JPH0570772U - プラズマアークガウジング用トーチ - Google Patents

プラズマアークガウジング用トーチ

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JPH0570772U
JPH0570772U JP1799092U JP1799092U JPH0570772U JP H0570772 U JPH0570772 U JP H0570772U JP 1799092 U JP1799092 U JP 1799092U JP 1799092 U JP1799092 U JP 1799092U JP H0570772 U JPH0570772 U JP H0570772U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高能率なガウジング作業を行なうことがで
きるプラズマア−クガウジング用ト−チを提供するこ
と。 【構成】 プラズマア−クガウジング用ト−チにおい
て、チップに穿設されたプラズマ噴出孔の先端にプラズ
マ噴出孔と同軸の有底状の開口部を配設し、チップの各
部の寸法を ・プラズマ噴出孔:直径dmm ・有底状の開口部:直径Dmm 奥行Emm としたとき、チップを2.2mm≦d≦4.4mmおよび4
0度≦α≦100度(ただし、チップ開き角度αは噴出
孔および開口部の夫々の端縁を通る直線のなす角度。α
=2tan -1{(D−d)/2E})を満足する値に形成
したことを特徴としている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、プラズマア−クガウジング用ト−チの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、プラズマア−クガウジング用ト−チT´は図11に示されるものであ って、1は流体により冷却されるプラズマ電極で、このプラズマ電極1は銅また は銅合金より成る電極基材2と、この電極基材2の先端凹部に装着されたタング ステンやハフニウム等の高融点金属の挿入体3とにより構成されている。4´は ト−チT´の先端に支持された中空のチップで、先端中央部にプラズマ流が噴出 するプラズマ噴出孔401が穿設されている。5は絶縁カップである。 上記ト−チT´において、電極1とチップ4´との間にプラズマア−クを発生 させ、加工時に適宜の作動ガスをプラズマ噴出孔401から噴出させてプラズマ ア−ク6を発生させ、ト−チT´を被加工物Wに対して30度乃至40度傾斜さ せて矢印で示す方向にト−チT´を移動させつつ、プラズマア−ク6により被加 工物Wの表面部のガウジング作業を行っている。 上記チップ4´は、プラズマア−クガウジングに一般的に用いられている標準 チップ(以降、ノ−マルタイプのチップと呼ぶ)であり、チップ4´の先端面4 02に直交するプラズマ噴出孔401が直接開口するように形成されている。 また、図12はダイバ−ゼントタイプと呼ばれているチップ4´を設けた、他 の従来例を示すものであって、プラズマ噴出孔401の先端にチップの先端面4 02に向かうに従って径が大きくなるラッパ状の開口部403が、プラズマ噴出 孔401と同軸に形成されている。 なお、プラズマア−クガウジング作業においては、図3に示すようなガウジン グ溝がほぼ左右均一で溝底部で十分なア−ルがとれた形状を良質な溝形状とし、 上記以外の、例えば図4に示すようなガウジング溝の形状を不良な溝形状として 取扱っている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
