JPH0569393B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0569393B2 JPH0569393B2 JP61016596A JP1659686A JPH0569393B2 JP H0569393 B2 JPH0569393 B2 JP H0569393B2 JP 61016596 A JP61016596 A JP 61016596A JP 1659686 A JP1659686 A JP 1659686A JP H0569393 B2 JPH0569393 B2 JP H0569393B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- neutrons
- charged particles
- neutron
- neutron detector
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005316 response function Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は中性子検出器、さらに詳しく言えば、
中性子の入射位置の二次元情報を得ることができ
る中性子検出器に関する。
中性子の入射位置の二次元情報を得ることができ
る中性子検出器に関する。
(従来の技術)
マイクロチヤンネルプレートを用いた中性子の
入射位置の二次元情報を得ることができる中性子
検出器はすでに提案されている。第3図は従来の
中性子検出器を示す断面図である。
入射位置の二次元情報を得ることができる中性子
検出器はすでに提案されている。第3図は従来の
中性子検出器を示す断面図である。
シンチレータ4に中性子1が入射するとシンチ
レータ4により光が発生させられる。
レータ4により光が発生させられる。
図において、2は発光点、3は光の経路を示
す。この光は光学結合材を介してフアイバプレー
ト6に入射し、光電面7に導かれる。
す。この光は光学結合材を介してフアイバプレー
ト6に入射し、光電面7に導かれる。
光電面7により発生させられた電子はマイクロ
チヤンネルプレート8に入射させられて、増倍さ
れる。
チヤンネルプレート8に入射させられて、増倍さ
れる。
増倍された電子はレジステイブアノード9に入
射させられ、レジステイブアノード9により中性
子の入射位置に関する情報が取り出される。
射させられ、レジステイブアノード9により中性
子の入射位置に関する情報が取り出される。
(発明が解決しようとする問題点)
前記従来の中性子検出器では、シンチレータ4
中やシンチレータ4とフアイバプレート6間の光
学結合材5において光の拡がりが生ずる。
中やシンチレータ4とフアイバプレート6間の光
学結合材5において光の拡がりが生ずる。
また、(1)中性子を荷電粒子に変換する過程、
(2) 荷電粒子を光に変換する過程、
(3) 光を光電面に導く過程、
(4) 光を光電子に変換する過程、
(5) 光電子を増倍する過程、
(6) 位置信号の出力を得る過程、
といつたいくつもの過程を経るために信号量のロ
スや信号の統計的変動の増加を生ずる。
スや信号の統計的変動の増加を生ずる。
そのために中性子検出器の位置分解能はあまり
良くない。
良くない。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し中性子
の入射位置の分解性能を向上させた中性子検出器
を提供することにある。
の入射位置の分解性能を向上させた中性子検出器
を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
前記目的を達成するために、本発明による中性
子検出器は、 マイクロチヤンネルプレートの入力面側のチヤ
ンネル内面に中性子を荷電粒子に変換する物資を
配置し、 中性子をチヤンネル内で荷電粒子に変換し引き
続きチヤンネル内で倍増して検出するように構成
されている。
子検出器は、 マイクロチヤンネルプレートの入力面側のチヤ
ンネル内面に中性子を荷電粒子に変換する物資を
配置し、 中性子をチヤンネル内で荷電粒子に変換し引き
続きチヤンネル内で倍増して検出するように構成
されている。
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第1図は、本発明による中性子検出器の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
真空容器11内に入射方向線に対して傾きをも
つチヤンネルを持つマイクロチヤンネルプレート
8aと8bが重ねて挿入されている。
つチヤンネルを持つマイクロチヤンネルプレート
8aと8bが重ねて挿入されている。
中性子線の入射する側のマイクロチヤンネルプ
レート8のチヤンネルの入射方向に向かう面に中
性子を荷電粒子に変換する物質(ホウ素およびガ
ドリニウム)10を蒸着法により付着させてあ
る。中性子を荷電粒子に変換する物質10に中性
子1が入射すると、ここで核反応をおこし荷電粒
子を発生する。
レート8のチヤンネルの入射方向に向かう面に中
性子を荷電粒子に変換する物質(ホウ素およびガ
ドリニウム)10を蒸着法により付着させてあ
る。中性子を荷電粒子に変換する物質10に中性
子1が入射すると、ここで核反応をおこし荷電粒
子を発生する。
この荷電粒子はマイクロチヤンネルプレート8
a,8bのチヤンネル中で電子に変換および増倍
され、レジステイブアノード9上に電子のシヤワ
ーとなつて入射させられる。
a,8bのチヤンネル中で電子に変換および増倍
され、レジステイブアノード9上に電子のシヤワ
ーとなつて入射させられる。
レジステイブアノード9の出力を演算して、電
流分布の重心計算により中性子の入射位置が算出
される。
流分布の重心計算により中性子の入射位置が算出
される。
次に、第2図を参照してエツジレスポンスフア
