JPH0553149A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0553149A JPH0553149A JP23699691A JP23699691A JPH0553149A JP H0553149 A JPH0553149 A JP H0553149A JP 23699691 A JP23699691 A JP 23699691A JP 23699691 A JP23699691 A JP 23699691A JP H0553149 A JPH0553149 A JP H0553149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- picture element
- electrodes
- liquid crystal
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画素単位の表示異常を軽減しつつ、開口率を
増加させる。 【構成】 一画素内の２つの画素電極６ａ、６ｂをそれ
ぞれ異なるＴＦＴにより駆動するものにおいて、２つの
ＴＦＴのソース電極４を同一の信号配線３に接続する。 【効果】 同一画素内の２つの画素電極を異なるＴＦＴ
により駆動しているので、一方のＴＦＴが不良であって
も、画素全体は表示が可能であるので、製品を良品とし
て救済できる。２つの画素電極が他の配線を挾むことな
く、近接配置されたので、対向電極基板の画素電極間部
分に対応する部分に遮光膜を設けなくて済むので開口率
が向上する。
増加させる。 【構成】 一画素内の２つの画素電極６ａ、６ｂをそれ
ぞれ異なるＴＦＴにより駆動するものにおいて、２つの
ＴＦＴのソース電極４を同一の信号配線３に接続する。 【効果】 同一画素内の２つの画素電極を異なるＴＦＴ
により駆動しているので、一方のＴＦＴが不良であって
も、画素全体は表示が可能であるので、製品を良品とし
て救済できる。２つの画素電極が他の配線を挾むことな
く、近接配置されたので、対向電極基板の画素電極間部
分に対応する部分に遮光膜を設けなくて済むので開口率
が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
特に複数の画素電極によって一つの画素が構成されるア
クティブマトリックス液晶表示装置に関する。
特に複数の画素電極によって一つの画素が構成されるア
クティブマトリックス液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の歩留りを向上させる一つ
の手段として複数の画素電極により一つの画素を構成す
ることが知られている。これは、各画素電極を異なるＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）により駆動するようにしてお
けば、仮に一つのＴＦＴが欠陥となっても他のＴＦＴが
正常であれば表示画面全体としては欠陥がそれ程目立た
ないので、その製品を良品として救済しようとするもの
である。
の手段として複数の画素電極により一つの画素を構成す
ることが知られている。これは、各画素電極を異なるＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）により駆動するようにしてお
けば、仮に一つのＴＦＴが欠陥となっても他のＴＦＴが
正常であれば表示画面全体としては欠陥がそれ程目立た
ないので、その製品を良品として救済しようとするもの
である。
【０００３】図６は、この種従来の液晶表示装置のＴＦ
Ｔ基板の平面図である。同図において、１はゲート電極
を兼ねる走査配線、２は走査配線１上にゲート絶縁膜を
介して形成されたアモルファスシリコン膜（以下、ａ−
Ｓｉ膜と記す）、３ｃ、３ｄは信号配線、４は信号配線
３ｃ、３ｄと一体的に形成されたソース電極、５はドレ
イン電極、６ｃ、６ｄはドレイン電極５と接続された画
素電極である。
Ｔ基板の平面図である。同図において、１はゲート電極
を兼ねる走査配線、２は走査配線１上にゲート絶縁膜を
介して形成されたアモルファスシリコン膜（以下、ａ−
Ｓｉ膜と記す）、３ｃ、３ｄは信号配線、４は信号配線
３ｃ、３ｄと一体的に形成されたソース電極、５はドレ
イン電極、６ｃ、６ｄはドレイン電極５と接続された画
素電極である。
【０００４】そして、別個のＴＦＴにより電圧が供給さ
れる画素電極６ｃ、６ｄにより、幅Ｗ、長さＬの一画素
が構成されている。このようなＴＦＴ基板に対応して、
対向電極基板（カラーフィルタ基板を含む）の遮光用ク
ロム膜１１ａは、図７に示されるように、それぞれの画
素電極の周辺を数μｍ覆うように形成されていた。
れる画素電極６ｃ、６ｄにより、幅Ｗ、長さＬの一画素
が構成されている。このようなＴＦＴ基板に対応して、
対向電極基板（カラーフィルタ基板を含む）の遮光用ク
ロム膜１１ａは、図７に示されるように、それぞれの画
素電極の周辺を数μｍ覆うように形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例では、
同一画素内に信号配線が敷設されているため、その分画
素電極の面積が狭められていた。さらに、信号配線上は
完全に遮光膜で覆う必要があるので、目合わせずれ分も
考慮に入れると、画素電極のかなりの部分が遮光膜で覆
われてしまう。そのため、従来例には、開口率を高くす
ることができず光の利用効率が低いという欠点があっ
た。
同一画素内に信号配線が敷設されているため、その分画
素電極の面積が狭められていた。さらに、信号配線上は
完全に遮光膜で覆う必要があるので、目合わせずれ分も
考慮に入れると、画素電極のかなりの部分が遮光膜で覆
われてしまう。そのため、従来例には、開口率を高くす
ることができず光の利用効率が低いという欠点があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置で
は、ＴＦＴ基板が一個の薄膜トランジスタによって制御
される画素電極が一画素内に複数個存在しかつ同一画素
内の画素電極が他の電極を挟むことなく狭い間隙を置い
て配置されるように構成される。
は、ＴＦＴ基板が一個の薄膜トランジスタによって制御
される画素電極が一画素内に複数個存在しかつ同一画素
内の画素電極が他の電極を挟むことなく狭い間隙を置い
て配置されるように構成される。
【０００７】また、本発明の液晶表示装置では、上記画
素電極構造を有するＴＦＴ基板と向かい合わせるカラー
フィルタ基板または対向電極基板の遮光膜が、同一画素
内の複数の画素電極を分離する間隙部分に遮光膜パター
ンを有しないかまたは極く細い遮光膜パターンを有する
構造となっている。
素電極構造を有するＴＦＴ基板と向かい合わせるカラー
フィルタ基板または対向電極基板の遮光膜が、同一画素
内の複数の画素電極を分離する間隙部分に遮光膜パター
ンを有しないかまたは極く細い遮光膜パターンを有する
構造となっている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板
の平面図、図２は第１の実施例の、図１のＡ−Ａ線に相
当する部分の断面図、図３は第１の実施例の対向電極基
板の平面図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板
の平面図、図２は第１の実施例の、図１のＡ−Ａ線に相
当する部分の断面図、図３は第１の実施例の対向電極基
板の平面図である。
【０００９】図１において、１は走査配線、２はａ−Ｓ
ｉ膜、３は信号配線、４はソース電極、５はドレイン電
極、６ａ、６ｂはそれぞれ同一の画素内に含まれる画素
電極である。なお、本図では蓄積キャパシタおよびその
配線の図示は省略されている。
ｉ膜、３は信号配線、４はソース電極、５はドレイン電
極、６ａ、６ｂはそれぞれ同一の画素内に含まれる画素
電極である。なお、本図では蓄積キャパシタおよびその
配線の図示は省略されている。
【００１０】この実施例の特徴的なことは、一画素を２
分割している画素電極６ａ、６ｂに接続されている２つ
のソース電極が互いに連結されており、これが１つの信
号配線３に接続されている点である。このように構成し
たことにより、画素電極６ａと画素電極６ｂとの間に従
来のように信号配線を敷設する必要はなくなるので、こ
れら画素電極の間隔を８μｍ以下、例えば４μｍ程度に
まで狭めることができる。
分割している画素電極６ａ、６ｂに接続されている２つ
のソース電極が互いに連結されており、これが１つの信
号配線３に接続されている点である。このように構成し
たことにより、画素電極６ａと画素電極６ｂとの間に従
来のように信号配線を敷設する必要はなくなるので、こ
れら画素電極の間隔を８μｍ以下、例えば４μｍ程度に
まで狭めることができる。
【００１１】図２、図３において、７はＴＦＴ側ガラス
基板、８はゲート絶縁膜、９は対向電極側ガラス基板、
１０は対向電極、１１は遮光用クロム膜である。ここ
で、ＴＦＴ側ガラス基板７と対向電極側ガラス基板９と
の間隔は６μｍ程度である。これらの図においては、こ
れらガラス基板間に存在する保護膜、配向膜、液晶材お
よび両ガラス基板の外側に存在する偏光板などは省略し
てある。また、図３での画素電極６ａ、６ｂは、ＴＦＴ
基板側のパターンを仮想的に記載したものである。
基板、８はゲート絶縁膜、９は対向電極側ガラス基板、
１０は対向電極、１１は遮光用クロム膜である。ここ
で、ＴＦＴ側ガラス基板７と対向電極側ガラス基板９と
の間隔は６μｍ程度である。これらの図においては、こ
れらガラス基板間に存在する保護膜、配向膜、液晶材お
よび両ガラス基板の外側に存在する偏光板などは省略し
てある。また、図３での画素電極６ａ、６ｂは、ＴＦＴ
基板側のパターンを仮想的に記載したものである。
【００１２】２つの画素電極６ａ、６ｂと対向電極１０
および信号配線３との間に電圧が印加された場合の電界
の状況を図２において電気力線Ｅにて示す。画素電極と
信号配線３との間においては、電界の乱れが発生する
が、画素電極６ａと画素電極６ｂとの間では、やや電束
密度は小さくなるものの電界の乱れが生じることはな
い。従って、この部分でも液晶材は画素電極部分と同様
に配向される。従って、これらの画素電極間の間隙に対
応する部分に、対向電極側ガラス基板９上で一画素内を
分割する遮光用クロム膜を配置する必要はなくなり、開
口率は従来の構造よりも２０％程度増加させることがで
きる。
および信号配線３との間に電圧が印加された場合の電界
の状況を図２において電気力線Ｅにて示す。画素電極と
信号配線３との間においては、電界の乱れが発生する
が、画素電極６ａと画素電極６ｂとの間では、やや電束
密度は小さくなるものの電界の乱れが生じることはな
い。従って、この部分でも液晶材は画素電極部分と同様
に配向される。従って、これらの画素電極間の間隙に対
応する部分に、対向電極側ガラス基板９上で一画素内を
分割する遮光用クロム膜を配置する必要はなくなり、開
口率は従来の構造よりも２０％程度増加させることがで
きる。
【００１３】図４は、本発明の第２の実施例のＴＦＴ基
板の平面図である。本実施例の第１の実施例と相違する
点は、画素の左、右にそれぞれ信号配線３ａ、３ｂを配
置し、画素電極６ａを右側の信号配線３ａにより、また
画素電極６ｂを左側の信号配線３ｂにより給電するよう
にした点である。
板の平面図である。本実施例の第１の実施例と相違する
点は、画素の左、右にそれぞれ信号配線３ａ、３ｂを配
置し、画素電極６ａを右側の信号配線３ａにより、また
画素電極６ｂを左側の信号配線３ｂにより給電するよう
にした点である。
【００１４】本実施例では、信号配線を分割したのでそ
の分開口率が下がるが、同一画素内のＴＦＴの同時不良
の確率を下げることができるという利点がある。
の分開口率が下がるが、同一画素内のＴＦＴの同時不良
の確率を下げることができるという利点がある。
【００１５】図５は、本発明の第３の実施例のＴＦＴ基
板の平面図である。本実施例では、第１の実施例と相違
して、上下に並んだ画素が交互に左右の信号配線から給
電されるようになされている。画面の表示特性を改善す
るために、画素列の各画素を交互に信号配線を交替させ
て給電することがあるが、図６に示す従来例ではこのよ
うな手段を採用することができなかったが、本発明によ
れば、本実施例に示されるようにこれを容易に実施でき
る。
板の平面図である。本実施例では、第１の実施例と相違
して、上下に並んだ画素が交互に左右の信号配線から給
電されるようになされている。画面の表示特性を改善す
るために、画素列の各画素を交互に信号配線を交替させ
て給電することがあるが、図６に示す従来例ではこのよ
うな手段を採用することができなかったが、本発明によ
れば、本実施例に示されるようにこれを容易に実施でき
る。
【００１６】以上の実施例では、遮光膜は、同一画素の
画素電極間の間隙部分に遮光膜パターンを有していなか
ったが、ここでの光の漏れを嫌う場合には（ここには画
素電極が存在していないので黒表示時に多少の光漏れは
起こりうる）、ここにも遮光膜パターンを設けることが
できる。その場合でもここに信号配線が存在していない
ので、ここでの遮光膜パターンは従来例の場合より１０
μｍ以上狭くすることができる。よって、この場合にも
開口率を従来例より１０％程度増加させることができ
る。また、上記実施例では、一画素を２個の画素電極に
より構成していたが、これを３個以上の画素電極により
構成するように変更することができる。
画素電極間の間隙部分に遮光膜パターンを有していなか
ったが、ここでの光の漏れを嫌う場合には（ここには画
素電極が存在していないので黒表示時に多少の光漏れは
起こりうる）、ここにも遮光膜パターンを設けることが
できる。その場合でもここに信号配線が存在していない
ので、ここでの遮光膜パターンは従来例の場合より１０
μｍ以上狭くすることができる。よって、この場合にも
開口率を従来例より１０％程度増加させることができ
る。また、上記実施例では、一画素を２個の画素電極に
より構成していたが、これを３個以上の画素電極により
構成するように変更することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、画素単
位の表示異常を軽減するために一画素を複数の画素電極
で構成した場合に、画素内の複数の画素電極を近接配置
し、その間に他の電極配線を通過せしめないようにした
ものであるので、本発明によれば、対向電極基板の単位
画素領域当たりの遮光膜パターンの面積を減少させるこ
とができ、開口率を大幅に向上させることができる。ま
た、本発明によれば、一画素内を分割する部分の遮光膜
の面積を減少させたりあるいはこの部分の遮光膜パター
ンを除去することができるので、画素単位の識別分解能
を向上させ、表示画面をより見やすくすることができ
る。
位の表示異常を軽減するために一画素を複数の画素電極
で構成した場合に、画素内の複数の画素電極を近接配置
し、その間に他の電極配線を通過せしめないようにした
ものであるので、本発明によれば、対向電極基板の単位
画素領域当たりの遮光膜パターンの面積を減少させるこ
とができ、開口率を大幅に向上させることができる。ま
た、本発明によれば、一画素内を分割する部分の遮光膜
の面積を減少させたりあるいはこの部分の遮光膜パター
ンを除去することができるので、画素単位の識別分解能
を向上させ、表示画面をより見やすくすることができ
る。
【図１】 本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板の平面
図。
図。
【図２】 本発明の第１の実施例の断面図。
【図３】 本発明の第１の実施例の対向電極基板の平面
図。
図。
【図４】 本発明の第２の実施例のＴＦＴ基板の平面
図。
図。
【図５】 本発明の第３の実施例のＴＦＴ基板の平面
図。
図。
【図６】 従来例のＴＦＴ基板の平面図。
【図７】 従来例の対向電極基板の平面図。
１…走査配線、 ２…アモルファスシリコン膜（ａ−
Ｓｉ膜）、 ３、３ａ〜３ｄ…信号配線、 ４…ソ
ース電極、 ５…ドレイン電極、 ６ａ〜６ｄ…画
素電極、 ７…ＴＦＴ側ガラス基板、 ８…ゲート
絶縁膜、 ９…対向電極側ガラス基板、 １０…対
向電極、 １１、１１ａ…遮光用クロム膜。
Ｓｉ膜）、 ３、３ａ〜３ｄ…信号配線、 ４…ソ
ース電極、 ５…ドレイン電極、 ６ａ〜６ｄ…画
素電極、 ７…ＴＦＴ側ガラス基板、 ８…ゲート
絶縁膜、 ９…対向電極側ガラス基板、 １０…対
向電極、 １１、１１ａ…遮光用クロム膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＴＦＴ基板における複数の画素がそれぞ
れ異なる薄膜トランジスタによって制御される複数の画
素電極によって構成されかつ同一画素内の画素電極同士
が他の電極配線を挟むことなく狭い間隙を置いて配置さ
れている液晶表示装置。 - 【請求項２】 同一画素内の画素電極を制御する複数の
薄膜トランジスタのソース電極が同一の信号配線に接続
されている請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 ＴＦＴ基板に対向配置される対向電極基
板の遮光膜は、同一画素に対しては単一の開口部を有す
るものである請求項１または２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23699691A JPH0553149A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23699691A JPH0553149A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553149A true JPH0553149A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17008847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23699691A Pending JPH0553149A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553149A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6195263B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-02-27 | Aisin Aw Co., Ltd. | Electronic control unit |
| JP2002072981A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-12 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8797758B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-08-05 | Nissan Kogyo Co., Ltd. | Electrical connection structure of electronic board |
| JP2019090980A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示パネル |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP23699691A patent/JPH0553149A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6195263B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-02-27 | Aisin Aw Co., Ltd. | Electronic control unit |
| JP2002072981A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-12 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8797758B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-08-05 | Nissan Kogyo Co., Ltd. | Electrical connection structure of electronic board |
| JP2019090980A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示パネル |
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