図5は、ノ−マルタイプのチップ4´を備えたト−チを用いてプラズマア−ク ガウジング作業を行なう場合に、チップ4´の噴出孔401の直径dとガウジン グ溝の断面積Sとの関係を下記のガウジング条件で調べたものである。 ガウジング電流:120A ガウジング速度:50cm/min プラズマガス:プリミックガス[Ar(70%)+H2 (30%)] プラズマガスの設定圧力:4Kg/cm2 ト−チ角度:30度 被加工物:SS41材19mmt ……(1) ノ−マルタイプのものでは、プラズマア−クの拘束が強過ぎるため、図5に示 すように、上記の良質なガウジング溝の形状となるのは、実用的なガウジング速 度、例えば50cm/minにおいて、プラズマ噴出孔401の直径dが5mm位以上と 比較的大きい場合に限られる。ところで、通常プラズマ噴出孔401の単位面積 あたりの作動ガスの流量はプラズマ噴出孔401の寸法に拘わらずほぼ一定とし ているため、ガス流量は噴出孔401の断面積に比例することとなる。このため 、プラズマ噴出孔401が比較的大きいチップでガウジング作業を実施すると必 然的にガスの消費量が多くなる。しかも、良質なガウジング加工におけるガウジ ング能力、即ちガウジング溝の断面積は、図5に示されるごとく、小さい値であ った。すなわち、ガウジング作業の能率が悪いという欠点があった。 また、ダイバ−ゼントタイプのものでは、図6の点線で示されるように良質な 溝形状を得られるプラズマ噴出孔401の直径の範囲は幾分拡大されるが、ガウ ジング能力(=ガウジング溝の断面積)はノ−マルタイプものより低下していた 。なお、図6のダイバ−ゼントタイプにおける噴出孔401の直径dとガウジン グ溝の断面積Sとの関係は、ラッパ状の開口部403の開き角度を40度とし、 ガウジング条件は条件(1)と同じ条件で調べたものである。 そこで、本考案の目的は、高能率なガウジング作業を可能にするプラズマア− クガウジング用ト−チを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本考案の構成は、加工用の電極とプラズマ噴出孔の 穿設されたチップとの間にパイロットア−クを発生させ、加工時に作動ガスを介 して前記プラズマ噴出孔からプラズマア−クを噴出させるプラズマア−クガウジ ング用ト−チにおいて、前記プラズマ噴出孔の先端に該プラズマ噴出孔と同軸の 有底状の開口部を配設し、前記チップの各部を ・プラズマ噴出孔:直径dmm ・有底状の開口部:直径Dmm 奥行Emm としたとき、前記チップを2.2mm≦d≦4.4mmおよび40度≦α≦100度 (ただし、チップ開き角度αは前記噴出孔および前記開口部の夫々の端縁を通る 直線のなす角度。α=2tan -1{(D−d)/2E})を満足する値に形成した ことを特徴とする。
【0005】
【実施例】
以下、本考案を図示の実施例により詳細に説明する。 図1および図2において、1はプラズマ電極でこのプラズマ電極1は、銅また は銅合金より成る電極基材2と、この電極基材2の先端凹部に装着されたタング ステンやハフニウム等の高融点金属の挿入体3とにより構成されている。4はト −チTの先端に支持された中空のチップで、中央部にプラズマ流が噴出するプラ ズマ噴出孔401が穿設されている。404はプラズマ噴出孔401の先端にプ ラズマ噴出孔401と同軸に配設された有底状の開口部である。
【0006】 図2において、プラズマ噴出孔401の直径をd,開口部404の直径をD, 奥行をEとし、プラズマ噴出孔401の端縁をイ,ロ、開口部404の端縁をハ ,ニとしたとき、直線イハと直線ロニとのなす角度をαとする。(以後αをチッ プ開き角度と称する。)チップ開き角度αはチップ4の各部の寸法により下記の 式で表わされる。 α=2tan -1{(D−d)/2E} ……(2)
【0007】 図6の実線は、本考案に係るト−チにおいて使用するチップ4を、開口部40 4の直径D=8mm,奥行E=5mmとし、噴出孔401の直径dを変化させたとき の噴出孔401の直径dとガウジング溝の断面積Sとの関係を、前記図5に示さ れるノ−マルタイプのチップを用いたガウジング作業の場合と同じ条件(1)で 調べたものである。図6の実線より、本考案に係るト−チによれば、噴出孔40 1の直径dが2.2mm以上5mm以下の範囲において、良質なガウジング溝が得ら れることがわかる。 図6において、本考案に係るト−チとダイバ−ゼントタイプのチップを使用し たト−チとを比較すると、チップ4の噴出孔401の直径dが4.4mm以下では ガウジング溝の断面積Sに比較的大きい差異が生じ、噴出孔401の直径dが小 さくなるほどこの差異は大きくなる。 上記のごとく、噴出孔401の直径dが4.4mmが臨界点となるが、この状態 を更に詳述する。 図7は、チップ4の噴出孔401の直径dが4.4mmの場合、ガウジング速度 Vとガウジング溝の断面積Sとの関係を本考案に係るト−チ(実線)とダイバ− ゼントタイプのチップを使用したト−チ(点線)とについて調べたものである。 なお、図7におけるガウジング作業の条件は、ガウジング速度を除いて条件(1 )と同じである。 図7において、例えばガウジング溝の断面積Sが8mm2 のガウジング溝を得る ためには、ガウジング速度Vはダイバ−ゼントタイプのものでは50cm/minであ るが、本考案に係るト−チによれば75cm/minの速度でガウジング作業が可能で ある。即ち、同じ断面積のガウジング溝を得るためには本考案に係るト−チでは 、ダイバ−ゼントタイプのものを使用する場合の約1.5倍の速度でガウジング 加工することができる。 この場合、D=8,d=4.4,E=5を上記式(2)に代入すると、α=2 tan -10.36となる。即ち、チップ開き角度αは40度である。なお、式(2 )においてdが4.4mmより小さくなるに従ってαが大となる。例えば、d=2 .2mmのときα=60度である。また、チップ4の噴出孔401の直径dが4. 4mm未満のときも本考案に係るト−チによれば、ダイバ−ゼントタイプものより 高速でガウジング作業を行なえる。 以上により、図6に示されるごとく、チップ4の噴出孔401の直径dが4. 4mmよりも小さくなるにつれて、本考案に係るト−チとダイバ−ゼントタイプの ものとでは、ガウジング溝の断面積Sの差が徐々に大きくなる。即ち、本考案に 係るト−チはダイバ−ゼントタイプのものよりガウジング能力が大きく、噴出孔 401の直径dが小さくなるほどガウジング溝の断面積Sの差が大きくなる。ま た、図7に示されるごとく、同一のガウジング溝の断面積Sを得るためには、本 考案に係るト−チではダイバ−ゼントタイプのものより速い速度でガウジング作 業が可能である。さらに、本考案に係るト−チでは、ダイバ−ゼントタイプのも のでは良好な加工の行なえなかった小径の噴出孔401のものまで、即ち噴出孔 401の直径dが2.2mmまでを採用することができる。このように、噴出孔4 01の直径dが比較的小径であってもガウジング能力が大きい、良質なガウジン グ溝が得られるので、プラズマガスの消費量の少ない高能率なガウジング作業が 可能である。
【0008】 図8(a)乃至図8(c)は、ガウジング溝の加工方向に沿った断面図である 。図8(a)は、良質なガウジング溝が得られるときのガウジング溝の加工状況 を示す図であり、ト−チの移動方向、即ち、X1 方向の被加工物Wの表面付近が ガウジング溝底部より先に溶融して、いわゆるノントンネル形のガウジング溝を 形成している。図8(b)および図8(c)は、不良なガウジング溝となる場合 のガウジング溝の加工状況を示す図である。図8(c)はガウジング溝底部が被 加工物Wの表面付近より先行して溶融するいわゆるトンネル形のガウジング溝で あり、図8(b)はガウジング溝底部にほぼ垂直な溶融壁を形成するセミトンネ ル形と呼ばれるガウジング溝であり、セミトンネル形のガウジング溝はノントン ネル形からトンネル形に移行するときに現われる。上記のセミトンネル形やトン ネル形のガウジング溝が形成されると、ガウジング溝が左右不均一で溝底部に十 分なア−ルが形成されない不良なガウジング溝となるだけでなく、プラズマア− クによって溶融した金属がプラズマト−チ方向に吹上がり、ト−チ各部、特にチ ップ4´や絶縁カップ5が損傷したり、ガウジング作業者自身にふりかかったり するため、作業性が悪くなる。 図6の実験において、本考案に係るト−チでは、噴出孔401の直径dが2. 2mm以上5mm以下の範囲においてノントンネル形のガウジング溝であり、噴出孔 401の直径dが2mmでセミトンネル形となり、さらに2mm未満でトンネル形の ガウジング溝となった。 即ち、本考案に係るト−チでは、噴出孔401の直径dが2.2mm≦d≦4. 4mmのとき、ダイバ−ゼントタイプのものよりもガウジング能力が大であって高 能率の加工ができる。
【0009】 図9の実線は、本考案に係るト−チにおいて、チップ4の噴出孔401の直径 d=3mm,開口部404の奥行E=5mmとし、開口部404の直径Dを変化させ たときの開口部404の直径Dとガウジング溝の断面積Sとの関係を前記ガウジ ング条件(1)と同じ条件で調べたものである。また、図9の点線は、ダイバ− ゼントタイプのものについて同様の実験をした結果である。図9の点線に示され るごとく、ダイバ−ゼントタイプのものでは狭い範囲でしか良質なガウジング溝 が得られない。しかし、図9の実線に示されるごとく、本考案に係るト−チによ ればチップ4の開口部404の直径Dが6.5mm以上15mm以下、即ちチップ開 き角度αが39度以上100度以下の範囲において、図8(a)に示されるよう なノントンネル形のガウジング溝となり、良質なガウジング溝が得られる。勿論 、前記の図6で説明したのと同様に、本考案に係るト−チによれば、ダイバ−ゼ ントタイプのものより大きい速度、能力でガウジング作業を行なうことができる 。即ち、高能率な加工が可能である。
【0010】 図10の実線は、本考案に係るト−チにおいて、チップ4の噴出孔401の直 径d=3mm,開口部404の直径D=8mmとし、開口部404の奥行Eを変化さ せたときの開口部404の奥行Eとガウジング溝の断面積Sとの関係を前記ガウ ジング条件(イ)と同じ条件で調べたものである。また、図10の点線は、ダイ バ−ゼントタイプのものについて同様の実験をした結果である。ただし、タイバ −ゼントタイプのものにおいて、ラッパ状の開口部403の奥行、即ちチップの 先端面402から噴出孔401までの長さをEとしている。図10の点線に示さ れるごとく、ダイバ−ゼントタイプのものでは狭い範囲でしか良質なガウジング 溝が得られない。しかし、図10の実線に示されるごとく、本考案に係るト−チ によれば、チップ4の開口部404の奥行Eが2mm以上7mm以下、即ちチップ開 き角度αが39度以上103度以下の範囲において、図8(a)に示されるよう なノントンネル形のガウジング溝となり、良質なガウジング溝が得られる。勿論 、本考案に係るト−チによれば、ダイバ−ゼントタイプのものより大きい速度, 能力でガウジング作業を行なうことができるのは前記と同様である。
【0011】 以上のように、噴出孔401の直径dが2.2mm≦d≦4.4mmおよびチップ 開き角度αが40度≦α≦100度を満足するチップを備えたプラズマア−クガ ウジング用ト−チによれば、高能率なガウジング作業を行なうことができる。
【0012】
【考案の効果】
チップ4の噴出孔401の直径dが4.4mmよりも小さくなるにつれて、本考 案に係るト−チとダイバ−ゼントタイプのものとではガウジング溝の断面積Sの 差が徐々に大きくなる。即ち、本考案に係るト−チはダイバ−ゼントタイプのも のよりガウジング能力が大きく、噴出孔401の直径dが小さくなるほどガウジ ング能力の差が大きくなる。また、同一のガウジング溝の断面積Sを得るために は、本考案に係るト−チではダイバ−ゼントタイプのものより速い速度でガウジ ング作業が可能である。さらに、本考案に係るト−チでは、ダイバ−ゼントタイ プのものでは良好な加工の行なえなかったチップ4の噴出孔401の直径dが2 .2mmまでを採用することができ、ガウジング能力が大きく、プラズマガスの消 費量の少ない高能率なガウジング作業が可能である。 以上の説明で明らかなように、本考案に係るプラズマア−クガウジング用ト− チによれば、ガウジング能力が大であって高能率なガウジング作業を行なうこと ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例の要部を示す一部断面図
