JPH056230A - Electronic control type kotatsu - Google Patents

Electronic control type kotatsu

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Publication number
JPH056230A
JPH056230A JP3221781A JP22178191A JPH056230A JP H056230 A JPH056230 A JP H056230A JP 3221781 A JP3221781 A JP 3221781A JP 22178191 A JP22178191 A JP 22178191A JP H056230 A JPH056230 A JP H056230A
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JP
Japan
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temperature
kotatsu
heating element
voltage
output
Prior art date
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JP3221781A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuyoshi Aoto
青戸  一義
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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    • Y02B30/70Efficient control or regulation technologies, e.g. for control of refrigerant flow, motor or heating

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  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Electric Stoves And Ranges (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the electronic control type kotatsu (Japanese foot warmer with a quilt over it) which can shorten rising time and can extremely reduce temperature width around a heat generating body in a stabilized case in executing phase control while using a lamp heater for the heat generating body. CONSTITUTION:At the electronic control type kotatsu equipped with a heat generating body 23, temperature sensing means 8 detecting the change of a surrounding temperature generated by the heat generating body and control means 16 executing the phase control to the electrification of the heat generating body corresponding to the signal of the temperature sensing means, a holding means is provided to hold the electrification of the heat generating object in an almost maximum state until the surrounding temperature is increased to a prescribed temperature, and a changing means 4 is provided to change this prescribed temperature to a low temperature side and to obtain temperature hysteresis when the surrounding temperature is increased to the prescribed temperature.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、たとえば一般家庭にお
いて使用される電子制御式コタツに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronically controlled kotatsu used, for example, in a general household.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、家庭用の電気コタツなどに使用
される温度制御装置としては、たとえば特開昭58−1
58722号公報や特開昭58−165166号公報に
記載されている発明が知られている。前者は、半導体ヒ
ータへの送風量を送風手段であるファンを駆動するモー
タへの通電を制御することによっておこない、その送風
量によって間接的に半導体ヒータへの発熱量を制御しよ
うとするものである。また後者は、ヒータへの通電をO
N−OFFの制御にておこなうものである。
2. Description of the Related Art Generally, as a temperature control device used for household electric kotatsu or the like, for example, JP-A-58-1 is used.
The inventions described in JP-A-58722 and JP-A-58-165166 are known. In the former, the amount of air blown to the semiconductor heater is controlled by controlling the energization of a motor that drives a fan, which is a blowing means, and the amount of air blown to the semiconductor heater is indirectly controlled by the amount of air blown. .. In the latter case, the power to the heater is turned off.
It is performed by N-OFF control.

【0003】さらに図8および図9に示すものもよく知
られている。図8のものは、電子制御式コタツの回路図
で、たとえばコントローラ(50)で「低」を設定する
と、コントローラ(50)内のトライアック(24)の
位相制御をおこない、設定に対応した通電率(W数小)
にてヒータ(51)を制御する。また図9のものは、い
わゆるマイコン制御式半導体温風コタツの回路図で、半
導体ヒータ(52)を用い、マイクロコンピュータ(5
3)によって送風用のモータ(54)と半導体ヒータ
(52)とのそれぞれの通電率を制御するとともに、半
導体ヒータ(52)自体のワット数の変化とを交じり合
わせてコタツ内部の温度を制御するものである。すなわ
ち図9において、温度設定用の可変抵抗器(55)と抵
抗(56)(57)とコタツ内に設けたサーミスタ(5
8)とでブリッジ回路を構成し、温度検出手段として動
作し、その出力信号はマイクロコンピュータ(53)の
A/D入力端子に入力される。なお(59)は室温を検
知するためのサーミスタで他のブリッジ回路を構成して
いる。上記出力信号により、すなわちA/D入力により
コタツ内温度を判定し、コタツ内温度が設定温度よりも
かなり低い場合は、マイクロコンピュータ(53)のD
2出力によりトランジスタ(60)を介してトライアッ
ク(61)をトリガしてモータ(54)に100%通電
をするとともに、D0出力によりトランジスタ(62)
を介してトライアック(63)をトリガして半導体ヒー
タ(52)も100%通電する。この後コタツ内温度が
所定温度に達すると、半導体ヒータ(52)の通電率は
50%に減少させられる。さらに設定温度にコタツ内の
温度が達すると、モータ(54)の通電率を50%に、
かつ半導体ヒータ(52)の通電率を10%にそれぞれ
減少させて温度の制御をおこなうものである。したがっ
て、設定温度に達するまで(以下立ち上りと記す)の時
間が短く、かつ設定温度に達してから(以下安定と記
す)のコタツ内温度変化幅が極めて小さいコタツの温度
制御ができる。
Further, the one shown in FIGS. 8 and 9 is also well known. FIG. 8 is a circuit diagram of the electronically controlled kotatsu. For example, when "low" is set in the controller (50), phase control of the triac (24) in the controller (50) is performed, and the duty factor corresponding to the setting is performed. (W number is small)
Controls the heater (51). FIG. 9 is a circuit diagram of a so-called microcomputer-controlled semiconductor warm air kotatsu, which uses a semiconductor heater (52) and a microcomputer (5
3) controls the respective energization rates of the blower motor (54) and the semiconductor heater (52), and controls the temperature inside the kotatsu in combination with the change in the wattage of the semiconductor heater (52) itself. It is a thing. That is, in FIG. 9, the temperature setting variable resistor (55), the resistors (56) (57), and the thermistor (5
8) forms a bridge circuit with 8) and operates as a temperature detecting means, and its output signal is input to the A / D input terminal of the microcomputer (53). Note that (59) is a thermistor for detecting the room temperature and constitutes another bridge circuit. The temperature in the kotatsu is judged by the output signal, that is, the A / D input, and when the temperature in the kotatsu is considerably lower than the set temperature, D of the microcomputer (53)
The two outputs trigger the triac (61) through the transistor (60) to energize the motor (54) 100%, and the D0 output causes the transistor (62) to pass.
The triac (63) is triggered via the switch and the semiconductor heater (52) is also energized 100%. After that, when the temperature inside the kotatsu reaches a predetermined temperature, the duty ratio of the semiconductor heater (52) is reduced to 50%. Further, when the temperature inside the kotatsu reaches the set temperature, the duty ratio of the motor (54) is increased to 50%.
In addition, the temperature is controlled by reducing the electric conductivity of the semiconductor heater (52) to 10%. Therefore, it is possible to control the temperature of kotatsu, which takes a short time until the set temperature is reached (hereinafter referred to as rising) and has an extremely small variation range in the kotatsu after the set temperature is reached (hereinafter referred to as stable).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、風量に
よって温度制御をおこなうものにはランプヒータは使用
できず、あるいはヒータをON−OFFして温度制御を
おこなう場合には、コタツ内部の温度が安定した際にO
N時とOFF時との温度幅(ディファレンシャル)が生
じるとともに、ヒータをランプ式とした場合はヒータO
FFにおいてはランプが消灯して輻射熱の発生が急に低
下し、体感温度が低下するという欠点がある。
However, the lamp heater cannot be used for those whose temperature is controlled by the air volume, or when the temperature is controlled by turning the heater on and off, the temperature inside the kotatsu becomes stable. When O
A temperature range (differential) occurs between N time and OFF time, and when the heater is a lamp type, the heater O
The FF has a drawback in that the lamp is turned off and the generation of radiant heat is suddenly reduced to lower the sensible temperature.

【0005】また図8に示すものでは、設定に対応した
通電率にてヒータを位相制御するので、設定温度が低い
場合には立ち上り時に目標温度(設定温度)に到達する
までに時間がかかるという問題点があった。
Further, in the one shown in FIG. 8, since the heater is phase-controlled at the duty ratio corresponding to the setting, it takes time to reach the target temperature (set temperature) at the start-up when the set temperature is low. There was a problem.

【0006】さらに、図9に示すものでは、半導体ヒー
タを用いているので輻射熱がなく、ランプヒータに比べ
て通電初期の体感的暖房感が劣るものであり、この回路
にてランプヒータを制御した場合には、位相制御の割合
が100%、50%、および10%であるため、その切
り換わり時点において温度変化の幅が大きくなるといっ
た問題点があった。
Further, in the structure shown in FIG. 9, since the semiconductor heater is used, there is no radiant heat, and the sensation of heating feeling at the initial stage of energization is inferior to that of the lamp heater, and the lamp heater is controlled by this circuit. In this case, since the phase control ratios are 100%, 50%, and 10%, there is a problem that the range of temperature change becomes large at the time of switching.

【0007】この発明は上記の事情に鑑みてなされたも
ので発熱体にランプヒータを用いた場合に立ち上り時間
が早く、かつ安定時に発熱体周囲の温度幅を極めて小さ
くできる電子制御式コタツを提供しようとするものであ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an electronically controlled kotatsu in which when a lamp heater is used as a heating element, the rise time is short and the temperature range around the heating element can be made extremely small when stable. Is what you are trying to do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は、発熱体と、
この発熱体による周囲温度の変化を検知する感温手段
と、この感温手段の信号に対応して前記発熱体の通電を
位相制御する制御手段を備える電子制御式コタツにおい
て、前記制御手段は周囲温度が所定温度に上昇するまで
前記発熱体の通電を略最大の状態に保持する保持手段
と、周囲温度が前記所定温度まで上昇すると、該所定温
度を低温側に変更する変更手段を備えた構成としたもの
である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a heating element,
In an electronically controlled kotatsu comprising a temperature-sensing means for detecting a change in ambient temperature due to the heating element and a control means for phase-controlling the energization of the heating element in response to a signal from the temperature-sensing means, the control means comprises: A configuration including a holding unit that holds the energization of the heating element in a substantially maximum state until the temperature rises to a predetermined temperature, and a changing unit that changes the predetermined temperature to a low temperature side when the ambient temperature rises to the predetermined temperature. It is what

【0009】[0009]

【作用】この発明は上記のように構成しているので、発
熱体の周囲温度が所定温度に達するまでは周囲温度に係
わらず発熱体の通電を略最大の状態に維持し、設定温度
に立ち上がるまでの時間を短くして立ち上がり特性を向
上させる。そして、所定温度に達した後は周囲温度に応
じて位相制御し温度変化の幅を小さく維持する。さら
に、周囲温度が所定温度に達すると、この所定温度を低
温側に変更して温度ヒステリシスを設け発熱体の通電率
が大きく変化することを防止する。
Since the present invention is configured as described above, the energization of the heating element is maintained at a substantially maximum state regardless of the ambient temperature until the ambient temperature of the heating element reaches a predetermined temperature, and the temperature rises to the set temperature. To improve the start-up characteristics. Then, after reaching the predetermined temperature, the phase is controlled according to the ambient temperature to keep the width of the temperature change small. Further, when the ambient temperature reaches a predetermined temperature, the predetermined temperature is changed to a low temperature side to provide a temperature hysteresis to prevent a large change in the duty ratio of the heating element.

【0010】[0010]

【実施例】以下この発明の実施例を図面にて詳述する
が、この発明が以下の実施例に限定されるものではな
い。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.

