JPH0551747A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0551747A JPH0551747A JP21489691A JP21489691A JPH0551747A JP H0551747 A JPH0551747 A JP H0551747A JP 21489691 A JP21489691 A JP 21489691A JP 21489691 A JP21489691 A JP 21489691A JP H0551747 A JPH0551747 A JP H0551747A
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- Japan
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- tank
- gas
- manifold
- mixing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】常圧ＣＶＤ装置において２種類以上の材料ガス
を用いて成膜しようとする場合、その材料ガスの不完全
な混合により生じる、膜厚均一性の悪化及び膜質均一性
の悪化をなくす。 【構成】複数の材料ガスを導入するガス導入管１と、こ
の導入管に接続されたマニホールド３と、このマニホー
ルド３に接続された混合用のタンク５と、このタンク５
に接続されたノズル７とを含んで構成される。予め混合
された材料ガスは、本発明である材料ガス混合装置６の
タンクに導入され、拡散混合を促進すると共に、電極６
Ａ，６Ｂにより高周波が印加される。高周波の印加によ
りタンク内の材料ガスは、一種のプラズマ状態となる事
により又、分子運動の活性化により、混合が促進されノ
ズル７に送られる。この場合、材料ガス（ＳｉＨ4 ，Ｐ
Ｈ3 ，Ｎ2 ）と、Ｏ2 ガスは、混合しない。
を用いて成膜しようとする場合、その材料ガスの不完全
な混合により生じる、膜厚均一性の悪化及び膜質均一性
の悪化をなくす。 【構成】複数の材料ガスを導入するガス導入管１と、こ
の導入管に接続されたマニホールド３と、このマニホー
ルド３に接続された混合用のタンク５と、このタンク５
に接続されたノズル７とを含んで構成される。予め混合
された材料ガスは、本発明である材料ガス混合装置６の
タンクに導入され、拡散混合を促進すると共に、電極６
Ａ，６Ｂにより高周波が印加される。高周波の印加によ
りタンク内の材料ガスは、一種のプラズマ状態となる事
により又、分子運動の活性化により、混合が促進されノ
ズル７に送られる。この場合、材料ガス（ＳｉＨ4 ，Ｐ
Ｈ3 ，Ｎ2 ）と、Ｏ2 ガスは、混合しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、常圧ＣＶＤ装置に関
し、特に反応部への材料ガスの供給部の構成に関する。
し、特に反応部への材料ガスの供給部の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧ＣＶＤ装置の材料ガス供給部
は、図２に示す様に、複数の材料ガス（Ｎ2 ，Ｓｉ
Ｈ4 ，ＰＨ3 ）を各々ガス導入管１より導入し、マスフ
ローコントローラ２により、流量制御した後に、マニホ
ールド３に導入して合流し、ノズル７から混合ガス９と
して反応炉に導入するように構成されていた。この場
合、各材料ガスは、ノズル７に達する迄の間にマニホー
ルド３のみで拡散混合されていた。
は、図２に示す様に、複数の材料ガス（Ｎ2 ，Ｓｉ
Ｈ4 ，ＰＨ3 ）を各々ガス導入管１より導入し、マスフ
ローコントローラ２により、流量制御した後に、マニホ
ールド３に導入して合流し、ノズル７から混合ガス９と
して反応炉に導入するように構成されていた。この場
合、各材料ガスは、ノズル７に達する迄の間にマニホー
ルド３のみで拡散混合されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の常圧ＣＶＤ
装置では、材料ガス同志の混合は、マニホールド３での
合流による拡散混合のみである為、ノズル７から噴出す
る時点で均一に混合されていない。また、スリット状の
ノズル７から噴出する材料ガスは、カーテン状のガス流
になるが、このガス流内に材料ガスの温度分布を生じる
為、成膜された膜は、その影響を受けて、膜質や膜厚の
均一性が悪くなるという問題点が有った。
装置では、材料ガス同志の混合は、マニホールド３での
合流による拡散混合のみである為、ノズル７から噴出す
る時点で均一に混合されていない。また、スリット状の
ノズル７から噴出する材料ガスは、カーテン状のガス流
になるが、このガス流内に材料ガスの温度分布を生じる
為、成膜された膜は、その影響を受けて、膜質や膜厚の
均一性が悪くなるという問題点が有った。
【０００４】特にリン（Ｐ）やホウ素（Ｂ）を膜中にド
ーピングする場合、Ｐ又はＢ濃度のウェーハ面内均一性
が悪化し、半導体装置の品質及び歩留りを低下させると
いう問題点があった。
ーピングする場合、Ｐ又はＢ濃度のウェーハ面内均一性
が悪化し、半導体装置の品質及び歩留りを低下させると
いう問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置
は、複数の材料ガスを導入するガス導入管と、このガス
導入管に接続されたマニホールドと、このマニホールド
に接続された混合用のタンクと、このタンクに接続され
たノズルとを含むものであり、特にタンク内に高周波印
加用の電極を設けたものである。
は、複数の材料ガスを導入するガス導入管と、このガス
導入管に接続されたマニホールドと、このマニホールド
に接続された混合用のタンクと、このタンクに接続され
たノズルとを含むものであり、特にタンク内に高周波印
加用の電極を設けたものである。
【０００６】
【作用】混合用のタンクを設けることにより材料ガスの
混合は均一になる。また、高周波が印加される材料ガス
は、分子の原子間結合が一部切り離され、一種のプラズ
マ状態となり、更に発生した熱エネルギーにより分子運
動が活発になるため、混合が促進される。
混合は均一になる。また、高周波が印加される材料ガス
は、分子の原子間結合が一部切り離され、一種のプラズ
マ状態となり、更に発生した熱エネルギーにより分子運
動が活発になるため、混合が促進される。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の構成図である。
る。図１は本発明の一実施例の構成図である。
【０００８】図１を参照すると、複数のガス導入管１は
マスフローコントローラ２を介してマニホールド３に接
続しており、このマニホールド３はガス混合用のタンク
５に接続されている。そしてこのタンク５はノズル７に
接続されている。以下材料ガスの流れと共に更に説明す
る。
マスフローコントローラ２を介してマニホールド３に接
続しており、このマニホールド３はガス混合用のタンク
５に接続されている。そしてこのタンク５はノズル７に
接続されている。以下材料ガスの流れと共に更に説明す
る。
【０００９】成膜の為の材料ガス（Ｎ2 ，ＳｉＨ4 ，Ｐ
Ｈ3 ）は、ガス導入管１より導入され、マスフローコン
トローラ２により各々の流量が制御され、マニホールド
３において合流し予め混合される。予め混合された材料
ガスは、混合用のタンク５内に入り、更に拡散混合が促
進され均一となる。
Ｈ3 ）は、ガス導入管１より導入され、マスフローコン
トローラ２により各々の流量が制御され、マニホールド
３において合流し予め混合される。予め混合された材料
ガスは、混合用のタンク５内に入り、更に拡散混合が促
進され均一となる。
【００１０】そして特に、このタンク５の内部には、電
極６Ａ，６Ｂが設けられ、これらの電極には高周波発振
装置８により高周波が印加されるように構成されてい
る。この高周波により、電極６Ａ，６Ｂ間に存在する材
料ガスは、プラズマ状態となり、予め混合された状態か
ら更に混合され反応炉内のノズル７に送られる。
極６Ａ，６Ｂが設けられ、これらの電極には高周波発振
装置８により高周波が印加されるように構成されてい
る。この高周波により、電極６Ａ，６Ｂ間に存在する材
料ガスは、プラズマ状態となり、予め混合された状態か
ら更に混合され反応炉内のノズル７に送られる。
【００１１】また、タンク５からマニホールド３及びノ
ズル７に高周波が大量に漏洩する事を防止する為に、ア
イソレーター４を設けて電気的に絶縁している。一方、
ノズル７にはＯ2 ガスも送られるが、その噴出口は混合
ガスの噴出口の近くに設けられており、ノズル７内では
材料ガス（ＳｉＨ4 ，ＰＨ3 ，Ｎ2 ）とＯ2 ガスは混合
しない。
ズル７に高周波が大量に漏洩する事を防止する為に、ア
イソレーター４を設けて電気的に絶縁している。一方、
ノズル７にはＯ2 ガスも送られるが、その噴出口は混合
ガスの噴出口の近くに設けられており、ノズル７内では
材料ガス（ＳｉＨ4 ，ＰＨ3 ，Ｎ2 ）とＯ2 ガスは混合
しない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、常圧ＣＶ
Ｄ装置のマニホールドとノズルの間に材料ガス混合用の
タンクを設けることにより、材料ガスをより均一に混合
することができる。更にタンク内に高周波印加用の電極
を設け、混合ガスに高周波を印加する事により、更に均
一に混合した材料ガスを反応部に供給する事が可能にな
る。
Ｄ装置のマニホールドとノズルの間に材料ガス混合用の
タンクを設けることにより、材料ガスをより均一に混合
することができる。更にタンク内に高周波印加用の電極
を設け、混合ガスに高周波を印加する事により、更に均
一に混合した材料ガスを反応部に供給する事が可能にな
る。
【００１３】その結果、反応部のノズルから噴出するカ
ーテン状のガス流内に、材料ガスの濃度分布が生じるこ
とがない為、成膜される膜は、膜質、膜厚の均一性が向
上する。特にＰやＢを膜中にドーピングする場合、Ｐ又
はＢ濃度のウェーハ面内の均一性が良くなるため、半導
体装置の信頼性及び歩留りが向上するという効果を有す
る。
ーテン状のガス流内に、材料ガスの濃度分布が生じるこ
とがない為、成膜される膜は、膜質、膜厚の均一性が向
上する。特にＰやＢを膜中にドーピングする場合、Ｐ又
はＢ濃度のウェーハ面内の均一性が良くなるため、半導
体装置の信頼性及び歩留りが向上するという効果を有す
る。
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】従来の常圧ＣＶＤ装置の材料ガス導入部の構成
図。
図。
１ ガス導入管 ２ マスフローコントローラ ３ マニホールド ４ アイソレーター ５ タンク ６Ａ，６Ｂ 電極 ７ ノズル ８ 高周波発振装置 ９ 混合ガス
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の材料ガスを導入するガス導入管
と、このガス導入管に接続されたマニホールドと、この
マニホールドに接続された混合用のタンクと、このタン
クに接続されたノズルとを含むことを特徴とする常圧Ｃ
ＶＤ装置。 - 【請求項２】 タンク内には高周波電圧印加用の電極が
設けられている請求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214896A JP2912059B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214896A JP2912059B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551747A true JPH0551747A (ja) | 1993-03-02 |
| JP2912059B2 JP2912059B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=16663358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3214896A Expired - Fee Related JP2912059B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912059B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006521015A (ja) * | 2003-03-12 | 2006-09-14 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | シリコンゲルマニウムの、平坦化及び欠陥密度を減少させる方法 |
| JP2006287195A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| WO2023175740A1 (ja) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及びガス供給ユニット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011057U (ja) * | 1994-11-10 | 1995-05-16 | 平湘 何 | ペン式測量器の検出装置 |
| JP3078061U (ja) * | 2000-12-01 | 2001-06-22 | ティーディーケイ株式会社 | 収納ケース |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP3214896A patent/JP2912059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011057U (ja) * | 1994-11-10 | 1995-05-16 | 平湘 何 | ペン式測量器の検出装置 |
| JP3078061U (ja) * | 2000-12-01 | 2001-06-22 | ティーディーケイ株式会社 | 収納ケース |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006521015A (ja) * | 2003-03-12 | 2006-09-14 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | シリコンゲルマニウムの、平坦化及び欠陥密度を減少させる方法 |
| JP2006287195A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| US8343594B2 (en) | 2005-03-11 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
| WO2023175740A1 (ja) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及びガス供給ユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2912059B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990309 |
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