【図2】図1に示されるト−チの先端部の拡大断面図
【図3】良質なガウジング溝を示す断面図
【図4】不良なガウジング溝を示す断面図
【図5】従来のノ−マルタイプのチップを用いるプラズ
マア−クガウジング用ト−チにおいて使用するチップの
噴出孔の直径dとガウジング溝の断面積Sとの関係を示
す図
【図6】従来のダイバ−ゼントタイプのチップを用いる
プラズマア−クガウジング用ト−チおよび本考案に係る
ト−チにおいて夫々使用するチップの噴出孔の直径dと
ガウジング溝の断面積Sとの関係を示す図
【図7】従来のダイバ−ゼントタイプのチップを用いる
プラズマア−クガウジング用ト−チおよび本考案に係る
ト−チにおいて夫々使用するチップのガウジング速度V
とガウジング溝の断面積Sとの関係を示す図
【図8】ガウジング溝の加工方向に沿った加工状況説明
【図9】従来のダイバ−ゼントタイプのチップを用いる
プラズマア−クガウジング用ト−チおよび本考案に係る
ト−チにおいて夫々使用するチップの開口部の直径Dと
ガウジング溝の断面積Sとの関係を示す図
【図10】従来のダイバ−ゼントタイプのチップを用い
るプラズマア−クガウジング用ト−チおよび本考案に係
るト−チにおいて夫々使用するチップの開口部の奥行E
とガウジング溝の断面積Sとの関係を示す図
【図11】従来例の要部を示す一部断面図
【図12】他の従来例の要部を示す一部断面図
【符号の説明】
1 プラズマ電極 4 チップ 401 プラズマ噴出孔 404 有底状の開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 宮内 正直 大阪市淀川区田川2丁目1番11号 株式会 社ダイヘン内

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加工用の電極とプラズマ噴出孔の穿設さ
    れたチップとの間にパイロットア−クを発生させ、加工
    時に作動ガスを介して前記プラズマ噴出孔からプラズマ
    ア−クを噴出させるプラズマア−クガウジング用ト−チ
    において、前記プラズマ噴出孔の先端に該プラズマ噴出
    孔と同軸の有底状の開口部を配設し、 前記チップの各部を ・プラズマ噴出孔:直径dmm ・有底状の開口部:直径Dmm 奥行Emm としたとき、前記チップを2.2mm≦d≦4.4mmおよ
    び40度≦α≦100度(ただし、チップ開き角度αは
    前記噴出孔および前記開口部の夫々の端縁を通る直線の
    なす角度。α=2tan -1{(D−d)/2E})を満足
    する値に形成したことを特徴とするプラズマア−クガウ
    ジング用ト−チ。
JP1799092U 1992-02-25 1992-02-25 プラズマアークガウジング用トーチ Expired - Lifetime JP2559530Y2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101115186B1 (ko) * 2009-12-29 2012-02-24 대우조선해양 주식회사 플라즈마 가우징 토치
JPWO2017047252A1 (ja) * 2015-09-16 2018-06-28 コマツ産機株式会社 プラズマトーチ用ノズル、及び交換部品ユニット

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KR101115186B1 (ko) * 2009-12-29 2012-02-24 대우조선해양 주식회사 플라즈마 가우징 토치
JPWO2017047252A1 (ja) * 2015-09-16 2018-06-28 コマツ産機株式会社 プラズマトーチ用ノズル、及び交換部品ユニット

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