JPH05505879A - 容器の自動選択方法、その測定装置ならびに該測定装置が含まれる設備 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 容器の自動選択方法、その測定装置ならびに該測定装置が含まれる設備技術分野 本発明は、空の、あるいは部分的に空いている容器から採取したガスの測定値を 算出する請求項１による測定方法および請求項１６による測定装置に関するもの である。

背景技術 欧州出願ＥＰ−＾−０３０６３０７には、この明細書に欠くことのできない要素 が説明されており、容器のリサイクリングにおいて、特に、空の容器、特にプラ スチック容器や、プラスチック瓶に関し、容器の中の汚染があるか否かを検出す ることが知られている。

本発明は、イオン化技術により、例えば、発炎イオン化、あるいは紫外線領域で の光イオン化によって該汚染を検出する方法を提供することを目的とし、また、 場合によっては、汚染された容器を再充填過程から外す提供する目的とするもの である。

ＷＯ８ａ１００ｇ８では、蒸留水を容器に噴射し、該容器から汚染された水を取 り出して分析するか、さもなければ、水を容器に噴射し、容器を振ってから分析 する容器の選択方式が知られている。

これで分析冗長度を向上する為に２つ興なうた分析方法を利用する事が知られて いる。両方の分析方法に使われるセンサーの出力が先ず基準値と比較されて、そ して比較の結果が該当する分析方法および元々その容器に充填された特定な製品 による相関範囲と比較される。

上記明細書には、ここに使われた相関係数の根拠は明らかにされていない。詳細 に説明されていることは、選択的に決められた物質に反応する検出器の適用、例 えば砂糖検出器、および狭いバンドで反応する類似の検出器を２つ利用すること によって混合汚染物質の検出が可能であるということである。

上記ＷＯ８ｇ１００８６から知られた技術の主な欠点は、出て（る容器から検体 を採取するため、検査方式が非常に遅いことにある。しかし、逆に、液体を利用 した遅い速度の検査では、はぼ検査室に利用された条件下で汚染の有無を調べら れる。

発明の口約 本発明は、ＥＰ−Ａ−０３（１５３０７に詳細に説明された技術を基にして容器 のガスを分析する。ガスの流量特性だけでもＷＯ３１１７００８６の方式よりも 測定周期を大幅に短縮することができる。これは特に速く、連続的に運ばれる容 器の選択の場合には重要である。

本発明は、この様なガス分析方式を基にして従来のガスの分析方法で該当する汚 染物質およびその濃度、要するに２つの変数、による出力信号を利用する課題を ｍ！！した。２つの変数を使うことによって信号の評価が多義的になる。多くの 場合には検出した出力信号が物質Ａ１あるいは物質Ｂの濃度であるかを識別する 事が困難である。該当する測定では物質Ａの濃度は物質Ｂの濃度と同じ結果にな る可能性がある。

本発明は信頼性の面から上記の課題を解決する目的のものである。

発明の開示 本発明にあっては、請求項１による方式、或いは請求項１７による測定装置によ り上記課題を解決した。

いくつかの具なるガスの分析方法で得られた結果は、それぞれの汚染物資および その濃度によって異なることが従来から知られている。このような具なる分析方 法で得られた具なる出力信号は、互いに単純な比例が存在しない意味では無関係 のものである。この数種類のガス分析方法の転送特性曲線が「物質」および「濃 度」と言う変数によって特異的に違う。ここでは「出力信号」と言う表現は信号 の全ての特性、例えば、振幅、位相、ステップ反応およびインパルス反応を含む 。

したがって、本発明による方式では、冗長度、数種類の類似下測定を利用するこ とにおいては、統計的に全測定過程の信憑性を同上させるように、本方式を導入 するではなく、興なる分析方法によってｘ−、ｙ−および２−座標系の中にＸ− ２ｙ−およびＺ−の座標を算出するように、その結果が座標ベクターとして得ら れる。

本発明による選択方式およびその為Ｉこ便われる測定装置は、許容輯囲外の汚染 であるのに、許容範囲内の汚染として容器を選択しないことの面では信頼性が極 めて高い。

前述した異なる分析方法が、同時、または単量時的に作動することによって、要 するに、並列分析作動ができることによって、容器の中、あるいは容器から採取 したガスによる選択工程は特に遅くならない。これは、流れ作業において、搬送 速度が速い容器の検査では決定的な因子である。

請求ｘＡ２によっては、赤外線吸収測定、半導体ガスセンサーによる測定、電気 化学的電池、イオン化、特に光イオン化および／あるいは火花イオン化およびそ れによるガスのイオン化、または場合によって質量スペクトル測定がガスの分析 に利用できる。単純で早くするためには半導体ガスセンサーおよび光イオン化と 火花イオン化の組み合わせが選択的に使われる。無論、本発明においては反応性 の具なる２Ｎ類の半導体ガスセンサー、または光イオン化および／あるいは火花 イオン化、あるいは上記に記載された他の這った出力信号を発生する分析方法を 利用できる。

優先的に使われる分析方法の１つは、例えばＩｏｈｌ　５ｅｎｓｏｒｓ　Ｉｎｃ ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、）ＯＷ　Ｂｓｒｈａｍ＾ｖｅｎｕｅ、　ＵＳ−Ｓａｎｔ ｉ　Ｒｏａｍで販売されているＩＲ−半導体センサーによる赤外線吸収測定であ る。このセンサーは狭いバンドを有する光化学フィルターを備えている。このよ うななセンサーは、興味のある赤外線領域で作動し、放射する赤外線光源の光が 、設定されたバンド領域において、ガスによって吸収されるか否かを検出する。

これにより、特異的に、特定の汚染物質の有無およびそれらの濃度が推測される 。

該当する赤外線波長領域においては、一部の容器の壁が赤外線透過度を持ってい るので、赤外線吸収測定はできるが、容器の壁の透過条件下に大きな散乱が発生 するため、ガスに含まれている汚染物質の検出は困難である。よって、ガスはこ のような方式、要するに赤外線吸収測定が分析方法の１つとして使われる場合に は、ガスをサンプリングして検査する。または、棒を持って光フ１イノイーを通 して赤外線を直接瓶の中に放射し、該棒に配置されたガスギャップを通った後に 記録され、そしてそれに該当する信号が評価される。

さらに、請求項３によって、特に、分析方法として少なくとも１つの半導体セン サー、特に、半導体ガスセンサーが配置されたもので分析が非常に単純な分析技 術が実現できる。

半導体ガスセンサーとしては、例尤ば、Ｆｌｇｊｒｏ　Ｅｒ＋ｇｊｎｅｅｒｌｎ ｇ大阪／日本製のものが知大阪７枯 サーは、小さいために、非常に蘭単に、直接、ガスサンプルを含んでいる容器に 挿入することができ、また、容器から流出するガスサンプルの流れに沿ってどこ にでもガスサンプルの分析のために設置することができる。信頼性を更に向上さ せるために複数の半導体ガスセンサーを設置することもできる。これによって、 本発明により興なる分析方法および、より高い冗長度が実現できる。

しかし、半導体センサー、特に、半導体ガスセンサーは長い反応時間を持ってい る。つまり、入口において、ガスの変化が生ずると、出力信号も低域フィルター のように比較的ゆっくり漸近線的に該当する終点に接近する。

本発明にあっては、反応速度の面から半導体ガスセンサーが分析方式内の応用を 妨ぐことができることを請求項４によって上記の課題が解決される。

このような半導体ガスセンサーの出力信号は出力抵抗が変化するので出力信号の 経時的変化として捉え評価される。

半導体ガスセンサーの出力信号の時間に対する微分値が出力信号の最大値に相当 するので、またはその値に接近し、入り口付近に出現するガスサンプルの濃度お よび／あるいはその変化が生ずる直後に、該微分法によって分析信号を算出する 事ができる。

したがって、半導体ガスセンサーを新たな最終値に向かわせるガス成分を検出し た場合には、ガスセンサーの記憶に残されている前回の測定値に偏って、次のガ スサンプルが分析されることになる。

これによって、用意されたガスセンサーでは、前回のガス分析の影響が消失する のを待たなければならないため、分析周期をさらに大幅に遅らせることになる。

この問題は、請求項５において、少なくとも２つ、最低１つのセンサーを有する セットが設置され、連続的にでて（る容器からのガスサンプルが興なるセッサー セットに供給されることによって解決される。これで、順次搬送されてくるガス サンプルに対して、分析周期を延長せずに、それぞれのセットの出力信号を再び 基本値にリセットする時間が与えられる。

供給管および半導体センサー自体を洗浄するために、請求項６において、これら の部材を、測定後、ガス洗浄することが薦められている。このようなガス洗浄で は、センサーは、洗浄ガスの種類および／あるいはセンサーに沿った流れによっ て、上記の汚染物質の検出と同様な挙動を示す。よって、このようなガスセンサ ーではガス洗浄によってサンプルの測定がしばらくの間できなくなる。

さらに、請求項６において、洗浄ガスおよび／あるいは洗浄ガスの流れを、汚染 物資を含まないテストガスの流れに調節することによって、洗浄運転から測定運 転の切り替え時に、あるいはその逆の切り替え時に、半導体センサーの出力変化 を最低限に抑えること、あるいは出力変化を起こらせないことが提案されていサ ーは、洗浄運転から測定運転の切り替え、あるいはその逆の切り替えに対して変 動しなくなる。

請求項７においては、特に、容器からガスを採取するために担体ガスを用いてお り、請求項６における洗浄ガスとして担体ガスが使われる。

特に、上記の平滑化は、運転が洗浄／ＩＩＡ定へ切り替わる時に、あるいはその 逆に切り替わる時に、請求項９における半導体センサーの出力１号が主に一定の 値を保ちながら行われる。

該当する容器からガスサンプルを吸入し、発炎イオン化した後に分析を行うＥＰ −＾−０　３０６　３０７から知られている過程は、比較的遅いし、単純化の面 からも不利である。つまり、水素炎で発炎イオン化が行われた場合には、炎を通 るガスが炎に影響を与えてはならない。これで流量速度、すなわち測定過程の速 度が限定され、また、炎への供給が複雑になる。

よって、請求項１０において、特に使われた分析方法としては、該当するガスが 放電ギャップに供給され、放電ギャップの放電特性および／あるいはガスのイオ ン化が測定値の出力信号として評価される。例えば、内燃機関の点火プラグの様 に、放電パスを配置することは非常に圀単で小型化が可能であり、汚染されず、 かつ柔軟に、どこにでも電気を引くことができる。本発明による方式は、主にテ ストガスの流量速度と関係しないため、非常に早く、そして、特殊な適用の場合 には、火花イオン化は発炎イオン化と違って直接容器内に利用できる。

請求項１１においては、ガスが分析技術としてイオン化された場合、イオンの移 動度の測定によって結果の評価が簡単にできる。

請求項１２は本発明による方式の別の実施例である。これによって、それぞれの 分析方法がガスの校正検体でｎ＞−２としてのｎ−次元状態空間において、それ ぞれの座標は分析方法の出力信号に相当する事により少なくとも１つの領域が定 義される。この少なくとも１つの領域に含まれている点が許容範囲内の汚染物質 に相当する座標であり、また、この少なくとも１つの領域に含まれない点が許容 範囲外の汚染物質に相当する座標である。用いられた分析方法によって、ガスか ら得られた出力信号は自動的に座標として上記の許容領域内のガス状態を表すか 否かとして評価される。

よって、ガス状態は「状態ベクター」として決定され、上記のベクターが許容領 域内、あるいは許容領域外にあるかどうかが評価される。

請求項１３は、検査すべき容器に含まれる優勢な成分、あるいは高濃度にある成 分が次の分析を妨げることを避け、それぞれの濃度が該当する分析方法が指定さ れた測定特性曲線範囲内に応用するための方式を特徴する請求項１４においては 、容器を加熱することにより、容器の壁に吸着された汚染物質の成分を、検査さ れるガスに脱着することができる。

さらに、上記の容器の選択では頻繁に元の詰めものが容器を空けた後まで極めて 高濃度の汚染を残し、そして、これが雑音比として他の汚染物質の存在をマスク するという問題がある。したがって、単純で高い信頼性の方式で元の詰めものを 探知することができれば、極めて有用である。

上記の課題は請求項１５による方式で解決される。

前述した標識を読むことによって元の詰めものが明らかになるため、分析の複雑 さを減少させることができる。これによって、特定な汚染の測定値を他の汚染測 定値、あるいはそれによる信号成分が選択的に抑制、または注目することができ る。

前述した半導体センサー、特に半導体ガスセンサーの記憶特性においては、特に 、半導体ガスセンサーが汚染物質の高い濃度を検出するときに問題が発生する。

つまり、高濃度の汚染物質は、出力信号を高値にするので、そのセンサーも初値 に戻るまでに長い時間を要する。したがって、このような次の検査のために準備 されていない半導体センサーは測定の待機状態（スタンバイ）に戻るまでに必要 な時間だけ測定周期が延長される。

こういう事情を避けるためには、請求項１６において、半導センサーの出力信号 がある設定値を超えるかどうかを検査し、この設定値を超えた場合には、該当す る半導体センサーセットを次の分析に用いないようにする。この場合には残りの ２つの測定準備が完了した半導体センサーが使われる。

半導体センサーの経過時間に対する微分値を規定値と比較し、その値を超えるか どうかを検査する。このようにすることによって、半導体センサーの出力信号が ガスサンプルに相当する出力信号レベルに落ちつくまで待つ必要がな（なる。

特に、本発明においては、連続的にガスサンプルが遂次に異なった半導体センサ ーセットに供給されるから、例えば、その間に今使ったセットを洗浄するための １つ以上の測定周期が省略される。請求項９においては、出力信号を監視し、上 記の意味で過飽和下セットが再び測定可能な状態になったのを確認する。引続（ 測定周期はこの過程に影響されない。

さらに、本発明による、分析方式の１つの実施例においては、電気化学的測定装 置、例えば＾ＭＳ　Ａ＋ｕｌｙｓｅｎ−Ｍｅｓｓ−Ｓｙｓｔｅｍｔｅｃｈｎｌｋ 、　Ｄ−旧ａｌｂｅｉｍで販売されているような、狭いバンドで特定のガス成分 の有無を検出するものを利用すればよい。

本発明による測定装置は、請求項１７から２９までに詳しく説明されている。

本発明による測定装置を含む試験設備は、請求項３１に詳しく説明されている。

これによれば、運搬装置によって、測定装置まで、およびそこから、連続的に運 ばれる容器とプラスチック瓶が迅速、かつ、高い信頼性で検査することができる 。

点的なサンプリングは、特に、食料用の容器を再利用する際には安全性の面から 適用できないので、本発明による方式がこの点で有用である。

図面の簡単な説明 図１は図式的に本発明による方式、あるいは本発明による測定装置イオン化にす ると同時に本発明による容器の選択を決定する少なくとも１つの測定値を測るガ ス分析方式、図２は図１に基ず（他の実施例では放電電流が調節され、制御回路 の行動から測定値を検定する図、図３は本発明による火花ギャップ３が容器の内 部ガスをイオン化する為に直接容器の中に適用される実施例を図式的に示す図、 図４は放電イオン化および静電イオン付着による測定値を検定する分析方式、あ るいは検出装置の第一実施例を図式的に示す図、図５は図４と類似の実施例でイ オンの付着は移動度によるものが測定値として検定する図、図６は放電イオン化 装置が直接検査すべき容器の中に設置され、直列回路に静電気による移動度域に イオン付着させる装置の構成を示すブロック図、図７（ａ）は特定の汚染物質の 場合に火花ギャップ３が容器の中にある場合、図７（ｂ）は容器の外にある場合 に爆発を避けるために予選択を用意する事を図式的に示す図、図８は本発明の主 旨による選択装置、およびその本発明による方式に甚く作動する事の信号／Ｉｍ 能フローチャートを示す図、図９は半導体センサー、特に半導体ガスセンサーを 利用する分析ステーン夏ンの信号／機能フローチャートを示す図、図１０ｍは洗 浄／テストガス周期に対する半導体ガスセンサーの賀的反応を示す図、図１Ｏｂ は半導体ガスセンサーの平滑された反応性を示す図、図１１はガス検体採取機の 構成を示す図である。

発明を実施するための最良の形態 本発明は、特に、空の容器の汚染状態をガスサンプルで調べることを目的とする 。例えば、ことに大量に出現するプラスチック瓶の場合には、元の中身である、 ミネラルウォーター、ジュース等が出された後に、どのように使われたのは非常 に不明確である。このような容器は特に家庭では目的外のものに使用されている 。

例えば、石鹸水、農薬、エンジンオイル、酒精やガソリン等の物質を貯蔵するた めに使われる。このような物質が瓶に貯蔵されると、再使用するために再び瓶詰 めが行われる際に、ある汚染物質カテゴリーの場合には、詰める物の味に悪影響 が生ずることがある。または、このような容器の汚染が体に悪影響を及ぼしたり 、あるいはその有害性のために再使用ができない場合がある。

したがって、残存汚染物の存在および汚染物質の種類を明らかにしない限り、再 び詰めることに適応する容器、適応しない容器、あるいは先に特別な洗浄過程を 経てから安全に詰めることができる容器かを選別することができない。

ここで、容器の材料に応じては、特にプラスチック瓶の場合には、特定の汚染物 質が瓶の壁に吸着され、新たに詰めた内容に少しずつ脱着されることを考慮しな ければならない。

時々、容器に詰めた物を汚染することがあるので、その上にあるガスも汚染され る。したがって、本発明による方式の全ての特徴を既に充填している容器にも適 用することができる。本発明による方式は図８に示されている。ここでは、いく つかの分析方法を組み合わせて用いており、組み合わせた分析方法の出力信号を 評価する。

まず、図１ないし図７および図９には本発明による分析方式に適用されると考え られる実施例を示す。

図１は測定値をめる測定装置の一実施例の構成を示す一部断面図である。この測 定値は、少なくとも部分的に容器に含まれるガス内の汚染物質群の有無、あるい はそれらの濃度を決定する因子の１つである。

例えば、図示されていない空の、あるいは部分的に充填された検査すべき容器か ら取管ｌによりガスサンプルＧが採取される。場合によっては、容器の外側から も検体を採取することができる。吸入したガスサンプルＧは、一対の電極６を有 する放電ギャップ３の付近に流される。この放電ギャップ３は電ｌ１７によって 作動させられる。放電はコロナ放電あるいは火花放電として発生させられる。

図示されない吸引装置　−図１１を参照−によって、空の容器からガスサンプル Ｇを吸引し、放電ギャップ３に流す時に放電電圧が変化する。この電圧ＵＰは電 圧計１１で測定される。

電圧計１１の出力信号は測定値として評価するために比較器１３に人力される。

さらに、基準信号器１５が基準信号をこの比較器に入力する。放電電圧Ｕ１に基 づく出力信号Ａ１、Ａ、、、、の測定値が選択され、特定の汚染物質群、あるい は汚染物質自体、またはそれらの濃度を識別する測定値として出力される。基準 信号は規格の汚染ガスサンプルの比較で較正測定によって確定される。図１の左 側にある図表には電圧Ｕ、に相当する点Ｐ、−Ｐ、で質的に示された。ここでは 放電の点弧は供給される汚染物質と無関係に行われる。

