JPH056885A - ウエハ−洗浄方法 - Google Patents
ウエハ−洗浄方法Info
- Publication number
- JPH056885A JPH056885A JP2661091A JP2661091A JPH056885A JP H056885 A JPH056885 A JP H056885A JP 2661091 A JP2661091 A JP 2661091A JP 2661091 A JP2661091 A JP 2661091A JP H056885 A JPH056885 A JP H056885A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- acetone
- mixture
- trichloroethylene
- cleaning
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 有機溶剤としてトリクロルエチレンとアセト
ンとの混合溶液を用いて化合物半導体単結晶ウェハーを
有機洗浄する。 【効果】 ウェハーの有機質汚染と微粒子状汚染とを同
時に除去することができる。
ンとの混合溶液を用いて化合物半導体単結晶ウェハーを
有機洗浄する。 【効果】 ウェハーの有機質汚染と微粒子状汚染とを同
時に除去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体単結晶ウェ
ハーを有機洗浄する際に使用する有機溶剤に関するもの
である。
ハーを有機洗浄する際に使用する有機溶剤に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、化合物半導体はその電子特性を生
かし、Ｓｉでは実現し得ない高速演算素子や発光素子等
の基板材料として注目を集め、需要も増々拡大してい
る。特にＧａＡｓについては、最近ではその応用範囲が
従来の個別素子から、ＩＣへと広がりをみせていること
から、ウェハーの品質に対する要求は非常に高度化しつ
つある。
かし、Ｓｉでは実現し得ない高速演算素子や発光素子等
の基板材料として注目を集め、需要も増々拡大してい
る。特にＧａＡｓについては、最近ではその応用範囲が
従来の個別素子から、ＩＣへと広がりをみせていること
から、ウェハーの品質に対する要求は非常に高度化しつ
つある。
【０００３】このうち特に表面の清浄性はウェハーとし
て備えているべき最も基本的な要件の１つであり、ウェ
ハー１枚当りの表面付着微粒子はＳｉ並みの数ケ以下と
いう高度な水準が求められている。
て備えているべき最も基本的な要件の１つであり、ウェ
ハー１枚当りの表面付着微粒子はＳｉ並みの数ケ以下と
いう高度な水準が求められている。
【０００４】これを達成する手段としてウェハーの洗浄
技術は極めて重要であり、その際に用いる洗浄剤はその
使用目的と、被洗浄物の特性とを正しく考慮して選択し
なければ十分な効果をあげることはできない。
技術は極めて重要であり、その際に用いる洗浄剤はその
使用目的と、被洗浄物の特性とを正しく考慮して選択し
なければ十分な効果をあげることはできない。
【０００５】ウェハーの洗浄法として基本的なものの１
つは、有機質の汚れを除去することを目的とした、有機
溶剤による洗浄である。
つは、有機質の汚れを除去することを目的とした、有機
溶剤による洗浄である。
【０００６】特にウェハーは、その製造工程中、研磨加
工時において、ワックスによりプレート上に接着された
状態で加工されるので、加工後にはワックスを除去する
有機溶剤による洗浄が必要となる。
工時において、ワックスによりプレート上に接着された
状態で加工されるので、加工後にはワックスを除去する
有機溶剤による洗浄が必要となる。
【０００７】従来のＧａＡｓウェハーの有機洗浄には専
らトリクロルエチレンが使用されてきた。しかしこれは
ワックスを溶解する作用は強いものの、他の微粒子状汚
れの除去効果は十分ではなかった。こうした微粒子状の
汚れを除去するためには、更に後工程に界面活性剤等に
よる洗浄を行なわねばならず、工程の多段化に伴う非効
率化を招いていた。
らトリクロルエチレンが使用されてきた。しかしこれは
ワックスを溶解する作用は強いものの、他の微粒子状汚
れの除去効果は十分ではなかった。こうした微粒子状の
汚れを除去するためには、更に後工程に界面活性剤等に
よる洗浄を行なわねばならず、工程の多段化に伴う非効
率化を招いていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上記の従来
技術の欠点を解決したもので、本発明の目的はワックス
等の有機質汚れと同時に微粒子状汚れも十分除去し得る
化合物半導体単結晶ウェハーの有機洗浄方法を提供する
ことにある。
技術の欠点を解決したもので、本発明の目的はワックス
等の有機質汚れと同時に微粒子状汚れも十分除去し得る
化合物半導体単結晶ウェハーの有機洗浄方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【手段】上記目的を達成するため本発明は、化合物半導
体単結晶ウェハーの洗浄方法において、有機溶剤として
トリクロルエチレンとアセトンの混合溶液を用いること
とした。
体単結晶ウェハーの洗浄方法において、有機溶剤として
トリクロルエチレンとアセトンの混合溶液を用いること
とした。
【００１０】
【作用】本発明者らは上記の欠点を解決する方法につい
て、まず微粒子状汚れを効果的に除去するためには、洗
浄剤の被洗浄物表面への濡れ性がよくならねばならない
点に着目して種々検討した。
て、まず微粒子状汚れを効果的に除去するためには、洗
浄剤の被洗浄物表面への濡れ性がよくならねばならない
点に着目して種々検討した。
【００１１】その結果、従来から使用されてきたトリク
ロルエチレンは、それ自身では化合物半導体単結晶ウェ
ハー表面への濡れ性は良くないが、これにアセトンを添
加すると改善されることを見出した。
ロルエチレンは、それ自身では化合物半導体単結晶ウェ
ハー表面への濡れ性は良くないが、これにアセトンを添
加すると改善されることを見出した。
【００１２】すなわち図１に示す様に、トリクロルエチ
レンとアセトンとを種々の割合で混合したものをＧａＡ
ｓ鏡面ウェハー１の表面上に滴下し、その液滴２の接触
角θを測定した。その結果、図２に示す様にアセトンの
混合比を増すとしだいにθは低減し、ＧａＡｓ表面との
濡れ性は向上し、４０vol.％でほぼ一定値に達し、以後
それ以上アセトンの濃度を増やしても大きな変化はなか
った。
レンとアセトンとを種々の割合で混合したものをＧａＡ
ｓ鏡面ウェハー１の表面上に滴下し、その液滴２の接触
角θを測定した。その結果、図２に示す様にアセトンの
混合比を増すとしだいにθは低減し、ＧａＡｓ表面との
濡れ性は向上し、４０vol.％でほぼ一定値に達し、以後
それ以上アセトンの濃度を増やしても大きな変化はなか
った。
【００１３】一方、ＧａＡｓウェハーの研磨加工時にウ
ェハー接着用に使用するミツロウ系ワックスについて上
記洗浄剤への溶解性を調べた。これはＧａＡｓウェハー
上にワックスを薄く塗布したものを上記洗浄剤に浸漬
し、その変化を観察することによった。その結果は次の
様であった。
ェハー接着用に使用するミツロウ系ワックスについて上
記洗浄剤への溶解性を調べた。これはＧａＡｓウェハー
上にワックスを薄く塗布したものを上記洗浄剤に浸漬
し、その変化を観察することによった。その結果は次の
様であった。
【００１４】アセトン濃度を０〜４０vol.％とした場
合、ワックスは１０秒以内に液中に溶解し、アセトン濃
度５０vol.％ではワックスは微細な屑状となって液中に
懸濁し、アセトン濃度60〜100vol.％ではワックスは溶
解せず、しだいにウェハー表面より剥離し液中に遊離し
た。
合、ワックスは１０秒以内に液中に溶解し、アセトン濃
度５０vol.％ではワックスは微細な屑状となって液中に
懸濁し、アセトン濃度60〜100vol.％ではワックスは溶
解せず、しだいにウェハー表面より剥離し液中に遊離し
た。
【００１５】以上の実験結果から、トリクロルエチレン
とアセトンとを体積比８：２から６：４の範囲内で混合
させたものがワックスの溶解性を有し、かつＧａＡｓウ
ェハー表面との濡れ性がよいので、有機質汚れと微粒子
状汚れとを同時に効率的に洗浄除去する性能をもつ洗浄
剤として期待される。
とアセトンとを体積比８：２から６：４の範囲内で混合
させたものがワックスの溶解性を有し、かつＧａＡｓウ
ェハー表面との濡れ性がよいので、有機質汚れと微粒子
状汚れとを同時に効率的に洗浄除去する性能をもつ洗浄
剤として期待される。
【００１６】
【実施例】以下本発明による実施例を示す。先ず２″φ
ＧａＡｓウェハーをラッピング及びエッチング後、ミツ
ロウ系ワックスを用いてプレートに接着し、次亜塩素酸
系研磨剤を用いて研磨加工した。
ＧａＡｓウェハーをラッピング及びエッチング後、ミツ
ロウ系ワックスを用いてプレートに接着し、次亜塩素酸
系研磨剤を用いて研磨加工した。
【００１７】その後ウェハーを剥離し、有機洗浄にトリ
クロルエチレンとアセトンとを容積比２：１で混合した
ものを使用して洗浄した。
クロルエチレンとアセトンとを容積比２：１で混合した
ものを使用して洗浄した。
【００１８】これに対し、比較例として有機洗浄にトリ
クロルエチレンのみを使用した従来法による洗浄を行っ
た。
クロルエチレンのみを使用した従来法による洗浄を行っ
た。
【００１９】上記２方法で各々１００枚ずつウェハーを
洗浄し、乾燥後ウェハー表面に残留している微粒子状汚
れを暗室下の焦光灯下で計測した。
洗浄し、乾燥後ウェハー表面に残留している微粒子状汚
れを暗室下の焦光灯下で計測した。
【００２０】その結果、ウェハー１枚当りの微粒子状汚
れの数が３ケ以下のウェハーは従来法では６０％であっ
たものが本発明では８０％に達し、５ケ以下のウェハー
は従来法では８５％に対し、本発明では９５％となっ
た。
れの数が３ケ以下のウェハーは従来法では６０％であっ
たものが本発明では８０％に達し、５ケ以下のウェハー
は従来法では８５％に対し、本発明では９５％となっ
た。
【００２１】なお、上記実施例はＧａＡｓについて説明
したが、他の化合物半導体単結晶ウェハー、すなわちＩ
ｎＰ及びＣｄＴｅについても同様の良好な結果が得られ
た。
したが、他の化合物半導体単結晶ウェハー、すなわちＩ
ｎＰ及びＣｄＴｅについても同様の良好な結果が得られ
た。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による有機
洗浄方法を用いれば、化合物半導体単結晶ウェハーの有
機質汚染と微粒子状汚染とを同時に効率的に除去できる
ので、各種電子デバイス用基板として清浄度の高いウェ
ハーを高歩留まりで安定して得ることができる。
洗浄方法を用いれば、化合物半導体単結晶ウェハーの有
機質汚染と微粒子状汚染とを同時に効率的に除去できる
ので、各種電子デバイス用基板として清浄度の高いウェ
ハーを高歩留まりで安定して得ることができる。
【図１】洗浄剤のウェハー表面への濡れ性を説明する図
である。
である。
【図２】洗浄剤の組成とＧａＡｓウェハー表面との接触
角との関係を示す図である。
角との関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体単結晶ウェハーの洗浄方法
において、有機溶剤としてトリクロルエチレンとアセト
ンとの混合溶液を用いることを特徴とするウェハー洗浄
方法。 - 【請求項２】 トリクロルエチレンとアセトンとの混合
比が容積比において８：２から６：４までの範囲内にあ
ることを特徴とする請求項１記載のウェハー洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2661091A JPH056885A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ウエハ−洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2661091A JPH056885A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ウエハ−洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056885A true JPH056885A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=12198271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2661091A Pending JPH056885A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ウエハ−洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112481042A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-12 | 三达奥克化学股份有限公司 | 一种半导体芯片粘结蜡清洗剂及其制备和使用方法 |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP2661091A patent/JPH056885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112481042A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-12 | 三达奥克化学股份有限公司 | 一种半导体芯片粘结蜡清洗剂及其制备和使用方法 |
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