JPH0559582A - 合金めつき方法 - Google Patents
合金めつき方法Info
- Publication number
- JPH0559582A JPH0559582A JP24518491A JP24518491A JPH0559582A JP H0559582 A JPH0559582 A JP H0559582A JP 24518491 A JP24518491 A JP 24518491A JP 24518491 A JP24518491 A JP 24518491A JP H0559582 A JPH0559582 A JP H0559582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- sec
- rubbing
- current density
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｂ及び金属系第３添加元素の含有量が高いレ
ベルで維持され、偏析分布がない合金めっき膜を高速で
形成し得る合金めっき方法。 【構成】 ワークとめっき液の少なくとも一方を移動さ
せ、両者間で１０ｃｍ／ｓｅｃ〜５００ｃｍ／ｓｅｃの
擦り合わせ相対速度を生じさせてめっき膜を形成する合
金めっき方法。 【効果】 Ｂ及び金属系第３添加元素の含有率が静止浴
による場合に比して共に高く、偏析分布がない合金めっ
き膜が高速で形成される。
ベルで維持され、偏析分布がない合金めっき膜を高速で
形成し得る合金めっき方法。 【構成】 ワークとめっき液の少なくとも一方を移動さ
せ、両者間で１０ｃｍ／ｓｅｃ〜５００ｃｍ／ｓｅｃの
擦り合わせ相対速度を生じさせてめっき膜を形成する合
金めっき方法。 【効果】 Ｂ及び金属系第３添加元素の含有率が静止浴
による場合に比して共に高く、偏析分布がない合金めっ
き膜が高速で形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、合金めっきに関するも
のであり、更に詳しくは、ボロン（Ｂ）や他の金属系の
第３元素を含有するメッキ層を高速にて形成するための
多元系合金めっき方法に関するものである。
のであり、更に詳しくは、ボロン（Ｂ）や他の金属系の
第３元素を含有するメッキ層を高速にて形成するための
多元系合金めっき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から Ｎｉ−Ｂ 系、Ｎｉ−Ｍ−Ｂ
系（ここで Ｍ は金属系第３添加元素を指称する。）等
の合金めっきは無電解めっきで行われている。また、合
金めっきでは、めっき液均一化のためのエアレーション
若しくは攪拌プロペラによる攪拌が行われる場合がある
が、基本的にはワーク（被めっき部材）とめっき液とが
相対的に静止した状態（静止浴）でめっき作業が行われ
ていた。
系（ここで Ｍ は金属系第３添加元素を指称する。）等
の合金めっきは無電解めっきで行われている。また、合
金めっきでは、めっき液均一化のためのエアレーション
若しくは攪拌プロペラによる攪拌が行われる場合がある
が、基本的にはワーク（被めっき部材）とめっき液とが
相対的に静止した状態（静止浴）でめっき作業が行われ
ていた。
【０００３】又、Ｃｒめっきにおいてめっき速度を向上
させるために、めっき液内でワークを回転させる技術が
特公昭５６−４４９５８号公報に開示されている。
させるために、めっき液内でワークを回転させる技術が
特公昭５６−４４９５８号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにＮｉ−Ｂ
系、Ｎｉ−Ｍ−Ｂ系等の合金めっきは通常、無電解めっ
きによってめっき作業が行われるため、めっき速度の向
上、めっき膜の性能向上を図ることが困難であった。
系、Ｎｉ−Ｍ−Ｂ系等の合金めっきは通常、無電解めっ
きによってめっき作業が行われるため、めっき速度の向
上、めっき膜の性能向上を図ることが困難であった。
【０００５】また、めっき速度を向上させるため、上記
のような合金めっきのめっき作業に電気めっきを採用す
る場合もある。しかしながら、めっき膜中のＢの共析量
は低電流密度でめっき膜を形成した方が、高電流密度で
めっき膜を形成した場合に比して多くなる。一方、めっ
き膜の形成速度は高電流密度でめっき作業を行なった方
が速くなる。このため、めっき膜の形成を迅速に行うた
め、高電流密度でめっき作業を行うとＢの共析量が減少
してしまい、Ｂの共析量が多い状態を維持しつつ、Ｎｉ
−Ｂ系、Ｎｉ−Ｍ−Ｂ系等の合金めっき膜の形成を迅速
に行なうことは困難であった。
のような合金めっきのめっき作業に電気めっきを採用す
る場合もある。しかしながら、めっき膜中のＢの共析量
は低電流密度でめっき膜を形成した方が、高電流密度で
めっき膜を形成した場合に比して多くなる。一方、めっ
き膜の形成速度は高電流密度でめっき作業を行なった方
が速くなる。このため、めっき膜の形成を迅速に行うた
め、高電流密度でめっき作業を行うとＢの共析量が減少
してしまい、Ｂの共析量が多い状態を維持しつつ、Ｎｉ
−Ｂ系、Ｎｉ−Ｍ−Ｂ系等の合金めっき膜の形成を迅速
に行なうことは困難であった。
【０００６】又、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ等の金属系第３添加元
素の析出量は、Ｂの共析量と相反する関係にある。即
ち、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ等の金属系第３添加元素の析出量が
増加するとＢの共析量が減少し、逆にＢの共析量が増加
するとＷ、Ｃｏ、Ｍｏ等の金属系第３添加元素の析出量
が減少する。このため上記のようなＢ及び金属系第３添
加元素を含有させた多元系合金めっきのめっき膜中で、
金属系第３添加元素及びＢの両者の含有率をともに高く
することは困難であった。特に、非晶質合金めっきにお
いてはめっき膜の性能維持の観点から、Ｂの共析量を約
５重量％以上としなければならないため、金属系第３添
加元素の析出量の低下は避けられなかった。
素の析出量は、Ｂの共析量と相反する関係にある。即
ち、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ等の金属系第３添加元素の析出量が
増加するとＢの共析量が減少し、逆にＢの共析量が増加
するとＷ、Ｃｏ、Ｍｏ等の金属系第３添加元素の析出量
が減少する。このため上記のようなＢ及び金属系第３添
加元素を含有させた多元系合金めっきのめっき膜中で、
金属系第３添加元素及びＢの両者の含有率をともに高く
することは困難であった。特に、非晶質合金めっきにお
いてはめっき膜の性能維持の観点から、Ｂの共析量を約
５重量％以上としなければならないため、金属系第３添
加元素の析出量の低下は避けられなかった。
【０００７】更に、電気めっきによるめっき膜は、偏析
分布を有するため不均一であり、無電解めっきにおける
めっき膜に比べ均一性の点で劣るとされてきた。
分布を有するため不均一であり、無電解めっきにおける
めっき膜に比べ均一性の点で劣るとされてきた。
【０００８】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところはめっき膜中に
おけるＢ及び金属系第３添加元素両者の含有率を高く
し、更に、めっき膜中の偏析分布を減少させ、且つ、速
い速度でめっき膜を形成し得ることができる合金めっき
方法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところはめっき膜中に
おけるＢ及び金属系第３添加元素両者の含有率を高く
し、更に、めっき膜中の偏析分布を減少させ、且つ、速
い速度でめっき膜を形成し得ることができる合金めっき
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は被めっき部材であるめっき陰極とめっき液と
の少なくとも一方を移動させ、めっき陰極表面の接触部
分における両者の擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ以上且つ５００ｃｍ／ｓｅｃ以下となるようにしつつ
めっき陰極とめっき液とを接触させめっき膜を形成する
合金めっき方法を提供するものである。
に本発明は被めっき部材であるめっき陰極とめっき液と
の少なくとも一方を移動させ、めっき陰極表面の接触部
分における両者の擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ以上且つ５００ｃｍ／ｓｅｃ以下となるようにしつつ
めっき陰極とめっき液とを接触させめっき膜を形成する
合金めっき方法を提供するものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、めっき膜形成時に被めっき部
材であるめっき陰極（ワーク）とめっき液とが１０ｃｍ
／ｓｅｃ〜５００ｃｍ／ｓｅｃの相対速度で擦り合わさ
れ、接触するため、電流密度をある程度高くした状態で
めっき作業を行っても必要なＢの共析量（めっき膜中の
含有量）を確保しつつ、且つ、金属系第３添加元素の析
出量（めっき膜中の含有量）が高くすることができる。
更に、高い電流密度でめっき作業が行えるため、めっき
速度を向上させることができる。加えて、偏析分布の少
ないめっき膜がワーク表面上に形成することが可能とな
る。
材であるめっき陰極（ワーク）とめっき液とが１０ｃｍ
／ｓｅｃ〜５００ｃｍ／ｓｅｃの相対速度で擦り合わさ
れ、接触するため、電流密度をある程度高くした状態で
めっき作業を行っても必要なＢの共析量（めっき膜中の
含有量）を確保しつつ、且つ、金属系第３添加元素の析
出量（めっき膜中の含有量）が高くすることができる。
更に、高い電流密度でめっき作業が行えるため、めっき
速度を向上させることができる。加えて、偏析分布の少
ないめっき膜がワーク表面上に形成することが可能とな
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の合金めっき方法に使用するめ
っき装置の第一実施例の概略を説明する。
っき装置の第一実施例の概略を説明する。
【００１２】図１は回転陰極である円形断面を有する被
めっき部材即ちワーク１にめっきを施すためのめっき装
置１０の平面図、図２は該装置１０の縦断面図である。
このめっき装置はめっき槽６、チタンバスケット２、回
転軸４等から構成される。
めっき部材即ちワーク１にめっきを施すためのめっき装
置１０の平面図、図２は該装置１０の縦断面図である。
このめっき装置はめっき槽６、チタンバスケット２、回
転軸４等から構成される。
【００１３】めっき液５が満たされためっき槽６内には
陽極を形成する円筒形状のチタンバスケット２が配置さ
れている。該チタンバスケット２は、図１に示されるよ
うにそれぞれが円筒形状の内壁部２ａ及び外壁部２ｂと
からなる２重構造を有する。このチタンバスケット２の
内壁部２ａと外壁部２ｂとの間に規定された円筒状の空
間にはニッケルボール３が充填されている。このニッケ
ルボール３には直流電源の陽極側が接続されており、チ
タンバスケット２とニッケルボール３とで、めっき用陽
極が構成される。
陽極を形成する円筒形状のチタンバスケット２が配置さ
れている。該チタンバスケット２は、図１に示されるよ
うにそれぞれが円筒形状の内壁部２ａ及び外壁部２ｂと
からなる２重構造を有する。このチタンバスケット２の
内壁部２ａと外壁部２ｂとの間に規定された円筒状の空
間にはニッケルボール３が充填されている。このニッケ
ルボール３には直流電源の陽極側が接続されており、チ
タンバスケット２とニッケルボール３とで、めっき用陽
