JPH0550914B2 - - Google Patents

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JPH0550914B2
JPH0550914B2 JP60213599A JP21359985A JPH0550914B2 JP H0550914 B2 JPH0550914 B2 JP H0550914B2 JP 60213599 A JP60213599 A JP 60213599A JP 21359985 A JP21359985 A JP 21359985A JP H0550914 B2 JPH0550914 B2 JP H0550914B2
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chip
imager
state imager
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light
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JP60213599A
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JPS6193782A (ja
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Aran Rebain Piita
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RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Publication of JPH0550914B2 publication Critical patent/JPH0550914B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H04N23/13Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with multiple sensors
    • H04N23/15Image signal generation with circuitry for avoiding or correcting image misregistration
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ソリツド・ステート・イメージ
ヤ・チツプおよびこのソリツド・ステート・イメ
ージヤ・チツプを光学的に配列してソリツド・ス
テート・イメージヤを製造する方法に関するもの
である。
<発明の背景> 複数のソリツド・ステート・イメージヤ・チツ
プが同じ像を映し出すように光学的に配列されて
おり、且つ各イメージヤ・チツプがその像の構成
素子部分である電気信号を発生するとき、各イメ
ージヤ・チツプの感光性結像(イメージング)領
域は他のイメージヤ・チツプと整合していること
が必要である。例えば、カラー・ビデオ・カメラ
では、カラー分光プリズムは場面からの反射光を
赤(R)、緑(G)、青(B)の各成分に分割することができ
る。ソリツド・ステート・イメージヤ・チツプは
プリズムの各光出口ポートに配置されており、場
面の成分カラー像を受入れてそれに対応する電気
信号を生成する。全カラーの映像を適正に再生す
るためには、R、G、B成分電気信号は互いに空
間的に一致したカラー成分を表すことが必要であ
る。すなわち、各々の電気信号が像の同じ部分を
同時に表すように、各ソリツド・ステート・イメ
ージヤ・チツプは互いに正確に整列していなけれ
ばならない。
1982年4月6日付けで特許された米国特許第
4323918号明細書に示されているような従来技術
では、各々セラミツク絶縁性集積回路(IC)パ
ツケージ中に収容されたソリツド・ステート結像
チツプを含む個々のソリツド・ステート・イメー
ジヤは、所定量の紫外線(UV)に曝されるまで
は硬化あるいは固まらない接着剤を使用して各プ
リズムの各光出口ポートに配置される。次に各イ
メージヤに電気的接続が施され、そのイメージヤ
が適正に動作するように動作信号が供給される。
各イメージヤからの成分カラーを表す電気信号は
ビデオ・モニタ上で同時に観察される。次にカラ
ー・ラスタが許容公差内で各他のラスタと空間的
に一致するまで各プリズムの光出口ポートで再度
位置調整され、映像が全カラーで正確に再現され
るようにする。最後にイメージヤの接着剤にUV
光が照射され、接着剤を硬化させてイメージヤを
プリズム上の関連する位置に固定する。この整列
技術は、各イメージヤを動作させるための仮の電
気的接続を行う必要がある。各イメージヤに対す
る動作レベルは処理の差違によつて異なる可能性
があるので、このような技術は好ましくない。そ
の結果、この整列技術は時間の浪費が大きく、熟
練した作業員を必要とし、完成したカメラの製造
原価を引上げることになる。
1984年9月26日付けで「SOLID−STATE
IMAGER CHIP MOUNTING(ソリツド・ステ
ート・イメージヤ・チツプ・マウンテイング)」
という名称で出願された米国特許出願第654556号
(特開昭61−112480号に対応)明細書中には、容
器に収容されていない、すなわちパツクされてい
ないイメージヤ・チツプがプリズムの各光出口ポ
ートに直接接着されたイメージヤの組立て構造に
ついて示されている。好ましい実施例では、薄く
形成された基板イメージヤ・チツプ(基板が化学
的に薄く、例えば8乃至10ミクロンにエツチング
されたイメージヤ・チツプ)の感光性面がプリズ
ムの光出口ポートに接着される。接続ワイヤはチ
ツプの接続パツドをプリズムの光出口ポートの面
上の金属化された導体パターンに接続し、それに
よつてチツプに対する電気的接続を行つている。
接続ワイヤはもろいので、この接続ワイヤを決ま
つた位置に接続する前にプリズムの光出口ポート
上のイメージヤ・チツプの相対位置を固定するこ
とが望ましい。従つて、整列のために一時的な仮
電気的接続は好ましくない。このようなわけで、
イメージヤ・チツプを電気的に動作させることな
くイメージヤの整列を行う必要がある。
<発明の概要> 薄く形成された光が透過し得る半導体基板をも
つた複数のソリツド・ステート・イメージヤ・チ
ツプをプリズムのような分光用光学構体の光出口
ポート上に組立てるとき、感光性の側(すなわち
各イメージヤ・チツプの背面)と反対側のイメー
ジヤ・チツプの面上の所定位置に例えば蒸着によ
つて比較的不透明の整列用記号(パターン)を形
成すると、イメージヤ・チツプを光学的に整列さ
せることができる。イメージヤ・チツプはプリズ
ムの光出口ポートと対面して感光性の側と適正に
位置決めされ、未硬化接着剤でそこに接着され
る。各チツプの整列用記号がプリズムの光入力ポ
ートで観察されるように、各チツプの背面を照射
するための光が使用される。次いで各チツプに対
する整列用記号がプリズムの光入力ポートで観察
されたとき互いに一致するまで各イメージヤ・チ
ツプは再度位置決めされる。このように整列され
ると、各チツプの感光性結像領域は互いに正確に
整列される。最後に接着剤を硬化させることによ
つてイメージヤ・チツプの位置が固定される。整
列用記号はイメージヤ・チツプの背面上の結像領
域の背後に配置されていることが望ましい。
<実施例の詳細な説明> 以下、図示の実施例によつてこの発明を詳細に
説明する。
第1図は薄く形成された光が透過し得る半導体
基板12を有するソリツド・ステート・イメージ
ヤ・チツプ10が示されている。このようなチツ
プを構成するには、複数のソリツド・ステート・
イメージヤを形成するために、先ず選択的ドーピ
ングを行い、次いで比較的厚い(例えば約0.3mm
乃至0.38mm)半導体ウエハの通常ゲート側と呼ば
れる前面上に例えばポリシリコンからなる電極構
造14が形成される。電極構造14上にアルミニ
ウム層16が被着され、それから信号母線および
接続パツドが選択的エツチングによつて形成され
る。各イメージヤ・チツプは例えば周知のフレー
ムに転送形のCCD形式のものである。ゲート側
と、ゲート側と反対側のウエハの面(即ち背面)
の周縁はコーテイングによつて保護され、次いで
ウエハは化学浴中に配置されて、ウエハの背面の
中心領域全体を約8乃至10ミクロンに薄くする。
ウエハを構造的に丈夫にするために、10乃至12mm
のガラスのような光透過性材料が、このガラス1
8と基板12との間に一様に塗布された光学的に
透光性の接着剤20を使用して薄いウエハの背面
に接着される。次いでウエハはダイス化と称され
る工程によつて切断されて個々のイメージヤ・チ
ツプに分離する。このような通常の技術によつて
イメージヤ・チツプ中に形成された電子装置は感
光性画素(ピクセル)を形成する。薄い基板をも
つたイメージヤ・チツプを使用すると、光は薄い
基板側、すなわちガラス18を通してピクセルに
導かれる。光の照射された基板12は、基板12
中の電極構造14の下に形成される電位井戸に集
められる自由電子を発生し、その上に映し出され
た光を表す電荷をピクセル中に発生させる。これ
らの電荷は順次ピクセルから読出されて映像を表
す電気信号が発生される。このような薄い基板を
もつたイメージヤ・チツプを製造する方法は1981
年5月12日付けで「MANUFACTURE OF
THINNED SUBSTRATE IMAGERS(薄い基
板イメージヤの製造)」という名称で特許された
米国特許第4266334号明細書中に示されている。
第2a図、第2b図、第2c図は前述の米国特
許出願第654556号明細書に示されている発明によ
る薄い半導体基板をもつたイメージヤ・チツプの
組立を示す図である。簡単に言えば、第2a図に
おいて、光学的に透過性の3個のプリズム部分2
12,214,216からなるカラー分光プリズ
ム210は当技術分野で周知のようにダイクロツ
ク表面によつて分離されており、光入力ポート
(以下では入力ポートと称す)218に導かれた
光を光出口ポート(以下では出口ポートと称す)
220,222,224においてそれぞれ赤、
緑、青の成分に分割する。第1図のソリツド・ス
テート・イメージヤ・チツプ10のガラス側18
は、その出口ポート220,222,224の
各々における決められて位置においてプリズム2
10に直接取付けられており、入力ポート218
に導かれたイメージから光を表す赤、緑、青のカ
ラー成分電気信号を生成する。イメージヤ・チツ
プ10を赤出口ポート220に組立てた状態が第
2b図、第2c図に示されている。
第2b図および第2c図に示されているよう
に、プリズムの出口ポート220は、プリズムの
出口ポート220の周辺からイメージヤ・チツプ
10が取付けられるべき領域に向けて伸びる導体
226の金属化パターンを含んでいる。一体化イ
メージヤ・チツプ−プリズム組立構体の製造中、
光学的な性質をもつた接着剤がイメージヤ・チツ
プ10のガラス18に塗布され、そのイメージ
ヤ・チツプ10はその感光性結像領域の中心が出
口ポート220においてプリズムの光学軸234
と整列するように該出口ポート220の表面上に
配置される。イメージヤ・チツプ10に電気的接
続を行うために、接続ワイヤ228がイメージ
ヤ・チツプのゲート側の接続パツド229と金属
化導体226との間に接続される。通常の外部イ
メージヤ駆動パルスおよびビデオ信号処理回路
(図示せず)がプリズムの出口ポート220の端
部に接着されたコネクタ230によつて導体22
6に接続されている。コネクタ230はピン(図
示せず)を含み、その一端は導体226に半田付
けされ、他端は外部回路に導かれる電気的ケーブ
ル232に接続された他のピンと結合している。
イメージヤ・チツプを出口ポート222および2
24に組立てた状態は図示されていないが、これ
らはイメージヤ・チツプ10を出口ポート218
に組立てたのと実質的に同じである。
イメージヤ・チツプの感光性の側をプリズム上
に直接組立てると、ICパツケージを用いた場合
のようにチツプの感光性表面の前に空気間〓が存
在せず、ほこりや接着剤の破片が落込んだり、固
まりが形成されたりすることはないから、パツケ
ージに収容されたイメージヤ・チツプをプリズム
上に組立てる場合よりも有利である。破片や固ま
りはイメージヤの性能を低下させる原因となる。
またイメージヤ・チツプをより確実にプリズムに
取付けることができれば、その構造上の丈夫さお
よび温度安定性は改善される。これらは共に例え
ばポータブル・ビデオ・カメラで使用されるイメ
ージヤ用として重要な条件である。接続ワイヤは
比較的もろく、整列中にチツプの位置を再設定す
ると、ワイヤ228を切断したりあるいはパツド
229または導体226から分離してしまうの
で、チツプを電気的に動作させるときに前述の従
来技術に従つてこれらの薄い基板のイメージヤ・
チツプをプリズム上で配列あるいは整列すること
は望ましくない。
金属化された線のパターンのような整列用記号
がイメージヤの各々のゲート側の電気構造上の所
定位置に蒸着されていると、カラー分光プリズム
210のような分光光学的組立構体の出口ポート
上に組立てられた薄い基板の複数のイメージヤ・
チツプを光学的に配列あるいは整列できることが
本願発明者によつて確かめられた。これらの整列
用記号は、各チツプ10上に接続パツド229を
形成するために使用されたアルミニウム層16か
ら例えば通常の写真平版処理によつて化学的にエ
ツチングして作られる。この場合、各チツプはそ
の感光性結像領域の背後の正確に同じ位置に整列
用記号を持つている。薄い基板のイメージヤ・チ
ツプ10の基板は文字通り薄いので、チツプがそ
のゲート側からの光によつて照射されると、光は
チツプを通過し、整列用パターンはその出口ポー
トからプリズム210を通つて伝送され、入力ポ
ート218で観察される。プリズムを通過する整
列用パターンのこの伝送はプリズム上でチツプを
整列するのに具合よく使用することが出来る。も
し整列用パターンが存在しなければ、水平および
垂直の整列の目的でポリシリコン・ゲート構造や
ドープされた領域を使用することは極めて困難で
ある。というのは、これらのポリシリコン・ゲー
ト構造やドープされた領域はコントラストが比較
的低く、観察が困難なためである。さらに、イメ
ージ構造は反復性であるため、整列の目的で特定
のイメージヤ・チツプの位置を手動であるいは自
動的に決定することは困難である。
第3図は第1図のイメージヤ・チツプ10に対
応する周知のフレーム転送CCDイメージヤ30
0を示し、このイメージヤ300はAレジスタと
称される感光性結像領域302、Bレジスタと称
されるフイールド蓄積領域304、およびCレジ
スタと称される線順次読出しレジスタ306を有
している。簡単に言えば、クロスハツチの影で示
す遮光マスクはBレジスタ304およびCレジス
タ306を光から遮り、Aレジスタ302のみが
映像を表す電荷フイールドを発生する。例えは1/
60秒の映像集積期間の終了時に、Aレジスタ30
2中に発生した電荷はBレジスタ304に転送さ
れ、Aレジスタ302は次の1/60秒の期間中に次
の電荷フイールドを集積する。次の電荷フイール
ドがAレジスタ302中に集積される期間中、C
レジスタ306はBレジスタ304から一度に1
本の線づつシフトダウンされた前のフイールドか
らの電荷を線毎に順次に読出す。
この発明の好ましい実施例によれば、整列用記
号は1対の斜めのマークが所定角度をなして伸び
る山形のパターンからなり、このパターンは第3
図に示すようにAレジスタ302の電荷構造上に
被着されている。これによつてパターンと、位置
が各チツプに対して正確に制御される結像領域の
ピクセル(すなわち電極構造)との間の唯一の空
間位置が得られる。BレジスタおよびCレジスタ
は既にそれらの電極構造上に遮光マスクが設けら
れているので、これらの領域に整列用記号を含ま
せることは出来ない。さらに、もし整列用記号が
結像領域302上に設置されていなければ、それ
らの領域はプリズムの出口ポートの光学軸から大
きくずれてそのフイールドの外に位置することが
ある。整列用記号は電極構造から電気的に絶縁す
る酸化物層の作用によりイメージヤの電気的動作
と干渉することがなく、またチツプの感光性結像
面側にはないので、イメージヤと光学的に干渉す
ることもない。組立期間中、紫外線(UV)によ
り硬化する光学的性質を有する接着剤227(第
2c図に示されている)がプリズムの出口ポート
220とイメージヤ・チツプ10の感光性の側と
の間に一様に塗布され、イメージヤ・チツプ10
がプリズムの出口ポート上に配置され、その感光
性結像領域、すなわちAレジスタ302がプリズ
ム210の光学軸234と整列するまで、例えば
マイクロ自動調整置(図示せず)によつて移動さ
せられる。次いで、接着剤に紫外線を照射してこ
れを硬化させ、Aレジスタ302とプリズム出口
ポートとの間の相対位置を固定する。適当なUV
硬化性光学的性質をもつた接着剤としてはアメリ
カ合衆国 ニユージヤージ州 ノース・ブランズ
ウイツクにあるノーランド プロダクツ インコ
ーポレーテツド(Norland Products Inc.)より
市販されているNOA−60がある。UV硬化性接
着剤について述べたが、熱硬化性の光学的性質を
もつた接着剤を使用することもできる。
イメージヤ・チツプを緑および青のプリズムの
各出口ポート222および224に組立てる期間
中、イメージヤ・チツプを各プリズム表面に接着
した後、接着剤をUV硬化させる前に、これらの
各イメージヤ・チツプはゲート側から照射され、
その間、前に組立てられたイメージヤ・チツプは
同時に照射される。緑および青イメージヤ・チツ
プは、プリズムの入力ポートにおいてその整列用
パターンを観察しながら、例えば別のマイクロ自
動調整装置によつて再度位置決めして、これらの
イメージヤ・チツプの整列パターンを、同様に入
力ポート218で観察される赤イメージヤ・チツ
プの整列パターンの正確に整列するようにもつて
くる。整列用パターンの位置が各チツプの電極構
造と共に同じ位置にあるので、整列用パターンの
整列により、組立てられたチツプの各々の結像領
域中のピクセルが整列させられる。青および緑の
イメージヤ・チツプの整列パターンが一旦整列さ
れると、接着剤はUV光に曝されて硬化され、各
プリズムの出口ポート上のイメージヤ・チツプの
各々の位置を固定する。
入力ポート218から例えばスクリーン(図示
せず)上に投影されたチツプの整列パターンを例
えば拡大レンズを通して作業員が観察することに
よつて手動により整列を行う、第4図は光学的整
列を自動的に行うための装置をブロツク図の形で
示す。ビデオ・カメラのようなセンサ402がプ
リズム406の光学軸404と整列される。組立
て期間中に、未硬化接着剤がプリズム406上に
組立てられるべき各イメージヤ・チツプの感光性
側に一様に塗布され、電子的に制御されるマイク
ロ自動調整装置414,416および418によ
つてプリズムの出口ポート408,410,41
2の各々に保持される。次にイメージヤ・チツプ
の1つに光を照射してその整列パターンをセンサ
402上に写し出す。整列検出器420およびラ
ンダム・アクセス・メモリ(RAM)422が、
プリズム406の入力ポートからセンサ402に
投影された整列パターンの山形記号の位置を示す
データを検出して記憶するために使用される。読
出し専用メモリ(ROM)424は、光学軸40
4との完全な整列のための整列用山形パターンの
位置を示すデータを永久的に記憶している。プロ
セツサ426はRAM422中に記憶されている
データと、ROM424中に記憶されているデー
タとを比較し、この比較に基づく修正信号を発生
する。修正信号はマイクロ自動調整装置414,
416,418の相対的な動きを電気的に制御す
るために供給され、各イメージヤ・チツプは、そ
のピクセルが他のイメージヤ・チツプのピクセル
および光学軸404と実質的に完全に整列するよ
うな位置に移動させられる。各イメージヤ・チツ
プに対する整列用山形記号の位置を示すデータは
交互に記憶され、プロセツサ426は、記憶され
たデータが、チツプが整列状態にあることを示す
まで3個のイメージヤ・チツプを互いに移動させ
るための制御信号を発生する。さらに、光学軸4
04との整列はチツプとチツプとの整列に要求さ
れる程の厳密さはないので、第1のイメージヤ・
チツプは光学軸404に対して手動で位置決めさ
れ、残りのイメージヤ・チツプは上述の自動手段
によつて第1のチツプと正確に整列されるように
してもよい。第4図に示す形式の回路は撮像管を
含むカメラの自動整列を行う回路と同様なもので
あり、自動整列の技術分野の技術者にとつては周
知のものである。例えば、山形記号を含む調整用
チヤートを観察するセンサから検出されたデータ
を記憶するためのメモリを含む装置は、1980年7
月29日付で「MEMORY ADDRESSING
SYSTEM FOR AUTOMATIC SET−UP TV
CAMERA SYSTEM(テレビジヨン・カメラ装
置を自動的に設定するためのメモリアドレス装
置)」という名称で特許された米国特許第4215368
号明細書中に詳細に示されており、検出された誤
差信号に応答して修正用信号を発生するためのプ
ロセツサは、1979年1月2日付けで「RASTER
REGISTRATION SYSTEM FOR A
TELEVISION CAMERA(テレビジヨン・カメ
ラ用のラスタ整列装置)」という名称で特許され
た米国特許第4133003号明細書に示されている形
式のものとすることができる。
前述のように、この発明によるイメージヤ・チ
ツプの整列はイメージヤ・チツプ上の感光性ピク
セルを付勢することなく行われる。従つて、この
イメージヤ・チツプの整列は光学的に完全に行わ
れる。これは個々のイメージヤ・チツプからの映
像表示信号の電気的整列によつて並べられたイメ
ージヤ・チツプを有する従来技術による組立てで
は不可能である。これは従来技術では、イメージ
ヤ・チツプが電気的に整列されるとき、それらの
感光性位置は電極構造に供給される駆動パルスの
振幅に部分的に依存するからである。従つて、複
数のイメージヤ・チツプが例えばプリズム上に電
気的に整列されるとき、それらの整列は製造期間
中に供給される異なるイメージヤ動作信号のレベ
ルに依存し、ビデオ・カメラの組立中に設定され
る動作信号レベルの再調査を必要とする。前述の
ように、電気的整列はむしろ複雑で、イメージヤ
駆動信号の動作レベルを適正に調整するために熟
練した作業員を必要とする。これに対して、光学
的整列は第4図に示すような自動装置によつてよ
り一層容易に行うことができ、それによつて製造
原価を引下げることができる。さらに、光学的整
列はイメージヤ・チツプが電気的に接続される前
に行うことができ、一体化イメージヤ・チツプ/
プリズム構体の製造工程を一層簡略化することが
でき、整列中にもろい接続ワイヤを破損する可能
性は少なくなる。
この発明による整列を容器に収容されていない
イメージヤ・チツプすなわちパツクされていない
イメージヤ・チツプを使用して説明したが、上述
のイメージヤ・チツプ整列方法は容器に収容され
たイメージヤ・チツプにも適用できることは言う
迄もない。
第5図は集積回路パツケージ500中の薄い基
板をもつたイメージヤ・チツプをパツケージに収
容するための通常の方法を示している。パツケー
ジ500は、開口504と、この開口504と整
列した内側の肩部分506とを有する電気的に絶
縁性のセラミツク・チツプ・キヤリヤ502を有
している。肩部分506は、開口504を通過す
る光がイメージヤ・チツプ10の感光性の基板側
に入射するように薄い基板のイメージヤ・チツプ
10を支持している。チツプ10の感光性の側の
周辺はパツケージ500内に上記チツプ10を固
定するために肩部分506にエポキシ樹脂によつ
て固定されている。透光性の窓508は肩部分5
06と反対側のキヤリヤ部分にその周辺において
エポキシ樹脂で固定されており、イメージヤ・チ
ツプ10をほこりや他の汚染から保護し、イメー
ジヤ・チツプ10に光が入射するようにしてい
る。イメージヤ・チツプ10への外部駆動および
信号処理回路(図示せず)の電気的接続は、キヤ
リア502内の金属化パターン(図示せず)によ
つて接続ワイヤ512に電気的に接続されたコネ
クタ・ピン510によつて行われる。不透明な蓋
板514を設けることによつてICパツケージは
完成し、キヤリア502の窓508と反対側でエ
ポキシ樹脂によつて接着され、これをハーメチツ
ク・シールして外部光がICパツケージ500に
入るのを防止する。この発明による光学的整列
は、容器に収容された複数のチツプについても、
各々のチツプがその上に配置された同じ整列用パ
ターンを有しておれば、整列処理中に不透明な蓋
板514が除かれる点を除けば前述の方法と実質
的に同じ方法で行うことができる。別のやり方と
して、蓋514をチツプ整列用記号を覆う領域で
光透過性としてもよい。さらに、本明細書中で述
べられている“光”という語は可視光のみならず
赤外線や紫外線のような不可視光をも含めて使用
されている。さらに:山形記号以外の整列用記号
をも使用することができ、またこの発明による光
学的整列を行うために整列用記号をチツプ上の任
意の位置に配置してもよい。例えば、整列用記号
を1対の直交する線(すなわち、+)の形状にし
てもよい。直交する線は、その交点が化学的エツ
チングの変化には無関係に比較的安定しているか
ら好都合である。その結果、第6図に示すよう
に、各チツプの結像領域602内の予め定められ
たピクセル604上に整列用記号を配置して、各
チツプをピクセルの幅の何分の1かの小部分内に
正確に整列させることができる。結像領域602
内のピクセルの残部は示されていない。記号をチ
ツプの結像領域の外側に配置することもできる。
最後に、整列パターンの位置の既知の差は自動整
列装置を予めプログラムすることによつて考慮に
入れることができるから、各チツプ上の整列用パ
ターンを同じ位置に正確に配置することは必ずし
も必要でない。
【図面の簡単な説明】
第1図は薄く形成された基板ソリツド・ステー
ト・イメージヤ・チツプの断面図、第2a図、2
b図、2c図はカラー分光プリズムの出口ポート
に薄く形成された基板ソリツド・ステート・イメ
ージヤ・チツプを組立てた状態を示す図、第3図
は第2図に示すイメージヤ・チツプを光学的に整
列させるのに有効なこの発明による整列用記号の
一形式を含むフレーム転送CCDイメージヤをブ
ロツク図の形で示した図、第4図は自動的に光学
的に整列を行うための装置をブロツク図の形で示
した図、第5図は集積回路パツケージ中の薄く形
成された基板イメージヤ・チツプを示す図、第6
図は整列用記号の一形式とそのイメージヤ・チツ
プ上の位置を示す図である。 10……半導体基板、402……観察センサ、
404……光入力ポート、406,408……第
1、第2の光出口ポート、414,416……位
置再設定用マイクロ自動調整装置、512……電
極構造、606……整列用パターン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一方の側に感光性結像領域を特定するための
    選択的ドーピング領域とその上の電極構造とを有
    する薄く形成された光が透過し得る半導体基板
    と、 上記半導体基板の上記一方の側と反対側であつ
    て、上記感光性結像領域内に配置された整列用パ
    ターンとからなるソリツド・ステート・イメージ
    ヤ・チツプ。 2 共通の光入力ポートと第1および第2の光出
    力ポートを含む少なくとも2個の光出力ポートと
    を有する分光光学的構体の少なくとも上記第1お
    よび第2の光出力ポートに、それぞれ薄く形成さ
    れた光が透過し得る半導体基板をもつたソリツ
    ド・ステート・イメージヤ・チツプをの感光性結
    像領域のピクセルが互いに整列するように配置し
    てなるソリツド・ステート・イメージヤの製造方
    法であつて、 各ソリツド・ステート・イメージヤ・チツプの
    感光性結像領域と反対側に上記感光性結像領域に
    関して予め定められた位置に遮光性の整列用パタ
    ーンを形成する段階と、 上記少なくとも第1および第2の光出力ポート
    に第1および第2のソリツド・ステート・イメー
    ジヤ・チツプを、それらの各感光性結像領域が各
    光出力ポートに対面するように配置する段階と、 上記第1および第2のソリツド・ステート・イ
    メージヤ・チツプの上記整列用パターンが形成さ
    れた側を光で照射する段階と、 第1および第2のソリツド・ステート・イメー
    ジヤ・チツプの上記光で照射された整列用パター
    ンが上記分光光学的構体によつてその各光出力ポ
    ートから共通の光入力ポートに転送されるとき上
    記照射された整列用パターンを観察する段階と、 上記観察段階における観察に応答して各光出力
    ポートにおける上記第1および第2のソリツド・
    ステート・イメージヤ・チツプの位置を調整し
    て、各ソリツド・ステート・イメージヤ・チツプ
    から観察された整列パターンを整列させ、各ソリ
    ツド・ステート・イメージヤ・チツプのピクセル
    を他のソリツド・ステート・イメージヤ・チツプ
    のピクセルと整列させる段階と、 各ソリツド・ステート・イメージヤ・チツプを
    その各光出口ポートに固定的に取付ける段階と、
    からなるソリツド・ステート・イメージヤの製造
    方法。
JP60213599A 1984-09-26 1985-09-25 ソリッド・ステート・イメージャ・チップおよびそれを使用したソリッド・ステート・イメージャの製造方法 Granted JPS6193782A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US654557 1984-09-26
US06/654,557 US4646142A (en) 1984-09-26 1984-09-26 Method and apparatus for aligning solid-state imagers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6193782A JPS6193782A (ja) 1986-05-12
JPH0550914B2 true JPH0550914B2 (ja) 1993-07-30

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ID=24625337

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60213599A Granted JPS6193782A (ja) 1984-09-26 1985-09-25 ソリッド・ステート・イメージャ・チップおよびそれを使用したソリッド・ステート・イメージャの製造方法

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JP (1) JPS6193782A (ja)
KR (1) KR940007595B1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPS6193782A (ja) 1986-05-12
KR860002728A (ko) 1986-04-28
KR940007595B1 (ko) 1994-08-20
US4646142A (en) 1987-02-24

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