図２は図１に基づく本発明による放電ギャップ３で別の測定値の測定の構成を示 す一部断面図である。ここでは、制御可能な高圧電ｊ１７ｍによって、電極５に おいて、放電ギャップ３の放電が作動される。放電電流は電流計１１ｍで測定さ れ、比較器１７で基準信号器１９で設定される電流基準値ｉｔｓ。１と比較され る。

比較器１７で測定された信号の差は、制御量として、場合によって調整器２１を 通して操作量として、調整回路の中にある、調整器として作動する１［源７８に 入力される。これによって、放電電流！、が基準信号器１９で設定される基準値 に従い、あるいは一定に設定されている基準値ＩＦＩ。ＬＬに従う。

調整基準信号、電源の為の操作量Ｓ、あるいは電ｊ１７ｍの出力電圧が測定値と して評価される。この測定値は、図１に示されているように、更に基準信号器１ ５と接続された比較器１３に入力できる。調整回路に検出された信号の領域によ ってはガスサンプルＧに含まれている特定の汚染物質群、あるいはそれらの濃度 が推察される。

図１および図２に示されているように、ここには放電ギャップ３の放電特徴およ びその電気的制御、つまり放電ギャップ３自体が測定値として使われる。

図１．２および図１１に示されている実施例では、ＡＣあるいはＤＣのコロナ放 電が発生される。

図１およびＩ！！２に示されているように、ガスサンプルＧが吸引管１で検査す べき容器から取り出すことができる。

図３においては、放電ギヤ１プ３の最小化ができるので、図３に図式的に示され ているように放電ギャップ３ａを探知棒２３で検査される容器２５＠体に挿入し 、図１および図２に説明した手続きに従うこともできる。

図３に示されている探知棒２３の端子２７は、図１および図２に示されている同 じ符号２７で、そこに示されている放電ギヤ１プ３の端子２７に相当する。

図４には本発明による装置で本発明の方式を実行する為の別の実施例が示されて いる。この場合にはガスが放電ギャップ３によってイオン化されるが、図１およ び図２に示されている実施例と違って、イオン化されたガスが放電ギヤ、ブ３と 離れたところで調べられている。

ガスサンプルＧが吸引管ｌで検査すべき容器から、あるいは容器の直接に隣接す る付近から採取され、電ｊ１７で駆動されている放電ギャップ３まで流される。

ガスの流量方向に対して放電ギャフプ３の下流にはコンデンサ装置、例えば、円 柱コンデンサ２９が配置されている。これは円柱状のコンデンサシース２９ｍお よび内部の同軸性心棒２９１で構成されている。

コンデンサ２９は、調節できる電ｊｌ１３１によって設定された電圧まで充電さ れる。これでコンデンサには電界Ｅが発生する。放電ギャップ３でのガスがイオ ン化されるために、その電界Ｅの極性および強さによつて１つの極性を持つイオ ンがコンデンサプレー）２９ｍ、２９Ｉのどれかに引きつけられ、他の極性のイ オンが別のコンデンサプレートに引きつけられる。コンデンサプレート２９ｍ、 ２９Ｉに引きつけられているイオンの合計がイオン付着装置として働く円柱コン デンサ２９と接続されている外部の回路に電Ｅｔｉを発生させる。この電流は電 荷増幅器３２、あるいは破線で示されているように電流増幅器３２ａ１で電流積 分値として測定される。

電々増幅器３２が配置された場合には、コンデンサ２９に流れる電流の積分する 時間が設定される。この時間Ｔが測定周期の開始で随意の信号＄Ｔでトリガーが 掛けられる。例えば、ガスが吸引される時点、あるいはこと前に定義された電流 Ｉの立ち上がりが現れる時である。

積分時間Ｔが経過すると、図４に図式的に示されたリセットスイッチが電荷増幅 器３２と接続される。

出力信号は、電荷増幅器３２あるいは電流増幅器３２ａでめられた電流積分であ るにも拘らず、図１で既に説明されたように比較器１３に入力さる。この比較器 の出力側には入力信号Ｅの大きさに応じた出力信号Ａ、、Ａ、などが出力される 。

ここでは本発明による放電ギャップ３が、分析すべきガスをイオン化する為に図 ３に示したように直接検査すべき容器の中に、または図４に示したように採取管 Ｉに配置される。

放電ギャップ３が最小化されるので、この方式は柔軟的であり、ガスをイオン化 する放電ギヤ、ブが分析装置の随意の所に配置することができる。イオンの付着 は同じ場所、要するに採取管に沿って、または監視される容器の中に、あるいは イオン化から離れた所で行われる。

図４に示された方式では、ガスの放電イオン化によって発生された電荷変化を測 定値として総合的Ｉこ検出することができる。そのために、採取管ｌに沿ってコ ンデンサ装置２９が配置された場合には、ガスが設定された流量速度で供給され るべきである。図５に示された本発明の方式によって、あるいは従来の方法とし て１例えば、発炎イオン化、また、特に紫外線イオン化などにより容器のガスが イオン化した後に、ガスに発生したイオンは、それらの移動度によって識別され る。こうして具なる物質、あるいは物質群による汚染を選択的に検出することが できる。

上記目的を達成するためには、イオン化されたガスが主に図５に示された静電気 的な付着装置３５に供給される。この装置は、例えば、円柱状のコンデンサ装置 である。この装置は延長された内部心棒３０１および１列に配置され、互いに絶 縁された、複数の円柱面３０ｍで構成される。全てに共通の内部心棒３０におよ びそれぞれの絶縁された円柱面３０ｍで構成されているコンデンサは、電源３１ によって、特に同じ電圧で、静電的に充電されている。従って、それぞれのコン デンサ３０１．３０ｍは同じ電界Ｅを示す。

異なった移動度のイオンのガスが、図式的に示されたように、コンデンサ空間３ ０ｚに入る場合には、均等の電界Ｅによって、イオンが同一の電荷を持っている ことを前提とすると、同一の偏向力が生じる。よって、軸方向に移動単位ごとに 移動度の高いイオンの方が移動度の小さいイオンよりも偏向性が大きい。したが って、それぞれのコンデンサから誘導される電流１．．１．、、、は、ガス流方 向に対して、順次偏向されるイオンの測定値となる。この場合には、移動度の小 さいイオンが、ガス流方向に対して下流にコンデンサ装置の電流のより大きい割 合を占める。

誘導された電流ｌは図４で説明されたように電荷増幅器あるいは電流増幅器で検 出され、容器の選択のために更に処理される。

図６は直接容器の中にガスの放電イオン化および静電的付着測定が行われる実施 例が示されている。図３に示された実施例の改善として、先端に放電ギャップ３ を有する棒２３の上部に、互いに絶縁された複数の金属面３３Ｉ、および１つの 同軸的な金属の円柱面３３ａを有するようにしている。

こうして変更された棒は、図式的に示されたように、検査すべき容器の底まで挿 入され、底の付近のガスが放電ギヤツプ３によってイオン化される。容器の中の ガス化による温度だけでも、容器のコンデンサ３３ｉ、３３ｍで構成される付着 装置を含む開口部に向かうガス流が発生する。

特に、穿孔３７からは、別の担体ガスでイオン化されたガスＧ″流が更に強制的 に吹き込まれる。

放電ギャップ３−およびコンデンサ装置の電源、または電流１．、ｉ、などの誘 導端子は、ガスの出口３７までの管と一緒に欅の中に引かれている。

図１から図３までに示された実施例では、コロノ放電が発生される。図４から図 ６までに示された実施例において、ガスのイオン化を測定するときに放電を発生 させるには、コロノ放電でも火花放電でもできる。火花放電で作動した場合には 、１つの測定に、複数の特に設定された数の火花放電を発生させる。有効な結果 を得られるように、イオン化されたガス流Ｇ＠にイオン密度を、設定した時間内 に測定する。

特定の汚染物質では、本発明による放電イオン化、または発炎イオン化が爆発を 誘発する可能性がある。よって、安全性のために、このイオン化技術を空の容器 に利用する前に、予選択を行う必要がある。これを実行する容器の中に測定を行 う実施例が図７日に示される。図においては、検査すべき容器、特にプラスチッ ク瓶が、ベルトコンベヤーや回転運搬装置などの運搬装置によって、第１の測定 ステージ夏ン４０を通されている。ここでは、ガスサンプルを採取すること、あ るいは探針を容器の中に挿入することによって、爆発の危険をもたらす汚染物質 の存在を検出する。

この目的を達成するためには、爆発の危険性を有する、周知の汚染物質の存在を 検出するように調節された半導体ガスセッサー、あるいは電気化学的′Ｉｉ池が 使われる。爆発の危険性のある汚染物質が含まれる容器が検出されたら、図に示 したように、５当する容器がフッベヤ−のボイノターを切り替えることによって 。

以降の検査過程から外される。危険性を有しない容器は棒２３を有するイオン化 測定ステー／Ｍン４２に供給される。

他の汚染物質の検出および評価器４４での測定信号の評価により、別のポインタ ーを切り替え、汚染が許容範囲を超える容器を廃棄したり、あるいは特殊な洗浄 を行う。したがって、新たに詰める過程に供給される容器は、汚染の種類が許容 されている物のみである。

特に、プラスチックから形成されている瓶の壁に、特定の汚染物質が吸着さね、 容器の内部への脱着が遅（て、温度依存性がある場合には、特別の手段を使わな ければ、容器内の汚染物質の濃度測定は現時点では困難である。しかしながら、 容器に新たに詰められ、それを長期保存する場合には、内容物の味が悪影響を受 けることがある。

よって、さらに図７に示されているように、汚染物質を検出する前に、容器の壁 に吸着されている汚染物質を除去することが提案される。本発明は、上記課題を 、容器を加熱することによって解決するものであり、特に赤外線、あるいはプラ スチック瓶の場合には電子レンジによって、または容器の内部および外部の双方 またはいずれｂ一方からの蒸気処理や薫蒸するなど、熱流Ｑで示されているよう に、加熱した空気を吹き込むことによってできる。

特別な場合には、以前に詰めた物の残存ガス成分を除去するために、ガスによっ て洗浄する必要がある。ガスとしては、特に空気、さらには、洗浄した空気がよ い。これは、残存成分が他の汚染の検出を妨げることがあるためである。

以前の詰め物、例えば果汁に起因する汚染成分は、他の汚染物質の検出において は、有意なノイズ源になりかねないことが知られている。この間層を解決するた めの方法は、容器に元々詰められていた詰めものに応じて、例えば容器に直接コ ードを刻むなど、容器に印を付けるものである。このような印があれば、空の容 器の選択において、この情報を読み、元々に詰められたものを容易に知ることが できる。

したがって、汚染物質に起因する信号を、狭いバンドでフィルタリングすること ができ、それによって元の詰めもによる測定ノイズを減少させることができる。

本発明にあっては、容器の選択方法において、上記の元の詰めものによる測定ノ イズが測定値に混入する課題を解決した。

この課題の主な欠点は、例えば極めて複雑な方法、赤外線スペクトログラフィー あるいは質量分析器を使わない限り、得られた測定信号が汚染物質の種類や、そ の濃度に依存することである。すなわち、物質Ａの濃度であるか、それとも物質 Ｂの濃度であるかが多（の場合には多義的である。同一の探知器では両方の状態 が同じ出力信号を発生させるためである。

いくつかの分析方法を見ると、 −光イオン化あるいは発炎イオン化およびそれに続くイオン密度の測定、−放電 イオン化に続（カテゴリー化されたイオン密度の測定、あるいはイオンの移動度 を考慮するイオン密度の測定、−半導体ガスセンサーで汚染物質を検出すること 、あるいは赤外線半導体センサーで赤外線吸収測定、原則的には質量スペクトロ スコピーでも可、−特定な汚染物質を電気化学的なセルで検出すること、それぞ れの方法は、容器を選択する面では、１つの方法に上述した状態が発生したとし ても、少な（とも１つの他の方法では汚染物質Ｂの濃度は汚染物質入の濃度に等 しくない。

本発明による該方法の評価によっては、以下に更に詳しく説明されるように、選 択の信頼性が大幅に向上さるというよりも始めて可能になると言える。

図８には本発明によりこのｔＲＨの解決方法を示す。ここでは、検査すべき容器 からのガスがいくつかの分析装置、ここではｎ＞＝２に供給される。分析装置に は、例えば、図に示されているガスをイオン化する分析ステージ謬ン５４１１、 半導体ガスセンサーで作動するステージ璽ン５４ｂ、５４ｃにおける電気化学的 セルおよび５４ｄの赤外線吸収測定装置、またはそれに相当する装置、しかし具 なる特性曲線を有するものがある。

このｎ個のステージ璽ンからは、選択的に有意義的な測定値１．、、、．１．が 出力される。この信号Ｉはｎ次元的な領域の中に該当するガスの状！ＩＰを定義 する。

結果を評価する計算機に含まれる基準値メモリに、ｎ次元的な領域が保存されて いる。この中には、許容範囲内か、あるいは許容範囲外の状態も定義されている 。図８のブロツク５６の所には、三次元的な領域に於いては１１、■１、■、の 許容範囲を図式的に示した。ガスの許容範囲内、あるいは許８範囲外の汚染物質 の構成および濃度を定義する値■、から■、が予め規格化されたガスでの校正に よって算出され、記憶装置５６に保存される。