ンクシヨン法による前記実施例の性能評価方法を
説明する。
ンクシヨン法による前記実施例の性能評価方法を
説明する。
第2図は前記評価を行うための装置の配置を示
す略図である。
す略図である。
中性子源111より放出された中性子は減速材
112により減速、加熱される。
112により減速、加熱される。
γ線遮蔽体113を通過して中性子は前記実施
例装置に入射させられる。
例装置に入射させられる。
なお、実施例装置の入射面の半分を中性子吸収
体114で覆う。
体114で覆う。
中性子源111と検出器との距離を十分に保
ち、中性子ビームが十分な平行度を保つて入射す
るようにする。
ち、中性子ビームが十分な平行度を保つて入射す
るようにする。
前記実施例装置では、測定結果0.05mmの位置分
解が得られた。
解が得られた。
第3図に示した従来の検出装置についても同様
な測定を行つたが位置分解は0.5mmの値が得られ
た。
な測定を行つたが位置分解は0.5mmの値が得られ
た。
(発明の効果)
以上詳しく説明したように、中性子に原因する
信号の取り出し過程を簡略化したため、従来の検
出器で生じている光の拡がりや多段過程による統
計的ゆらぎの増加を除くことができる。
信号の取り出し過程を簡略化したため、従来の検
出器で生じている光の拡がりや多段過程による統
計的ゆらぎの増加を除くことができる。
また、位置分解能は前述したように、10倍程度
向上させることができる。
向上させることができる。
また応答速度も約1/5に改善することができ
るようになつた。
るようになつた。
第1図は、本発明による中性子検出器の実施例
を示す断面図である。第2図は、中性子検出器の
性能評価方法を示す略図である。第3図は、従来
の中性子検出器を示す断面図である。 1…入射中性子、2…発光点、3…光のパス、
4…シンチレータ、5…光学結合材、6…フアイ
バプレート、7…光電面、8…マイクロチヤンネ
ルプレート、9…レジステイブアノード、10…
中性子を荷電粒子に変換する物質、111…中性
子線源、112…減速材、113…γ線遮蔽体、
114…中性子吸収体、116…位置演算処理装
置。
を示す断面図である。第2図は、中性子検出器の
性能評価方法を示す略図である。第3図は、従来
の中性子検出器を示す断面図である。 1…入射中性子、2…発光点、3…光のパス、
4…シンチレータ、5…光学結合材、6…フアイ
バプレート、7…光電面、8…マイクロチヤンネ
ルプレート、9…レジステイブアノード、10…
中性子を荷電粒子に変換する物質、111…中性
子線源、112…減速材、113…γ線遮蔽体、
114…中性子吸収体、116…位置演算処理装
置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マイクロチヤンネルプレートの入力面側のチ
ヤンネル内面に中性子を荷電粒子に変換する物資
を配置し、 中性子をチヤンネル内で荷電粒子に変換し引き
続きチヤンネル内で倍増して検出するように構成
した中性子検出器。 2 前記中性子を荷電粒子に変換する物資はホウ
素およびガドリニウムである特許請求の範囲第1
項記載の中性子検出器。 3 前記マイクロチヤンネルプレートのチヤンネ
ルは入射方向線に対して傾斜させられており、前
記中性子を荷電粒子に変換する物資は、入射方向
線に面するチヤンネルの入口表面に付着させられ
ている特許請求の範囲第1項記載の中性子検出
器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1659686A JPS62174679A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 中性子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1659686A JPS62174679A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 中性子検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62174679A JPS62174679A (ja) | 1987-07-31 |
JPH0569393B2 true JPH0569393B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=11920665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1659686A Granted JPS62174679A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 中性子検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62174679A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2731832B1 (fr) * | 1995-03-14 | 1997-04-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de microcollimation de particules, detecteur et procede de detection de particules, procede de fabrication et utilisation dudit dispositif de microcollimation |
GB0220812D0 (en) * | 2002-09-07 | 2002-10-16 | Univ Leicester | Detector device |
GB2415086A (en) * | 2004-06-08 | 2005-12-14 | Univ Wales Aberystwyth | Charge detector array |
CN104215998B (zh) * | 2014-08-20 | 2017-03-22 | 中国原子能科学研究院 | 一种微通道中子示踪仪 |
CN112269204B (zh) * | 2020-10-23 | 2022-11-18 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 微通道型快中子飞行时间探测器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5863878A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Toshiba Corp | 中性子空間分布測定装置 |
JPS5897676A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | 中性子検出装置 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP1659686A patent/JPS62174679A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5863878A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Toshiba Corp | 中性子空間分布測定装置 |
JPS5897676A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | 中性子検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62174679A (ja) | 1987-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Porter et al. | Response of NaI, anthracene and plastic scintillators to electrons and the problems of detecting low energy electrons with scintillation counters | |
US5155366A (en) | Method and apparatus for detecting and discriminating between particles and rays | |
KR100806068B1 (ko) | 방사선 검출 장치 및 방법 | |
US4937455A (en) | Position-sensitive director | |
CN107884809B (zh) | 中子探测器及中子探测方法 | |
CN113419270B (zh) | 一种在线式滤片堆栈谱仪 | |
JPH0569393B2 (ja) | ||
US4322629A (en) | Mass spectrograph | |
US4931647A (en) | Radiation imaging apparatus | |
US4398090A (en) | Panoramic ion detector | |
JPS6168580A (ja) | 放射線二次元分布検出装置 | |
Riegler et al. | A high resolution position sensitive detector for ultraviolet and x-ray photons | |
US4235670A (en) | Method and apparatus for measuring neutron flux | |
Morris et al. | High-temperature photoelectron spectroscopy: an increased sensitivity spectrometer for studying vapor-phase species produced at furnace temperatures> 2000 K | |
Yamaguchi et al. | Characterization of microchannel plates for plasma x‐ray diagnostics in the 0.6–82‐keV energy region | |
JP2020091241A (ja) | 中性子検出装置および中性子検出方法 | |
US4320295A (en) | Panoramic ion detector | |
Fernandez-Figueroa et al. | New diagnostic devices to monitor extraction from LEAR | |
US4954770A (en) | Spin-polarization detector | |
JPS60207083A (ja) | 粒子線等の2次元計測装置 | |
RU2080624C1 (ru) | Устройство для измерения потоков незаряженных частиц и квантов | |
KR100526049B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 열중성자 이미지 측정장치 | |
JPS61102579A (ja) | 放射線源位置検出装置 | |
Ceasar et al. | A multichannel electro‐optical detector for rapid acquisition of X‐ray photoelectron spectroscopy data | |
JPH0221284A (ja) | 粒子線検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |