JPH0569393B2 - - Google Patents
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- JPH0569393B2 JPH0569393B2 JP61016596A JP1659686A JPH0569393B2 JP H0569393 B2 JPH0569393 B2 JP H0569393B2 JP 61016596 A JP61016596 A JP 61016596A JP 1659686 A JP1659686 A JP 1659686A JP H0569393 B2 JPH0569393 B2 JP H0569393B2
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- charged particles
- neutron
- neutron detector
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は中性子検出器、さらに詳しく言えば、
中性子の入射位置の二次元情報を得ることができ
る中性子検出器に関する。
中性子の入射位置の二次元情報を得ることができ
る中性子検出器に関する。
（従来の技術）
マイクロチヤンネルプレートを用いた中性子の
入射位置の二次元情報を得ることができる中性子
検出器はすでに提案されている。第３図は従来の
中性子検出器を示す断面図である。
入射位置の二次元情報を得ることができる中性子
検出器はすでに提案されている。第３図は従来の
中性子検出器を示す断面図である。
シンチレータ４に中性子１が入射するとシンチ
レータ４により光が発生させられる。
レータ４により光が発生させられる。
図において、２は発光点、３は光の経路を示
す。この光は光学結合材を介してフアイバプレー
ト６に入射し、光電面７に導かれる。
す。この光は光学結合材を介してフアイバプレー
ト６に入射し、光電面７に導かれる。
光電面７により発生させられた電子はマイクロ
チヤンネルプレート８に入射させられて、増倍さ
れる。
チヤンネルプレート８に入射させられて、増倍さ
れる。
増倍された電子はレジステイブアノード９に入
射させられ、レジステイブアノード９により中性
子の入射位置に関する情報が取り出される。
射させられ、レジステイブアノード９により中性
子の入射位置に関する情報が取り出される。
（発明が解決しようとする問題点）
前記従来の中性子検出器では、シンチレータ４
中やシンチレータ４とフアイバプレート６間の光
学結合材５において光の拡がりが生ずる。
中やシンチレータ４とフアイバプレート６間の光
学結合材５において光の拡がりが生ずる。
また、(1)中性子を荷電粒子に変換する過程、
(2) 荷電粒子を光に変換する過程、
(3) 光を光電面に導く過程、
(4) 光を光電子に変換する過程、
(5) 光電子を増倍する過程、
(6) 位置信号の出力を得る過程、
といつたいくつもの過程を経るために信号量のロ
スや信号の統計的変動の増加を生ずる。
スや信号の統計的変動の増加を生ずる。
そのために中性子検出器の位置分解能はあまり
良くない。
良くない。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し中性子
の入射位置の分解性能を向上させた中性子検出器
を提供することにある。
の入射位置の分解性能を向上させた中性子検出器
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明による中性
子検出器は、 マイクロチヤンネルプレートの入力面側のチヤ
ンネル内面に中性子を荷電粒子に変換する物資を
配置し、 中性子をチヤンネル内で荷電粒子に変換し引き
続きチヤンネル内で倍増して検出するように構成
されている。
子検出器は、 マイクロチヤンネルプレートの入力面側のチヤ
ンネル内面に中性子を荷電粒子に変換する物資を
配置し、 中性子をチヤンネル内で荷電粒子に変換し引き
続きチヤンネル内で倍増して検出するように構成
されている。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第１図は、本発明による中性子検出器の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
真空容器１１内に入射方向線に対して傾きをも
つチヤンネルを持つマイクロチヤンネルプレート
８ａと８ｂが重ねて挿入されている。
つチヤンネルを持つマイクロチヤンネルプレート
８ａと８ｂが重ねて挿入されている。
中性子線の入射する側のマイクロチヤンネルプ
レート８のチヤンネルの入射方向に向かう面に中
性子を荷電粒子に変換する物質（ホウ素およびガ
ドリニウム）１０を蒸着法により付着させてあ
る。中性子を荷電粒子に変換する物質１０に中性
子１が入射すると、ここで核反応をおこし荷電粒
子を発生する。
レート８のチヤンネルの入射方向に向かう面に中
性子を荷電粒子に変換する物質（ホウ素およびガ
ドリニウム）１０を蒸着法により付着させてあ
る。中性子を荷電粒子に変換する物質１０に中性
子１が入射すると、ここで核反応をおこし荷電粒
子を発生する。
この荷電粒子はマイクロチヤンネルプレート８
ａ，８ｂのチヤンネル中で電子に変換および増倍
され、レジステイブアノード９上に電子のシヤワ
ーとなつて入射させられる。
ａ，８ｂのチヤンネル中で電子に変換および増倍
され、レジステイブアノード９上に電子のシヤワ
ーとなつて入射させられる。
レジステイブアノード９の出力を演算して、電
流分布の重心計算により中性子の入射位置が算出
される。
流分布の重心計算により中性子の入射位置が算出
される。
次に、第２図を参照してエツジレスポンスフア
ンクシヨン法による前記実施例の性能評価方法を
説明する。
ンクシヨン法による前記実施例の性能評価方法を
説明する。
第２図は前記評価を行うための装置の配置を示
す略図である。
す略図である。
中性子源１１１より放出された中性子は減速材
１１２により減速、加熱される。
１１２により減速、加熱される。
γ線遮蔽体１１３を通過して中性子は前記実施
例装置に入射させられる。
例装置に入射させられる。
なお、実施例装置の入射面の半分を中性子吸収
体１１４で覆う。
体１１４で覆う。
中性子源１１１と検出器との距離を十分に保
ち、中性子ビームが十分な平行度を保つて入射す
るようにする。
ち、中性子ビームが十分な平行度を保つて入射す
るようにする。
前記実施例装置では、測定結果0.05mmの位置分
解が得られた。
解が得られた。
第３図に示した従来の検出装置についても同様
な測定を行つたが位置分解は0.5mmの値が得られ
た。
な測定を行つたが位置分解は0.5mmの値が得られ
た。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、中性子に原因する