現在、検査されたガスの状！ＩＰの測定においては、ガスサンプルが値■、から ■、によって定義された検体状態が、比較器５８で、記憶装置５６に保存された 該当するガス検体の状態ベクターＰ□、と比較される。現在、検査されたガス検 体の状態ベクターＰが、記憶装置５６に保存された汚染物質成分の許容範囲の領 域ＺＵＬ内にあれば、比較器５８の出力側には選択が肯定的に決定される。つま り、検査した容器に対しての新たな充填が許容される。他の検査結果の場合には 、この容器が廃棄される。

記憶装置５６への座標値Ｉの入力は、ＺＵＬ’（１，、Ｉｇ、、、、）＋−’） 入力で示されている。この座標値が許容範囲内のベクター領域ＺＵＬを定義する 。さらに、選択装置６６で行われた選択の際に、許容範囲外とされた容器の経路 に、他の選択装置６８を配置することができる。そこでは、例えば、時間的に余 裕を持って、検査室のような条件下で、容器が本当に許容範囲外に汚染されてい るかどうかをもう一度検査することができる。実際に、許容範囲外で汚染されて いれば、この容器が廃棄される。そうでなければ、この容器のベクター座標値■ が中間記憶装置７２に保存され、自動的学習プロセスにより許容範囲領域ＺＵＬ を更に細かく定義する。

ニューロン温調装置は、このような方式に非常に良く適応する。これによって、 一旦、設定したモデル、すなわち、ここでは許容範囲領域ＺＵＬに相当するモデ ルが自動学習プロセスによって洗練される。

上述したように、本発明の１つの実施例に適用される分析方法は、半導体ガスセ ンサーによるものである。そのような半導体部材を利用することにおける１つの 問題は、その部材が比較的遅い反応速度を有していることである。この類の検出 器の入力側に汚染されたガスが流された場合には、汚染インノ（ルスが発生され 、該半導体センサーの出力信号が比較的緩慢に最大値に向かって変動し、それを 超えた後も又漸減的に減少する。

上記課題は、他の測定方法、例えば半導体赤外線上ノサーによる赤外線吸収測定 法にも出現する可能性がある。したがって、以下の説明はこのような場合にも有 効である。

図９に示した半導体センサー６０ａ、６０ｂおよび６０ｃの出力信号は、汚染物 質によって最大値Ａ１．□に向かつて変動するが、この反応は比較的遅い。

測定周期を全般的に短縮させるためには、出力信号の立ち上がりが最終的に最大 値になるに連れて太き（なることを利用する。よって、上記のセンサーの場合に は、センサーの出力信号を直接評価するのではなく、微分器６１による、その時 間的な微分値を、図９に示したように、測定値Ａ、とじて評価する。

半導体センサーの変数は抵抗であるので、上記測定値Ａは電気抵抗の推移である 。

さらに、図で明らかであるように、このようなセンサーの出力信号が基線値に回 復するまでに必要な時間は、最大値Ａ１０．が大きければ大きい程長い。それに も拘らず測定周期を大幅に短縮するためには、図９に示すように、２つあるいは それより多くのセンサー、またはセンサーセットを、順次出現するガスサンプル 分析に周期的に利用すれば良い。これは、例えば流体交換スイッチ５９を有する 制御入力Ｇ′回転自動交換器６２を持つ制御装置で実現する。特に、例えば比較 ユニット６４で、どれかのセンサーか、センサーセットの出力信号が異常な高値 を示すかどうかを監視する。高値が検出された場合には、このセンサーか、セン サーセットを測定周期から外すようにする。

したがって、それぞれ少なくとも１つの半導体ガスセンサーを持っているセット ６０ａ％ｂ００．が遂次に連続的に運ばれてくるガスサンプルＧに対して使われ る。半導体センサーの出力信号が比較器６４に設定されているしきい値、あるい はその経時的微分値を超える場合には、このセンサーあるいはセンサーセットを 、設定されている測定周期数の間に続いているガスサンプル測定周期から外すこ とになる。

破線で示されているように、容易に基線値Ａを別の比較器６５で監視し、半導体 がスセンサセフトが測定周期から外されるべき時間を、現在に有効な出力信号に 応じて設定することができる。要するに、こうしたセンサーセットは、出力信号 が比較器６５に設定されている基線値を下回った時点で初めて再び作動し始める 。

半導体ガスセンサー、あるいは放射性半導体上ノサー、例えば赤外線吸収測定の ような物の別の問題は、センサーまでのガスサンプルの供給萱および装置のケー シングを、前回の測定による影響を最小にするために、洗浄されなければならな いことにある。しかし、半導体センサーは、洗浄ガス流れに対して図９の梓号Ａ の付近に示されているように、緩慢な出力信号で反応する。つまり、このような 半導体ガスセンサーは、洗浄、特に洗浄した空気でのガス洗浄がされると、１つ の洗浄周期後の非可動的時間が測定周期に等しいことである。この場合には、図 ９に示された半導体センサーセフトロ０の数を、同じ処理能力に連するため倍に しなければならない。

図１０ｍには、時間軸上に、定性的に、洗浄ガス流雪Ｓを示す。実線および一点 鎖線で半導体ガスセンサーに生ず冬最終的な出力信号人を示す。所定の回復時間 が経過してから試験ガスＧを供給することで、初めてここに考慮した半導体セン サーで再び測定周期が開始できることが明らかになった。時間を節約するため本 発明においては、この問題が図ｔｏｂおよび図９に示されているように、図９に 示されている符号Ｖ、およびＶ、の付近に、図式的に示されているように、試験 ガス流量および洗浄ガス流量は、流量制御装置によって、半導体センサーがほぼ 持続的な流れを検出するように調節されている。この場合には、特に、試験ガス 流量が担体ガスの流量であり、検査されている容器のガスサンプルは担体ガス流 量に混合される。特に、洗浄ガスは担体ガスと同一の物がよく、例えば、乾燥に よって洗浄された空気がよい。具なるガスが洗浄および担体に使用される場合に は、そのガス類の影響による変化は、主に試験ガスＧおよび洗浄ガスＳの流量調 節で補償ができる。

