JPH05506746A - 一体型平面電界放出装置制御を採用している電界放出ディスプレイ装置 - Google Patents
一体型平面電界放出装置制御を採用している電界放出ディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPH05506746A JPH05506746A JP92508132A JP50813292A JPH05506746A JP H05506746 A JPH05506746 A JP H05506746A JP 92508132 A JP92508132 A JP 92508132A JP 50813292 A JP50813292 A JP 50813292A JP H05506746 A JPH05506746 A JP H05506746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control device
- field emission
- emitter
- disposed
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C)前記絶縁体層の前記アパーチャ内に配置され、さらに前記基板の前記主表面
上に配置された、電子を放出するための電子エミッタ;
D)前記絶縁体層上に配置された非絶縁体層であって:電子を放出するための一
体化された電界放出制御装置エミッタ電極であって、前記の一体化された電界放
出制御装置エミッタ電極の少なくとも一部が、前記アパーチャの少なくとも一部
のまわりに実質的に対称に周囲に配置されている一体化された電界放出制御装置
エミッタ電極;前記の第1の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極に関し
て遠端に配置され、前記の一体化された電界放出制御装置電子エミッタ電極によ
り放出された電子の少なくともいくつかを収集する、一体化された電界放出制御
装置アノード電極;および
前記の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極と、前記の一体化された電界
放出制御装置アノード電極との間に介在する空間内に配置され、前記の一体化さ
れた電界放出制御装置エミッタ電極から、前記の一体化された電界放出制御装置
アノード電極へと流れる電子流を制御する、一体化された電界放出制御ゲート電
極;
を含むように形成された非絶縁体層;
E)その上に配置された陰極ルミネッセント材料層を有するディスプレイ・フェ
ースプレートを含み、前記電子エミッタに関して遠端に配置されて、前記電子エ
ミッタにより放出される電子のうち少なくともいくつかを収集するアノード;
を具備し、前記の一体化された電子制御装置の電極群が、実質的に互いに平面的
に配置され、前記電子エミッタから放出された電子の少なくともいくつかの前記
陰極ルミネッセント材料層に対する衝突を実質的に制御することを特徴とする一
体型電界放出制御装置デイスプレイ・ユニット。
2、電子を放出する前記の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極に、複数
の選択的に形成された小さい曲率半径を実質的に有する幾何学的に不連続な部分
が含まれる、請求項1記載の一体化された電界放出制御装置ディスプレ3、実質
的に平面の電界放出装置により一体的に制御されるディスプレイ・ユニットであ
って:A)主表面を有する基板;
B)前記基板の前記主表面上に配置され、それを通り抜けるアパーチャを有する
絶縁体層;
C)前記絶縁体層の前記アパーチャ内と、前記基板の前記主表面上とに配置され
た、電子を放出する電子エミッタ;D)前記絶縁体層上に配置され、実質的に平
面の電界放出制御装置を形成する複数の電気的に絶縁された領域を規定する非絶
縁層であって、前記実質的に平面の電界放出制御装置は少なくとも電子を放出す
る制御装置エミッタと、前記制御装置エミッタに関して遠端に配置され、前記制
御装置エミッタから放出された電子の少なくともいくつかを収集する制御装置ア
ノードとを含み、前記制御装置エミッタと制御装置アノードのうち1つが、前記
アパーチャのまわりに少なくとも部分的に、実質的に対称に周囲に配置されてい
る非絶縁体層;および
E)その上に配置された陰極ルミネッセント材料層を有し、前記電子エミッタと
前記電界放出制御装置とに関して遠端に配置されたディスプレイ・フェースプレ
ートであって、前記の実質的に平面の電界放出制御装置は、前7記デイスプレイ
・ユニットに一体的に形成され、前記陰極ルミネッセント材料層に対する前記電
子エミッタにより放出された電子の衝突を制御するディスプレイ・フェースプレ
ート;を具備することを特徴とするディスプレイ・ユニット。
4、前記電界放出制御装置が、前記制御装置エミッタと、前記制御装置アノード
電極との間に介在する空間内に配置されて、前記制御装置エミッタから前記制御
装置アノードに対する電子の流れを制御する制御装置ゲート電極をさらに含むこ
とを特徴とする請求項3記載の実質的に平面の電界放出装置により一体的に制御
されるディスプレイ・ユニット。
5、電界放出装置ディスプレイ・ユニットであって:A)その上に陰極ルミネッ
セント材料の層が配置された主表面を有する基板;
B)前記陰極ルミネッセント材料層上に配置され、それを通り抜けるアパーチャ
を有する第1絶縁体層;C)前記第1絶縁体層上に配置され、さらに前記アパー
チャの少なくとも一部分のまわりに、少なくとも部分的に実質的に対称に周囲に
配置された第1非絶縁体層;D)前記第1非絶縁体層上に配置された第2絶縁体
層;および
E)前記第2絶縁体層上に配置され、少なくとも、電子を放出する制御装置エミ
ッタと、前記制御装置エミッタに関して遠端に配置された、前記制御装置エミッ
タから放出された電子の少なくともいくつか収集する、制御装置アノードとを含
む電界放出制御装置を形成する複数の電気的に絶縁された領域を規定する第2非
絶縁体層であって、前記制御装置エミッタと制御装置アノードの内の1つは、前
記アパーチャのまわりに少なくとも部分的に、実質的に対称に周囲に配置され、
電子を放出する電子エミッタとして機能して、前記電子エミッタから放出される
電子のうち少なくともいくつかを収集するアノードとして動作する前記陰極ルミ
ネッセント材料層が励起されて、表示のために発光し、前記電界放出制御装置は
電子の放出と、放出された電子の前記陰極ルミネッセント材料に対する衝突を制
御する第2非絶縁体層;
を具備することを特徴とする電界放出装置ディスプレイ・ユニット。
6、前記電界放出制御装置がさらに、前記制御装置エミッタと、前記制御装置ア
ノードとの間に介在する空間内に配置され、前記制御装置エミッタから前記制御
装置アノードへの電子の流れを制御する制御装置ゲート電極を含むことを特徴と
する請求項5記載の電界放出装置ディスプレイ・ユニット。
明 細 書
一体型平面電界放出装置制御を採用している電界放出ディスプレイ装置
本出願は、次の同時係属出願に関連する:Field Emission De
vice Wfth Vertically Integrated Acti
ve Control;発明者 Robert C0Kane;譲受人 Mot
orola、Inc、;1991年1月24日出願。
技術分野
本発明は、一般的に、電界放出装置ディスプレイに関する。さらに詳しくは、制
御素子として平面電界放出装置を採用している、一体層に制御される電界放出装
置ディスプレイに関する。
発明の背景
電界放出装置(FED)は、当技術ではよく知られており、動作のために使用可
