JPH0572060A - 歪みゲージトランスデユーサ - Google Patents
歪みゲージトランスデユーサInfo
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- JPH0572060A JPH0572060A JP4050638A JP5063892A JPH0572060A JP H0572060 A JPH0572060 A JP H0572060A JP 4050638 A JP4050638 A JP 4050638A JP 5063892 A JP5063892 A JP 5063892A JP H0572060 A JPH0572060 A JP H0572060A
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01G—WEIGHING
- G01G3/00—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances
- G01G3/12—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances wherein the weighing element is in the form of a solid body stressed by pressure or tension during weighing
- G01G3/14—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances wherein the weighing element is in the form of a solid body stressed by pressure or tension during weighing measuring variations of electrical resistance
- G01G3/1402—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/26—Auxiliary measures taken, or devices used, in connection with the measurement of force, e.g. for preventing influence of transverse components of force, for preventing overload
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- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サブストレートをよりも高い可撓性を有する
ばねに圧着支持させることにより、歪みゲージを設けた
サブストレートの破壊荷重よりも大きい荷重も測定でき
る歪みゲージトランスデューサを得る。 【構成】 圧力部材（10, 11）間に、歪み検出素子(14)
を設けたプレート状のサブストレート(12)と、圧力部材
（10、11）により加わる圧力（Ｆ）によってサブストレ
ートに関連して変形する少なくとも１個のばね(13)とを
具え、サブストレート(12)をばね(13)に固定せずに圧着
させ、前記ばねの可撓性をサブストレートの可撓性より
も大きいものとする。
ばねに圧着支持させることにより、歪みゲージを設けた
サブストレートの破壊荷重よりも大きい荷重も測定でき
る歪みゲージトランスデューサを得る。 【構成】 圧力部材（10, 11）間に、歪み検出素子(14)
を設けたプレート状のサブストレート(12)と、圧力部材
（10、11）により加わる圧力（Ｆ）によってサブストレ
ートに関連して変形する少なくとも１個のばね(13)とを
具え、サブストレート(12)をばね(13)に固定せずに圧着
させ、前記ばねの可撓性をサブストレートの可撓性より
も大きいものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力部材に包囲され、
歪み検出素子を設けたプレート状のサブストレートを有
する歪みゲージと、前記サブストレートと圧力部材のう
ちの一方との間に配置し、圧力部材により加わる圧力に
よって前記サブストレートに関連して変形する少なくと
も１個のばねとを具えた歪みゲージトランスデューサに
関するものである。
歪み検出素子を設けたプレート状のサブストレートを有
する歪みゲージと、前記サブストレートと圧力部材のう
ちの一方との間に配置し、圧力部材により加わる圧力に
よって前記サブストレートに関連して変形する少なくと
も１個のばねとを具えた歪みゲージトランスデューサに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】このようなトランスデューサは、力の検
出又は測定に使用され、特に力トランスデューサに使用
される。これらトランスデューサにより例えば、スケー
ル、荷重検出器等を構成することができる。
出又は測定に使用され、特に力トランスデューサに使用
される。これらトランスデューサにより例えば、スケー
ル、荷重検出器等を構成することができる。
【０００３】材料の強度の分析においては、サンプルを
２個の支持部に配置し、２個の支持部間の中間でサンプ
ルの他方の側面に圧力を加え、曲げに対するキャパシテ
ィを利用することが知られている。堅固なサブストレー
トに配置した抵抗器（レジスタ）により形成した歪みゲ
ージを使用するトランスデューサにおいて力を測定する
ために、同様の装置を使用する。２個の支持部は第１圧
力部材に固着し、反対側の支持部を第２の圧力部材に固
着する。この装置については、例えば、IEEE Trans. CH
MT-3、1980年第４号、第554 頁のJ.S. SHAH 氏による記
事「厚膜レジスタの歪み感度(Strain sensitivity of t
hick-film resistors)」に記載されている。支持部はナ
イフ端縁支持部とすることができる。ナイフ端縁支持部
は互いに正確に平行にしなければならず、種々の素子の
正確な機械加工を必要とする。
２個の支持部に配置し、２個の支持部間の中間でサンプ
ルの他方の側面に圧力を加え、曲げに対するキャパシテ
ィを利用することが知られている。堅固なサブストレー
トに配置した抵抗器（レジスタ）により形成した歪みゲ
ージを使用するトランスデューサにおいて力を測定する
ために、同様の装置を使用する。２個の支持部は第１圧
力部材に固着し、反対側の支持部を第２の圧力部材に固
着する。この装置については、例えば、IEEE Trans. CH
MT-3、1980年第４号、第554 頁のJ.S. SHAH 氏による記
事「厚膜レジスタの歪み感度(Strain sensitivity of t
hick-film resistors)」に記載されている。支持部はナ
イフ端縁支持部とすることができる。ナイフ端縁支持部
は互いに正確に平行にしなければならず、種々の素子の
正確な機械加工を必要とする。
【０００４】歪みゲージは、抵抗素子を設け、この場合
この抵抗素子を配置する支持部の変形に伴って抵抗値が
変化するのが一般的である。一般的に数個の抵抗素子を
使用し、これらホイートストーンブリッジ構成にして接
続する。このようにして、温度変化に無関係に支持部の
撓みに直接比例した電気信号を得ることができる。
この抵抗素子を配置する支持部の変形に伴って抵抗値が
変化するのが一般的である。一般的に数個の抵抗素子を
使用し、これらホイートストーンブリッジ構成にして接
続する。このようにして、温度変化に無関係に支持部の
撓みに直接比例した電気信号を得ることができる。
【０００５】西ドイツ特許公告第1,001,832 号には、２
個のブレードを有する対称的なばねとして構成したトラ
ンスデューサ素子について記載しており、この場合、一
方のブレードには抵抗素子を設け、ブレードの変形によ
りトランスデューサ素子に加わる圧力を決定することが
できる。２個のブレードは、これらブレードの変形が等
しく向きが逆になるよう互いに連結する。
個のブレードを有する対称的なばねとして構成したトラ
ンスデューサ素子について記載しており、この場合、一
方のブレードには抵抗素子を設け、ブレードの変形によ
りトランスデューサ素子に加わる圧力を決定することが
できる。２個のブレードは、これらブレードの変形が等
しく向きが逆になるよう互いに連結する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】トランスデューサによ
る測定をリニアかつ正確にするためには、使用する支持
部は再現可能であり、機械的特性がリニアでなければな
らない。表面にスクリーン印刷によって抵抗インクを堆
積させたセラミックプレートにより形成したゲージが有
利である。実際、セラミックプレートは、極めて大きい
弾性範囲を有し、セラミックプレート自体の破壊点によ
ってのみ制限される。またセラミックプレートは塑性変
形もヒステリシスもない。破壊点の近傍での動作に対し
ては、この破壊点を越えないようにする手段が必要とな
る。
る測定をリニアかつ正確にするためには、使用する支持
部は再現可能であり、機械的特性がリニアでなければな
らない。表面にスクリーン印刷によって抵抗インクを堆
積させたセラミックプレートにより形成したゲージが有
利である。実際、セラミックプレートは、極めて大きい
弾性範囲を有し、セラミックプレート自体の破壊点によ
ってのみ制限される。またセラミックプレートは塑性変
形もヒステリシスもない。破壊点の近傍での動作に対し
ては、この破壊点を越えないようにする手段が必要とな
る。
【０００７】一方、歪みゲージトランスデューサは、主
に、消費者向け、例えば、スケール又はすべての種類の
力トランスデューサに使用されることを意図している。
このような消費者向けの用途に対しては、コストの点か
ら完全に機械加工した素子を使用することができない。
これにより平坦性、平行性及び構造が不完全な素子を使
用することになる。従って、使用する技術は、部品の機
械的公差の一連の累積に関連する制限がないようにすべ
きである。使用するセラミックプレートに対しては利用
する偏位は小さい。更に、大量生産に使用するセラミッ
クプレートは、表面仕上げしてなく、表面が粗く、偏位
の大きさのオーダーに等しい湾曲を有するプレートが市
販されている。機械的公差はプレート毎に異なり、一定
しない。一つのプレートに対して調整して補正するが、
この補正は、他のプレートに対しては、破壊を生じた
り、偏位の大きさが不適当になったりする。実際、破壊
せずに適正な補正を得るのにこのようなプレートが対応
できる最大偏位を制限又は調整するのは困難である。
に、消費者向け、例えば、スケール又はすべての種類の
力トランスデューサに使用されることを意図している。
このような消費者向けの用途に対しては、コストの点か
ら完全に機械加工した素子を使用することができない。
これにより平坦性、平行性及び構造が不完全な素子を使
用することになる。従って、使用する技術は、部品の機
械的公差の一連の累積に関連する制限がないようにすべ
きである。使用するセラミックプレートに対しては利用
する偏位は小さい。更に、大量生産に使用するセラミッ
クプレートは、表面仕上げしてなく、表面が粗く、偏位
の大きさのオーダーに等しい湾曲を有するプレートが市
販されている。機械的公差はプレート毎に異なり、一定
しない。一つのプレートに対して調整して補正するが、
この補正は、他のプレートに対しては、破壊を生じた
り、偏位の大きさが不適当になったりする。実際、破壊
せずに適正な補正を得るのにこのようなプレートが対応
できる最大偏位を制限又は調整するのは困難である。
【０００８】従って、本発明の目的は、標準のセラミッ
クプレートを使用し、プレートの機械的公差変動に影響
されない再現性のある特性を有する歪みゲージトランス
デューサを構成するにある。
クプレートを使用し、プレートの機械的公差変動に影響
されない再現性のある特性を有する歪みゲージトランス
デューサを構成するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、前記サブストレートを前記ばねに固定せ
ずに圧着させ、前記ばねの可撓性をサブストレートの可
撓性よりも大きいものとしたことを特徴とする。
め、本発明は、前記サブストレートを前記ばねに固定せ
ずに圧着させ、前記ばねの可撓性をサブストレートの可
撓性よりも大きいものとしたことを特徴とする。
【００１０】好適には、前記ばねを湾曲したブレードば
ねとする。即ち、大量生産に極めて好適であるためであ
る。このようにして、加わる力の作用を受けてサブスト
レートは変形し、このサブストレートを支持する湾曲ブ
レードばねを圧縮し、この結果このばねが変形する。こ
のばねの圧縮により、サブストレートは圧力部材のうち
の一方に一層接近する。サブストレートの可撓性及び湾
曲ブレードばねの可撓性は、双方が変形するとともに、
ばねの方がサブストレートよりも大きく変形するように
することが必要である。ばねの可撓性及びサブストレー
トの可撓性は、最大偏位量に達したときサブストレート
が破壊点に達しないように設定すべきである。このよう
な偏位移動は止め部により制限する。
ねとする。即ち、大量生産に極めて好適であるためであ
る。このようにして、加わる力の作用を受けてサブスト
レートは変形し、このサブストレートを支持する湾曲ブ
レードばねを圧縮し、この結果このばねが変形する。こ
のばねの圧縮により、サブストレートは圧力部材のうち
の一方に一層接近する。サブストレートの可撓性及び湾
曲ブレードばねの可撓性は、双方が変形するとともに、
ばねの方がサブストレートよりも大きく変形するように
することが必要である。ばねの可撓性及びサブストレー
トの可撓性は、最大偏位量に達したときサブストレート
が破壊点に達しないように設定すべきである。このよう
な偏位移動は止め部により制限する。
【００１１】湾曲ブレードばねは、凹面及び凸面を有す
る。サブストレートはばねのどちらかの表面に接触させ
ることができる。
る。サブストレートはばねのどちらかの表面に接触させ
ることができる。
【００１２】サブストレートをばねの凹面側に配置する
と、このサブストレートの端縁がばねに接触する。端縁
には接触素子を設けることができる。代案として、ばね
を螺旋タイプ又は円筒形バッファタイプとすることがで
きる。
と、このサブストレートの端縁がばねに接触する。端縁
には接触素子を設けることができる。代案として、ばね
を螺旋タイプ又は円筒形バッファタイプとすることがで
きる。
【００１３】本発明の好適な実施例においては、変形し
たサブストレートの僅かな変形をばねの大きな変形に組
み合わせる。このようにして、破壊点を越えることなく
サブストレートの変形範囲の全体を利用することができ
る。
たサブストレートの僅かな変形をばねの大きな変形に組
み合わせる。このようにして、破壊点を越えることなく
サブストレートの変形範囲の全体を利用することができ
る。
【００１４】このようなすべての状況で偏位移動を止め
部により制限することができる。これら止め部は、サブ
ストレート又はばね又は少なくとも一方の圧力部材に配
置することができる。このことにより、サブストレート
を破壊することなく、サブストレートの破壊荷重よりも
相当大きい荷重をトランスデューサに加えることができ
る。
部により制限することができる。これら止め部は、サブ
ストレート又はばね又は少なくとも一方の圧力部材に配
置することができる。このことにより、サブストレート
を破壊することなく、サブストレートの破壊荷重よりも
相当大きい荷重をトランスデューサに加えることができ
る。
【００１５】
【実施例】次に、図面につき本発明の好適な実施例を説
明する。
明する。
【００１６】図１には、歪みゲージ６のサブストレート
５を２個の下側ナイフ端縁４1,４2 上に配置し、上側ナ
イフ端縁３により圧力を加える従来の装置を線図的に示
す。力の影響の下に、サブストレートは曲がり、偏位ｆ
を生ずる。相当堅固なサブストレート例えば、セラミッ
クプレートの場合、この偏位は、5.10mmのオーダーの比
較的小さいものである。過剰な力の影響の下でのセラミ
ックプレートの破壊を防止するために、この偏位の値は
制限を受ける。
５を２個の下側ナイフ端縁４1,４2 上に配置し、上側ナ
イフ端縁３により圧力を加える従来の装置を線図的に示
す。力の影響の下に、サブストレートは曲がり、偏位ｆ
を生ずる。相当堅固なサブストレート例えば、セラミッ
クプレートの場合、この偏位は、5.10mmのオーダーの比
較的小さいものである。過剰な力の影響の下でのセラミ
ックプレートの破壊を防止するために、この偏位の値は
制限を受ける。
【００１７】しかし、焼結アルミニウムで形成すること
が多いこのようなセラミックプレートは、表面が粗く、
また偏位ｆと同じオーダーの大きさの湾曲を有する。従
って、プレートの偏位を制限するために、極めて薄い止
め部を使用しなければならない。湾曲の差を考慮する
と、プレートの機械的特性のばらつきは極めて大きいた
め、止め部を使用することは実際上極めて困難である。
従って、越えてはならないプレートの破壊点が強調され
る場合、偏位範囲が小さすぎて歪み測定を行うことがで
きないような場合が生じ、偏位限界を制御することは極
めて困難である。偏位範囲が強調されると、破壊点に達
して破壊するプレートもでてくることになる。
が多いこのようなセラミックプレートは、表面が粗く、
また偏位ｆと同じオーダーの大きさの湾曲を有する。従
って、プレートの偏位を制限するために、極めて薄い止
め部を使用しなければならない。湾曲の差を考慮する
と、プレートの機械的特性のばらつきは極めて大きいた
め、止め部を使用することは実際上極めて困難である。
従って、越えてはならないプレートの破壊点が強調され
る場合、偏位範囲が小さすぎて歪み測定を行うことがで
きないような場合が生じ、偏位限界を制御することは極
めて困難である。偏位範囲が強調されると、破壊点に達
して破壊するプレートもでてくることになる。
【００１８】本発明による変換器即ち、トランスデュー
サは、従来の表面処理をしないセラミックプレートを使
用することを意図するため、これらの問題を解決しなけ
ればならない。
サは、従来の表面処理をしないセラミックプレートを使
用することを意図するため、これらの問題を解決しなけ
ればならない。
【００１９】図２は、本発明によるトランスデューサの
第１のタイプを示し、ばねを湾曲ブレードにより構成す
る。このトランスデューサは、圧力Ｆを受ける２個の圧
力部材10、11を有する。この力は、湾曲ブレードばね13
に支持した歪みゲージに伝達される。歪みゲージは、歪
み検出素子例えば、抵抗器（レジスタ）14を担持するプ
レートの形式のサブストレート12（本明細書中「サブス
トレート」と称する）を有する。このような素子を複数
個サブストレートの表面上に配列しておく。歪みに対す
る感度及び温度変動に対する免疫性を維持するため、こ
れら検出素子をホイートストーンブリッジとして配列す
る。
第１のタイプを示し、ばねを湾曲ブレードにより構成す
る。このトランスデューサは、圧力Ｆを受ける２個の圧
力部材10、11を有する。この力は、湾曲ブレードばね13
に支持した歪みゲージに伝達される。歪みゲージは、歪
み検出素子例えば、抵抗器（レジスタ）14を担持するプ
レートの形式のサブストレート12（本明細書中「サブス
トレート」と称する）を有する。このような素子を複数
個サブストレートの表面上に配列しておく。歪みに対す
る感度及び温度変動に対する免疫性を維持するため、こ
れら検出素子をホイートストーンブリッジとして配列す
る。
【００２０】図２に示す第１のタイプのトランスデュー
サの第１実施例においては、サブストレートをブレード
ばねの凹面に支持する。サブストレートは浮遊状態にす
る。即ち、サブストレート12及びばね13の端部は互いに
連結しない。更に、サブストレート12は単にばね13上に
接触するだけである。従って、サブストレートは、端縁
151, 152でばね13に圧着する。
サの第１実施例においては、サブストレートをブレード
ばねの凹面に支持する。サブストレートは浮遊状態にす
る。即ち、サブストレート12及びばね13の端部は互いに
連結しない。更に、サブストレート12は単にばね13上に
接触するだけである。従って、サブストレートは、端縁
151, 152でばね13に圧着する。
【００２１】圧力部材11は、力Ｆを素子16により伝達
し、この素子16は、 - 例えば、ボール又は小さい接触面を有する部分を介し
てほぼ点で作用するか、又は、 - 例えば、平坦度のずれの影響を排除するため円筒形の
ピンを介してサブストレートの長手方向に垂直な方向の