【0011】図1Aにおいて、(1)はゼロクロスパル
ス発生回路で、交流電源(2)の電圧(a)がOVにな
った際にパルス信号(b)を出力する。(3)はディレ
イ回路で、ゼロクロスパルス発生手段(1)に電気的に
接続され、パルス信号(b)を一定時間遅延させてのち
パルス信号(c)を出力する。(4)は変更手段で、デ
ィレイ回路(3)に接続されており、タイマ回路(4
a)とタイマ回路(4a)の遅延信号(d)の時間幅を
制御するために接続されるコンデンサ(4b)とそのコ
ンデンサ(4b)の充電時間を制御するトランジスタ
(4c)および抵抗(4d)(4e)とからなる。図1
Bに示すものは、タイマ回路(4a)にタイマIC55
5を用いたもので、スレッショルド端子に接続されたコ
ンデンサ(4b)の充電時間を、トランジスタ(4c)
とトランジスタ(4c)のコレクタに接続された抵抗
(4e)と、トランジスタ(4c)と抵抗(4e)との
直列回路に並列に接続される抵抗(4d)とで可変す
る。すなわち、トランジスタ(4c)がONすることに
よって、抵抗(4d)と抵抗(4e)が並列接続とな
り、トランジスタ(4c)がOFFの場合より充電時間
が短かくなり、タイマ回路(4a)の出力する遅延信号
(d)の時間幅が短かくなる。(5)はコンデンサで、
トランジスタ(6)が並列に接続される。すなわち、コ
ンデンサ(5)の一方端にトランジスタ(6)のコレク
タが、他方端にはエミッタがそれぞれ接続されるととも
に他方端はグラウンドに接続される。またコンデンサ
(5)の一方端には可変抵抗器(7)が直流電源ライン
との間に接続される。可変抵抗器(7)は温度調整用で
ある。(8)は感温手段で、たとえば負特性のサーミス
タで、抵抗(9)に直列に接続されて、コンデンサ
(5)と可変抵抗器(7)との直列回路とでブリッジ回
路を構成する。(10)は比較回路で、その+入力端は
コンデンサ(5)と可変抵抗器(7)の接続点に、−入
力端は感温手段(8)と抵抗(9)との接続点にそれぞ
れ接続されている。(11)は判定手段で、たとえばJ
・Kフリップフロップで、そのJ入力端は比較回路(1
0)の出力端に、またクロック(以下CLKと記す)入
力端は変更手段(4)の出力端にそれぞれ接続されてい
る。さらに判定手段(11)のQ出力端およびその反転
出力端(以下バーQ出力端)には抵抗(12)と発光ダ
イオード(13)との直列回路及び抵抗(14)と発光
ダイオード(15)との直列回路とがそれぞれ接続され
ている。発光ダイオード(13)は低温状態であること
を、発光ダイオード(15)は適温状態であることをそ
れぞれ発光して表示する。(16)は通電率制御手段
で、2つのAND回路(17)(18)とそのそれぞれ
の出力端に接続されるダイオード(19)(20)およ
びそのそれぞれのダイオード(19)(20)のカソー
ドがベースに接続されるトランジスタ(21)とで構成
されるトリガ手段(22)と、ランプヒータなどの発熱
体(23)に直列に接続される半導体制御手段(24)
とで構成される。半導体制御手段(24)としてはトラ
イアックが好適である。そして発熱体(23)と半導体
制御手段(24)との直列回路が、交流電源(2)に並
列に接続されている。
In FIG. 1A, (1) is a zero-cross pulse generation circuit, which outputs a pulse signal (b) when the voltage (a) of the AC power supply (2) becomes OV. (3) is a delay circuit, which is electrically connected to the zero-cross pulse generating means (1), delays the pulse signal (b) for a predetermined time, and then outputs the pulse signal (c). (4) is a changing means, which is connected to the delay circuit (3), and is connected to the timer circuit (4
a) and a capacitor (4b) connected to control the time width of the delay signal (d) of the timer circuit (4a), and a transistor (4c) and a resistor (4d) that control the charging time of the capacitor (4b). (4e). Figure 1
In the circuit shown in B, the timer circuit (4a) has a timer IC 55
5 is used, the charging time of the capacitor (4b) connected to the threshold terminal is set to the transistor (4c).
And the resistance (4e) connected to the collector of the transistor (4c) and the resistance (4d) connected in parallel to the series circuit of the transistor (4c) and the resistance (4e). That is, when the transistor (4c) is turned on, the resistor (4d) and the resistor (4e) are connected in parallel, the charging time is shorter than when the transistor (4c) is turned off, and the output of the timer circuit (4a) is output. The time width of the delay signal (d) becomes short. (5) is a capacitor,
The transistor (6) is connected in parallel. That is, the collector of the transistor (6) is connected to one end of the capacitor (5), the emitter is connected to the other end, and the other end is connected to the ground. A variable resistor (7) is connected to the DC power supply line at one end of the capacitor (5). The variable resistor (7) is for temperature adjustment. Reference numeral (8) is a temperature sensing means, for example, a thermistor having a negative characteristic, which is connected in series with the resistor (9) and constitutes a bridge circuit with the series circuit of the capacitor (5) and the variable resistor (7). (10) is a comparison circuit, the + input end of which is the connection point of the capacitor (5) and the variable resistor (7), and the-input end is the connection point of the temperature sensing means (8) and the resistor (9). It is connected. (11) is a determination means, for example, J
・ K flip-flop, whose J input terminal is a comparison circuit (1
0) and a clock (hereinafter referred to as CLK) input terminal are connected to the output terminal of the changing means (4). Further, a series circuit of a resistor (12) and a light emitting diode (13), a resistor (14), and a light emitting diode (15) are provided at the Q output terminal of the judging means (11) and its inverting output terminal (hereinafter referred to as Q output terminal). Are connected to each of the series circuits. The light emitting diode (13) emits light indicating that the temperature is low, and the light emitting diode (15) emits light indicating that the temperature is appropriate. Reference numeral (16) denotes a duty ratio control means, and two AND circuits (17) and (18), diodes (19) and (20) connected to their respective output terminals, and cathodes of the respective diodes (19) and (20). A semiconductor control means (24) connected in series with a trigger means (22) composed of a transistor (21) connected to the base and a heating element (23) such as a lamp heater.
Composed of and. A triac is suitable as the semiconductor control means (24). A series circuit of the heating element (23) and the semiconductor control means (24) is connected in parallel to the AC power source (2).

【0012】またAND回路(17)の一方の入力端
は、判定手段(11)のQ出力端に、他方の入力端はワ
ンショットマルチバイブレータ(25)の出力端にそれ
ぞれ接続される。またAND回路(18)の一方の入力
端は、判定手段(11)のバーQ出力側に、他方の入力
端はワンショットマルチバイブレータ(26)の出力端
にそれぞれ接続されている。ワンショットマルチバイブ
レータ(25)はゼロクロス直後に半導体制御手段(2
4)のトリガー用信号(e)を出力するようにゼロクロ
スパルス発生回路(1)の出力端に接続され、またワン
ショットマルチバイブレータ(26)は比較回路(1
0)の出力が低から高レベルに変化した時、半導体制御
手段(24)のトリガー用信号(l)を出力するように
比較回路(10)の出力端に接続されている。
Further, one input terminal of the AND circuit (17) is connected to the Q output terminal of the judging means (11), and the other input terminal is connected to the output terminal of the one-shot multivibrator (25). Further, one input end of the AND circuit (18) is connected to the bar Q output side of the judging means (11), and the other input end is connected to the output end of the one-shot multivibrator (26). The one-shot multivibrator (25) is provided with a semiconductor control means (2
4) is connected to the output terminal of the zero-cross pulse generation circuit (1) so as to output the trigger signal (e), and the one-shot multivibrator (26) is connected to the comparison circuit (1).
It is connected to the output terminal of the comparison circuit (10) so as to output the trigger signal (1) of the semiconductor control means (24) when the output of 0) changes from low level to high level.

【0013】つぎに図2A,Bを交えてこの実施例の動
作について説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

【0014】コンデンサ(5)はディレイ回路(3)が
出力するパルス信号(c)によって、一定周期で充電と
放電とが繰り返しおこなわれる。すなわち、トランジス
タ(6)がOFFの時に可変抵抗器(7)を介して充電
がなされ、パルス信号(c)によってトランジスタ
(8)がONの時に放電がおこなわれる。この充放電時
のコンデンサ(5)の充電電圧を(g)とする。
The capacitor (5) is repeatedly charged and discharged at a constant cycle by the pulse signal (c) output from the delay circuit (3). That is, when the transistor (6) is OFF, charging is performed through the variable resistor (7), and when the transistor (8) is ON, discharge is performed by the pulse signal (c). The charging voltage of the capacitor (5) during this charging / discharging is (g).