洗浄ガスと担体ガスが同一の物である条件下における、洗浄周期Ｓ、汚染されて いないガス、つまり担体ガスの測定周期Ｇおよび汚染されている測定周期Ｇの一 例が図１０ｂに図式的に示されている。半導体センサーの出力信号を観察するこ とによって平滑化されている。これによって、以下の周期、すなわち洗浄ガス／ 担体ガス、あるいは汚染されていない試験ガスを切り替える際には、半導体ガス センサーでは出力信号が生じない、あるいは特定の出力信号しか発生しないので 、上記の意味で連続的な検査が可能になる。

図１１は担体ガスが、担体ガスタンク７０から、運搬装置７２の上に描かれた容 器７１、ガスケット７４で接続されるような応用例を示す。符号７８で示されて いるように、担体ガスがポンプ７６によって容器のガスサンプルと一緒に本発明 による測定装置に供給される。もちろん、担体ガスをポンプガスとして水流ポン プのポンプ方式を利用することもできる。

担体ガスを洗浄ガスに使うことが制御可能な交換バルブｖａｎを配置し、洗浄周 期中には容器がバイパスされることによって極めて簡単にできる。

さらに、図８に示した複数助変数評価、あるいは該当する方式は次のように変更 ができる。

許容範囲内にあるか、または許容範囲外にあることに分けて、テストガスでの測 定によって出力信号りから！、までか決定される。校正ガス検体で得られたＩ値 により、適切な数学的な関数をめる。その関数の値は、上記の変数によって、明 確な許容範囲内に相当する値の領域、および許容範囲外に相当する値の領域に分 けることができる。

多次元的な領域を保存するよりも、図８に示したように、メモリを間約するため に上記の数学的な関数が保存され、ガス検体から得られた測定値を変数としてこ の関数に代入することもできる。以降に、得られた関数値が許容された関数値の 領域、または許容されない関数値の領域にあることを調べる。

または、図７３と違って、図７ｂに示されたように容器からガス検体Ｇ＠を採取 することによって、このガス検体に含まれる爆発の危険性を有する汚染物質が、 装置４１で放電、または発炎イオン化にされる荊に検出する。このステーション は例えば装置４１の上流に配置された弁４５を制御する。

この数種類の分析方法の転送特性を利用することによって、物質に関してもそし て濃度に関しても、少なくとも２つ、興なる特性曲線を有するこうしたステーシ ランの測定値を組み合わせることにより、該当する容器が再利用できるかどうか の判断の確率が有意に向上する。選択を制御する信号は統一的な数成分に構成さ れる信号である。

ＦＫ３．１ ＩＧ−２ ＦＩＧ、７ａ ＦＩＧ、７ｂ ＦＩＧ、８ ＦＩＧ、９ 発明の要約 ガス体汚染の検出の信憑性を更に改善する為には容器のガス（Ｇ）をいくつかの 分析方法（５４ａから５４（Ｉまで）で調べる。それぞれの方法で得られた出力 信号曲線（ｒ＋から！、まで）は汚染物質およびそれらの濃度に依存する。この 出力信号Ｎ＋から＋４まで）は、状態変数として、状態ベクターＰ　ａａ＊のよ うなベクターを算出し、このベクターが許容範囲内、あるいは許容範囲外（５６ ）の汚染状態を決定するかどうかを澗べる＝この検査の結電によって容器の汚染 が許容範囲内にあるか、または許容範囲外にあることが決定される。

国際調査報告 １１．−−＾−−−ｍ−ｈ、　ＰＣＴ／ＣＨ９＋１００２４３

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. １．汚染物質群にある、許容された汚染物質あるいは許容されていない汚染物質 によって汚染された容器を、容器からのガスを分析し、分析の結果を予め設定し た基準値と比較し、該比較結果に基づいて、選択する方法であって、−前記分析 は、ｎ＞＝２としてのｎ−分析方法（５４ａ、ｂ・・・）で行われ、それぞれの 方法で汚染物質、またはその濃度に関して異なる出力信号曲線（Ｉ１・・・）を 生成し、 −出力信号（Ｉ）に相当する状態変数（Ｉ１、Ｉ２・・・）で少なくとも１つの 許容される汚染のｎ−次元的領域（ＺＵＬ）を定義し、−分析方法の分所信実（ Ｉ１、Ｉ２・・・）は前記の許容範囲を表す領域内（ＺＵＬ）に、ある状態を決 定するかどうかを調べることを特徴とする容器の自動選択方法。
2. ２．容器の中のガス、あるいは容器の中からのガスを含むガスの検査は、赤外線 吸収測定 半導体ガスセンサーでの測定 電気化学的なセルによる測定 イオン化にする、特に光イオン化および／あるいは放電イオン可およびそれによ って発生するガスのイオン化 の方法のうち、少なくとも１つを利用することを特徴とする請求項１記載の容器 の自動選択方法。
3. ３．１つの分析方法では、容器の中のガス、あるいは容器の中のガスを含むガス が少なくとも１つの半導体センサー（ＨＬ，ＩＲ）に供給されることを特徴とす る請求項１もしくは２記載の容器の自動選択方法。
4. ４．前記少なくとも１つの半導体セツサー（ＨＬ）は、時間に対して微分され（ ６１）、徴分化の結果が選択装置に入力されることを特徴とする請求項３記載の 容器の自動選択方法。
5. ５．少なくとも１つの半導体センサー（６０ａ、ｂ・・・）を含む、少なくとも ２つのセットが配置され、順次にでてくる容器が異なるセンサーセットに供給さ れることを特徴とする請求項３もしくは４記載の容器の自動選択方法。
6. ６．半導体センサーがガスの測定後に洗浄され（ｓ）、洗浄ガスの種類が容器の ガスによって選択きれ、および／あるいは、洗浄ガスの流れが半導体センサー付 近のガス流によって調節されることにより洗浄ガスの次の容器のガス測定への影 響を最小化することを特徴とする請求項３ないし５のうちの少なくとも１つの請 求項に記載の容器の自動選択方法。
7. ７．容器のガスには担体ガスが使われ、そして担体ガスが洗浄ガスとして使われ ることを特徴とする請求項６記載の容器の自動選択方法。
8. ８．前記洗浄ガスとして、洗浄した空気が使われることを特徴とする請求項６も しくは７記載の容器の自動選択方法。
9. ９．洗浄ガスおよび容器からのガスの流量の徴分化（Ｖｏ／Ｖｓ）によって洗浄 から測定に切り替える時、またはその逆に切り替える時に、少なくとも１つの半 導体センサーの出力信号が主に一定であるように設定することを特徴とする請求 項６ないし８のうちの少なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法。
10. １０．１つの分析方法では、ガスが電気的な放電ギャップ（３）に供給きれ、放 電特性（Ｉｙ）および／あるいは放電によるガスのイオン化（ｉ）が、選択に使 われる出力信号として評価されることを特徴とする請求項１ないし９のうちの少 なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法。
11. １１．１つの分析方法として、ガスがイオン化され、イオンの移動度に依存する 出力信号（ｉ１、ｉ３・・・．）が、選択に使われることを特徴とする請求項１ ないし１０のうちの少なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法。
12. １２．それぞれの分析方法で、ガスの校正検体でｎ＞＝２としてのｎ−次元状態 空間において各分析方法の出力信号に相当する座標によって少なくとも１つの領 域が定義され、状態変数の値に表した状態が許容範囲内の汚染を定義し、または その少なくとも１つの領域外の汚染を定義し、または用いた分析方法によりガス から得られた出力信号は自動的に座標として前記許容領域内のガス状態を表すか 否かとして評価することを特徴とする請求項１ないし１１のうちの少なくも１つ の請求項に記載の容器の自動選択方法。
13. １３．容器は、少なくとも１つの分析方法を利用する前に、特に水、烝気、ガス 、特に空気で洗浄される（ｓ）ことを特徴とする請求項１ないし１２のうちの少 なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法。
14. １４．容器は、少なくとも１つの分析方法を利用する前に、特に赤外線、蒸気、 ガス、空気あるいはマイクロ波加熱きれる（Ｑ）ことを特徴とする請求項１ない し１３のうちの少なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法。
15. １５．容器に、元の詰物に相当する印を元の詰物が完全に使い尽くされる前に付 け、選択の際に、この印も参照されることを特徴とする請求項１ないし１４のう ちの少なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法。
16. １６．半導体センサーセット（ＨＬ）の出力信号が予め設定した値を超えるかど うかを判定し（６４）、超えた場合には該当するセットが少なくとも直後に行わ れる分析の間、使われないことを特徴とする請求項５記載の容器の自動選択方法 。
17. １７．容器を、容器またはその内容にでも、許容された汚染物質群、あるいは許 容されない汚染物質群により汚染され、容器のガスが探知装置、比較器、または その比較器に基準値を入力する基準値保存装置で構成される自動的に選択するた めの測定装置の探知装置はｎ個の探知器を有し（５４ａ、ｂ・・・）、ｎが＞＝ ２であり、それぞれの探知器が汚染物質によって異なる出力信号（Ｉ１、Ｉ２、 ・・）を出力し、比較器（５８）が探知器（５４ａ、ｂ・・・）の汚染物質およ びその濃度に依存する出力信号（Ｉ１、Ｉ２、・・・）を、保存装置（５６）の 許容きれた、あるいは許容きれない汚染物質に相当する出力信号と比較する測定 装置。
18. １８．前記少なくとも１つの探知器は、赤外線吸収測定装置 半導体ガスセンサーを利用する測定装置電気化学的セルの測定装置 質量分析器 イオン化装置、特に光イオン化および／あるいは放電イオン化装置およびイオン 化測定装置 から構成されることを特徴とする請求項１７記載の測定装置。
19. １９．前記少なくとも１つの探知器は、少なくとも１つの半導体センサー（ＨＬ 、ＩＲ）で構成されることを特徴とする請求項１７もしくは１８記載の測定装置 。
20. ２０．前記半導体センサーと前記比較器の間に時間微分装置（６１）が接続され ることを特徴とする請求項１９記載の測定装置。
21. ２１．前記探知器は、少なくとも１つの半導体センサーを有する、少なくとも２ つのセット（６０ａ、ｂ・・・）で構成され、半導体センサーへのガスを制御で きる供給装置が配置されることを特徴とする請求項１９もしくは２０記載の測定 装置。
22. ２２．制御可能な供給管を制御する前記制御装置（６２）は、順次、異なる前記 セット（６０ａ、ｂ・・・）にガスを供給するように配置きれることを特徴とす る請求項２１記載の測定装置。
23. ２３．前記セットの出力は、所定のしきい値に反応する装置（６４）に入力され 、その出力は、前記制御装置（６２）に、１つのセットの出力信号が、設定され たしきい値を越える時に、このセットが少なくとも次に測定する間に停止させる ように作動することを特徴とする請求項２２記載の測定装置。
24. ２４．前記半導体センサーの付近に洗浄ガス源と接続されている洗浄ガス供給管 （Ｓ）が開口することを特徴とする請求項１９ないし２３のうちの少なくとも１ つの請求項に記載の測定装置。
25. ２５．前記半導体センサーの付近に洗浄ガス源からの洗浄ガス供給管（Ｓ）およ びガスの供給管が開口し、少なくとも１つの流量交換号（Ｖａ、ＶＳ）でガスの 供給管および洗浄ガス供給管（Ｓ）の流量比率を調節することを特徴とする請求 項１９ないし２４のうちの少なくとも１つの請求環に記載の測定装置。
26. ２６．前記担体ガス供給管が担体源（７０）から容器の中まで引かれ、この付近 に担体ガスおよび容器のガスを吸入し、前記探知器（７８）に供給することを特 徴とする請求項１７ないし２５のうちの少なくとも１つの請求項に記載の測定装 置。
27. ２７．イオン化装置（３）として、特に放電ギャップがガスのために配置される ことを特徴とする請求項１７ないし２６のうちの少なくとも１つの請求項に記載 の測定装置。
28. ２８．イオン化されたガスの流れに沿って少なくとも２つの静電気的なイオン付 着装置（３０）が前記探知器として直列に配置されることを特徴とする請求項２ ７記載の測定装置。
29. ２９．容器に付帯されたコードを読むためのコード読みとり装置が配置されるこ とを特徴とする請求項１７ないし２８のうちの少なくとも１つの請求項に記載の 測定装置。
30. ３０．許容された状態にある容器の少なくとも一部が更に選択（６８）され、こ の別の選択の結果およびそれぞれの容器（７１）の変数によって、許容状態の領 域（ＺＵＬ）が自動学習機能として検査され、そして必要な場合には変更きれる こと を特徴とする請求項１ないし１６のうちの少なくとも１つの請求項に記載の容器 の自動選択方法。
31. ３１．前記運搬装置（７２）は、流れ作業として連ぼれてくるプラスチック瓶（ ７１）を容器とし、該容器から測定装置まで運び、および／あるいは、測定装置 から容器まで運ぶことを特徴とする請求項１７ないし２９のうちの少なくとも１ つに記載の測定装置を含む設備。
32. ３２．食料のためのプラスチック瓶を検査するための請求項１ないし１６のうち の少なくとも１つの請求項に記載の容器の自動選択方法、あるいは請求項１７な いし２９のうちの少なくとも１つの請求項に記載の測定装置を含む設備。