所定の長さにわたり作用するか、又は、 - 例えば、互いに固定しかつ十字をなす２個の円筒形ピ
ンにより所定長さにわたり上述の方向及び上述の方向に
直交する方向に作用する。このことにより２方向におけ
る平坦度のずれの影響を排除する。
し、この素子16は、 - 例えば、ボール又は小さい接触面を有する部分を介し
てほぼ点で作用するか、又は、 - 例えば、平坦度のずれの影響を排除するため円筒形の
ピンを介してサブストレートの長手方向に垂直な方向の
所定の長さにわたり作用するか、又は、 - 例えば、互いに固定しかつ十字をなす２個の円筒形ピ
ンにより所定長さにわたり上述の方向及び上述の方向に
直交する方向に作用する。このことにより２方向におけ
る平坦度のずれの影響を排除する。
【００２２】この素子16は、加わる力Ｆをほぼサブスト
レートの中心に伝達し、ばね13に接触する２個の端縁15
1,152 に両側で作用する。力Ｆの影響の下で、歪みゲー
ジのサブストレート12は偏位するが、これによりばね13
を圧力部材10上で平坦にするばね13の可撓性は、平坦化
が止まり、支持の中心点上で支持されるサブストレート
が破壊しないように選択する。
レートの中心に伝達し、ばね13に接触する２個の端縁15
1,152 に両側で作用する。力Ｆの影響の下で、歪みゲー
ジのサブストレート12は偏位するが、これによりばね13
を圧力部材10上で平坦にするばね13の可撓性は、平坦化
が止まり、支持の中心点上で支持されるサブストレート
が破壊しないように選択する。
【００２３】図３には、サブストレート12がばねの凸面
に圧着する第１タイプのトランスデューサの第２の実施
例を示す。この場合、圧力部材11が圧力Ｆをサブストレ
ート12に、サブストレート12の端部の近傍に配置した２
個の素子161, 162により加える。このようにして、ばね
13のサブストレート12に対する反作用力は、素子161,16
2 を介してサブストレート12に作用する力に対向する。
サブストレート及びばねの可撓性は、上述したのと同様
に、サブストレートが破壊しないように選択する。ばね
13の端部の一方を圧力部材10に形成した窪み17に取り付
けることができる。他の任意の等価の取付方法を適用す
ることができる。
に圧着する第１タイプのトランスデューサの第２の実施
例を示す。この場合、圧力部材11が圧力Ｆをサブストレ
ート12に、サブストレート12の端部の近傍に配置した２
個の素子161, 162により加える。このようにして、ばね
13のサブストレート12に対する反作用力は、素子161,16
2 を介してサブストレート12に作用する力に対向する。
サブストレート及びばねの可撓性は、上述したのと同様
に、サブストレートが破壊しないように選択する。ばね
13の端部の一方を圧力部材10に形成した窪み17に取り付
けることができる。他の任意の等価の取付方法を適用す
ることができる。
【００２４】作用にあたり、圧力部材10、11は互いに移
動することができる。これら圧力部材は、偏位運動の方
向に移動可能にし、他の方向には所定位置に保持する。
このことは、例えば、ガイド（図示せず）により行うこ
とができる。
動することができる。これら圧力部材は、偏位運動の方
向に移動可能にし、他の方向には所定位置に保持する。
このことは、例えば、ガイド（図示せず）により行うこ
とができる。
【００２５】本発明によれば、破壊しないサブストレー
ト12の最大偏位は直接制御することはできない。サブス
トレートによって平坦化したときのばね13の最大偏位運
動を制御することによって間接的に制御することができ
る。このことは止め部によって行う。
ト12の最大偏位は直接制御することはできない。サブス
トレートによって平坦化したときのばね13の最大偏位運
動を制御することによって間接的に制御することができ
る。このことは止め部によって行う。
【００２６】図4Aは、図２に示す第１の実施例に関連す
る。同じ素子には同一の参照符号を付して説明する。例
えば、図4Aの実施例においては、例えば、止め部を設け
る場合の３つの可能性を示す。好適には、これら３つの
可能性は互いに独立的に使用することもできる。第１の
可能性はサブストレート12の下面の中心に止め部20を設
ける場合である。。この場合、力Ｆが加わるとき、サブ
ストレート12の最大偏位及びばね13の最大平坦化は、止
め部20がばね13の凹面に接触したと同時に到達する。
る。同じ素子には同一の参照符号を付して説明する。例
えば、図4Aの実施例においては、例えば、止め部を設け
る場合の３つの可能性を示す。好適には、これら３つの
可能性は互いに独立的に使用することもできる。第１の
可能性はサブストレート12の下面の中心に止め部20を設
ける場合である。。この場合、力Ｆが加わるとき、サブ
ストレート12の最大偏位及びばね13の最大平坦化は、止
め部20がばね13の凹面に接触したと同時に到達する。
【００２７】第２の可能性は、ばね13の凹面の中心に止
め部21を設ける場合である。この場合、上述の最大限界
は、止め部21がサブストレートに接触するとき到達す
る。
め部21を設ける場合である。この場合、上述の最大限界
は、止め部21がサブストレートに接触するとき到達す
る。
【００２８】第３の可能性は、２個の止め部221, 222を
圧力部材のうちの一方例えば、圧力部材11に設ける場合
である。この構成の利点は、過負荷の際に、サブストレ
ート自体に何ら付加的な応力が加わらない点である。
圧力部材のうちの一方例えば、圧力部材11に設ける場合
である。この構成の利点は、過負荷の際に、サブストレ
ート自体に何ら付加的な応力が加わらない点である。
【００２９】これら可能性のそれぞれに関して、止め部
の寸法は、サブストレート12及びばね13の可撓性、並び
に圧力部材10、11間の距離に依存する。止め部の寸法
は、ほぼ均一の特性を有するサブストレート及びばねの
組に対して同一になるようにする。
の寸法は、サブストレート12及びばね13の可撓性、並び
に圧力部材10、11間の距離に依存する。止め部の寸法
は、ほぼ均一の特性を有するサブストレート及びばねの
組に対して同一になるようにする。
【００３０】図4Bは、図３に示す第２の実施例に関連す
る。図4Aにつき説明したと同様に、以下の用例が考えら
れる。即ち、 - サブストレート12の外方で圧力部材のうちの一方例え
ば、圧力部材11に設けた２個の止め部321, 322を使用す
る。 - ばねの平坦化が最大になったとき圧力部材10に接触す
るようサブストレート12の端部に設けた２個の止め部33
1, 332を使用する。好適には、止め部331, 332は、素子
161, 162とは反対側のサブストレート12の表面に設け
る。
る。図4Aにつき説明したと同様に、以下の用例が考えら
れる。即ち、 - サブストレート12の外方で圧力部材のうちの一方例え
ば、圧力部材11に設けた２個の止め部321, 322を使用す
る。 - ばねの平坦化が最大になったとき圧力部材10に接触す
るようサブストレート12の端部に設けた２個の止め部33
1, 332を使用する。好適には、止め部331, 332は、素子
161, 162とは反対側のサブストレート12の表面に設け
る。
【００３１】すべての止め部は、例えば、接着又は溶接
により取り付ける別個の部分とすることができる。ま
た、これら止め部を設ける部分と一体構成の素子とする
こともできる。
により取り付ける別個の部分とすることができる。ま
た、これら止め部を設ける部分と一体構成の素子とする
こともできる。
【００３２】従って、図4Aに示す止め部21は、例えば、
図5Aに線図的に示すように構成することができる。この
場合、止め部は、ばね13に一体の止め部である。更に、
図5Bに線図的に示すように他の構成とすることもでき
る。この場合、止め部は、圧力部材10に設け、ばね13に
形成した孔30に貫通する止め部21である。代案として、
止め部21は、圧力部材10に装着したねじにより構成し、
止め部の長さを調整することもできる。
図5Aに線図的に示すように構成することができる。この
場合、止め部は、ばね13に一体の止め部である。更に、
図5Bに線図的に示すように他の構成とすることもでき
る。この場合、止め部は、圧力部材10に設け、ばね13に
形成した孔30に貫通する止め部21である。代案として、
止め部21は、圧力部材10に装着したねじにより構成し、
止め部の長さを調整することもできる。
【００３３】本発明による歪みゲージトランスデューサ
は、例えば、トランスデューサに配置した荷重の重量を
検出するのに使用する。この重量を決定するのは、所定
の重量範囲内で可能である。トランスデューサに配置し
た荷重がこの範囲を越えると、トランスデューサは破壊
する恐れがある。このような使用の例としては歪みゲー
ジを設けた調理台即ち、クックトップがある。加わる力
Ｆは重量又は圧力である。
は、例えば、トランスデューサに配置した荷重の重量を
検出するのに使用する。この重量を決定するのは、所定
の重量範囲内で可能である。トランスデューサに配置し
た荷重がこの範囲を越えると、トランスデューサは破壊
する恐れがある。このような使用の例としては歪みゲー
ジを設けた調理台即ち、クックトップがある。加わる力
Ｆは重量又は圧力である。
【００３４】セラミックサブストレートの場合の最大可
能偏位は極めて小さい。互いに25mm離れた２個の支持点
に配置した31×16×１mmのサブストレートは、10kgの重
量に対しては中心において最大5.10-2mm偏位する。本発
明を使用せず、不規則な表面及び曲がりに対して許容す
る場合、各サブストレートに5.10-2mmの最大偏位に制限
するのに必要な止め部を設けるのが困難である。即ち、 - このような止め部を設けるのは、製造上の問題で大量
生産ができない、 又は、 - 接着／はんだの量を正確に測定できない等の困難さが
ある。
能偏位は極めて小さい。互いに25mm離れた２個の支持点
に配置した31×16×１mmのサブストレートは、10kgの重
量に対しては中心において最大5.10-2mm偏位する。本発
明を使用せず、不規則な表面及び曲がりに対して許容す
る場合、各サブストレートに5.10-2mmの最大偏位に制限
するのに必要な止め部を設けるのが困難である。即ち、 - このような止め部を設けるのは、製造上の問題で大量
生産ができない、 又は、 - 接着／はんだの量を正確に測定できない等の困難さが
ある。
【００３５】本発明によれば、これらの問題は、例え
ば、CHRYSOCAL のばねスチール又は適当な弾性特性を有
する他の材料の湾曲ブレードばねにより解決することが
できる。例えば、上述のセラミックサブストレートに、
無負荷条件で240mm の曲率半径を有し、互いに31mm離れ
た２個の支持点に圧着するばねに10kgの重量が加わった
とき、中心が約0.5mm 偏位する弾性を有するばねスチー
ルのブレードばねを組み合わせて使用する。この場合、
ばねの可撓性とサブストレートの可撓性との比は約10で
ある。
ば、CHRYSOCAL のばねスチール又は適当な弾性特性を有
する他の材料の湾曲ブレードばねにより解決することが
できる。例えば、上述のセラミックサブストレートに、
無負荷条件で240mm の曲率半径を有し、互いに31mm離れ
た２個の支持点に圧着するばねに10kgの重量が加わった
とき、中心が約0.5mm 偏位する弾性を有するばねスチー
ルのブレードばねを組み合わせて使用する。この場合、
ばねの可撓性とサブストレートの可撓性との比は約10で
ある。
【００３６】このような構成では、特別な止め部は必須
ではない、即ち、10kgの又は10kg以上の荷重に対して
は、ブレードばねはほとんど完全に平坦化し、サブスト
レートはばねに接触するためである。
ではない、即ち、10kgの又は10kg以上の荷重に対して
は、ブレードばねはほとんど完全に平坦化し、サブスト
レートはばねに接触するためである。
【００３７】このようなトランスデューサ（図２参照）
の感度を示す曲線Ｉを図６に示し、この図６は、加わっ
た荷重の重量（kg）を水平軸線に沿ってプロットし、サ
ブストレートに配置した歪みゲージによる電気信号を垂
直軸線に沿ってプロットしてある。曲線Ｉは２個の部分
を有する。即ち、０〜８kgの間の重量で直線的に上昇す
る部分と、10〜20kgの範囲の重量で一定の部分である。
約９kgにおけるこれら２個の部分間の移行ゾーンは、サ
ブストレートがばねに接触するに必要な荷重に関連す
る。０〜８kgの間の重量により生ずる電気信号は、完全
に重量に比例する。この信号は、サブストレートがばね
に接触するとき一定になる。このようにして、トランス
デューサは、セラミックサブストレートが破壊すること
なく、過荷重にすることができる。移行ゾーンの位置
は、サブストレート毎に再現可能であり、サブストレー
トの表面の不規則度に依存しない。この移行ゾーンは、
ばねの弾性変形の再現性に依存する。実際、ばねの偏位
はサブストレートの偏位よりも10倍も大きい。このよう
にして、荷重限界を厳密に決定することができるのは、
ばね特性の再現性である。
の感度を示す曲線Ｉを図６に示し、この図６は、加わっ
た荷重の重量（kg）を水平軸線に沿ってプロットし、サ
ブストレートに配置した歪みゲージによる電気信号を垂
直軸線に沿ってプロットしてある。曲線Ｉは２個の部分
を有する。即ち、０〜８kgの間の重量で直線的に上昇す
る部分と、10〜20kgの範囲の重量で一定の部分である。
約９kgにおけるこれら２個の部分間の移行ゾーンは、サ
ブストレートがばねに接触するに必要な荷重に関連す
る。０〜８kgの間の重量により生ずる電気信号は、完全
に重量に比例する。この信号は、サブストレートがばね
に接触するとき一定になる。このようにして、トランス
デューサは、セラミックサブストレートが破壊すること
なく、過荷重にすることができる。移行ゾーンの位置
は、サブストレート毎に再現可能であり、サブストレー
トの表面の不規則度に依存しない。この移行ゾーンは、
ばねの弾性変形の再現性に依存する。実際、ばねの偏位
はサブストレートの偏位よりも10倍も大きい。このよう
にして、荷重限界を厳密に決定することができるのは、
ばね特性の再現性である。
【００３８】図２においては、サブストレート12とばね
13はサブストレートの端縁151, 152で接触する。作用に
あたり、サブストレートの一方の端縁は、端縁の全体に
沿っては接触せず、端縁の一部に沿ってのみ又は一点で
しか接触しないこともある。サブストレートの２個の端
縁の部分に沿う接触の量を考慮すると、荷重が変化する
ときこれら部分がそれぞれの端縁に沿って移動すること
勿論である。このことは小さい荷重に対しては線形性の
誤差になる。
13はサブストレートの端縁151, 152で接触する。作用に
あたり、サブストレートの一方の端縁は、端縁の全体に
沿っては接触せず、端縁の一部に沿ってのみ又は一点で
しか接触しないこともある。サブストレートの２個の端
縁の部分に沿う接触の量を考慮すると、荷重が変化する
ときこれら部分がそれぞれの端縁に沿って移動すること
勿論である。このことは小さい荷重に対しては線形性の
誤差になる。
【００３９】図７には、どのようにしてこの誤差を補正
するかを示す。図７は、サブストレート12が端縁151, 1
52で接触するばね13の平面図を示す。好ましい線形性を
得るためには、端縁に歯を付ける。即ち、端縁151 に、
ギャップ36により互いに離れた２個の歯351, 352を設
け、端縁152 には１個の歯353 を設け、サブストレート
12が３点でばね13に圧着するようにする。歯351, 352,
353 は、トランスデューサ毎に満足のいく直線性曲線の
再現性を確実にする。
するかを示す。図７は、サブストレート12が端縁151, 1
52で接触するばね13の平面図を示す。好ましい線形性を
得るためには、端縁に歯を付ける。即ち、端縁151 に、
ギャップ36により互いに離れた２個の歯351, 352を設
け、端縁152 には１個の歯353 を設け、サブストレート
12が３点でばね13に圧着するようにする。歯351, 352,
353 は、トランスデューサ毎に満足のいく直線性曲線の
再現性を確実にする。
【００４０】正確な支持及び好ましい線形性を得るた
め、サブストレートは接触素子上に支持することができ
る。このことを図８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。図８の
（Ａ）のサブストレート12及び接触素子は、図８の
（Ｂ）のＩ−Ｉ線上の断面で示す。３個の接触素子371,
372, 373 は安定したバランスをとるためサブストレー
トの両側に配置する。好適には、これら接触素子の形状
はサブストレートの端縁に対応させ、端縁に沿ってサブ
ストレートに掛合するようにする。このようにして、作
用にあたり、接触点381, 382, 383 は湾曲したブレード
ばね上で移動することができる。
め、サブストレートは接触素子上に支持することができ
る。このことを図８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。図８の
（Ａ）のサブストレート12及び接触素子は、図８の
（Ｂ）のＩ−Ｉ線上の断面で示す。３個の接触素子371,
372, 373 は安定したバランスをとるためサブストレー
トの両側に配置する。好適には、これら接触素子の形状
はサブストレートの端縁に対応させ、端縁に沿ってサブ
ストレートに掛合するようにする。このようにして、作
用にあたり、接触点381, 382, 383 は湾曲したブレード
ばね上で移動することができる。
【００４１】この接触素子は、サブストレート12に接着
剤又は他の手段により取り付ける。素子は互いに連結す
ることができる。従って、図９に示す取付部材50の一部
をなす構成とすることができる。この場合、ウェブ又は
リブ又は他の任意の連結素子により相互連結した３個の
接触素子371,372, 373 を取付部材に設ける。この取付
部材50は、サブストレート12及び取付部材50が接触素子
を介して接触するよう僅かに湾曲させる。
剤又は他の手段により取り付ける。素子は互いに連結す
ることができる。従って、図９に示す取付部材50の一部
をなす構成とすることができる。この場合、ウェブ又は
リブ又は他の任意の連結素子により相互連結した３個の
接触素子371,372, 373 を取付部材に設ける。この取付
部材50は、サブストレート12及び取付部材50が接触素子
を介して接触するよう僅かに湾曲させる。
【００４２】図10の（Ａ）及び（Ｂ）には、本発明によ
る第２のタイプのトランスデューサを示す。同様の素子
に対しては同一の参照符号を付して説明する。図10の
（Ａ）の一部は、図10の（Ｂ）のII−II線上の断面図に
対応する。この場合、湾曲したブレードばねの代わり
に、軸線に沿って変形するばねを使用する。ばねは、例
えば、螺旋ばね901,902,903 とすることができる。ばね
の可撓性は、ばねの変形の範囲がサブストレートの変形
範囲よりも大きくなるように選択する。好適には、３個
のばねを使用し、２個のばねをサブストレートの一方の
端部に配置し、１個のばねを他方の端部に配置し、安定
した座を生ずるようにする。２個のばね（それぞれ両側
に配置する）又は４個のばね（両側に２個ずつ配置す
る）を有する構成も使用することができる。螺旋ばねの
代わりに、円筒形のバッファタイプばねを使用すること
もできる。
る第２のタイプのトランスデューサを示す。同様の素子
に対しては同一の参照符号を付して説明する。図10の
（Ａ）の一部は、図10の（Ｂ）のII−II線上の断面図に
対応する。この場合、湾曲したブレードばねの代わり
に、軸線に沿って変形するばねを使用する。ばねは、例
えば、螺旋ばね901,902,903 とすることができる。ばね
の可撓性は、ばねの変形の範囲がサブストレートの変形
範囲よりも大きくなるように選択する。好適には、３個
のばねを使用し、２個のばねをサブストレートの一方の
端部に配置し、１個のばねを他方の端部に配置し、安定
した座を生ずるようにする。２個のばね（それぞれ両側
に配置する）又は４個のばね（両側に２個ずつ配置す
る）を有する構成も使用することができる。螺旋ばねの
代わりに、円筒形のバッファタイプばねを使用すること
もできる。
【図１】従来装置の線図的説明図である。
【図２】本発明による第１のタイプの歪みゲージトラン
スデューサの第１の実施例の線図的斜視図である。
スデューサの第１の実施例の線図的斜視図である。
【図３】本発明による第１のタイプの歪みゲージトラン
スデューサの第２の実施例の線図的斜視図である。
スデューサの第２の実施例の線図的斜視図である。
【図４】（Ａ）は第１の実施例の止め部を配置する異な
る可能性を示す説明図であり、（Ｂ）は第２の実施例の
止め部を配置する異なる可能性を示す説明図である。
る可能性を示す説明図であり、（Ｂ）は第２の実施例の
止め部を配置する異なる可能性を示す説明図である。
【図５】（Ａ）は止め部を取り付ける一つの方法を示す
説明図であり、（Ｂ）は止め部を取り付ける他の方法を
示す説明図である。
説明図であり、（Ｂ）は止め部を取り付ける他の方法を
示す説明図である。
【図６】第１の実施例における加わった荷重の関数とし
てのトランスデューサの感度の変化を示す曲線を示すグ
ラフである。
てのトランスデューサの感度の変化を示す曲線を示すグ
ラフである。
【図７】歯付き端縁有するサブストレートの線図であ
る。
る。
【図８】（Ａ）は、接触素子を設けたサブストレートを
示す縦断面図であり、（Ｂ）はこのサブストレートの平
面図である。
示す縦断面図であり、（Ｂ）はこのサブストレートの平
面図である。
【図９】接触素子を設けた取付部材の線図的斜視図であ
る。
る。
【図１０】（Ａ）は本発明による歪みゲージトランスデ
ューサの第２のタイプの縦断面図であり、（Ｂ）は第２
のタイプのサブストレートの平面図である。
ューサの第２のタイプの縦断面図であり、（Ｂ）は第２
のタイプのサブストレートの平面図である。
3 上側ナイフ端縁 41, 42 下側ナイフ端縁 5 サブストレート 6 歪みゲージ 10, 11 圧力部材 12 サブストレート 13 湾曲ブレードばね 14 抵抗器（レジスタ） 151, 152 端縁 16, 161, 162 素子 17 窪み 20, 21, 221, 222, 321, 322,331, 332 止め部 351, 352, 353 歯 36 ギャップ 371, 372, 373 接触素子 50 取付部材 901, 902, 903 螺旋ばね
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヤン−ピエール アザン フランス国 94370 スーシー エン ブ リ リユ ドウ ベール ギヤラン 34 (72)発明者 フランソワ マニグ フランス国 77610 マルル エン ブリ リユ キヤロン 47
Claims (13)
- 【請求項１】圧力部材(10, 11)に包囲され、歪み検出素
子(14)を設けたプレート状のサブストレート(12)を有す
る歪みゲージと、 前記サブストレート(12)と圧力部材(10, 11)のうちの一
方との間に配置し、圧力部材(10, 11)により加わる圧力
によって前記サブストレートに関連して変形する少なく
とも１個のばね(13)(901, 902, 903) とを具えた歪みゲ
ージトランスデューサ(12, 14)において、 前記サブストレート(12)を前記ばね(13)(901, 902, 9
03) に固定せずに圧着させ、前記ばねの可撓性をサブス
トレートの可撓性よりも大きいものとしたことを特徴と
する歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項２】前記ばねを湾曲したブレードばね(13)とし
た請求項１記載の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項３】前記サブストレートが少なくとも一方の圧
力部材に対して偏位移動を受ける構成とし、前記偏位移
動を、前記サブストレート(12)の破壊点に達するのを防
止する止め部(20)(21)(221, 222)(321, 322)(331, 332)
により制限する構成とした請求項１又は２記載の歪みゲ
ージトランスデューサ。 - 【請求項４】前記湾曲したブレードばね(13)は凹面及び
凸面を有し、サブストレート(12)の端縁(151, 152)を前
記ばね(13)の凹面側で前記ばね(13)に接触させた請求項
２または３記載の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項５】前記サブストレート(12)の前記ばね(13)に
向かう偏位移動を制限するため、少なくとも１個の止め
部(20)(21)をサブストレートの中心部分又はばねの中心
部分に配置し、前記２個の中心部分を互いに対向させた
請求項４記載の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項６】前記サブストレート(12)の前記ばね(13)に
向かう偏位移動を制限するため、前記ばね(13)の中心部
分に、前記ばね(13)を支持する圧力部材(10)に配置した
止め部(21)が通過できる孔(30)を形成した請求項４記載
の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項７】前記ばね(13)に接触する前記サブストレー
ト(12)の端縁(151, 152)を歯付き形状にし、歯(351, 35
2, 353) と端縁(151, 152)との間における接触量を制限
する構成とした請求項４乃至６のうちのいずれか一項に
記載の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項８】前記サブストレート(12)の端縁(151, 152)
を接触素子(371, 372, 373) によって前記ばね(13)に接
触させる構成とした請求項４乃至７のうちのいずれか一
項に記載の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項９】前記接触素子を取付部材(50)により相互連
結した請求項８記載の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項１０】前記湾曲したブレードばね（13) は凹面
及び凸面を有し、サブストレート(12)の中心部分をを前
記ばね(13)の凸面側で前記ばね(13)の中心部分に接触さ
せた請求項１乃至３のうちのいずれか一項に記載の歪み
ゲージトランスデューサ。 - 【請求項１１】少なくとも１個の止め部(321, 322)(3
31, 332)をサブストレートの端部部分又圧力部材(10, 1
1)のうちの一方に設けた請求項10記載の歪みゲージトラ
ンスデューサ。 - 【請求項１２】前記ばねを螺旋タイプばね(901, 902,90
3) 又は円筒形バッファタイプばねとした請求項１記載
の歪みゲージトランスデューサ。 - 【請求項１３】前記サブストレートが少なくとも一方の
圧力部材に対して偏位移動を受ける構成とし、前記偏位
移動を、前記圧力部材のうちの一方又はサブストレート
のいずれかに設けた止め部により制限する構成とした請
求項12記載の歪みゲージトランスデューサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9102814 | 1991-03-08 | ||
| FR9102814A FR2673719A1 (fr) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | Capteur a jauge de contrainte. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572060A true JPH0572060A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=9410513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4050638A Pending JPH0572060A (ja) | 1991-03-08 | 1992-03-09 | 歪みゲージトランスデユーサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5287757A (ja) |
| EP (1) | EP0503719B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0572060A (ja) |
| DE (1) | DE69205604T2 (ja) |
| FR (1) | FR2673719A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP0598443A1 (fr) * | 1992-11-18 | 1994-05-25 | Laboratoires D'electronique Philips S.A.S. | Capteur à jauges de contrainte, appareil de mesure de forces ou de poids et tablette tactile |
| US6236301B1 (en) * | 1996-09-04 | 2001-05-22 | Sensitron, Inc. | Cantilevered deflection sensing system |
| US6375475B1 (en) * | 2001-03-06 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Method and structure for controlled shock and vibration of electrical interconnects |
| US6475011B1 (en) * | 2001-09-07 | 2002-11-05 | International Business Machines Corporation | Land grid array socket actuation hardware for MCM applications |
| US7289335B2 (en) * | 2003-07-08 | 2007-10-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Force distributing spring element |
| US7344384B2 (en) * | 2004-10-25 | 2008-03-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Bolster plate assembly for processor module assembly |
| US20080282812A1 (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Thaddeus Schroeder | Magnetostrictive load sensor and method of manufacture |
| CZ304560B6 (cs) * | 2007-06-26 | 2014-07-09 | České Vysoké Učení Technické V Praze Fakulta Strojní, Výzkumné Centrum Spalovacích Motorů A Automobilů Josefa Božka | Tenzometrický snímač |
| US10365149B2 (en) | 2013-10-15 | 2019-07-30 | Bedsense Limited | Bed based weight sensors for physiological analysis |
| GB2519293B (en) | 2013-10-15 | 2017-11-15 | Bedsense Ltd | A weight sensing method and system |
| JP6285230B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-02-28 | 株式会社ブリヂストン | ホースの残存寿命予測方法及びホースの劣化度診断方法 |
| CN107709960B (zh) * | 2015-06-30 | 2020-12-04 | 株式会社普利司通 | 反作用力测量装置、劣化诊断方法和劣化诊断装置 |
| ITUA20163990A1 (it) * | 2016-05-31 | 2017-12-01 | St Microelectronics Srl | Dispositivo sensore di carico miniaturizzato con ridotta sensibilita' a stress termo-meccanico di incapsulamento, in particolare sensore di forza e di pressione |
| CN109171102B (zh) * | 2018-10-29 | 2024-07-19 | 深圳市科迈爱康科技有限公司 | 智能鞋及其中底模组 |
| EP3795969A1 (en) * | 2019-09-18 | 2021-03-24 | Von Tringelberg UG | Force gauge |
| US20230085965A1 (en) * | 2020-01-29 | 2023-03-23 | Sensata Technologies, Inc. | Sensor apparatuses |
| FR3108977B1 (fr) * | 2020-04-01 | 2022-03-11 | Uromems | Système de protection d’un capteur pour une mesure de force et dispositif occlusif implantable comprenant un tel système de protection du capteur |
Family Cites Families (17)
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