JPH0572144U - Connection structure of circuit element to wiring board - Google Patents
Connection structure of circuit element to wiring boardInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の半導体素子を配線基板上で並列に接続
するにあたって、大電流の負荷を駆動し得る、幅の広い
導体の形成を可能とする。
【構成】 ゲート端子39,49とソース端子38,4
8とは、素子本体の一方側に延びて形成され、放熱用の
ヒートシンク32a,42aがドレイン端子37,47
を兼ねているため、素子本体の他方側に延びて形成され
ている。したがって導体14,15,16の幅を広く形
成することができ、大電流の負荷を駆動することができ
る。また導体が交差しないため、パターン形成の際の工
程が簡略化される。
(57) [Summary] [Object] When connecting a plurality of semiconductor elements in parallel on a wiring board, it is possible to form a wide conductor capable of driving a large current load. [Structure] Gate terminals 39, 49 and source terminals 38, 4
8 is formed to extend to one side of the element body, and heat sinks 32a and 42a for heat dissipation are drain terminals 37 and 47.
Since it also serves as the element, it is formed so as to extend to the other side of the element body. Therefore, the conductors 14, 15 and 16 can be formed to have a wide width, and a large current load can be driven. Further, since the conductors do not intersect, the process for forming the pattern is simplified.
Description
【0001】[0001]
本考案は、回路素子を配線基板へ面実装する際に好適に実施される接続構造に 関し、さらに詳しくはパワートランジスタなどの大電流を制御するための半導体 素子などの回路素子の配線基板への接続構造に関する。 The present invention relates to a connection structure that is preferably implemented when a circuit element is surface-mounted on a wiring board. More specifically, the invention relates to a wiring element for a circuit element such as a semiconductor element for controlling a large current such as a power transistor. Regarding connection structure.
【0002】[0002]
電子機器内で使用される半導体素子、特に電磁ソレノイドやモータなどの比較 的電力消費量の多い負荷の駆動に用いられるパワートランジスタなどの回路素子 を配線基板に実装するにあたって、前記パワートランジスタなどの回路素子が複 数個並列に接続される場合には、図6および図6を切断面線B−Bから見た断面 図である図7で示すように典型的な従来技術の導体が形成される。 When mounting semiconductor elements used in electronic equipment, especially circuit elements such as power transistors used to drive loads with relatively high power consumption, such as electromagnetic solenoids and motors, on the wiring board, circuits such as the power transistors When multiple elements are connected in parallel, a typical prior art conductor is formed as shown in FIG. 6 and FIG. 7, which is a cross-sectional view of FIG. 6 taken along section line BB. ..
【0003】 すなわち、配線基板1の表面には複数のトランジスタ素子12,22が放熱板 12a,22aでビス13,23でそれぞれねじ止め固定されて面実装されてい る。配線基板1の表面に導体4,5,6が形成されて、各導体4,5,6に各ト ランジスタ素子12,22の相互に対応する端子であり、いずれも放熱板12a ,22aと反対側に配置されるドレイン端子17,27、ソース端子18,28 、ゲート端子19,29がそれぞれ同一長さに形成されて接続される。こうして トランジスタ素子12,22が並列に接続されて前記負荷を駆動することができ る。That is, a plurality of transistor elements 12 and 22 are surface-mounted on the surface of the wiring board 1 by screwing and fixing them with screws 13 and 23 by heat radiating plates 12 a and 22 a, respectively. The conductors 4, 5 and 6 are formed on the surface of the wiring board 1, and the conductors 4, 5 and 6 are terminals corresponding to the transistor elements 12 and 22, respectively, which are opposite to the heat sinks 12a and 22a. The drain terminals 17 and 27, the source terminals 18 and 28, and the gate terminals 19 and 29 arranged on the side are formed to have the same length and connected. Thus, the transistor elements 12 and 22 can be connected in parallel to drive the load.
【0004】[0004]
上述の従来技術では、参照符20で示される交差位置において導体4と導体5 とを絶縁体10を介して交差させる必要がある。このような配線基板1を作成す るための工程は以下のとおりである。まず、配線基板1の上にアルミニウム層が 形成され、その上に感光樹脂が塗布される。その後、回路パターンが形成された マスクを介して露光が行われ、パターンニングされた箇所が固化される。その後 、洗浄が行われ、エッチング液によってアルミニウムがエッチング処理され、さ らに感光樹脂が除去される。 In the above-described conventional technique, it is necessary to intersect the conductor 4 and the conductor 5 at the intersecting position indicated by the reference numeral 20 with the insulator 10 interposed therebetween. The steps for producing such a wiring board 1 are as follows. First, an aluminum layer is formed on the wiring board 1, and a photosensitive resin is applied thereon. Then, exposure is performed through a mask on which a circuit pattern is formed, and the patterned portion is solidified. After that, cleaning is performed, aluminum is etched by an etching solution, and the photosensitive resin is removed.
【0005】 したがって導体4,5を交差させるためには以上の工程を2度行わなければな らなくなり、導体4と導体5の間に絶縁体10を形成するための工程も必要とな る。このため、製造における工程が複雑となる。また、ゲート端子19,29、 ドレイン端子17,27、ソース端子18,28のうち、ゲート端子19,29 は制御信号の入力を行っており、小さな電流の負荷の駆動ですみ、導体6の幅が 狭くても問題はないが、ドレイン端子17,27、ソース端子18,28に関し ては駆動電力の入出力を行っており、大電流の負荷を駆動することもあるため、 幅が広く断面積が大きく、したがって抵抗値が減少した導体を形成することが必 要となる。しかし、同じ長さの端子に対応した位置に合わせて導体を形成すると 、限られた基板表面上のスペースでは導体の幅を広く形成することができず、大 電流の負荷の駆動は困難となる。Therefore, in order to intersect the conductors 4 and 5, the above steps have to be performed twice, and a step for forming the insulator 10 between the conductors 4 and 5 is also required. Therefore, the manufacturing process becomes complicated. Also, of the gate terminals 19 and 29, the drain terminals 17 and 27, and the source terminals 18 and 28, the gate terminals 19 and 29 are inputting control signals, and only a small current load needs to be driven. Although there is no problem if the width is narrow, driving power is input / output to / from the drain terminals 17 and 27 and the source terminals 18 and 28, and a large current load may be driven. Therefore, it is necessary to form a conductor having a large resistance and a reduced resistance value. However, if conductors are formed at the positions corresponding to terminals of the same length, the conductor width cannot be widened in the limited space on the substrate surface, making it difficult to drive a large-current load. ..
【0006】 本考案の目的は、大電流の負荷を駆動し得る幅の広い導体を形成することがで きる半導体素子の配線基板への接続構造を提供することである。An object of the present invention is to provide a structure for connecting a semiconductor element to a wiring board, which is capable of forming a wide conductor capable of driving a load of large current.
【0007】[0007]
本考案は、配線基板上に、制御信号と駆動信号とを供給する複数の導体が設け られて、少なくとも駆動電力を供給する導体は制御信号を供給する導体よりも大 きな断面積に形成され、 各導体に対応し、前記各導体にそれぞれ接続される端子と、各端子が連結され る素子本体とを有する回路素子に関して、前記駆動電力の入力または出力に用い る端子のうち、少なくとも1本は前記制御信号が入力される端子とは素子本体の 反対側に延びて形成され、 前記少なくとも1本の駆動電力入出力端子と、前記素子本体の反対側に延びて 形成される駆動電力入出力用端子とに対応する駆動電力供給用導体は、前記素子 本体の相互に反対側に形成されることを特徴とする配線基板への接続構造である 。 According to the present invention, a plurality of conductors for supplying a control signal and a drive signal are provided on a wiring board, and at least a conductor for supplying drive power is formed to have a larger cross-sectional area than a conductor for supplying a control signal. , At least one of the terminals used for inputting or outputting the driving power for a circuit element having terminals corresponding to the conductors and connected to the conductors and an element body to which the terminals are connected. Are formed to extend on the opposite side of the element body from the terminals to which the control signal is input, and the at least one drive power input / output terminal and drive power input / output formed to extend on the opposite side of the element body. The drive power supply conductors corresponding to the power supply terminals are formed on opposite sides of the element body, and have a connection structure to the wiring board.
【0008】[0008]
本考案に従えば、パワートランジスタ等の回路素子を配線基板に実装するにあ たって、該回路素子の駆動電力を入力または出力する端子の少なくとも1本は、 制御信号が入力される端子とは素子本体の反対側に延びて形成される。たとえば 、前記回路素子が電界効果トランジスタであるときには、制御信号が入力される 端子と駆動電力入力用端子とは素子本体の一方側に延びて形成され、駆動電力出 力用端子は素子本体の他方側に延びて形成されている。 According to the present invention, when a circuit element such as a power transistor is mounted on a wiring board, at least one terminal for inputting or outputting the driving power of the circuit element is an element to which a control signal is input. It is formed to extend to the opposite side of the body. For example, when the circuit element is a field effect transistor, the terminal for inputting the control signal and the driving power input terminal are formed to extend to one side of the element body, and the driving power output terminal is formed on the other side of the element body. It is formed to extend to the side.
【0009】 したがって配線基板上の前記回路素子の実装位置付近において、各端子に接続 されるべき導体の引回しの自由度が向上する。これによって前記駆動電力を供給 する導体は、前記制御信号を供給する導体よりも大きな断面積に形成することが できる。すなわち導体を形成する材料が同一であるときには、隣接して形成され る制御信号用の影響を受けることなく、駆動電力用の導体幅を広く形成すること ができる。このように形成された各導体に、各回路素子の対応する端子が接続さ れて各回路素子は並列に接続される。Therefore, in the vicinity of the mounting position of the circuit element on the wiring board, the degree of freedom in routing the conductor to be connected to each terminal is improved. As a result, the conductor supplying the driving power can be formed to have a larger cross-sectional area than the conductor supplying the control signal. That is, when the material forming the conductors is the same, the conductor width for driving power can be widened without being affected by the control signals formed adjacently. Corresponding terminals of the circuit elements are connected to the conductors thus formed, and the circuit elements are connected in parallel.
【0010】 したがって、限られた配線基板上のスペースで大電流用の幅の広い導体の形成 が可能となる。Therefore, it is possible to form a wide conductor for a large current in a limited space on the wiring board.
【0011】[0011]
図1は、本考案の一実施例の平面図であり、図2は図1の切断面線A−Aから 見た断面図である。配線基板11の表面には複数のトランジスタ素子32,42 がその放熱板12a,22aでビス33,43によってそれぞれねじ止め固定さ れているか、または、放熱板12a,22aが配線基板11上の配線パターンと 半田付けされ面実装されている。配線基板11の表面にはトランジスタ素子32 ,42の配列方向に延びる導体14,15,16が形成されており、導体14に は各トランジスタ素子32,42の相互に対応する放熱板を兼ねるドレイン端子 37,47が接続され、導体15,16には各トランジスタ素子32,42の相 互に対応するソース端子38,48およびゲート端子39,49が各導体15, 16側に曲げられ、半田付けによって接続されており、こうしてトランジスタ素 子32,42が並列に接続される。 FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the section line AA of FIG. A plurality of transistor elements 32, 42 are fixed to the surface of the wiring board 11 by screws 33, 43 with the radiator plates 12a, 22a, respectively, or the radiator plates 12a, 22a are mounted on the wiring board 11 by wiring. Surface mounted by soldering with pattern. Conductors 14, 15 and 16 extending in the arrangement direction of the transistor elements 32 and 42 are formed on the surface of the wiring board 11, and the conductor 14 has drain terminals also serving as heat sinks for the transistor elements 32 and 42 corresponding to each other. 37, 47 are connected, and the source terminals 38, 48 and the gate terminals 39, 49 corresponding to the respective transistor elements 32, 42 are bent to the conductors 15, 16 side to the conductors 15, 16 by soldering. Are connected, and thus the transistor elements 32 and 42 are connected in parallel.
【0012】 図3(1)は従来から使用されているパワートランジスタ素子12の斜視図で あり、図3(2)は本考案の実施例で使用されているパワートランジスタ素子3 2の斜視図である。本実施例のパワートランジスタ素子32は、図3(1)のパ ワートランジスタ素子12のドレイン端子17を切断して作成する。該パワート ランジスタ素子12は本体12bと、本体12bの裏面側で一方に延びた放熱板 12aと、他方に延びたゲート端子19、ドレイン端子17およびソース端子1 8の3本の端子とから成る。これらのゲート端子19とドレイン端子17とソー ス端子18はそれぞれ直線状に延び、3本が同じ長さである。FIG. 3 (1) is a perspective view of a power transistor element 12 used conventionally, and FIG. 3 (2) is a perspective view of a power transistor element 32 used in an embodiment of the present invention. is there. The power transistor element 32 of this embodiment is formed by cutting the drain terminal 17 of the power transistor element 12 of FIG. The power transistor element 12 comprises a main body 12b, a heat radiating plate 12a extending to one side on the back surface side of the main body 12b, and three terminals extending to the other side, that is, a gate terminal 19, a drain terminal 17 and a source terminal 18. The gate terminal 19, the drain terminal 17, and the source terminal 18 extend linearly, and three of them have the same length.
【0013】 図4は本実施例のパワートランジスタ素子32の電気的構造を示す回路図であ る。パワートランジスタ素子32は、例として電界効果トランジスタを含みその ドレイン電極Dと放熱板32aとが内部で電気的に接続されている。したがって 本考案では、放熱板32aをドレイン端子37として使用する。なお電界効果ト ランジスタを含むパワートランジスタ素子42の電気的構造も同様である。これ により、図3(2)で示すようにドレイン電極Dが接続されるドレイン端子37 bは、導体15,16と接続してパワートランジスタ素子32が破壊されたりす ることのないように切断されている。このドレイン電極Dは放熱板32aを介し て導体14と電気的に接続される。本考案では、ソース端子38とゲート端子3 9との長さが導体15,16の配置位置に対応して相互に異なり、ソース端子3 8が短くなっている。FIG. 4 is a circuit diagram showing the electrical structure of the power transistor element 32 of this embodiment. The power transistor element 32 includes, for example, a field effect transistor, and its drain electrode D and the heat sink 32a are electrically connected internally. Therefore, in the present invention, the heat dissipation plate 32a is used as the drain terminal 37. The electric structure of the power transistor element 42 including the field effect transistor is also the same. As a result, as shown in FIG. 3B, the drain terminal 37b to which the drain electrode D is connected is disconnected so as not to damage the power transistor element 32 by connecting to the conductors 15 and 16. ing. The drain electrode D is electrically connected to the conductor 14 via the heat dissipation plate 32a. In the present invention, the lengths of the source terminal 38 and the gate terminal 39 are different from each other in accordance with the arrangement positions of the conductors 15 and 16, and the source terminal 38 is short.
【0014】 以上のように、ドレイン用導体14とソース用導体15とは素子本体32bに 関して反対側に配置されるので、導体14,15の幅をそれぞれ広く形成するこ とができ、導通抵抗を低下し、大電流の負荷を駆動することができ、また導体1 4〜16が交差しないのでパターン形成の際の工程が簡略化される。As described above, since the drain conductor 14 and the source conductor 15 are arranged on the opposite sides with respect to the element body 32b, the conductors 14 and 15 can be formed to have wide widths, respectively, and the conduction can be improved. The resistance can be reduced, a large current load can be driven, and since the conductors 14 to 16 do not intersect with each other, the process for pattern formation is simplified.
【0015】 図5は本考案の他の実施例の図である。注目すべきは本実施例では中央のドレ イン端子がなくなり、放熱部材を介して導体と電気的に接続されている点は同じ であるが、残余のソース端子58,68とゲートの端子59,69との長さは相 互に等しく形成されている。したがって導体25,26は交差しないように蛇行 して形成されている。FIG. 5 is a diagram of another embodiment of the present invention. It should be noted that, in the present embodiment, the central drain terminal is eliminated, and it is electrically connected to the conductor through the heat dissipation member, but the remaining source terminals 58, 68 and the gate terminal 59, The lengths of 69 and 69 are equal to each other. Therefore, the conductors 25 and 26 are formed in a meandering manner so as not to intersect.
【0016】 すなわち、配線基板21の表面には複数のパワートランジスタ素子52,62 が放熱板52a,62aでビス53,63によってそれぞれねじ止め固定されて いるか、半田付けのみによって面実装されている。配線基板21の表面にパワー トランジスタ素子52,62の配列方向に伸びて導体24が形成されており、各 パワートランジスタ素子52,62の相互に対応する端子57,67が接続され ている。また導体25,26は相互が交差しないように蛇行して形成され、各パ ワートランジスタ素子52,62の相互に対応する端子58,68;59,69 が半田付けによって接続されている。こうしてパワートランジスタ素子52,6 2が並列に接続される。That is, on the surface of the wiring board 21, a plurality of power transistor elements 52, 62 are screwed and fixed by screws 53, 63 by heat radiating plates 52a, 62a, or surface-mounted only by soldering. A conductor 24 is formed on the surface of the wiring board 21 so as to extend in the arrangement direction of the power transistor elements 52 and 62, and terminals 57 and 67 corresponding to each other of the power transistor elements 52 and 62 are connected to each other. The conductors 25 and 26 are formed in a meandering manner so that they do not cross each other, and the terminals 58, 68; 59, 69 corresponding to each other of the power transistor elements 52, 62 are connected by soldering. In this way, the power transistor elements 52 and 62 are connected in parallel.
【0017】 このようにしてもまた、充分な導体幅を確保することができるとともに、製造 工程を簡略化することができる。Also in this case, a sufficient conductor width can be secured and the manufacturing process can be simplified.
【0018】[0018]
以上のように本考案によれば、駆動電力の入力または出力のための端子の少な くとも1本を、素子本体の制御信号用の端子とは反対側に形成するので、半導体 素子の実装位置付近における導体の引回しの自由度を向上することができる。 As described above, according to the present invention, at least one of the terminals for inputting or outputting the driving power is formed on the side opposite to the terminal for the control signal of the element body. The degree of freedom in routing the conductor in the vicinity can be improved.
【0019】 したがって、隣接して形成される制御信号用の導体の影響を受けることなく、 限られた配線基板上のスペースで、駆動電力を供給する導体を制御信号用の導体 に比べて大きい断面積、すなわち、導体厚さが同一であるときには導体幅を広く 形成することができる。また前述のように放熱板を電力の入出力用端子に使用す ることによって、素子本体で発生した熱を、放熱板から配線基板に伝導して放散 させることができる。Therefore, the conductor for supplying drive power is larger than the conductor for control signal in a limited space on the wiring board without being affected by the conductor for control signal formed adjacently. When the area, that is, the conductor thickness is the same, the conductor width can be widened. Further, as described above, by using the heat sink as the power input / output terminal, the heat generated in the element body can be conducted and dissipated from the heat sink to the wiring board.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本考案の一実施例の正面図である。FIG. 1 is a front view of an embodiment of the present invention.
【図2】図1の切断面線A−Aから見た断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the section line AA of FIG.
【図3】パワートランジスタ素子17の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a power transistor element 17.
【図4】パワートランジスタ素子17の電気的構造を示
した回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an electrical structure of a power transistor element 17.
【図5】本考案の他の実施例の正面図である。FIG. 5 is a front view of another embodiment of the present invention.
【図6】従来技術の正面図である。FIG. 6 is a front view of a conventional technique.
【図7】図6の切断面線B−Bから見た断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the section line BB in FIG.
11,21 配線基板 14,15,16,24,25,26 導体 37,37b,38,39,47,48,49,57,
58,59,67,68,69 端子 32,42,52,62 半導体素子 32a,42a,52a,62a ヒートシンク11,21 Wiring board 14,15,16,24,25,26 Conductor 37,37b, 38,39,47,48,49,57,
58, 59, 67, 68, 69 Terminal 32, 42, 52, 62 Semiconductor element 32a, 42a, 52a, 62a Heat sink
Claims (1)
供給する複数の導体が設けられて、少なくとも駆動電力
を供給する導体は制御信号を供給する導体よりも大きな
断面積に形成され、 各導体に対応し、前記各導体にそれぞれ接続される端子
と、各端子が連結される素子本体とを有する回路素子に
関して、前記駆動電力の入力または出力に用いる端子の
うち、少なくとも1本は前記制御信号が入力される端子
とは素子本体の反対側に延びて形成され、 前記少なくとも1本の駆動電力入出力端子と、前記素子
本体の反対側に延びて形成される駆動電力入出力用端子
とに対応する駆動電力供給用導体は、前記素子本体の相
互に反対側に形成されることを特徴とする配線基板への
接続構造。1. A plurality of conductors for supplying a control signal and a drive signal are provided on a wiring board, and at least a conductor for supplying drive power is formed to have a larger cross-sectional area than a conductor for supplying a control signal. Regarding a circuit element having terminals corresponding to the conductors and respectively connected to the conductors and an element body to which the terminals are connected, at least one of the terminals used for inputting or outputting the driving power is A terminal to which a control signal is input is formed to extend on the opposite side of the element body, the at least one drive power input / output terminal and a drive power input / output terminal formed to extend on the opposite side of the element body. A connection structure to a wiring board, wherein the driving power supply conductors corresponding to and are formed on opposite sides of the element body.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012099673A (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor package and electronic-component mounted body |
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- 1992-03-03 JP JP1992010381U patent/JP2579336Y2/en not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980519 |
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