【0015】いま、発熱体(23)の周囲温度が低いも
のとする。比較回路(10)は、充電電圧(g)と感温
手段(8)と抵抗(9)とで分圧された電圧(f)とを
比較し、充電電圧(g)が電圧(f)を上回ると高電位
レベルの出力信号(h)を出力する。判定手段(11)
はコンデンサ(5)の充電開始後所定の時間(t1)が
経過した時点、すなわちタイマ回路(4a)の出力信号
(d)が高電位から低電位レベルに立ち下がる時点で出
力信号(h)を取り込み、この出力信号(h)が高電位
レベルであるなら、周囲温度が所定温度に達していない
と判定し、Q出力端から出力信号(i)を出力する。す
なわち、周囲温度が低く電圧(f)も低い期間は、所定
時間(t1)経過する前に充電電圧(g)が電圧(f)
を上回るので、所定時間(t1)経過した時点では出力
信号(h)が高電位レベルとなっており、判定手段(1
1)は周囲温度が所定温度に上昇するまで出力信号
(i)を保持する。この出力信号(i)によって発光ダ
イオード(24)が発光し、低温状態であることを表示
する。
Now, it is assumed that the ambient temperature of the heating element (23) is low. The comparison circuit (10) compares the charging voltage (g) with the voltage (f) divided by the temperature sensing means (8) and the resistor (9), and the charging voltage (g) determines the voltage (f). When it exceeds, the high potential level output signal (h) is output. Judgment means (11)
Is the output signal (h) when a predetermined time (t1) has elapsed after the start of charging the capacitor (5), that is, when the output signal (d) of the timer circuit (4a) falls from a high potential to a low potential level. If the output signal (h) is taken in and has a high potential level, it is determined that the ambient temperature has not reached the predetermined temperature, and the output signal (i) is output from the Q output terminal. That is, during the period when the ambient temperature is low and the voltage (f) is low, the charging voltage (g) is equal to the voltage (f) before the predetermined time (t1) has elapsed.
Therefore, the output signal (h) is at a high potential level when the predetermined time (t1) has elapsed, and the determination means (1)
1) holds the output signal (i) until the ambient temperature rises to a predetermined temperature. The output signal (i) causes the light emitting diode (24) to emit light, indicating that the temperature is low.

【0016】また、出力信号(i)はAND回路(1
7)に入力されて、ワンショットマルチバイブレータ
(25)がゼロクロスパルス発生回路(1)からのパル
ス信号(b)の後縁でトリガされて出力するワンショッ
トパルス信号(e)のパルス幅時間だけAND回路(1
7)より出力信号(j)として出力され、トランジスタ
(21)をONさせる。トランジスタ(21)がONす
ることによって半導体制御手段(24)がトリガされて
発熱体(23)に通電される。半導体制御手段(24)
がトリガされるタイミングは、ゼロクロス直後に出力さ
れるワンショットパルス信号(e)に依存しているた
め、図2Aからもわかるように、発熱体(23)へは約
100%の通電率(通電波形をmとし通電を実線で示
す)となる。
Further, the output signal (i) is the AND circuit (1
7), the one-shot multivibrator (25) is triggered by the trailing edge of the pulse signal (b) from the zero-cross pulse generation circuit (1) and is output for the pulse width time of the one-shot pulse signal (e). AND circuit (1
It is output as an output signal (j) from 7) and turns on the transistor (21). When the transistor (21) is turned on, the semiconductor control means (24) is triggered to energize the heating element (23). Semiconductor control means (24)
The timing at which is triggered depends on the one-shot pulse signal (e) output immediately after the zero crossing, so as can be seen from FIG. 2A, the heating element (23) has a duty ratio (energization of about 100%). The waveform is m and the energization is shown by a solid line).

【0017】ここで、比較回路(10)の出力に応じて
半導体制御手段(24)のトリガー用信号を出力するワ
ンショットマルチバイブレータ(26)の出力信号
(l)は、AND回路(18)の一方の入力端に入力さ
れる判定手段(11)からの出力信号(k)が“L”で
あるため、AND回路(18)によって遮断される。し
たがって、出力信号(i)が保持されている期間、すな
わち周囲温度が所定温度に上昇するまでの期間、発熱体
(23)への通電は周囲温度(比較回路(10)の出
力)に係わらず約100%に保持され、コタツ内部の温
度立ち上がり時間を短くすることができる。
Here, the output signal (l) of the one-shot multivibrator (26) which outputs the trigger signal of the semiconductor control means (24) in response to the output of the comparison circuit (10) is the AND circuit (18). Since the output signal (k) from the judging means (11) input to one input terminal is "L", it is cut off by the AND circuit (18). Therefore, during the period when the output signal (i) is held, that is, until the ambient temperature rises to the predetermined temperature, the heating element (23) is energized regardless of the ambient temperature (output of the comparison circuit (10)). The temperature rise time inside the kotatsu can be shortened by keeping it at about 100%.

【0018】この後周囲温度が高くなると、図2Bに示
すように、比較回路(10)の出力信号(h)が、充電
開始後所定の時間(t1)経過した後高電位レベルとな
る。すなわち、温度が高くなる(適温)になることによ
って、感温手段(8)の抵抗値がさがり、したがって比
較回路(10)の一入力端へ印加される電圧(f)が上
昇することによって、充電電圧(g)が一致するまでの
時間がt1以上かかるものである。判定手段(11)
は、J入力端に入力される出力信号(h)が所定の時間
(t1)経過した時点で“L”であるため、バーQ出力
端から周囲温度が所定温度に達したことを示す出力信号
(k)を出力する。この時出力信号(i)は“L”とな
る。したがってAND回路(17)のゲートが閉じ、A
ND回路(18)のゲートが開くため、ゼロクロス直後
にワンショットマルチバイブレータ(25)から出力さ
れるトリガー用信号(e)が遮断され、その代わりに比
較回路(10)の出力に応じてワンショットマルチバイ
ブレータ(26)から出力されるトリガー用信号(l)
が供給される。その結果、発熱体(23)は、周囲温度
が所定温度に達するまでは100%通電の状態に保持さ
れ、所定温度以上になると、電圧(f)と充電電圧
(g)が一致する時トリガーされて温度に応じて位相制
御される通電状態となる。
When the ambient temperature thereafter rises, the output signal (h) of the comparison circuit (10) becomes a high potential level after a lapse of a predetermined time (t1) after the start of charging, as shown in FIG. 2B. That is, as the temperature rises (suitable temperature), the resistance value of the temperature sensing means (8) decreases, and therefore the voltage (f) applied to one input end of the comparison circuit (10) rises, It takes t1 or more until the charging voltages (g) match. Judgment means (11)
Is “L” at the time when the output signal (h) input to the J input end has passed the predetermined time (t1), and therefore the output signal indicating that the ambient temperature has reached the predetermined temperature from the bar Q output end. Output (k). At this time, the output signal (i) becomes "L". Therefore, the gate of the AND circuit (17) is closed and A
Since the gate of the ND circuit (18) is opened, the trigger signal (e) output from the one-shot multivibrator (25) is cut off immediately after the zero cross, and instead the one-shot multi-vibrator is output according to the output of the comparison circuit (10). Trigger signal (l) output from the multivibrator (26)
Is supplied. As a result, the heating element (23) is kept in a 100% energized state until the ambient temperature reaches a predetermined temperature, and when the temperature exceeds the predetermined temperature, it is triggered when the voltage (f) and the charging voltage (g) match. The phase is controlled according to the temperature, and the power is turned on.