能な電子源を必要とする用途によく採用される。このような用途としては、電子
を放出して、観察用スクリーンまたはディスプレイ・フェースプレート面に被着
(deposit)された陰極ルミネッセント材料を付勢するために電子を放射
する複数のFEDをまとめて、あるいは個別に利用するFEDディスプレイがあ
げられる。放出された電子は、鋭端部や先端部などの曲率半径の小さい幾何学的
に不連続な領域において、FEDエミッタ電極から発せられる。電子の放出は、
適切な極性と大きさとを持つ電位をFEDディスプレイのさまざまな電極に印加
することにより引き起こされる
FEDディスプレイは、通常は平らなディスプレイであり、走査された電子ビー
ムによって情報が観察用スクリーンに印されるのではなく、FEDディスプレイ
を構成するアレイを形成する個々のFEDまたは選択されたFED群からの電子
の放出速度を選択的に制御することにより印される点で、陰極線管とは異なって
いる。ディスプレイ装置の観察用スクリーンに情報を伝えるこの方法は、[画素
アドレッシング(pixel addressing)Jと呼ばれる。これは、
個々のFEDまたは選択されたFED群を、観察用スクリーンの別々の画素(ピ
クセル)に関連づけることができるためである。
能動スイッチング装置を採用することにより、さまざまな画素ドライバの能動ア
ドレッシングを行うことが望ましい場合もある。従来の技術でよく用いられるデ
ィスプレイ・アドレッシング方法では、ディスプレイの範囲の外に配置されるデ
ィスクリート型の能動スイッチング装置と、ディスプレイ内に直接配置された能
動半導体スイッチング装置とを利用している。前者の場合は、ディスクリート型
のスイッチング装置のために、システムの製造上の複雑性。
寸法およびコストが上昇し、動作効率および信頼性が低くなってしまう。後者の
場合は、被着された半導体スイッチは、スイッチング速度が遅い、キャリヤの移
動度が低い。
漏洩電流が高い、さらに製造が複雑になるなど性能が落ちる。FED画素ドライ
バを含む基板上に、半導体スイッチを組み込むと、必然的に製造上の複雑性が増
大する。
従って、従来技術の少なくともいくつかの欠点を解決するFEDディスプレイ装
置のための改善された能動スイッチング技術に対する必要性が存在する。
発明の概要
上記およびその他の必要性は、FEDのアレイを実質的に制御する素子として少
なくとも第1の一体化された電界放出装置を採用する、一体層に制御されるFE
Dディスプレイを提供することにより実質的に満足される。
一体化された電界放出制御装置ディスプレイ・ユニットは、少なくとも次のもの
によって構成される。すなわち、少なくとも主表面を有する基板;前記基板の少
なくとも前記主表面の少なくとも一部分上に実質的に配置され、少なくとも第1
アパーチヤを有する第1絶縁体層;電子を放出する、少なくとも第1の電子エミ
ッタであり、少なくとも前記の第1絶縁体層の前記の少なくとも第1のアパーチ
ャ内に実質的に配置され、さらに前記基板の前記主表面の少なくとも一部分上に
実質的に配置された少なくとも第1の電子エミッタ;前記の少なくとも第1の絶
縁体層の少なくとも一部分上に実質的に配置された第1非絶縁層であって、少な
くとも:
第1の一体化された電界放出制御装置アノード電極;第1の一体化された電界放
出制御装置ゲート電極:および
電子を放出する、第1の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極であって、
前記の少なくとも第1の一体化された電子制御装置エミッタ電極の少なくとも一
部は、少なくとも第1のアパーチャの少なくとも一部を囲んで、実質的に周囲に
対称に配置されている前記エミッタ電極;を具備するように実質的に形成された
第1非絶縁層;その上に配置された陰極ルミネッセント材料の少なくとも第1層
を有し、少なくとも前記第1電子エミツタに関しては遠端に(distally
)配置された第1デイスプレイ・フェースプレートを備える。これにより、前記
の少なくとも第1の一体化された電子制御装置が、陰極ルミネッセント材料の前
記の少なくとも第1層上に対する放出された電子の衝突を実質的に制御する。
図面の簡単な説明
第1A図は、本発明によるディスプレイ内の少なくとも第1のFEDを制御する
ために利用される、一体化された電子制御装置、実質的には一体的に制御される
電界放出装置の第1概略図である。
第1B図は、本発明によるディスプレイ内の少なくとも第1のFEDを制御する
ために利用される、一体化された電子制御装置、実質的には一体的に制御される
電界放出装置の第2概略図である。
第2A図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第1
実施例の部分的な上面図である。
第2B図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第1
実施例の部分的な側面断面図である。
第3A図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第2
実施例の部分的な上面図である。
第3B図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第3
実施例の部分的な上面図である。
第3C図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第4
実施例の部分的な上面図である。
第3D図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第5
実施例の部分的な上面図である。
第4A図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第1
実施例の側面断面図である。
第4B図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの′P
6実施例の側面断面図である。
第5A図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第7
実施例の部分的な側面断面図である。
第5B図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第8
実施例の側面断面図である。
好ましい実施例の詳細な説明
第1A図は、一体化された電子制御装置、すなわち通常は、本発明によるディス
プレイ・ユニットの少なくとも第1のFEDを制御するために利用される、一体
層に制御される電界放出装置(F E D)の第1概略図である。第1FED(
100)(第1図の第1破線で囲まれた領域内に図示された部分)は、少なくと
も第1装置用電子エミツタ(101)と、第1装置用ゲート抽出電極(102)
と、第1装置用アノード電極(103)とから構成される。第2のFED(11
0)(第1図の第2破線で囲まれた領域内に図示された部分)は、少なくとも第
2装置用電子エミツタ(106)と、第2装置用ゲート抽出電極(107)と、
第2装置用アノード電極(105)とから構成される。
第1装置用アノード電極(103)は、第2装置用ゲート抽出電極(107)に
動作可能に結合されている。ディスプレイに用いるためには、第2装置用アノー
ド電極(105)は、ディスプレイ・フェースプレートから構成され、通常は、
その上に配置された少なくとも第1層の陰極ルミネッセント(cathodel
uminescent)材料を有して、第2装置用電子エミツタに関して遠端に
(distally)配置され、少なくとも第1の一体化された電子制御装置が
、陰極ルミネッセント材料の少なくとも第1層に対する放出された電子の衝突を
実質的に制御するようにする。
第1B図は、一体化された電子制御装置、すなわち通常は一体的に制御される電
界放出装置であって、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも第1の
FEDを制御するために利用されるFEDの第2概略図である。第1のFED(
100)(第1図の第1破線で囲まれた領域内に図示された部分)は、少なくと
も第1装置用電子エミツタ(101)と、第1装置用ゲート抽出電極(102)
と、第1装置用アノード電極(103)とから構成される。第2のFED(11
0)(第1図の第2破線で囲まれた領域内に図示された部分)は、少なくとも第
2装置用電子エミツタ(106)と、第2装置用ゲート抽出電極(107)と、
第2装置用アノード電極(105)とから構成される。
第1装置用アノード電極(103)は、第2装置用電子エミツタ(106)に動
作可能に結合されている。このように構築された電界放出装置は、第2装置用電
子エミ・ンタ(106)に印加される電位の切り換え(switching)お
よび/または変調により、第1FED (100)が策2FED (110)を
制御できるようにする。第2装置用アノード電極(105)には第1A図に関し
て前述されたように、ディスプレイ・フェースプレートを含むことかできる。
第2A図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも第1のFEDを
制御するために利用される一体型電界放出制御装置の第1実施例の部分的な上面
図である。
少なくとも第1の実質的に平面のFEDが、一体化された制御用FEDとして機
能して、これは電子を放出し、曲率半径の小さな少なくとも第1の幾何学的不連
続部(エミッタ先端)(208)を有する少なくとも第1の電子エミッタ電極(
201)と、少なくとも第1のゲート抽出電極(202)と、放出された電子の
少なくともいくつかを収集する少なくとも第1のアノード電極(203)とから
構成される。実際のFEDに用いるには、曲率半径の小さな幾何学的不連続部は
、一般には、1000オングストローム未満の曲率半径を示す不連続な物理的特
徴を意味するものと考えられる。少なくとも第1のアノード電極(203)は、
少なくとも複数の第2装置用ゲート抽出電極(204)に動作可能に結合されて
いる。この第2装置用ゲート抽出電極(204)は、各々が、複数のアパーチャ
(205)のうちの1つのまわりに、実質的に周囲に対称にある。実質的に平面
のFEDの少なくとも第1のアノード電極(203)に適当な電位を印加すると
、複数の第2装置用ゲート抽出電極(204)にもその電位が印加される。実質
的に平面のFEDの放出した電子電流は、少なくとも第1のアノード電極(20
3)で収集され、複数の第2装置用ゲート抽出電極(204)上に存在する電位
に影響を与える。
これは、少なくとも第1のアノード電極(203)に動作可能に結合された少な
くとも第1のインピーダンス素子(209)における関連の電位の降下によるも
のである。
このように、少なくとも第1の一体化された実質的に平面のFEDにより、複数
の第2装置用ゲート抽出電極(204)に印加された電位が効果的に切り換えら
れおよび/または変調される。第1A図に関して前述されたディスプレイ・フェ
ースプレートを少なくとも第1の第2FEDに用いてもよい。このFEDのうち
、複数のゲート抽出電極(204)のみが第2A図には示されて、FEDディス
プレイの一体的なFED制御を実現する。
第2B図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも第1のFEDを
制御するために利用される一体型FED制御装置の側面断面図である。これは第
2A図に関して一部前述されたものであるが、第2B図には、上述の少なくとも
いくつかのFED素子を実質的に支持する少なくとも主表面を有する基板(20
6)がさらに示される。
少なくとも第1の絶縁体層(207)を実質的に横切って配置される少なくとも
第1のアパーチャ(205)を有スる第1絶縁体層(207)が、基板(206
)の少なくとも主表面の少なくとも一部の上に実質的に配置される。少なくとも
第1の第2装置用電子エミツタ電極(210)は、少なくとも第1のアパーチャ
(205)内に実質的に対称に置かれて、さらに支持基板(206)の少なくと
も主表面上に実質的に置かれる。少なくとも第1の非絶縁体層が、少なくとも第
1の絶縁体層(207)の少なくとも一部の上に置かれて、少なくとも第1の非
絶縁体層の少なくとも複数の電気的に絶縁された領域によって、少なくとも第1
の実質的に平面のFED電子エミッタ電極(201)と、少なくとも第1の実質
的に平面のFEDゲート抽出電極(202)と、少なくとも第1の実質的に平面
のFEDアノード電極(203)と、少なくとも第1の第2装置用ゲート抽出電
極(204)とが構成される。実質的に平面のFED (201,202,20
3)のさまざまな電極に適切な外部電位(図示せず)を印加することにより、F
EDが動作する。これは通常、実質的に平面のFED電子エミッタ電極(201
)からの電子放出となる。
機能的な一体的にFED制御されるディスプレイは、第1A図に関して前述され
たように、少なくとも第1の第2FEDの第2装置用アノード電極として、ディ
スプレイ・フェースプレート(図示せず)を採用することにより実現される。第
2B図にはこのうち複数のゲート抽出電極(204)のみを図示している。
第3A図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少な(とも第10FEDを
制御するために利用される一体型電界放出制御装置の第2実施例の部分的な上面
図である。
少なくとも第1の実質的に平面のFEDは、ディスプレイ・ユニットの一体型制
御FEDとして機能し、電子を放出するための、曲率半径の小さい少なくとも第
1の幾何学的不連続部分(エミッタ先端部)を有する少なくとも第1の電子エミ
ッタ電極(201)と、少なくとも第1のゲート抽出電極(202)と、放出さ
れた電子のうち少なくともいくつかを収集するための少なくとも第1のアノード
電極(203)とから構成される。少なくとも第1の電子エミッタ電極(201
)は、少なくとも複数の第2装置用ゲート抽出電極(204)に動作可能に結合
されている。これらのゲート抽出電極(204)はそれぞれが複数のアパーチャ
(205)の1つのまわりに、実質的に周囲に対称にある。実質的に平面のFE
Dの少なくとも第1の電子エミッタ電極(201)に適切な電位を印加すると、
少なくとも複数の第2装置用ゲート抽出電極(204)にも動作可能に印加され
る。実質的に平面のFEDが放出した電子電流は、複数の第2装置用ゲート抽出
電極(204)における電位に影響を与えるが、これは少なくとも第1の電子エ
ミッタ電極(201)に動作可能に結合された少なくとも第1のインピーダンス
素子(209)における、関連する電位の降下によるものである。このように、
少なくとも第1の一体化された実質的に平面のFEDは、複数の第2装置用ゲー
ト抽出電極(204)に印加される電位を効果的に切り換えかっ/または変調す
る。
第3B図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも複数のFEDを
制御するために利用される一体型電界放出制御装置の第3実施例の部分的な上面
図である。
少なくとも第1の実質的に平面のFEDは、FEDディスプレイ・ユニットを一
体的に制御するように機能する。この一体型のFED制御は、電子を放出し、少
なくとも複数の曲率半径の小さな幾何学的不連続部(エミッタ先端部)(208
)を有する少なくとも第1の電子エミッタ電極(201)と、少なくとも第1の
ゲート抽出電極(202)と、放出された電子のうち少なくともいくつかを収集
するための少なくとも複数のアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(304
)とから構成される。この少なくとも複数の実質的に平面のFEDアノード電極
/第2装置用ゲート抽出電極(304)はそれぞれ、複数のアパーチャ(205
)の1つのまわりに、実質的に周辺に対称にある。複数の実質的に平面のFED
アノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(304)のいずれかにおいて得られ
る、実質的に平面のFEDが放出した電子電流により、複数の実質的に平面のF
EDアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(304)のうちの少なくとも選
択された1つにおける電位が影響を受ける。これは複数の実質的に平面のFED
アノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(304)の少なくとも第1のアノー
ド電極/第2装置用ゲート抽出電極(304)に動作可能に結合された少なくと
も第1のインピーダンス素子(209)における関連する電位の降下によるもの
である。このように、少な(とも第1の一体化された実質的に平面のFEDは、
複数の第2装置用ゲート抽出電極(304)に印加される電位を効果的に切り換
えおよび/または変調する。
第3C図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも複数のFEDを
制御するために利用される一体型電界放出制御装置の第4実施例の部分的な上面
図である。
少なくとも第1の実質的に平面のFEDは、ディスプレイ・ユニットの少なくと
も複数のFEDを一体的に制御するように機能する。またこのFEDは、電子を
放出するための少なくとも複数のエミッタ先端部(emitter tips)
(208)と、少なくとも第1のゲート抽出電極(202)と、放出された電子
の少なくともいくつかを収集するための少なくとも第1のアノード電極(203
)とから構成される。少なくとも複数のエミッタ先端部(208)のそれぞれは
、複数の第2装置用ゲート抽出電極(204)の少なくとも第1の第2装置用ゲ
ート抽出電極に動作可能に結合される。この複数の第2装置用ゲート抽出電極(
204)は複数のアパーチャ(205)の1つのまわりに、実質的に周囲に対称
に配置される。実質的に平面のFEDの選択されたエミッタ先端部(208)に
適切な電位が印加されると、それは少なくとも複数の第2装置用ゲ−ト抽出電極
(204)にも動作可能に印加される。得られた被放出電子電流によって、複数
の第2装置用ゲート抽出電極(204)の少なくとも選択された第2装置用ゲー
ト抽出電極における電位が影響を受ける。これは、少なくとも複数の第2装置用
ゲート抽出電極(204)の少なくとも第1の選択された第2装置用ゲート抽出
電極に動作可能に結合された少なくとも第1のインピーダンス素子(209)に
おける関連する電位の降下によるものである。このように、少なくとも第1の一
体化された実質的に平面のFEDは、複数の第2装置用ゲート抽出電極(204
)に印加される電位を効果的に切り換えおよび/または変調する。
第3D図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも第1のFEDを
制御するために利用される一体型電界放出制御装置の第5実施例の部分的な上面
図である。
少なくとも複数の実質的に平面のFEDは、ディスプレイ・ユニットの少なくと
も複数のFEDを一体的に制御するように機能する。このFEDは、電子を放出
する、少なくとも複数のエミッタ先端部(208)と、少なくとも第1のゲート
抽出電極(202)と、放出された電子の少なくともいくつかを収集する、少な
くとも複数の実質的に平面のFEDアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(
304)とによって構成される。これらの電極(304)は、それぞれ、複数の
アパーチャ(205)のまわりに実質的に周囲に対称にある。複数の実質的に平
面のFEDアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(304)のうち少なくと
も第1の電極において収集された、実質的に平面のFEDが放出した電子電流に
よって、複数の実質的に平面のFEDアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極
(304)の少なくとも第1の選択された電極における電位が影響を受ける。こ
れは複数の実質的に平面のFEDアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極(3
04)の少なくとも選択されたアノード電極/第2装置用ゲート抽出電極に動作
可能に結合された少なくとも第1のインピーダンス素子(209)における関連
の電位の降下によるものである。このように、少なくとも第1の一体化された実
質的に平面のFEDは、複数の第2装置用ゲート抽出電極(304)に印加され
た電位を、効果的に切り換えかつ/または変調する。
第4A図は、本発明によるディスプレイ・ユニットの少なくとも第1のFEDを
制御するために利用される少なくとも第1の一体型電界放出制御装置の第1実施
例の側面断面図である。この少な(とも第1の一体的に制御される電界放出装置
は実質的に第2B図に関して前述されたものであるが、ここではさらにディスプ
レイ・フェースプレート/観察用スクリーン(402)が図示されている。この
フェースプレート/スクリーン(402)は、通常は実質的には光学的に透明で
あり、少なくとも第1の第2装置用電子エミツタ電極(210)に関して遠端に
配置される。陰極ルミネッセント材料(403)の少なくとも第1の層が、少な
くとも第1のフェースプレート/観察用スクリーン(402)の表面の少なくと
も一部分上に置かれて、少なくとも第1の観察用スクリーン(402)と少なく
とも第1の第2装置用電子エミツタ電極(210)との間の介在領域内に実質的
に位置して、この介在領域を横切る被放出電子は、陰極ルミネッセント材料(4
03)の少なくとも第1層上に実質的に衝突して、所望のディスプレイを行う。
希望により、実質的には光学的に透明の導電材料(図示せず)の層を少なくとも
第1のフェースプレート/観察用スクリーン(402)と、少なくとも第1の層
の陰極ルミネッセント材料(403)との間に入れて、陰極ルミネッセント材料
(403)の少なくとも第1の層に衝突し、その厚みを通り抜ける少なくともい
くつかの被放出電子を収集するアノード電極として機能させて、所望のディスプ
レイを行うこともできる。実質的には光学的に透明な導電材料の層を利用する代
わりに、あるいそれと同時に実質的に反射性を持つ導電材料(図示せず)の層を
陰極ルミネッセント材料(403)の少なくとも第1の層の表面上に配置してア
ノード電極として機能させ、陰極ルミネッセント材料(403)の少なくとも第
1の層に衝突する少な(ともいくつかの電子を収集することもできる。第2B図
に関して前述された少なくとも第1の一体的に制御する実質的に平面のFED(
401)は、少なくとも第1の実質的に平面のFED電子エミッタ電極(201
)と、少なくとも第1の実質的に平面のFEDゲート抽出電極(202)と、少
なくとも第1の実質的に平面のアノード電極(203)と、少なくとも第1の第
2装置用ゲート抽出電極(204)とを具備するが、これを用いて少なくとも第
1の第2装置用電子エミツタ電極(210)からの電子放出の速度を効果的に切
り換えおよび/または変調させて、陰極ルミネッセント材料(403)の少なく
とも第1の層において電子を収集する。陰極ルミネッセント材料は、電子を衝突
させることにより陰極ルミネッセント材料に与えられるエネルギの結果として光
子(フォトン)を放出する。少なくとも第1の第2装置用電子エミツタ電極(2
10)からの電子放出速度の切り換えおよび/または変調により、陰極ルミネッ
セント材料(403)の少なくとも第1の層からの光子放出速度を切り換えおよ
び/または変調することができ、それにより、ディスプレイ・ユニットの一体的
な電界放出制御装置が実現される。
第4B図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイ・ユニ
ットの第6実施例の側面断面図である。ここでは、第4A図に関して前述された
少なくとも複数の第2FEDが、第4A図に関して前述された第1の一体型制御
を行う実質的に平面のFED(401)により制御される。このディスプレイは
典型的には、上記に述べられたのと実質的に同様に機能する。
第5A図は、本発明による一体的に制御される電界放出装置ディスプレイ・ユニ
ットの第7実施例の部分的な側面断面図である。ここでは、基板が、少なくとも
第1の実質的には光学的に透明なフェースプレート/観察用スクリーン(501
)と、少なくとも第1のフェースプレート/観察用スクリーン(501)の表面
の少なくとも一部分の上に実質的に配置された陰極ルミネッセント材料(502
)の少なくとも第1の層とによって構成される。実質的に絶縁材料(503)の
少なくとも第1の層の厚みを通して配置された少なくとも第1のアパーチャ(5
07)を有する少なくとも第1の絶縁体層(503)が、陰極ルミネッセント材
料(502)の少なくとも第1の層の少なくとも一部分上に実質的に配置される
。少なくとも第1の非絶縁体層/ゲート抽出電極(504)が、少なくとも第1
の絶縁体層(503)の少なくとも一部分の上に実質的に配置され、少なくとも
第1のアパーチャ(507)のまわりに少なくとも部分的に、実質的に周囲に対
称に配置される。絶縁体材料の少なくとも第2の層は、少なくとも第1の非絶縁
体層/ゲート抽出電極(504)の少なくとも一部分の上に実質的に配置され、
希望によってはさらに、少なくとも第1の絶縁体層(503)のいずれかの露出
された部分の少なくとも一部分の上にも配置される。少なくとも第2の非絶縁体
層は、少なくとも第2の絶縁体層(505)の少なくとも一部分の上に実質的に
配置され、少なくとも第2の非絶縁体層の少なくとも複数の電気的に絶縁された
領域がそれぞれ、実質的に第2B図に関して前述されたように、少なくとも第1
の実質的に平面のFED(401)を構成し、これが少なくとも第1の第2装置
用電子エミツタ電極(506)からの電子放出速度の切り換えおよび/または変
調のために利用され、それにより陰極ルミネッセント材料(502)の少なくと
も第1の層からの光子放出速度を切り換えかつ/または変調させて希望のディス
プレイを選択する。第5A図の装置は、少なくとも第1の一体的に制御される電
界放出装置ディスプレイ・ユニットとして機能し、このとき、少なくとも第1の
第2装置用電子エミツタ(506)から放出された少なくともいくつかの電子が
、少なくとも第1のアパーチャ(507)領域内に加速され、その後で、そのう
ちの少なくともいくつかが、陰極ルミネッセント材料(502)の少なくとも第
1の層に衝突する。
第5B図は、第5A図に関して前述されたものと実質的に同様の、本発明による
一体的に制御される電界放出装置ディスプレイの第8実施例の側面断面図である
。さらにここでは少なくとも複数の第2FEDが、第4A図に関して前述された
第1の一体型制御を行う実質的に平面のFED(401)により制御される。
本発明の一体的に制御される電界放出装置ディスプレイは、少なくとも第2組の
FEDの電界放出速度を、その少なくとも第2組のFEDのゲート抽出電極/m
l子エミッタ電極に印加された電位を切り換えおよび/または変調することによ
り制御する少なくとも第1の実質的に平面のFEDにより実質的に構成される一
体型の制御装置を利用する。
少なくとも第1の一体型FED制御を利用することによりFEDディスプレイ・
ユニットに制御を一体的に組み込んで、製造上の複雑さがより少ないFEDディ
スプレイ・ユニットを構築することができる。
第1A図
第3B図
第3c図 第3D図
第4B図
第5A図
第58図
要 約 書
陰極ルミネッセント層を励起するために利用される非平面的な電界放出装置のた
めの制御素子として平面電界放出装置を採用している一体的に制御される電界放
出装置ディスプレイ(100,110)を提供する。
国際調査報告
PCT/US921001193
claim。
Claims (6)
- 1.一体化された電界放出制御装置ディスプレイ・ユニットであって: A)主表面を有する基板; B)前記基板の前記主表面上に配置され、アパーチャを有する絶縁体層; C)前記絶縁体層の前記アパーチャ内に配置され、さらに前記基板の前記主表面 上に配置された、電子を放出するための電子エミッタ; D)前記絶縁体層上に配置された非絶縁体層であって:電子を放出するための一 体化された電界放出制御装置エミッタ電極であって、前記の一体化された電界放 出制御装置エミッタ電極の少なくとも一部が、前記アパーチャの少なくとも一部 のまわりに実質的に対称に周囲に配置されている一体化された電界放出制御装置 エミッタ電極;前記の第1の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極に関し て遠端に配置され、前記の一体化された電界放出制御装置電子エミッタ電極によ り放出された電子の少なくともいくつかを収集する、一体化された電界放出制御 装置アノード電極;および 前記の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極と、前記の一体化された電界 放出制御装置アノード電極との間に介在する空間内に配置され、前記の一体化さ れた電界放出制御装置エミッタ電極から、前記の一体化された電界放出制御装置 アノード電極へと流れる電子流を制御する、一体化された電界放出制御ゲート電 極; を含むように形成された非絶縁体層; E)その上に配置された陰極ルミネッセント材料層を有するディスプレイ・フェ ースプレートを含み、前記電子エミッタに関して遠端に配置されて、前記電子エ ミッタにより放出される電子のうち少なくともいくつかを収集するアノード; を具備し、前記の一体化された電子制御装置の電極群が、実質的に互いに平面的 に配置され、前記電子エミッタから放出された電子の少なくともいくつかの前記 陰極ルミネッセント材料層に対する衝突を実質的に制御することを特徴とする一 体型電界放出制御装置ディスプレイ・ユニット。
- 2.電子を放出する前記の一体化された電界放出制御装置エミッタ電極に、複数 の選択的に形成された小さい曲率半径を実質的に有する幾何学的に不連続な部分 が含まれる、請求項1記載の一体化された電界放出制御装置ディスプレイ・ユニ ット。
- 3.実質的に平面の電界放出装置により一体的に制御されるディスプレイ・ユニ ットであって:A)主表面を有する基板; B)前記基板の前記主表面上に配置され、それを通り抜けるアパーチャを有する 絶縁体層; C)前記絶縁体層の前記アパーチャ内と、前記基板の前記主表面上とに配置され た、電子を放出する電子エミッタ;D)前記絶縁体層上に配置され、実質的に平 面の電界放出制御装置を形成する複数の電気的に絶縁された領域を規定する非絶 縁層であって、前記実質的に平面の電界放出制御装置は少なくとも電子を放出す る制御装置エミッタと、前記制御装置エミッタに関して遠端に配置され、前記制 御装置エミッタから放出された電子の少なくともいくつかを収集する制御装置ア ノードとを含み、前記制御装置エミッタと制御装置アノードのうち1つが、前記 アパーチャのまわりに少なくとも部分的に、実質的に対称に周囲に配置されてい る非絶縁体層;および E)その上に配置された陰極ルミネッセント材料層を有し、前記電子エミッタと 前記電界放出制御装置とに関して遠端に配置されたディスプレイ・フェースプレ ートであって、前記の実質的に平面の電界放出制御装置は、前記ディスプレイ・ ユニットに一体的に形成され、前記陰極ルミネッセント材料層に対する前記電子 エミッタにより放出された電子の衝突を制御するディスプレイ・フェースプレー ト;を具備することを特徴とするディスプレイ・ユニット。
- 4.前記電界放出制御装置が、前記制御装置エミッタと、前記制御装置アノード 電極との間に介在する空間内に配置されて、前記制御装置エミッタから前記制御 装置アノードに対する電子の流れを制御する制御装置ゲート電極をさらに含むこ とを特徴とする、請求項3記載の実質的に平面の電界放出装置により一体的に制 御されるディスプレイ・ユニット。
- 5.電界放出装置ディスプレイ・ユニットであって:A)その上に陰極ルミネッ セント材料の層が配置された主表面を有する基板; B)前記陰極ルミネッセント材料層上に配置され、それを通り抜けるアパーチャ を有する第1絶縁体層;C)前記第1絶縁体層上に配置され、さらに前記アパー チャの少なくとも一部分のまわりに、少なくとも部分的に実質的に対称に周囲に 配置された第1非絶縁体層;D)前記第1非絶縁体層上に配置された第2絶縁体 層;および E)前記第2絶縁体層上に配置され、少なくとも、電子を放出する制御装置エミ ッタと、前記制御装置エミッタに関して遠端に配置された、前記制御装置エミッ タから放出された電子の少なくともいくつか収集する、制御装置アノードとを含 む電界放出制御装置を形成する複数の電気的に絶縁された領域を規定する第2非 絶縁体層であって、前記制御装置エミッタと制御装置アノードの内の1つは、前 記アパーチャのまわりに少なくとも部分的に、実質的に対称に周囲に配置され、 電子を放出する電子エミッタとして機能して、前記電子エミッタから放出される 電子のうち少なくともいくつかを収集するアノードとして動作する前記陰極ルミ ネッセント材料層が励起されて、表示のために発光し、前記電界放出制御装置は 電子の放出と、放出された電子の前記陰極ルミネッセント材料に対する衝突を制 御する第2非絶縁体層; を具備することを特徴とする電界放出装置ディスプレイ・ユニット。
- 6.前記電界放出制御装置がさらに、前記制御装置エミッタと、前記制御装置ア ノードとの間に介在する空間内に配置され、前記制御装置エミッタから前記制御 装置アノードヘの電子の流れを制御する制御装置ゲート電極を含むことを特徴と する、請求項5記載の電界放出装置ディスプレイ・ユニット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/662,590 US5140219A (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Field emission display device employing an integral planar field emission control device |
US662,590 | 1991-02-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05506746A true JPH05506746A (ja) | 1993-09-30 |
JP2620896B2 JP2620896B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=24658343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4508132A Expired - Fee Related JP2620896B2 (ja) | 1991-02-28 | 1992-02-05 | 一体型平面電界放出装置制御を採用している電界放出ディスプレイ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5140219A (ja) |
JP (1) | JP2620896B2 (ja) |
FR (1) | FR2673481A1 (ja) |
GB (1) | GB2261766B (ja) |
WO (1) | WO1992016006A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2669465B1 (fr) * | 1990-11-16 | 1996-07-12 | Thomson Rech | Source d'electrons et procede de realisation. |
US5536193A (en) | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
US5543684A (en) | 1992-03-16 | 1996-08-06 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Flat panel display based on diamond thin films |
US5675216A (en) | 1992-03-16 | 1997-10-07 | Microelectronics And Computer Technololgy Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
US5686791A (en) | 1992-03-16 | 1997-11-11 | Microelectronics And Computer Technology Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
US5763997A (en) | 1992-03-16 | 1998-06-09 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission display device |
US5449970A (en) | 1992-03-16 | 1995-09-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diode structure flat panel display |
US5679043A (en) | 1992-03-16 | 1997-10-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a field emitter |
US6127773A (en) | 1992-03-16 | 2000-10-03 | Si Diamond Technology, Inc. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
JP2669749B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1997-10-29 | 工業技術院長 | 電界放出素子 |
US5499938A (en) * | 1992-07-14 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Field emission cathode structure, method for production thereof, and flat panel display device using same |
KR100307384B1 (ko) * | 1993-01-19 | 2001-12-17 | 레오니드 다니로비치 카르포브 | 전계방출장치 |
US5340997A (en) * | 1993-09-20 | 1994-08-23 | Hewlett-Packard Company | Electrostatically shielded field emission microelectronic device |
WO1995012835A1 (en) | 1993-11-04 | 1995-05-11 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Methods for fabricating flat panel display systems and components |
US5793152A (en) * | 1993-12-03 | 1998-08-11 | Frederick M. Mako | Gated field-emitters with integrated planar lenses |
US5629583A (en) * | 1994-07-25 | 1997-05-13 | Fed Corporation | Flat panel display assembly comprising photoformed spacer structure, and method of making the same |
US5537738A (en) * | 1995-02-10 | 1996-07-23 | Micron Display Technology Inc. | Methods of mechanical and electrical substrate connection |
US5612256A (en) * | 1995-02-10 | 1997-03-18 | Micron Display Technology, Inc. | Multi-layer electrical interconnection structures and fabrication methods |
US5766053A (en) * | 1995-02-10 | 1998-06-16 | Micron Technology, Inc. | Internal plate flat-panel field emission display |
US5630741A (en) * | 1995-05-08 | 1997-05-20 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Fabrication process for a field emission display cell structure |
US5644188A (en) * | 1995-05-08 | 1997-07-01 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Field emission display cell structure |
US5811929A (en) * | 1995-06-02 | 1998-09-22 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Lateral-emitter field-emission device with simplified anode |
US5844351A (en) * | 1995-08-24 | 1998-12-01 | Fed Corporation | Field emitter device, and veil process for THR fabrication thereof |
US5688158A (en) * | 1995-08-24 | 1997-11-18 | Fed Corporation | Planarizing process for field emitter displays and other electron source applications |
US5828288A (en) * | 1995-08-24 | 1998-10-27 | Fed Corporation | Pedestal edge emitter and non-linear current limiters for field emitter displays and other electron source applications |
US6174449B1 (en) | 1998-05-14 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Magnetically patterned etch mask |
FR3031898B1 (fr) * | 2015-01-28 | 2017-02-24 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et methode de rehabilitation prothetique de la retine |
US9754756B2 (en) * | 2015-11-23 | 2017-09-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Vacuum integrated electronic device and manufacturing process thereof |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3789471A (en) * | 1970-02-06 | 1974-02-05 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures |
US3755704A (en) * | 1970-02-06 | 1973-08-28 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures and devices utilizing such structures |
US3812559A (en) * | 1970-07-13 | 1974-05-28 | Stanford Research Inst | Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures |
SU855782A1 (ru) * | 1977-06-28 | 1981-08-15 | Предприятие П/Я Г-4468 | Эмиттер электронов |
US4728851A (en) * | 1982-01-08 | 1988-03-01 | Ford Motor Company | Field emitter device with gated memory |