極が構成される。
【００１４】更に、上記内壁部２ａの内側にはそれと同
心的に円形断面を有するワーク１が配置されている。ワ
ーク１は不図示の駆動源及び直流電源の負極に接続され
た回転軸４が接続されている。この結果、ワーク１は該
回転軸４を介して直流電源の負極に接続され、且つ、該
回転軸４の回転に伴ってめっき液中で回転し所定速度で
めっき液と擦り合わせられる回転陰極を構成することと
なる。
心的に円形断面を有するワーク１が配置されている。ワ
ーク１は不図示の駆動源及び直流電源の負極に接続され
た回転軸４が接続されている。この結果、ワーク１は該
回転軸４を介して直流電源の負極に接続され、且つ、該
回転軸４の回転に伴ってめっき液中で回転し所定速度で
めっき液と擦り合わせられる回転陰極を構成することと
なる。
【００１５】次に、図３に沿って本発明の合金めっき方
法に使用するめっき装置の第二実施例の概略を説明す
る。上記第一実施例は陰極であるワークを回転させるこ
とによって、ワークとめっき液との間の擦り合わせ速度
を確保するものであるが、本第二実施例ではめっき液を
循環させることによって、ワークとめっき液との間の擦
り合わせ速度を得るものである。
法に使用するめっき装置の第二実施例の概略を説明す
る。上記第一実施例は陰極であるワークを回転させるこ
とによって、ワークとめっき液との間の擦り合わせ速度
を確保するものであるが、本第二実施例ではめっき液を
循環させることによって、ワークとめっき液との間の擦
り合わせ速度を得るものである。
【００１６】第二実施例のめっき装置２０はめっき漕２
１と、めっき液タンク２２と、めっき液を循環させるた
めのポンプ２３及び循環パイプ２４等から構成される。
めっき漕２１には直流電源の陰極に接続されたワークと
直流電源の陽極に接続されている陽極（いずれも不図
示）が配置されている。本実施例のめっき装置２０で
は、めっき液はめっき液タンク２２内に蓄えられ、ポン
プ２３の動作により、循環パイプ２４を介し図中の矢印
方向に循環する。この結果、めっき液はめっき漕２１内
を還流し、所定速度でワークと擦り合うこととなる。
１と、めっき液タンク２２と、めっき液を循環させるた
めのポンプ２３及び循環パイプ２４等から構成される。
めっき漕２１には直流電源の陰極に接続されたワークと
直流電源の陽極に接続されている陽極（いずれも不図
示）が配置されている。本実施例のめっき装置２０で
は、めっき液はめっき液タンク２２内に蓄えられ、ポン
プ２３の動作により、循環パイプ２４を介し図中の矢印
方向に循環する。この結果、めっき液はめっき漕２１内
を還流し、所定速度でワークと擦り合うこととなる。
【００１７】本発明の合金めっき方法の実施は上記実施
例に示されるめっき装置による場合に限定されるもので
はない。例えば、上記第一実施例と第二実施例を組合わ
せ、ワークをめっき液内で回転させつつめっき液を還流
させ、ワークとめっき液の間に所定の擦り合わせ速度を
発生させるめっき装置を使用して本発明の合金めっき方
法を実施しても良い。
例に示されるめっき装置による場合に限定されるもので
はない。例えば、上記第一実施例と第二実施例を組合わ
せ、ワークをめっき液内で回転させつつめっき液を還流
させ、ワークとめっき液の間に所定の擦り合わせ速度を
発生させるめっき装置を使用して本発明の合金めっき方
法を実施しても良い。
【００１８】本発明の合金めっき方法は上記のようなめ
っき装置を用いて、ワークである陰極（被めっき部材）
とめっき液との少なくとも一方を移動させ、両者をその
表面接触部分における擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／
ｓｅｃ以上、５００ｃｍ／ｓｅｃ以下の状態で接触させ
ながら、電流をめっき漕内に配置された陰極（ワーク）
及び陽極に流しめっき作業をおこなうものである。上記
擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅｃ以下であると本
発明の効果は著しく低下し、静止状態でめっき作業を行
った場合と、ほぼ同一の結果となる。一方、５００ｃｍ
／ｓｅｃ以上に擦り合わせ相対速度を高めると、ワーク
とめっき液の接触表面において空間隙が発生し相互離反
し本発明の効果が低下する。尚、めっき液及びワークが
所定の擦り合わせ相対速度をもって接触している際、め
っき液は層流、乱流いずれの状態にあってもよい。即
ち、本発明はめっき液が層流及び乱流のいずれの場合で
あっても、その効果が得られるものである。
っき装置を用いて、ワークである陰極（被めっき部材）
とめっき液との少なくとも一方を移動させ、両者をその
表面接触部分における擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／
ｓｅｃ以上、５００ｃｍ／ｓｅｃ以下の状態で接触させ
ながら、電流をめっき漕内に配置された陰極（ワーク）
及び陽極に流しめっき作業をおこなうものである。上記
擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅｃ以下であると本
発明の効果は著しく低下し、静止状態でめっき作業を行
った場合と、ほぼ同一の結果となる。一方、５００ｃｍ
／ｓｅｃ以上に擦り合わせ相対速度を高めると、ワーク
とめっき液の接触表面において空間隙が発生し相互離反
し本発明の効果が低下する。尚、めっき液及びワークが
所定の擦り合わせ相対速度をもって接触している際、め
っき液は層流、乱流いずれの状態にあってもよい。即
ち、本発明はめっき液が層流及び乱流のいずれの場合で
あっても、その効果が得られるものである。
【００１９】次に、本発明の合金めっき方法における具
体例を実験データとともに説明する。
体例を実験データとともに説明する。
【００２０】具体例１ 図４及び図５は本発明をＮｉ−Ｂめっきに適用した際の
実験結果を示す。この時、以下の組成のめっき液が使用
されている。
実験結果を示す。この時、以下の組成のめっき液が使用
されている。
【００２１】 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ２４０ｇ／リッ
トル 塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ４５ｇ／リッ
トル ホウ酸（Ｈ3ＢＯ3） ３０ｇ／リッ
トル ＴＭＡＢ（（ＣＨ3）3ＮＢＨ3) ３ｇ／リット
ル （ここで、ＴＭＡＢはＢ添加剤として使用されるトリメ
チルアミンボラン（ＣＨ3）3ＮＢＨ3である。）
トル 塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ４５ｇ／リッ
トル ホウ酸（Ｈ3ＢＯ3） ３０ｇ／リッ
トル ＴＭＡＢ（（ＣＨ3）3ＮＢＨ3) ３ｇ／リット
ル （ここで、ＴＭＡＢはＢ添加剤として使用されるトリメ
チルアミンボラン（ＣＨ3）3ＮＢＨ3である。）
【００２２】図４はＢ共析量と電流密度の関係を示した
グラフである。この図から電流密度が上昇するとＢの析
出量が減少することがわかる。又、図５はワークとめっ
き液との擦り合わせ相対速度をそれぞれ０ｃｍ／ｓｅｃ
（静止浴）、１０ｃｍ／ｓｅｃ、７０ｃｍ／ｓｅｃ、２
００ｃｍ／ｓｅｃ、５００ｃｍ／ｓｅｃとした場合の、
めっき速度と電流密度の関係を示したグラフである。図
５から明かなように、同一電流密度の場合は擦り合わせ
相対速度が高いほどめっき速度が高くなる。
グラフである。この図から電流密度が上昇するとＢの析
出量が減少することがわかる。又、図５はワークとめっ
き液との擦り合わせ相対速度をそれぞれ０ｃｍ／ｓｅｃ
（静止浴）、１０ｃｍ／ｓｅｃ、７０ｃｍ／ｓｅｃ、２
００ｃｍ／ｓｅｃ、５００ｃｍ／ｓｅｃとした場合の、
めっき速度と電流密度の関係を示したグラフである。図
５から明かなように、同一電流密度の場合は擦り合わせ
相対速度が高いほどめっき速度が高くなる。
【００２３】具体例２ 図６、図７及び図８は本発明をＮｉ−Ｃｏ−Ｂめっきに
適用した際の実験結果を示す。この時、以下の組成のめ
っき液が使用されている。
適用した際の実験結果を示す。この時、以下の組成のめ
っき液が使用されている。
【００２４】 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ２４０ｇ／リッ
トル 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ） ４５ｇ／リット
ル 塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ４５ｇ／リット
ル ホウ酸（Ｈ3ＢＯ3） ３０ｇ／リット
ル ＴＭＡＢ（（ＣＨ3）3ＮＢＨ3） ３ｇ／リットル
トル 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ） ４５ｇ／リット
ル 塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ４５ｇ／リット
ル ホウ酸（Ｈ3ＢＯ3） ３０ｇ／リット
ル ＴＭＡＢ（（ＣＨ3）3ＮＢＨ3） ３ｇ／リットル
【００２５】図６はＢ共析量と電流密度の関係を示した
グラフであり、図７はＣｏ析出量と電流密度の関係を示
したグラフである。又、図８はめっき速度と電流密度の
関係を示したグラフである。それぞれのグラフにおいて
ワークとめっき液の擦り合わせ相対速度をそれぞれ０ｃ
ｍ／ｓｅｃ（静止浴）、１０ｃｍ／ｓｅｃ、３０ｃｍ／
ｓｅｃ、７０ｃｍ／ｓｅｃ、３００ｃｍ／ｓｅｃ、５０
０ｃｍ／ｓｅｃとした場合の試験結果を比較している。
グラフであり、図７はＣｏ析出量と電流密度の関係を示
したグラフである。又、図８はめっき速度と電流密度の
関係を示したグラフである。それぞれのグラフにおいて
ワークとめっき液の擦り合わせ相対速度をそれぞれ０ｃ
ｍ／ｓｅｃ（静止浴）、１０ｃｍ／ｓｅｃ、３０ｃｍ／
ｓｅｃ、７０ｃｍ／ｓｅｃ、３００ｃｍ／ｓｅｃ、５０
０ｃｍ／ｓｅｃとした場合の試験結果を比較している。
【００２６】図６から明かなように、ワークとめっき液
との擦り合わせ相対速度が同一であれば、Ｂ共析量は電
流密度が増大するほど低下する。同一の電流密度で比較
した場合には、上記擦り合わせ相対速度が増加するほ
ど、Ｂ共析量は増大する。又、図７から明かなように、
同一擦り合わせ速度におけるＣｏ析出量は、電流密度の
増加にともなって増大する。又、同一電流密度で比較し
た場合には、Ｂの共析量同様、擦り合わせ相対速度の増
加にともなって、Ｃｏの析出量も増大する。
との擦り合わせ相対速度が同一であれば、Ｂ共析量は電
流密度が増大するほど低下する。同一の電流密度で比較
した場合には、上記擦り合わせ相対速度が増加するほ
ど、Ｂ共析量は増大する。又、図７から明かなように、
同一擦り合わせ速度におけるＣｏ析出量は、電流密度の
増加にともなって増大する。又、同一電流密度で比較し
た場合には、Ｂの共析量同様、擦り合わせ相対速度の増
加にともなって、Ｃｏの析出量も増大する。
【００２７】具体的には、擦り合わせ相対速度が３０ｃ
ｍ／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場
合に比しＣｏ析出量が約２．５倍となる（電流密度３〜
８Ａ／ｄｍ2）。又、擦り合わせ相対速度が５００ｃｍ
／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場合
に比しＣｏ析出量が約３．５倍となる（電流密度３〜８
Ａ／ｄｍ2）。このことから、擦り合わせ相対速度の増
加にさせることによって、Ｂ及びＣｏの析出量を増加さ
せることができることがわかる。
ｍ／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場
合に比しＣｏ析出量が約２．５倍となる（電流密度３〜
８Ａ／ｄｍ2）。又、擦り合わせ相対速度が５００ｃｍ
／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場合
に比しＣｏ析出量が約３．５倍となる（電流密度３〜８
Ａ／ｄｍ2）。このことから、擦り合わせ相対速度の増
加にさせることによって、Ｂ及びＣｏの析出量を増加さ
せることができることがわかる。
【００２８】又、図８から明らかなように、同一擦り合
わせ相対速度の下では電流密度が高くなるほどめっき速
度が増加し、同一電流密度の下では擦り合わせ相対速度
が速くなるほどめっき速度も速くなる。
わせ相対速度の下では電流密度が高くなるほどめっき速
度が増加し、同一電流密度の下では擦り合わせ相対速度
が速くなるほどめっき速度も速くなる。
【００２９】具体例３ 図９、図１０及び図１１は本発明をＮｉ−Ｗ−Ｂめっき
に適用した際の実験結果を示す。この時、以下の組成の
めっき液が使用されている。
に適用した際の実験結果を示す。この時、以下の組成の
めっき液が使用されている。
【００３０】 タングステン酸ナトリウム（Ｎａ2ＷＯ4・２Ｈ2Ｏ）
６０ｇ／リットル クエン酸二アンモニウム （ＮＨ4Ｃ6Ｈ6Ｏ7）
６０ｇ／リットル 硫酸ニッケル （ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ２
０ｇ／リットル ＴＭＡＢ （（ＣＨ3）3ＮＢＨ 3）
３ｇ／リットル
６０ｇ／リットル クエン酸二アンモニウム （ＮＨ4Ｃ6Ｈ6Ｏ7）
６０ｇ／リットル 硫酸ニッケル （ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ２
０ｇ／リットル ＴＭＡＢ （（ＣＨ3）3ＮＢＨ 3）
３ｇ／リットル
【００３１】図９はＢの析出量と電流密度の関係を示し
たグラフであり、図１０はＷの析出量と電流密度の関係
を示したグラフである。又、図１１はめっき速度と電流
密度の関係を示したグラフである。それぞれのグラフに
おいてワークとめっき液との擦り合わせ相対速度をそれ
ぞれ０ｃｍ／ｓｅｃ、１０ｃｍ／ｓｅｃ、７０ｃｍ／ｓ
ｅｃ、５００ｃｍ／ｓｅｃとした場合の試験結果を比較
している。
たグラフであり、図１０はＷの析出量と電流密度の関係
を示したグラフである。又、図１１はめっき速度と電流
密度の関係を示したグラフである。それぞれのグラフに
おいてワークとめっき液との擦り合わせ相対速度をそれ
ぞれ０ｃｍ／ｓｅｃ、１０ｃｍ／ｓｅｃ、７０ｃｍ／ｓ
ｅｃ、５００ｃｍ／ｓｅｃとした場合の試験結果を比較
している。
【００３２】図９から明かなように、ワークとめっき液
との擦り合わせ相対速度が同一であれば、Ｂの共析量は
電流密度が増大するほど低下する。同一の電流密度で比
較した場合には、上記擦り合わせ相対速度が増加するほ
ど、Ｂの共析量は増大する。又、図１０から明かよう
に、同一擦り合わせ速度におけるＷの析出量は、電流密
度の増加にともなって増大する。又、同一電流密度で比
較した場合には、Ｂの共析量の場合同様、擦り合わせ相
対速度の増加にともなって、Ｗの析出量も増大する。
との擦り合わせ相対速度が同一であれば、Ｂの共析量は
電流密度が増大するほど低下する。同一の電流密度で比
較した場合には、上記擦り合わせ相対速度が増加するほ
ど、Ｂの共析量は増大する。又、図１０から明かよう
に、同一擦り合わせ速度におけるＷの析出量は、電流密
度の増加にともなって増大する。又、同一電流密度で比
較した場合には、Ｂの共析量の場合同様、擦り合わせ相
対速度の増加にともなって、Ｗの析出量も増大する。
【００３３】具体的には、擦り合わせ相対速度が７０ｃ
ｍ／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場
合に比しＷ析出量が約１．５倍となる（電流密度２〜８
Ａ／ｄｍ2）。このことから、擦り合わせ相対速度の増
加させることによって、Ｂ及びＷの析出量を増加させる
ことができることがわかる。
ｍ／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場
合に比しＷ析出量が約１．５倍となる（電流密度２〜８
Ａ／ｄｍ2）。このことから、擦り合わせ相対速度の増
加させることによって、Ｂ及びＷの析出量を増加させる
ことができることがわかる。
【００３４】又、図１１から明らかなように、同一電流
密度では擦り合わせ相対速度が高いほどめっき速度は高
くなる。擦り合わせ相対速度が０ｃｍ／ｓｅｃ（静止
浴）の場合は電流密度が高くなるほどめっき速度の増加
率が減少するが、擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ以上の場合は電流密度が高くなってもめっき速度の増
加率は一定である。
密度では擦り合わせ相対速度が高いほどめっき速度は高
くなる。擦り合わせ相対速度が０ｃｍ／ｓｅｃ（静止
浴）の場合は電流密度が高くなるほどめっき速度の増加
率が減少するが、擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ以上の場合は電流密度が高くなってもめっき速度の増
加率は一定である。
【００３５】具体例４ 図１２、図１３及び図１４は本発明をＮｉ−Ｍｏ−Ｂめ
っきに適用した際の実験結果を示す。この時、以下の組
成のめっき液が使用されている。
っきに適用した際の実験結果を示す。この時、以下の組
成のめっき液が使用されている。
【００３６】 モリブデン酸ナトリウム （Ｎａ2ＭｏＯ4・２Ｈ2Ｏ）
６０ｇ／リットル クエン酸二アンモニウム （ＮＨ4Ｃ6Ｈ6Ｏ7）
６０ｇ／リットル 硫酸ニッケル （Ｎｉ2ＳＯ4・６Ｈ2Ｏ）
２０ｇ／リットル ＴＭＡＢ （（ＣＨ3）3ＮＢＨ 3）
３ｇ／リットル ＮａＯＨ水溶液でｐＨ７に調整
６０ｇ／リットル クエン酸二アンモニウム （ＮＨ4Ｃ6Ｈ6Ｏ7）
６０ｇ／リットル 硫酸ニッケル （Ｎｉ2ＳＯ4・６Ｈ2Ｏ）
２０ｇ／リットル ＴＭＡＢ （（ＣＨ3）3ＮＢＨ 3）
３ｇ／リットル ＮａＯＨ水溶液でｐＨ７に調整
【００３７】図１２はＢの共析量と電流密度の関係を示
したグラフであり、図１３はＭｏの析出量と電流密度の
関係を示したグラフである。又、図１４はめっき速度と
電流密度の関係を示したグラフである。それぞれのグラ
フにおいてワークとめっき液の擦り合わせ相対速度をそ
れぞれ０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）、１０ｃｍ／ｓｅｃ、
７０ｃｍ／ｓｅｃ、５００ｃｍ／ｓｅｃとした場合の試
験結果を比較している。
したグラフであり、図１３はＭｏの析出量と電流密度の
関係を示したグラフである。又、図１４はめっき速度と
電流密度の関係を示したグラフである。それぞれのグラ
フにおいてワークとめっき液の擦り合わせ相対速度をそ
れぞれ０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）、１０ｃｍ／ｓｅｃ、
７０ｃｍ／ｓｅｃ、５００ｃｍ／ｓｅｃとした場合の試
験結果を比較している。
【００３８】図１２から明かなように、ワークとめっき
液との擦り合わせ相対速度が同一であれば、Ｂの共析量
は電流密度が増大するほど低下する。同一の電流密度で
比較した場合には、上記擦り合わせ相対速度が増加する
ほど、Ｂの共析量は増大する。又、図１３から明かよう
に、同一擦り合わせ速度におけるＭｏの析出量は、電流
密度の増加にともなって増大する。又、同一電流密度で
比較した場合には、Ｂの共析量同様、擦り合わせ相対速
度の増加にともなって、Ｍｏの供出量も増大する。
液との擦り合わせ相対速度が同一であれば、Ｂの共析量
は電流密度が増大するほど低下する。同一の電流密度で
比較した場合には、上記擦り合わせ相対速度が増加する
ほど、Ｂの共析量は増大する。又、図１３から明かよう
に、同一擦り合わせ速度におけるＭｏの析出量は、電流
密度の増加にともなって増大する。又、同一電流密度で
比較した場合には、Ｂの共析量同様、擦り合わせ相対速
度の増加にともなって、Ｍｏの供出量も増大する。
【００３９】具体的には、擦り合わせ相対速度が７０ｃ
ｍ／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場
合に比しＭｏの析出量が約２倍となる（電流密度２〜８
Ａ／ｄｍ2）。このことから、擦り合わせ相対速度の増
加させることによって、Ｂ及びＭｏの析出量を増加させ
ることができることが解る。
ｍ／ｓｅｃの場合には、０ｃｍ／ｓｅｃ（静止浴）の場
合に比しＭｏの析出量が約２倍となる（電流密度２〜８
Ａ／ｄｍ2）。このことから、擦り合わせ相対速度の増
加させることによって、Ｂ及びＭｏの析出量を増加させ
ることができることが解る。
【００４０】又、図１４から明らかなように、同一電流
密度では擦り合わせ相対速度が高いほどめっき速度は高
くなる。擦り合わせ相対速度が０ｃｍ／ｓｅｃ（静止
浴）の場合は電流密度が高くなるほどめっき速度の増加
率が減少するが、擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ以上の場合は電流密度が高くなってもめっき速度の増
加率は一定である。
密度では擦り合わせ相対速度が高いほどめっき速度は高
くなる。擦り合わせ相対速度が０ｃｍ／ｓｅｃ（静止
浴）の場合は電流密度が高くなるほどめっき速度の増加
率が減少するが、擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ以上の場合は電流密度が高くなってもめっき速度の増
加率は一定である。
【００４１】図１５及び図１６はめっき膜の断面ＴＥＭ
写真である。いずれも３Ａ／ｄｍ2の電流密度によるＮ
ｉ−Ｃｏ−Ｂめっきである。図１５は静止浴（擦り合わ
せ相対速度０ｍ／ｓｅｃ）によるめっき膜（Ｎｉがベー
スであり、Ｃｏを２２．４１重量％、Ｂを１．７２重量
％含有する。）であり、図１６は陰極であるワークを回
転電極とすることにより７０ｃｍ／ｓｅｃの擦り合わせ
相対速度をめっき液との間に生じさせて形成しためっき
膜（Ｎｉがベースであり、Ｃｏを５１．８４重量％、Ｂ
を２．６２重量％含有する。）である。擦り合わせ相対
速度が異なること以外、両者のめっき条件は同一であ
る。
写真である。いずれも３Ａ／ｄｍ2の電流密度によるＮ
ｉ−Ｃｏ−Ｂめっきである。図１５は静止浴（擦り合わ
せ相対速度０ｍ／ｓｅｃ）によるめっき膜（Ｎｉがベー
スであり、Ｃｏを２２．４１重量％、Ｂを１．７２重量
％含有する。）であり、図１６は陰極であるワークを回
転電極とすることにより７０ｃｍ／ｓｅｃの擦り合わせ
相対速度をめっき液との間に生じさせて形成しためっき
膜（Ｎｉがベースであり、Ｃｏを５１．８４重量％、Ｂ
を２．６２重量％含有する。）である。擦り合わせ相対
速度が異なること以外、両者のめっき条件は同一であ
る。
【００４２】図１５に示された静止浴によるめっき膜の
断面ＴＥＭ写真においては、図１６に示される擦り合わ
せ相対速度を７０ｃｍ／ｓｅｃ（他条件は静止浴に同
じ）のめっき膜に比べ、微細さが劣ることが解る。この
微細さの相違はＢの共析量の差に起因するものである。
更に、図１５中の黒丸で囲った部分には図１５の他の部
分とは異なる偏析分布の認められる結晶構造が見られ、
静止浴によるめっき膜は図１６の擦り合わせ相対速度７
０ｃｍ／ｓｅｃによるめっき膜に比しミクロ的にも不均
一であることが解る。換言すれば、擦り合わせ相対速度
７０ｃｍ／ｓｅｃのめっき膜がミクロ的に均一な結晶構
造であることが解り、擦り合わせ相対速度を増加させた
場合の方が、均一なめっき膜が得られることが解る。
断面ＴＥＭ写真においては、図１６に示される擦り合わ
せ相対速度を７０ｃｍ／ｓｅｃ（他条件は静止浴に同
じ）のめっき膜に比べ、微細さが劣ることが解る。この
微細さの相違はＢの共析量の差に起因するものである。
更に、図１５中の黒丸で囲った部分には図１５の他の部
分とは異なる偏析分布の認められる結晶構造が見られ、
静止浴によるめっき膜は図１６の擦り合わせ相対速度７
０ｃｍ／ｓｅｃによるめっき膜に比しミクロ的にも不均
一であることが解る。換言すれば、擦り合わせ相対速度
７０ｃｍ／ｓｅｃのめっき膜がミクロ的に均一な結晶構
造であることが解り、擦り合わせ相対速度を増加させた
場合の方が、均一なめっき膜が得られることが解る。
【００４３】本発明は上記めっき装置の実施例及びめっ
き膜の実験例の限定されるものではなく、特許請求の範
囲の記載に基づく技術的範囲内で種々の変更が可能であ
る。
き膜の実験例の限定されるものではなく、特許請求の範
囲の記載に基づく技術的範囲内で種々の変更が可能であ
る。
【００４４】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、同一電流
密度下においては静止浴に比してＢの共析量を高いレベ
ルで確保しつつ、金属系第３添加元素の析出量を増加さ
せることができるので、めっき膜の性能を向上させるこ
とができる。
密度下においては静止浴に比してＢの共析量を高いレベ
ルで確保しつつ、金属系第３添加元素の析出量を増加さ
せることができるので、めっき膜の性能を向上させるこ
とができる。
【００４５】更に、偏析分布を減少させることができる
ので、ミクロ的に均一であり、無電界めっき膜に比べ機
能面で劣ることのないめっき膜を提供することができ
る。
ので、ミクロ的に均一であり、無電界めっき膜に比べ機
能面で劣ることのないめっき膜を提供することができ
る。
【００４６】加えて、速い速度でめっき膜を形成するこ
とができ効率よくめっき作業を行うことができる。
とができ効率よくめっき作業を行うことができる。
【図１】本発明の合金めっき方法に使用するめっき装置
の第一実施例の平面図である。
の第一実施例の平面図である。
【図２】図１のめっき装置の縦断面図である。
【図３】本発明の合金めっき方法に使用するめっき装置
の第二実施例の概略図である。
の第二実施例の概略図である。
【図４】Ｎｉ−ＢめっきにおけるＢの共析量とめっき条
件の関係を示したグラフである
件の関係を示したグラフである
【図５】Ｎｉ−Ｂめっきにおけるめっき速度とめっき条
件の関係を示したグラフである。
件の関係を示したグラフである。
【図６】Ｎｉ−Ｃｏ−ＢめっきにおけるＢの共析量とめ
っき条件の関係を示したグラフである。
っき条件の関係を示したグラフである。
【図７】Ｎｉ−Ｃｏ−ＢめっきにおけるＣｏの析出量と
めっき条件の関係を示したグラフである。
めっき条件の関係を示したグラフである。
【図８】Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂめっきにおけるめっき速度とめ
っき条件との関係を示したグラフである。
っき条件との関係を示したグラフである。
【図９】Ｎｉ−Ｗ−ＢめっきにおけるＢの共析量とめっ
き条件の関係を示したグラフである。
き条件の関係を示したグラフである。
【図１０】Ｎｉ−Ｗ−ＢめっきにおけるＷの析出量とめ
っき条件の関係を示したグラフである。
っき条件の関係を示したグラフである。
【図１１】Ｎｉ−Ｗ−Ｂめっきにおけるめっき速度とめ
っき条件との関係を示したグラフである。
っき条件との関係を示したグラフである。
【図１２】Ｎｉ−Ｍｏ−ＢめっきにおけるＢの共析量と
めっき条件の関係を示したグラフである。
めっき条件の関係を示したグラフである。
【図１３】Ｎｉ−Ｍｏ−ＢめっきにおけるＭｏの析出量
とめっき条件の関係を示したグラフである。
とめっき条件の関係を示したグラフである。
【図１４】Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂめっきにおけるめっき速度と
めっき条件との関係を示したグラフである。
めっき条件との関係を示したグラフである。
【図１５】静止浴によるめっき膜の断面ＴＥＭ写真であ
る。
る。
【図１６】擦り合わせ相対速度７０ｃｍ／ｓｅｃによる
めっき膜の断面ＴＥＭ写真である。
めっき膜の断面ＴＥＭ写真である。
１ ワーク ２ チタンバスケット ３ ニッケルボール ４ 回転軸 ２１ めっき漕 ２２ めっき液タンク ２３ ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 徹 神奈川県厚木市毛利台３−17−19
Claims (1)
- 【請求項１】 被めっき部材であるめっき陰極とめっき
液との少なくとも一方を移動させ、めっき陰極表面の接
触部分における両者の擦り合わせ相対速度が１０ｃｍ／
ｓｅｃ以上且つ５００ｃｍ／ｓｅｃ以下となるようにし
つつめっき陰極とめっき液とを接触させめっき膜を形成
することを特徴とする合金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24518491A JPH0559582A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 合金めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24518491A JPH0559582A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 合金めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559582A true JPH0559582A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=17129864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24518491A Pending JPH0559582A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 合金めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0559582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551472B2 (en) | 2000-06-16 | 2003-04-22 | Sony Corporation | Electroforming apparatus |
| JP2008045206A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Think Laboratory Co Ltd | ニッケル合金メッキ方法、ニッケル合金、グラビア製版ロール及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP24518491A patent/JPH0559582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551472B2 (en) | 2000-06-16 | 2003-04-22 | Sony Corporation | Electroforming apparatus |
| JP2008045206A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Think Laboratory Co Ltd | ニッケル合金メッキ方法、ニッケル合金、グラビア製版ロール及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chandrasekar et al. | Pulse and pulse reverse plating—Conceptual, advantages and applications | |
| US20050205425A1 (en) | Process for electroplating metallic and metall matrix composite foils, coatings and microcomponents | |
| US4908106A (en) | Electroplating of fine particles with metal | |
| ZA200410368B (en) | Process for electroplating metallic and metal matrix composite foils, coating and microcomponents | |
| US20090178933A1 (en) | Method for Making Nanoparticles or Fine Particles | |
| JP2000355774A (ja) | めっき方法とそれに用いるめっき液前駆体 | |
| CN104451789A (zh) | 一种用于在铝基碳纳米管上电镀镍的镀液 | |
| US3884772A (en) | Method for producing a heat exchanger element | |
| CN113089036B (zh) | 一种变频功率超声电沉积纳米金属陶瓷复合层制备方法 | |
| US10472709B2 (en) | High strength, high conductivity electroformed copper alloys and methods of making | |
| US3506546A (en) | Copper coating | |
| JPH0559582A (ja) | 合金めつき方法 | |
| JP2017172017A (ja) | サテンニッケルめっき浴およびサテンニッケルめっき方法 | |
| JP4139312B2 (ja) | 電解めっき方法 | |
| Safranek et al. | Fast rate electrodeposition | |
| CN102312257A (zh) | 一种脉冲电沉积制备纳米晶镍-铁-钴三元合金的方法 | |
| CN115787012A (zh) | 一种低应力、自润滑高钨Ni-W合金镀层的制备方法 | |
| JP4991472B2 (ja) | 電気めっき方法 | |
| CN114293232A (zh) | 一种电铸制备钨弥散强化铜复合材料的方法 | |
| JP2006265603A (ja) | 電気化学的表面処理装置及び電気化学的表面処理方法 | |
| CN100535199C (zh) | 一种用于电镀液中纳米微粒的分散方法 | |
| CN110468431B (zh) | 环保铬-石墨烯复合涂层的制备方法 | |
| Hu et al. | Preparation of nickel-cobalt/carborundum carbide composite coatings by supergravity field-enhanced electrodeposition | |
| Albusalih et al. | Review of electroplating techniques of nanocomposites | |
| JP2012031471A (ja) | 電気めっき方法及びめっき部材の製造方法 |