も、放射軟Ｘ線検出方向
が試料表面と小角をなすような位置に配置している。以
上の構成により反射高速電子回折測定が可能になるとと
もに、斜入射電子線による軟Ｘ線放射分光測定も同時か
つ効果的に行うことができる。一方、試料ステージ１０
５を傾斜させることにより、電子線の入射角は、垂直か
ら水平の範囲で変化させることができるので、従来装置
と同様な軟Ｘ線放射分光測定にも対応できる。また、電
子銃１０６は、電子線エネルギー（Ｅp）を数十ｋｅＶ
で任意に設定でき、電子線の直径および電流を、それぞ
れ、１μｍ以下並びに２μＡ以下に設定できる。これら
電子銃１０６の性能により、局所深さ方向分析が可能で
ある。試料ステージ１０５と小角をなす斜め上方に配置
した軟Ｘ線分光検出器系１０４は、凹面回折格子（金が
表面にコーティングされており、１ｍｍあたり６００〜
２４００本の溝を有する）および入射スリットをローラ
ンド円上に配置したローランド円マウント型式の斜入射
型の回折格子分光系１０８、並びに、マルチチャンネル
プレートとフォトダイオードアレイを組み合わせたポジ
ションセンシティブ検出器１０９により構成されてお
り、本構成の点からも、高分解能短時間測定を促進でき
る。
【００１３】以上の構成に加え、試料ステージ１０５、
電子銃１０６、軟Ｘ線分光検出器系１０４および回折電
子線検出器系１０７は、電子銃制御装置１１０および制
御装置１１１を介してパーソナルコンピュータ１１２に
接続されており、測定および分析はすべてパーソナルコ
ンピュータにより自動高速制御できる。
電子銃１０６、軟Ｘ線分光検出器系１０４および回折電
子線検出器系１０７は、電子銃制御装置１１０および制
御装置１１１を介してパーソナルコンピュータ１１２に
接続されており、測定および分析はすべてパーソナルコ
ンピュータにより自動高速制御できる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、超高真空排気可
能なオイルフリーポンプ系を設けることにより、残留ガ
ス等の吸着物の影響を排除した表面敏感な測定を可能に
する、また、回折電子線検出器系を設けるとともに、電
子銃を、電子線が基本的に試料表面に対して斜入射する
位置に配置し、少なくとも、斜入射電子線に対する反射
電子線が前記検出器系内に入射し得る位置に前記検出器
系を配置することにより、反射高速電子回折測定を可能
とし、かつ、斜入射電子線による軟Ｘ線放射分光測定を
容易にするため深さ方向分解能を高めることができる
等、多大なる効果をもたらし、清浄固体表面、異種物質
を吸着した固体表面、および、極薄膜／基板接合界面等
の、組成、原子配列および化学結合状態、さらには、触
媒反応のメカニズム等の総合的な情報を、同時かつ短時
間に測定・分析できる反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分
光分析装置を提供することができる。
能なオイルフリーポンプ系を設けることにより、残留ガ
ス等の吸着物の影響を排除した表面敏感な測定を可能に
する、また、回折電子線検出器系を設けるとともに、電
子銃を、電子線が基本的に試料表面に対して斜入射する
位置に配置し、少なくとも、斜入射電子線に対する反射
電子線が前記検出器系内に入射し得る位置に前記検出器
系を配置することにより、反射高速電子回折測定を可能
とし、かつ、斜入射電子線による軟Ｘ線放射分光測定を
容易にするため深さ方向分解能を高めることができる
等、多大なる効果をもたらし、清浄固体表面、異種物質
を吸着した固体表面、および、極薄膜／基板接合界面等
の、組成、原子配列および化学結合状態、さらには、触
媒反応のメカニズム等の総合的な情報を、同時かつ短時
間に測定・分析できる反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分
光分析装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例における反射高速電子回折・
軟Ｘ線放射分光分析装置の概略図
軟Ｘ線放射分光分析装置の概略図
【図２】従来の軟Ｘ線放射分光装置の概略図
【図３】従来の軟Ｘ線放射分光装置により測定した軟Ｘ
線放射スペクトルの一例
線放射スペクトルの一例
１０１ オールメタルシール真空室 １０２ スパッタイオンポンプ １０４ 軟Ｘ線分光検出器系 １０５ 試料ステージ １０６ 電子銃 １０７ 蛍光スクリーンを用いた回折電子線検出器系１
０７ １０９ ポジションセンシティブ検出器
０７ １０９ ポジションセンシティブ検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 宏邦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 武藤 勝彦 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも超高真空に排気可能なオイル
フリーポンプ系を設けた真空室と、試料が設置される試
料ステージと、電子銃と、軟Ｘ線分光検出器系と、回折
電子線検出器系とを備えた反射高速電子回折・軟Ｘ線放
射分光分析装置。 - 【請求項２】 軟Ｘ線分光検出器系が設置される真空室
と試料ステージが設置される真空室とは、それぞれ真空
系が独立していることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置。 - 【請求項３】 電子銃は、電子線を試料ステージ上の試
料表面に対して斜入射させることのできる位置に配置
し、少なくとも斜入射電子線に対する反射電子線が回折
電子線検出器系内に入射し得る位置に、前記回折電子線
検出器系を配置することを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の反射高速電子回折・軟Ｘ線放射
分光分析装置。 - 【請求項４】 電子銃は、電子線を試料ステージ上の試
料表面に対して斜入射させることのできる位置に配置
し、少なくとも斜入射電子線に対する軟Ｘ線が軟Ｘ線線
検出器系内に入射し得る位置に、前記軟Ｘ線検出器系を
配置することを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装
置。 - 【請求項５】 軟Ｘ線分光検出器系と回折電子線検出器
系が、ともに同一のデータ取り込み・処理系、または複
数であって相互に接続されているデータ取り込み・処理
系に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第４項記載の反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分
光分析装置。 - 【請求項６】 軟Ｘ線分光検出器系が、少なくともマル
チチャンネルプレートとフォトダイオードアレイを組み
合わせたポジションセンシティブ検出器を構成要素とし
て含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５
項記載の反射高速電子回折・軟Ｘ線放射分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3132645A JP3004388B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 反射高速電子回折・軟ｘ線放射分光分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3132645A JP3004388B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 反射高速電子回折・軟ｘ線放射分光分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572151A true JPH0572151A (ja) | 1993-03-23 |
| JP3004388B2 JP3004388B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=15086170
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3132645A Expired - Lifetime JP3004388B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 反射高速電子回折・軟ｘ線放射分光分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3004388B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015000731A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 株式会社まるたか | ベルトコンベア装置、及び、真空包装装置 |
| CN109900728A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-18 | 复旦大学 | 一种软x射线光谱测量装置 |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP3132645A patent/JP3004388B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015000731A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 株式会社まるたか | ベルトコンベア装置、及び、真空包装装置 |
| CN109900728A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-18 | 复旦大学 | 一种软x射线光谱测量装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3004388B2 (ja) | 2000-01-31 |
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