FR2561019B1 (fr) * | 1984-03-09 | 1987-07-17 | Etude Surfaces Lab | Procede de realisation d'ecrans de visualisation plats et ecrans plats obtenus par la mise en oeuvre dudit procede |
FR2568394B1 (fr) * | 1984-07-27 | 1988-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ |
US4857799A (en) * | 1986-07-30 | 1989-08-15 | Sri International | Matrix-addressed flat panel display |
GB8621600D0 (en) * | 1986-09-08 | 1987-03-18 | Gen Electric Co Plc | Vacuum devices |
FR2604823B1 (fr) * | 1986-10-02 | 1995-04-07 | Etude Surfaces Lab | Dispositif emetteur d'electrons et son application notamment a la realisation d'ecrans plats de television |
US4721885A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-26 | Sri International | Very high speed integrated microelectronic tubes |
US4904895A (en) * | 1987-05-06 | 1990-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission device |
GB2204991B (en) * | 1987-05-18 | 1991-10-02 | Gen Electric Plc | Vacuum electronic devices |
US4874981A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-17 | Sri International | Automatically focusing field emission electrode |
JP2623738B2 (ja) * | 1988-08-08 | 1997-06-25 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置 |
US4956574A (en) * | 1989-08-08 | 1990-09-11 | Motorola, Inc. | Switched anode field emission device |
-
1991
- 1991-02-28 US US07/662,590 patent/US5140219A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-05 WO PCT/US1992/000893 patent/WO1992016006A1/en unknown
- 1992-02-05 JP JP4508132A patent/JP2620896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-28 FR FR9202414A patent/FR2673481A1/fr active Pending
- 1992-10-15 GB GB9221660A patent/GB2261766B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2673481A1 (fr) | 1992-09-04 |
US5140219A (en) | 1992-08-18 |
GB2261766A (en) | 1993-05-26 |
WO1992016006A1 (en) | 1992-09-17 |
GB9221660D0 (en) | 1993-01-06 |
GB2261766B (en) | 1995-03-08 |
JP2620896B2 (ja) | 1997-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05506746A (ja) | 一体型平面電界放出装置制御を採用している電界放出ディスプレイ装置 | |
JP2634295B2 (ja) | 電子放出素子 | |
US5278475A (en) | Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites | |
JP3727894B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
EP0628982B1 (en) | Driving method for electron beam emitting devices | |
KR100523840B1 (ko) | 전계 방출 소자 | |
JPH08505259A (ja) | フラットな電界放出カソードを用いたトライオード構造のフラットパネルディスプレイ | |
JPS60240035A (ja) | 制御グリツド構造体及びこれを用いた真空蛍光式プリント装置 | |
JP2616617B2 (ja) | 平形蛍光表示装置 | |
JP2006244987A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
JP2005243648A (ja) | 電子放出素子 | |
JP2629521B2 (ja) | 電子銃及び陰極線管 | |
JP2000251783A (ja) | 電界放出形表示素子 | |
KR20040003499A (ko) | 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치 | |
JPWO2002027745A1 (ja) | 冷陰極電子源及びフィールドエミッションディスプレイ | |
JP3958288B2 (ja) | 電界放出ディスプレイ | |
JP2004259577A (ja) | 平板型画像表示装置 | |
JPH09306396A (ja) | 電界放出型表示装置 | |
US8222813B2 (en) | Matrix phosphor cold cathode display employing secondary emission | |
JP2981764B2 (ja) | 電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置 | |
JP2795184B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20070044577A (ko) | 전자 방출 표시 디바이스 | |
KR20070043391A (ko) | 전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스및 이의 제조 방법 | |
JP2976135B2 (ja) | 電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置 | |
JP2727217B2 (ja) | 画像表示装置とその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |