JPH0568504U - Ｍｒｉ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 Verseパルスを用いたマルチスライススキャ
ンを簡単に実現する。 【構成】 ＳＡＲなどのスキャン条件に応じて通常のＲ
Ｆパルスに代えて Verseパルスを適用するＭＲＩ装置１
であって、シーケンスコントローラ３が Verseパルスに
よる選択励起のためのスライス勾配をその零点が目的ス
ライス位置に一致するように制御する。 【効果】 Verseパルスに周波数変調を施さなくても目
的スライスを選択励起することが出来るため、 Verseパ
ルスを用いたマルチスライススキャンを簡単に実現でき
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、ＭＲＩ装置に関し、さらに詳しくは、通常のＲＦパルスに代えて Verse（Variable rate selective exitation）パルスを用いてマルチスライスス キャンを行うＭＲＩ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図９は、従来のＭＲＩ装置の勾配磁場コイルおよびその駆動に関係する部分の ブロック図である。但し、勾配磁場コイルのうち、Ｚ軸勾配磁場コイルのみを図 示する。Ｙ軸，Ｘ軸についてもＺ軸と同様であるため、以下、Ｚ軸についてのみ 説明する。

【０００３】 このＭＲＩ装置５１のＺ軸勾配磁場コイル５５Ｚは、Ｚ＝０（静磁場マグネッ トの中心）を挟んでＺ軸の＋側と−側に同形の２つのコイルＺａ，Ｚｂを対向さ せて配置した構成である。２つのコイルＺａ，Ｚｂは、Ｚ軸駆動回路５４Ｚによ って差動的に駆動され、図１０に示すように、Ｚ＝０に零点が一致するようなＺ 軸勾配磁場を発生する。ここでＺ軸方向をスライス方向とするものとし、Ｚ軸勾 配磁場をスライス勾配という。 ５３はシーケンスコントローラ、５４は勾配磁場駆動回路、５５はマグネット アセンブリである。

【０００４】 図１１は、通常のＲＦパルスＲと，その通常のＲＦパルスＲに対応するスライ ス勾配Ｓｒの例示図である。これらの組合せにより、スライス位置とスライス幅 とが決定される。マルチスライススキャンの場合は、位置及びスライス勾配Ｓｒ の強度によって決まる磁場強度に合せてＲＦパルスＲの周波数を変化させている 。

【０００５】 図１２は、VerseパルスＶと，そのVerseパルスＶに対応するスライス勾配Ｓｖ の例示図である。この例のような使い方をした場合 VerseパルスＶは、通常のＲ ＦパルスＲより振幅を小さく出来るため、ＳＡＲ（Specific Absorption Rate） の制限から通常のＲＦパルスＲを使用できない場合に通常のＲＦパルスＲの代り に用いられる。スライス勾配Ｓｖは、 VerseパルスＶに対応した構成になってい る。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

Verseパルスを用いてマルチスライススキャンを行おうとすると、通常のＲＦ パルスＲを用いてのマルチスライススキャンと同様に、位置によるスライス勾配 Ｓｖの変化に合せて Verseパルスに周波数変調を施すことが考えられる。 しかし、図１２に示すように、 VerseパルスＶに対応するスライス勾配Ｓｖは 形状が複雑であるため、位置によるスライス勾配Ｓｖの変化も複雑となり、これ に合せて VerseパルスＶに施す周波数変調も煩雑になってしまう問題点がある。

【０００７】 そこで、この考案の目的は、 Verseパルスに複雑な周波数変調を施すことなく 、 Verseパルスを用いたマルチスライススキャンを行えるようにしたＭＲＩ装置 を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

この考案のＭＲＩ装置は、バース(Verse）パルスを用いるＭＲＩ装置において 、バース(Verse）パルスによる複数回の励起に同期してスライス勾配の零点を移 動させ、異なる複数の位置のスライスを選択励起するマルチスライス制御手段を 具備したことを構成上の特徴とするものである。

【０００９】

【作用】

この考案のＭＲＩ装置では、マルチスライス制御手段が、スライス勾配の零点 が目的スライス位置に一致するように、スライス勾配を移動させる。したがって 、 Verseパルスに周波数変調を施さなくても、目的スライスを選択励起すること が出来る。 すなわち、 Verseパルスを用いたマルチスライススキャンを簡単に実現するこ とが出来る。

【００１０】

【実施例】

以下、図に示す実施例に基づいてこの考案をさらに詳細に説明する。なお、こ れによりこの考案が限定されるものではない。 図１は、この考案の一実施例のＭＲＩ装置１の全体ブロック図である。 計算機２は、操作卓１３からの指示に基づき、全体の作動を制御する。

【００１１】 シーケンスコントローラ３は、記憶しているシーケンスに基づいて、勾配磁場 駆動回路４を作動させ、マグネットアセンブリ５の勾配磁場コイルで勾配磁場を 発生させる。また、変調回路７を制御し、ＲＦ発振回路６で発生したＲＦ信号を 所定の波形に変調して、ＲＦ電力増幅器８からマグネットアセンブリ５の送信コ イルに加える。

【００１２】 マグネットアセンブリ５の受信コイルで得られたＮＭＲ信号は、前置増幅器９ を介して位相検波器１０に入力され、さらにＡＤ変換器１１を介して計算機２に 入力される。 計算機２は、ＡＤ変換器１１から得たＮＭＲ信号のデータに基づき、イメ−ジ を再構成し、表示装置１２で表示する。

【００１３】 図２は、勾配磁場コイルおよびその駆動に関係する部分の要部ブロック図であ る。但し、勾配磁場コイルのうち、Ｚ軸勾配磁場コイルのみを図示する。Ｙ軸， Ｘ軸についてもＺ軸と同様であるため、以下、Ｚ軸についてのみ説明する。 このＺ軸勾配磁場コイル５Ｚは、Ｚ＝０（静磁場マグネットの中心）を挟んで Ｚ軸の＋側と−側に互いに逆向きにまかれた２つのコイルＡ，Ｂを対向させて配 置した構成である。２つのコイルＡ，Ｂは、Ｚ軸駆動回路４Ｚによって独立に駆 動されＺ軸勾配磁場を発生する。ここでＺ軸方向をスライス方向とするものとし 、Ｚ軸勾配磁場をスライス勾配という。

【００１４】 通常のＲＦパルスを用いてマルチスライススキャンを行う場合には、前記コイ ルＡ，Ｂに流す電流ＩＡ，ＩＢの大きさが等しく且つ向きが等しくなるようにす る（これにより、図３に示すように、スライス勾配の零点は、Ｚ＝０（静磁場マ グネットの中心）に一致する）。そして、位置によるスライス勾配Ｓｒの変化に 合せてＲＦパルスＲを周波数変調する。

【００１５】 Verseパルスを用いてマルチスライススキャンを行う場合には、前記コイルＡ ，Ｂに流す電流ＩＡ，ＩＢの大きさを目的スライス位置に応じて異ならしめ且つ 向きが逆になるようにする（これにより、図４に示すように、スライス勾配の零 点は、Ｚ＝Ｐ（目的スライスの中心）に一致する）。そして、 Verseパルスは、 周波数変調しない。

【００１６】 図５は、この考案の他の実施例のＭＲＩ装置２１の勾配磁場コイルおよびその 駆動に関係する部分の要部ブロック図である。但し、勾配磁場コイルのうち、Ｚ 軸勾配磁場コイルのみを図示する。

【００１７】 このＭＲＩ装置２１において、Ｚ軸勾配磁場コイルは、従来と同一のＺ軸勾配 磁場コイル５５Ｚに加えて、点線で示すようなバイアスコイルＣを設けて構成さ れている。 ２３はシーケンスコントローラ，２４は勾配磁場駆動回路，２５はマグネット アセンブリである。

【００１８】 通常のＲＦパルスを用いてマルチスライススキャンを行う場合には、Ｚ軸勾配 磁場コイル５５Ｚは、従来と同一のＺ軸駆動回路５４Ｚにて駆動され、図６に示 すごとき勾配磁場（零点は、Ｚ＝０（静磁場マグネットの中心）に一致している ）を発生する。バイアスコイルＣは使用しない。そして、位置によるスライス勾 配Ｓｒの変化に合せてＲＦパルスＲを周波数変調する。

【００１９】 Verseパルスを用いてマルチスライススキャンを行う場合には、Ｚ軸勾配磁場 コイル５５Ｚは、従来と同一のＺ軸駆動回路５４Ｚにて駆動され、図６に示すご とき勾配磁場（零点は、Ｚ＝０（静磁場マグネットの中心）に一致している）を 発生する。バイアスコイルＣは、Ｚ軸補助駆動回路２４Ｃにて駆動され、図７に 示すごときバイアス磁場を発生する。バイアス磁場の大きさと方向は、目的スラ イス位置に応じて決定する。Ｚ軸勾配磁場は、前記勾配磁場とバイアス磁場の和 であり、図８に示すようになり、その零点は、Ｚ＝Ｐ（目的スライスの中心）に 一致する。そして、 Verseパルスは、周波数変調しない。

【００２０】

【考案の効果】

この考案のＭＲＩ装置によれば、 Verseパルスに周波数変調を施さなくても目 的スライスを選択励起することができ、 Verseパルスを用いたマルチスライスス キャンを簡単に実現することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案のＭＲＩ装置の一実施例の全体ブロッ
ク図である。

【図２】図１のＭＲＩ装置の勾配磁場コイルおよびその
駆動に関係する部分の要部ブロック図である。

【図３】図２の勾配磁場コイルで発生させる勾配磁場の
説明図である。

【図４】図２の勾配磁場コイルで発生させる勾配磁場の
説明図である。

【図５】この考案のＭＲＩ装置の他の実施例に係る勾配
磁場コイルおよびその駆動に関係する部分の要部ブロッ
ク図である。

【図６】図５の対向するコイルで発生させる勾配磁場の
説明図である。

【図７】図５のバイアスコイルで発生させるバイアス磁
場の説明図である。

【図８】図５の勾配磁場コイルで発生させる勾配磁場の
説明図である。

【図９】従来のＭＲＩ装置の一例に係る勾配磁場コイル
およびその駆動に関係する部分の要部ブロック図であ
る。

【図１０】図９の勾配磁場コイルで発生させる勾配磁場
の説明図である。

【図１１】ＲＦパルスとスライス勾配の関係についての
説明図である。

【図１２】Verseパルスとスライス勾配の関係について
の説明図である。

【符号の説明】

１ ＭＲＩ装置 ２ 計算機 ３ シーケンスコントローラ ４ 勾配磁場駆動回路 ５ マグネットアセンブリ ５Ｚ Ｚ軸勾配磁場コイル Ｒ ＲＦパルス Ｖ Verseパルス Ｃ バイアスコイル

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 バース(Verse）パルスを用いるＭＲＩ装
   置において、バース(Verse）パルスによる複数回の励起
   に同期してスライス勾配の零点を移動させ、異なる複数
   の位置のスライスを選択励起するマルチスライス制御手
   段を具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。