【0019】また、出力信号(i)が”L”となると、
変更手段(4)のトランジスタ(4c)はONとなり、
抵抗(4d)と抵抗(4e)とが並列接続されてコンデ
ンサ(4b)への充電時間が短かくなる(コンデンサ
(4b)の充電電圧波形を(n)として図2Bに示
す)。これにより変更手段(4)の遅延信号(d)の時
間幅は短かくなる。ここで発熱体(23)の通電は、上
記の100%通電から充電電圧(g)と電圧(f)との
交点角度によって位相制御による通電に切り換った時点
においては、その直前まで100%通電していたものが
図2Bに(m)として示すようにほぼ50%の通電に変
化するため、図3Aに点線αで示すように、急激に発熱
体(23)の周囲温度が低下してしまう。ここで、遅延
信号(d)の時間幅を短かくしておかない場合には、周
囲温度の低下により比較回路(10)の出力がt1経過
した時点で“H”となり、判定手段(11)が所定温度
以下となったことを示す信号(i)を出力して再度10
0%通電の状態となり、その後、100%と50%との
通電状態が繰り返されることになる。しかしながら、こ
の実施例では、温度低下により電圧(f)が低下し、充
電電圧(g)が電圧(f)を上回る時間が早くなって
も、遅延信号(d)の時間幅をその時間よりも短かい時
間(t2)に変更、すなわち判定手段(11)が信号
(k)を出力する時の温度を低温側に変更して温度ヒス
テリシスを持たせているので、充電開始から所定の時間
(t2)経過した時点で、比較回路(10)の出力が
“L”に維持され、そのため100%通電には切り換ら
ずに位相制御によって通電の制御がなされる。
When the output signal (i) becomes "L",
The transistor (4c) of the changing means (4) is turned on,
The resistor (4d) and the resistor (4e) are connected in parallel to shorten the charging time for the capacitor (4b) (the charging voltage waveform of the capacitor (4b) is shown as (n) in FIG. 2B). As a result, the time width of the delay signal (d) of the changing means (4) becomes short. Here, the energization of the heating element (23) is 100% until 100% immediately before the time when the energization by the phase control is switched from the above 100% energization to the energization by the intersection angle of the charging voltage (g) and the voltage (f). Since the current has been changed to almost 50% as indicated by (m) in FIG. 2B, the ambient temperature of the heating element (23) is rapidly decreased as indicated by the dotted line α in FIG. 3A. I will end up. Here, if the time width of the delay signal (d) is not shortened, the output of the comparison circuit (10) becomes "H" at the time when t1 elapses due to a decrease in ambient temperature, and the determination means (11) sets a predetermined value. The signal (i) indicating that the temperature has dropped to below the
The state of 0% energization is reached, and thereafter the energized state of 100% and 50% is repeated. However, in this embodiment, even if the voltage (f) decreases due to the temperature decrease and the charging voltage (g) exceeds the voltage (f) earlier, the time width of the delay signal (d) becomes smaller than that time. Since the temperature is changed to a short time (t2), that is, the temperature at which the determination means (11) outputs the signal (k) is changed to a low temperature side to have temperature hysteresis, a predetermined time (t2) has elapsed from the start of charging. ) Has elapsed, the output of the comparison circuit (10) is maintained at "L", so that the energization is controlled by the phase control without switching to 100% energization.

【0020】この点について図4を用いて詳述する。コ
ンデンサ(5)の充電電圧(g)と感温手段(8)の抵
抗値変化に対応する電圧(f)とのレベル比較結果を読
み取る時点は、コンデンサ(5)の充電開始後所定の時
間(t1)が経過した時点(以下I点と記す)に設定し
ている。通電当初は感温手段(8)の温度は低いので、
I点で充電電圧(g)と電圧(f)のレベル比較結果を
読み取ると(g)>(f)であるので、この場合発熱体
(23)に約100%(たとえば約500W)通電させ
る。500Wの通電により周囲温度は急激に上昇し、こ
れに伴なって電圧(f)も上昇して設定温度付近の所定
温度に達すると、I点において(g)=(f)となる。
この時点で温度ヒステリシスをもたせるためにI点を検
出ポイントII点に移行させる。すなわちコンデンサ
(5)への充電開始後t1より短いt2の時間が経過し
た時点で充電電圧(g)と電圧(f)とのレベル比較結
果を読み取るように変更してしまう。その結果、検出ポ
イントII点において(g)=(f)となる時の温度は検
出ポイントII点において(g)=(f)となる時の温度
より低い温度に変更されたことになる。そして、検出ポ
イントI点において電圧(f)が充電電圧(g)に一旦
達すると、検出ポイントはII点に移るので、その後検出
ポイントII点においては(g)<(f)となり、判定手
段(11)は所定温度以上を示す信号(k)を出力す
る。そして、発熱体(23)への通電は充電電圧(g)
と電圧(f)との交点角度(信号l)に応じた位相制御
となる。この時点で周囲温度は一旦下がり、感温手段
(8)の温度も下がり電圧(f)は電圧(f′)まで低
下する。しかしながらこの時点においても、検出ポイン
トがII点であるため、充電電圧(g)が電圧(f′)よ
り低く((g)<(f′))、位相制御の状態が継続さ
れる。したがって100%通電とはならず、電圧(f)
から電圧(f′)に下がるのに反比例してW数は上昇
し、電圧(f′)では約350Wの通電がなされ、温度
に比例して電力がリニアに供給されるものである。ちな
みに検出ポイントをI点に固定した場合を考えると、I
点を境として周囲温度の変化、すなわち電圧(f)の移
動に伴なって、約100%の通電と約50%の通電とが
交互になされ、発熱体(23)にランプヒータを用いた
場合には、明るくなったり暗くなったりを繰り返す結果
となる。
This point will be described in detail with reference to FIG. At the time of reading the level comparison result of the charging voltage (g) of the capacitor (5) and the voltage (f) corresponding to the resistance change of the temperature sensing means (8), a predetermined time ( The time t1) is set (hereinafter referred to as point I). Since the temperature of the temperature sensing means (8) is low at the beginning of energization,
When the level comparison result of the charging voltage (g) and the voltage (f) is read at point I, it is (g)> (f), so in this case, the heating element (23) is energized by about 100% (for example, about 500 W). When the energization of 500 W causes the ambient temperature to rise rapidly, the voltage (f) also rises accordingly, and when it reaches a predetermined temperature near the set temperature, (g) = (f) at point I.
At this point, point I is moved to detection point II in order to have temperature hysteresis. That is, the level comparison result of the charging voltage (g) and the voltage (f) is changed to be read when a time t2 shorter than t1 elapses after the charging of the capacitor (5) is started. As a result, the temperature when (g) = (f) at the detection point II point is changed to a temperature lower than the temperature when (g) = (f) at the detection point II point. Then, once the voltage (f) reaches the charging voltage (g) at the detection point I point, the detection point moves to the point II, so that at the detection point II point, (g) <(f), and the determination means ( 11) outputs a signal (k) indicating a predetermined temperature or higher. The heating voltage is applied to the heating element (23) by charging voltage (g).
The phase control is performed according to the intersection angle (signal 1) between the voltage and the voltage (f). At this time, the ambient temperature temporarily drops, the temperature of the temperature sensing means (8) also drops, and the voltage (f) drops to the voltage (f '). However, even at this time, since the detection point is the II point, the charging voltage (g) is lower than the voltage (f ′) ((g) <(f ′)), and the phase control state is continued. Therefore, 100% energization does not occur, and voltage (f)
The number of W increases in inverse proportion to the decrease from the voltage to the voltage (f '), and about 350 W is energized at the voltage (f'), and the power is linearly supplied in proportion to the temperature. By the way, considering the case where the detection point is fixed to point I, I
In the case where a lamp heater is used for the heating element (23), about 100% energization and about 50% energization alternate with the change of the ambient temperature, that is, the voltage (f) movement, at the point as a boundary. Results in repeated brightening and darkening.

【0021】上記の動作を図1Aおよび図2Bにて説明
すると、出力信号(k)によって発光ダイオード(1
5)が点灯し適温表示がなされるとともに、出力信号
(k)はAND回路(18)の一方の入力端に入力さ
れ、他方の入力端に入力される出力信号(h)の前縁に
てトリガされたワンショットマルチバイブレータ(2
6)が出力するワンショットパルス信号(i)と論理積
をとられて、AND回路から出力信号(j)を出力す
る。そして上記の低温時と同様、出力信号(j)によっ
てトランジスタ(21)がONし、このタイミングで半
導体制御手段(24)が位相制御されて発熱体(23)
の通電が制御される。
The above operation will be described with reference to FIGS. 1A and 2B. The output signal (k) causes the light emitting diode (1
5) is turned on and an appropriate temperature is displayed, and the output signal (k) is input to one input end of the AND circuit (18) and at the leading edge of the output signal (h) input to the other input end. Triggered one-shot multivibrator (2
6) is ANDed with the one-shot pulse signal (i) output by 6) and the output signal (j) is output from the AND circuit. Then, as in the case of the above low temperature, the transistor (21) is turned on by the output signal (j), and at this timing, the semiconductor control means (24) is phase-controlled to generate the heating element (23).
Energization is controlled.

【0022】以上に述べたようにして、周囲温度が低い
ときは約100%通電に保持され、所定温度に達すると
温度に応じた位相制御が行われて発熱体(23)の通電
が制御されるが、さらに高い温度を必要とする場合ある
いは温度を低くしたい場合は、可変抵抗器(7)を操作
して好みの温度設定ができる。すなわち可変抵抗器
(7)を操作することによって抵抗値が可変され、した
がってコンデンサ(5)の充電電圧の立ち上り方が変っ
て設定温度が変えられるものである。たとえば温度設定
「高」の場合には、可変抵抗器(7)の抵抗値VRをV
R=0とし、逆に「低」の場合にはVR=MAXとすれ
ば、「高」では急激に立ち上り、「低」では緩かに立ち
上るものである。図3Aに示すものは、この実施例にお
ける発熱体(23)の周囲温度の設定温度までの変化の
状態を示すもので、図3Bに示す発熱体(23)のワッ
ト数の変化に伴なって、急激な温度変化なしに設定温度
にまで制御されていることを示している。
As described above, when the ambient temperature is low, the energization is maintained at about 100%, and when the temperature reaches the predetermined temperature, the phase control according to the temperature is performed and the energization of the heating element (23) is controlled. However, if a higher temperature is required or if a lower temperature is desired, the variable resistor (7) can be operated to set the desired temperature. That is, the resistance value is changed by operating the variable resistor (7), and thus the way the charging voltage of the capacitor (5) rises is changed to change the set temperature. For example, when the temperature setting is “high”, the resistance value VR of the variable resistor (7) is set to V
If R = 0 and conversely VR = MAX in the case of "low", it rapidly rises in "high" and rises gently in "low". FIG. 3A shows a state in which the ambient temperature of the heating element (23) in this embodiment changes up to the set temperature, and changes with the wattage of the heating element (23) shown in FIG. 3B. , Shows that the temperature is controlled to the set temperature without a sudden temperature change.

【0023】つぎにこの発明の他実施例について図5〜
7にて説明する。図5はこの発明の温度制御装置を使用
した電子制御式コタツの全体を示す回路図で、(27)
はマイクロコンピュータである。この他実施例では、判
定手段、変更手段および通電率制御手段にマイクロコン
ピュータ(27)を使用するものである。図6は温度検
知および半導体制御手段(24)のトリガ信号を制御す
るこの発明の特徴的な回路を抜粋したものである。以下
この他実施例の動作を図6および図7にて詳述する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be explained in Section 7. FIG. 5 is a circuit diagram showing the entire electronically controlled kotatsu using the temperature control device of the present invention.
Is a microcomputer. In the other embodiment, a microcomputer (27) is used for the judging means, the changing means and the duty ratio controlling means. FIG. 6 is an excerpt of the characteristic circuit of the present invention for controlling the temperature detection and the trigger signal of the semiconductor control means (24). The operation of this other embodiment will be described in detail below with reference to FIGS.

【0024】図7に示す波形図は、図6の制御回路のそ
れぞれの入・出力端子および各部の電圧の波形を示した
ものである。
The waveform diagram shown in FIG. 7 shows the waveforms of the voltages at the input / output terminals and the respective parts of the control circuit shown in FIG.

【0025】マイクロコンピュータ(27)がゼロクロ
スパルスPzを検出し、その結果端子R4からリセット
パルスPrを出力する。リセットパルスPrが“L”レ
ベルになると、端子R1からの電圧により、可変抵抗器
(29)、抵抗(30)を介してコンデンサ(5)に充
電が開始される。ここで可変抵抗器(29)は上記実施
例の可変抵抗器(7)同様、温度設定用の可変ボリュー
ムであり、コンデンサ(5)への充電抵抗の値を変化さ
せ得るものである。この時の充電電圧をVcとする。つ
ぎにリセットパルスPrが“H”レベルになると、トラ
ンジスタ(32)がONしコンデンサ(5)の充電電圧
Vcは放電される。
The microcomputer (27) detects the zero-cross pulse Pz and, as a result, outputs the reset pulse Pr from the terminal R4. When the reset pulse Pr becomes "L" level, the voltage from the terminal R1 starts charging the capacitor (5) through the variable resistor (29) and the resistor (30). Here, the variable resistor (29) is a variable volume for temperature setting, like the variable resistor (7) of the above-mentioned embodiment, and can change the value of the charging resistance to the capacitor (5). The charging voltage at this time is Vc. Next, when the reset pulse Pr becomes "H" level, the transistor (32) is turned on and the charging voltage Vc of the capacitor (5) is discharged.

【0026】一方コタツの内部温度を検出するため、コ
タツ内の所定の位置に設置された感温手段(8)のたと
えば負特性を有するサーミスタ(以下サーミスタと記
す)は、抵抗(33)と直列に接続されているととも
に、その接続が比較回路(10)の一入力端に接続され
ている。したがってコタツ内温度の上昇とともに上記接
続点の電圧VThのレベルが上昇する。
On the other hand, in order to detect the internal temperature of the kotatsu, a thermistor having a negative characteristic (hereinafter referred to as the thermistor) of the temperature sensing means (8) installed at a predetermined position in the kotatsu is connected in series with the resistor (33). And is connected to one input end of the comparison circuit (10). Therefore, the level of the voltage VTh at the connection point rises as the temperature inside the kotatsu rises.

【0027】ここでコタツ温度が低い場合、すなわち温
度設定「高」の場合の動作について、図7の第1部分を
交えて説明する。充電電圧Vcと電圧VThとは比較回
路(10)にて比較される。この比較結果は、トランジ
スタ(34)を介してマイクロコンピュータ(27)の
端子K4に入力される。マイクロコンピュータ(27)
は、交流電圧波形の90°ごとに比較結果が“H”レベ
ルであるかを判定し、この時点で比較結果(端子K4)
が“L”レベルであるなら、すなわち充電電圧Vc>電
圧VThならば所定温度に達していないと判断し、端子
R2にパルス信号PR2を出力する。このパルス信号P
R2は発熱体(23)が約100%通電されるタイミン
グにて出力される。すなわち、ゼロクロスパルスPzが
出力された直後にこのパルス信号PR2を出力すれば、
比較回路(10)からの比較出力をコンデンサ(35)
を介して得られるトリガパルスVBより早いタイミング
でトランジスタ(36)のベースに印加できるためであ
る。このトランジスタ(36)のコレクタは、抵抗(3
7)を介して半導体制御手段(24)のゲートに接続さ
れており、上記パルス信号PR2のタイミングで半導体
制御手段(24)はトリガされ、発熱体(23)への通
電がなされる。
The operation when the kotatsu temperature is low, that is, when the temperature setting is "high" will be described with reference to the first part of FIG. The charging voltage Vc and the voltage VTh are compared by the comparison circuit (10). The comparison result is input to the terminal K4 of the microcomputer (27) via the transistor (34). Microcomputer (27)
Determines whether the comparison result is the “H” level at every 90 ° of the AC voltage waveform, and at this point the comparison result (terminal K4)
Is at the "L" level, that is, if the charging voltage Vc> the voltage VTh, it is determined that the predetermined temperature has not been reached, and the pulse signal PR2 is output to the terminal R2. This pulse signal P
R2 is output at the timing when the heating element (23) is energized by about 100%. That is, if the pulse signal PR2 is output immediately after the zero-cross pulse Pz is output,
The comparison output from the comparison circuit (10) is connected to the capacitor (35).
This is because it can be applied to the base of the transistor (36) at a timing earlier than the trigger pulse VB obtained via the. The collector of this transistor (36) has a resistor (3
7) is connected to the gate of the semiconductor control means (24), and the semiconductor control means (24) is triggered at the timing of the pulse signal PR2 to energize the heating element (23).

【0028】つぎに温度設定「高」において、コタツ内
温度が設定温度に近づくと、図7の第2部分および第3
部分に示すように、交流電圧波形90°の時点で充電電
圧Vc<電圧VThとなり、したがってマイクロコンピ
ュータ(27)の端子K4には“H”レベルの信号が入
力される。よってマイクロコンピュータ(27)は充電
電圧Vcが電圧VThに達していないため所定温度以上
に達したと判断し、端子R2からパルス信号PR2を出
力しない。すなわち、100%通電の保持を解除する。
しかしながら、その代わりに充電電圧Vcと電圧VTh
が一致した時点で、比較手段(10)は高電位レベルの
信号を出力し、端子R1の電圧がコンデンサ(35)と
抵抗(38)によって微分されて、トリガパルスVBを
得る。このトリガパルスVBによってトランジスタ(3
6)がONして、Vc=VThの交点角度にて半導体制
御手段(24)にゲート信号が流れ、発熱体(23)が
ONして位相制御される。この時点でマイクロコンピュ
ータ(27)は比較結果を判定する時点を、交流電圧波
形の90°ごとからたとえば60°ごとに移行させる。
すなわち所定の時間を短かくし、位相制御に切り換える
時の温度を低くして温度ヒステリシスを持たせるもので
ある。したがって前記実施例同様、位相制御にかわった
時点で100%通電から50%通電に変わることによる
温度変化を最小にすることができる。そして一旦温度が
下がった後、判定する時点が前へずらされたことによっ
て温度に対応した位相制御が継続される。この時の通電
率(W数)は、コタツ内温度を維持安定させるW数より
も大きいので、コタツ内温度は上昇しつづけ、したがっ
て電圧VThも増加しつづける。その結果充電電圧Vc
と電圧VThとの交点(一致点)は、図7の第2部分と
第3部分とに示すように、右側に移行するので通電率は
徐々に低下する。図7第3部分は、温度設定「高」でコ
タツ内温度が設定温度に達した場合で、通電率(W数)
が減少してコタツ内温度を維持し得るW数まで下がる
と、コタツ内温度の上昇がとまるものである。
Next, when the temperature inside the kotatsu approaches the set temperature at the temperature setting "high", the second portion and the third portion in FIG.
As shown in the portion, the charging voltage Vc <the voltage VTh at the time when the AC voltage waveform is 90 °, so that the “H” level signal is input to the terminal K4 of the microcomputer (27). Therefore, the microcomputer (27) determines that the charging voltage Vc has not reached the voltage VTh and has reached the predetermined temperature or higher, and does not output the pulse signal PR2 from the terminal R2. That is, the retention of 100% energization is released.
However, instead, the charging voltage Vc and the voltage VTh
When the two coincide with each other, the comparing means (10) outputs a high potential level signal, and the voltage of the terminal R1 is differentiated by the capacitor (35) and the resistor (38) to obtain the trigger pulse VB. This trigger pulse VB causes the transistor (3
6) is turned on, a gate signal flows to the semiconductor control means (24) at the intersection angle of Vc = VTh, and the heating element (23) is turned on to perform phase control. At this time, the microcomputer (27) shifts the time point for judging the comparison result from every 90 ° of the AC voltage waveform, for example, every 60 °.
That is, the predetermined time is shortened, and the temperature at the time of switching to the phase control is lowered to have the temperature hysteresis. Therefore, similarly to the above-described embodiment, it is possible to minimize the temperature change due to the change from 100% energization to 50% energization when the phase control is replaced. Then, after the temperature has once dropped, the determination time is shifted forward, so that the phase control corresponding to the temperature is continued. Since the energization rate (W number) at this time is larger than the W number for maintaining and stabilizing the temperature in the kotatsu, the temperature in the kotatsu keeps increasing and therefore the voltage VTh also keeps increasing. As a result, the charging voltage Vc
The intersection (coincidence point) between the voltage VTh and the voltage VTh shifts to the right side, as shown in the second and third parts of FIG. The third part of FIG. 7 shows the case where the temperature inside the kotatsu reaches the set temperature when the temperature is set to "high", and the duty ratio (W number)
When the temperature decreases to a W number at which the temperature in the kotatsu can be maintained, the increase in the temperature in the kotatsu stops.

【0029】また温度設定を「低」に変えた場合、図7
第3部分に示すように、充電電圧Vcのピークが低下
し、電圧VThとの交点すなわち一致点がなくなり、発
熱体(23)への通電はなくなる。すなわち発熱体(2
3)がランプヒータの場合には、ランプヒータは消灯状
態となる。この場合は、コタツ使用者が温度を下げたい
ために温度設定を「低」側に変更したので、ランプヒー
タは消灯した方が使用者にコタツ温度が下がったという
感じを与え(実際に温度も下がる)ので、消灯となるほ
うがよいものである。そしてランプヒータが消灯してい
るのでコタツ内温度は徐々に低下し、「低」の設定温度
に近づくと、充電電圧Vcと電圧VThとは一致(交
差)するが、この交差角度は通電率0%に近いのでコタ
ツ内温度はさらに低下しつづける。コタツ内温度の低下
に伴なって充電電圧Vcと電圧VThとの交点は、図7
において、左側に移行するので通電率が増加し、やがて
「低」の設定設度を維持するのに必要なワット数にて安
定する。なおこの他実施例では、端子K4の入力を90
°および60°で検出しているが、マイクロコンピュー
タ処理しているため、コタツの大きさ、発熱体(23)
のW数に応じた検出角度に変えることで、約100%の
通電範囲をコタツ使用に見合った範囲に容易に設定する
ことができる。
Further, when the temperature setting is changed to "low", as shown in FIG.
As shown in the third portion, the peak of the charging voltage Vc decreases, the intersection with the voltage VTh, that is, the coincidence point disappears, and the heating element (23) is not energized. That is, the heating element (2
When 3) is the lamp heater, the lamp heater is turned off. In this case, since the kotatsu user wanted to lower the temperature, the temperature setting was changed to the "low" side, so turning off the lamp heater gives the user the feeling that the kotatsu temperature has dropped (actually It goes down), so it is better to turn it off. Then, since the lamp heater is turned off, the temperature inside the kotatsu gradually decreases, and when the temperature approaches the "low" set temperature, the charging voltage Vc and the voltage VTh match (cross), but this crossing angle is equal to the duty ratio of 0. %, The temperature inside the kotatsu keeps dropping. As the temperature inside the kotatsu decreases, the intersection of the charging voltage Vc and the voltage VTh is shown in FIG.
In, the current rate increases as it shifts to the left side, and eventually stabilizes at the wattage required to maintain the "low" setting setting. In the other embodiment, the input of the terminal K4 is 90
The temperature is detected at 60 ° and 60 °, but since it is processed by a microcomputer, the size of the kotatsu and the heating element (23)
By changing the detection angle according to the number of W, it is possible to easily set the energization range of about 100% to a range suitable for using kotatsu.

【0030】[0030]

【発明の効果】この発明によれば、発熱体の周囲温度が
所定温度に達するまでは周囲温度に係わらず発熱体の通
電を略最大の状態に維持し、設定温度に立ち上がるまで
の時間を短くして立ち上がり特性を向上することができ
る。そして、所定温度に達した後は周囲温度に応じて位
相制御し温度変化の幅を小さく維持する。さらに、周囲
温度が所定温度に達すると、この所定温度を低温側に変
更して温度ヒステリシスを設け発熱体の通電率が大きく
変化することを防止することができる。
According to the present invention, the energization of the heating element is maintained at a substantially maximum state regardless of the ambient temperature until the ambient temperature of the heating element reaches a predetermined temperature, and the time until the temperature rises to the set temperature is shortened. Therefore, the rising characteristics can be improved. Then, after reaching the predetermined temperature, the phase is controlled according to the ambient temperature to keep the width of the temperature change small. Further, when the ambient temperature reaches a predetermined temperature, the predetermined temperature can be changed to a low temperature side to provide a temperature hysteresis and prevent a large change in the duty ratio of the heating element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例回路図で、Aは全体回路図、
Bは要部回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, in which A is a whole circuit diagram,
B is a circuit diagram of a main part.

【図2】同実施例の動作を説明するための波形図で、A
は周囲温度が低いとき、Bは周囲温度が高いときの波形
図である。
FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment, showing A
3B is a waveform diagram when the ambient temperature is low, and B is a waveform diagram when the ambient temperature is high.

【図3】同実施例の動作を説明するためのグラフで、A
は発熱体の周囲温度の変化を示すグラフ、Bは発熱体の
ワット数の変化を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph for explaining the operation of the embodiment, in which A
Is a graph showing a change in ambient temperature of the heating element, and B is a graph showing a change in wattage of the heating element.

【図4】所定の時間の移行に伴なう同実施例の動作を説
明するグラフである。
FIG. 4 is a graph for explaining the operation of the embodiment with the transition of a predetermined time.

【図5】他実施例の全体回路図である。FIG. 5 is an overall circuit diagram of another embodiment.

【図6】他実施例の要部回路である。FIG. 6 is a main part circuit of another embodiment.

【図7】他実施例を説明するための波形図である。FIG. 7 is a waveform diagram for explaining another embodiment.

【図8】従来例回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of a conventional example.

【図9】従来例回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 変更手段 8 感温手段 11 判定手段 16 通電率制御手段 23 発熱体 4 Change Means 8 Temperature Sensing Means 11 Judging Means 16 Duty Rate Control Means 23 Heating Element

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 発熱体と、該発熱体による周囲温度の変
化を検知する感温手段と、該感温手段の信号に対応して
前記発熱体の通電を位相制御する制御手段を備える電子
制御式コタツにおいて、前記制御手段は周囲温度が所定
温度に上昇するまで前記発熱体の通電を略最大の状態に
保持する保持手段と、周囲温度が前記所定温度まで上昇
すると、該所定温度を低温側に変更する変更手段を備え
ることを特徴とする電子制御式コタツ。
Claim: What is claimed is: 1. A heating element, a temperature sensing means for detecting a change in ambient temperature due to the heating element, and phase control of energization of the heating element in response to a signal from the temperature sensing means. In the electronically controlled kotatsu having a control means, the control means holds the energization of the heating element in a substantially maximum state until the ambient temperature rises to a predetermined temperature, and when the ambient temperature rises to the predetermined temperature, An electronically controlled kotatsu comprising a changing means for changing the predetermined temperature to a low temperature side.
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