信号の取り出し過程を簡略化したため、従来の検
出器で生じている光の拡がりや多段過程による統
計的ゆらぎの増加を除くことができる。
信号の取り出し過程を簡略化したため、従来の検
出器で生じている光の拡がりや多段過程による統
計的ゆらぎの増加を除くことができる。
また、位置分解能は前述したように、10倍程度
向上させることができる。
向上させることができる。
また応答速度も約１／５に改善することができ
るようになつた。
るようになつた。
第１図は、本発明による中性子検出器の実施例
を示す断面図である。第２図は、中性子検出器の
性能評価方法を示す略図である。第３図は、従来
の中性子検出器を示す断面図である。 １…入射中性子、２…発光点、３…光のパス、
４…シンチレータ、５…光学結合材、６…フアイ
バプレート、７…光電面、８…マイクロチヤンネ
ルプレート、９…レジステイブアノード、１０…
中性子を荷電粒子に変換する物質、１１１…中性
子線源、１１２…減速材、１１３…γ線遮蔽体、
１１４…中性子吸収体、１１６…位置演算処理装
置。
を示す断面図である。第２図は、中性子検出器の
性能評価方法を示す略図である。第３図は、従来
の中性子検出器を示す断面図である。 １…入射中性子、２…発光点、３…光のパス、
４…シンチレータ、５…光学結合材、６…フアイ
バプレート、７…光電面、８…マイクロチヤンネ
ルプレート、９…レジステイブアノード、１０…
中性子を荷電粒子に変換する物質、１１１…中性
子線源、１１２…減速材、１１３…γ線遮蔽体、
１１４…中性子吸収体、１１６…位置演算処理装
置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロチヤンネルプレートの入力面側のチ
ヤンネル内面に中性子を荷電粒子に変換する物資
を配置し、 中性子をチヤンネル内で荷電粒子に変換し引き
続きチヤンネル内で倍増して検出するように構成
した中性子検出器。 ２ 前記中性子を荷電粒子に変換する物資はホウ
素およびガドリニウムである特許請求の範囲第１
項記載の中性子検出器。 ３ 前記マイクロチヤンネルプレートのチヤンネ
ルは入射方向線に対して傾斜させられており、前
記中性子を荷電粒子に変換する物資は、入射方向
線に面するチヤンネルの入口表面に付着させられ
ている特許請求の範囲第１項記載の中性子検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1659686A JPS62174679A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 中性子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1659686A JPS62174679A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 中性子検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174679A JPS62174679A (ja) | 1987-07-31 |
| JPH0569393B2 true JPH0569393B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=11920665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1659686A Granted JPS62174679A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 中性子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62174679A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2731832B1 (fr) * | 1995-03-14 | 1997-04-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de microcollimation de particules, detecteur et procede de detection de particules, procede de fabrication et utilisation dudit dispositif de microcollimation |
| GB0220812D0 (en) * | 2002-09-07 | 2002-10-16 | Univ Leicester | Detector device |
| GB2415086A (en) * | 2004-06-08 | 2005-12-14 | Univ Wales Aberystwyth | Charge detector array |
| CN104215998B (zh) * | 2014-08-20 | 2017-03-22 | 中国原子能科学研究院 | 一种微通道中子示踪仪 |
| CN112269204B (zh) * | 2020-10-23 | 2022-11-18 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 微通道型快中子飞行时间探测器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863878A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Toshiba Corp | 中性子空間分布測定装置 |
| JPS5897676A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | 中性子検出装置 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP1659686A patent/JPS62174679A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863878A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Toshiba Corp | 中性子空間分布測定装置 |
| JPS5897676A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | 中性子検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62174679A (ja) | 1987-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |