JPH0549270A - Piezoelectric/electrostrictive actuator - Google Patents

Piezoelectric/electrostrictive actuator

Info

Publication number
JPH0549270A
JPH0549270A JP3204845A JP20484591A JPH0549270A JP H0549270 A JPH0549270 A JP H0549270A JP 3204845 A JP3204845 A JP 3204845A JP 20484591 A JP20484591 A JP 20484591A JP H0549270 A JPH0549270 A JP H0549270A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
electrostrictive
substrate
ceramic substrate
actuator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3204845A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2693291B2 (en
Inventor
Yukihisa Takeuchi
幸久 武内
Koji Kimura
浩二 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP3204845A priority Critical patent/JP2693291B2/en
Publication of JPH0549270A publication Critical patent/JPH0549270A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2693291B2 publication Critical patent/JP2693291B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a highly reliable and strong piezoelectric/electrostrictive actuator which can produce a large displacement and a high force at high response with relatively low driving voltage and which can be subjected to high integration and suitably employed in an ink jet print head. CONSTITUTION:In a piezoelectric/electrostrictive actuator comprising a ceramic substrate and a piezoelectric/electrostrictive driving section, a recess of predetermined size is made in the ceramic substrate 22 in order to form a thin part 22a and piezoelectric/electrostrictive driving sections 26, 28, 30 are formed on the thin part 22a of the ceramic substrate 22.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【技術分野】本発明は、圧電/電歪アクチュエータ、中
でも、主にインクジェットプリントヘッド、マイクロホ
ン、発音体(スピーカー等)、各種振動子や発振子等に
用いられるユニモルフ型やバイモルフ型等の、屈曲変位
を発生させるタイプの圧電/電歪アクチュエータに関す
るものである。なお、ここで呼称されるアクチュエータ
とは、電気エネルギーを機械エネルギーに変換、即ち機
械的な変位または応力または振動に変換する素子を意味
するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a piezoelectric / electrostrictive actuator, in particular, a unimorph type or a bimorph type, which is mainly used for an inkjet printhead, a microphone, a sounding body (speaker, etc.), various vibrators and oscillators, etc. The present invention relates to a piezoelectric / electrostrictive actuator of a type that generates displacement. The actuator referred to here means an element that converts electrical energy into mechanical energy, that is, mechanical displacement or stress or vibration.

【0002】[0002]

【背景技術】近年、光学や精密加工等の分野において、
サブミクロンのオーダーで光路長や位置を調整する変位
制御素子が所望されるようになってきており、これに応
えるものとして、強誘電体等の圧電/電歪材料に電界を
加えたときに起こる逆圧電効果や電歪効果に基づくとこ
ろの変位を利用した素子である圧電/電歪アクチュエー
タの開発が進められている。
BACKGROUND ART In recent years, in fields such as optics and precision processing,
A displacement control element that adjusts the optical path length and position on the order of submicrons has been desired, and in response to this, it occurs when an electric field is applied to a piezoelectric / electrostrictive material such as a ferroelectric substance. The development of a piezoelectric / electrostrictive actuator, which is an element that utilizes a displacement based on an inverse piezoelectric effect or an electrostrictive effect, is under way.

【0003】ところで、インクジェットプリントヘッド
等においては、そのような圧電/電歪アクチュエータ構
造として、従来から知られているユニモルフ型やバイモ
ルフ型が、好適に採用されている。そして、そこでは、
そのようなアクチュエータを用いたプリンターの印字品
質・印字速度等の向上が要求されており、それに応える
べく、かかる圧電/電歪アクチュエータの小型高密度
化、低電圧駆動化、高速応答化を図るための開発が進め
られている。
By the way, in the ink jet print head and the like, as such a piezoelectric / electrostrictive actuator structure, a conventionally known unimorph type or bimorph type is preferably adopted. And there,
To improve the printing quality and printing speed of printers using such actuators, in order to meet such demands, in order to meet the demands for miniaturization and high density of piezoelectric / electrostrictive actuators, low voltage drive, and high speed response. Is being developed.

【0004】また、それらユニモルフ型やバイモルフ型
の圧電/電歪アクチュエータにおいては、大きな屈曲変
位や発生力を得るために、振動板となる基板の厚さを小
さくすることが重要とされるが、かかる基板の厚さを減
少させると、強度が低下するという欠点があった。
Further, in these unimorph type and bimorph type piezoelectric / electrostrictive actuators, it is important to reduce the thickness of the substrate to be the vibration plate in order to obtain large bending displacement and generated force. When the thickness of the substrate is reduced, there is a drawback that the strength is reduced.

【0005】[0005]

【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その解決すべき課題と
するところは、相対的に低駆動電圧で大変位が得られ、
信頼性が高く、応答速度が早く、且つ発生力が大きく、
また高集積化が可能で、インクジェットプリントヘッ
ド、マイクロホン、発音体(スピーカー等)、各種振動
子や発振子等に好適に用いられる、強度に優れた圧電/
電歪アクチュエータを提供することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and the problem to be solved is to obtain a large displacement with a relatively low driving voltage.
It has high reliability, fast response speed, and large generating force.
In addition, it is possible to achieve high integration, and it is suitable for inkjet print heads, microphones, sounding bodies (speakers, etc.), various vibrators, oscillators, etc.
An object is to provide an electrostrictive actuator.

【0006】[0006]

【解決手段】そして、本発明にあっては、上記の如き課
題を解決するために、セラミック基板と圧電/電歪駆動
部とから形成されてなる圧電/電歪アクチュエータにお
いて、該セラミック基板に所定大きさの凹所が形成され
て、該凹所の底部が薄肉厚部とされており、更に前記圧
電/電歪駆動部が、該セラミック基板の前記薄肉厚部の
面上に形成されていることを特徴とする圧電/電歪アク
チュエータを、その要旨とするものである。
According to the present invention, in order to solve the above problems, a piezoelectric / electrostrictive actuator formed of a ceramic substrate and a piezoelectric / electrostrictive drive unit has a predetermined size on the ceramic substrate. A recess having a size is formed, the bottom of the recess is a thin-walled portion, and the piezoelectric / electrostrictive drive unit is formed on the surface of the thin-walled portion of the ceramic substrate. A piezo-electric / electrostrictive actuator characterized by the above is the gist thereof.

【0007】また、本発明は、セラミック基板と圧電/
電歪駆動部とから形成されてなる圧電/電歪アクチュエ
ータにおいて、該セラミック基板を、所定大きさの空孔
部乃至は欠除部を有する第一の基板に平板状の第二の基
板をグリーンシートの状態で積層し、焼成することによ
り、該空孔部乃至は欠除部において凹所が形成されて8
該凹所の底部が薄肉厚部とされてなる一体化された積層
セラミック基板とすると共に、更に前記圧電/電歪駆動
部を、該積層セラミック基板の前記薄肉厚部の面上に形
成したことを特徴とする圧電/電歪アクチュエータを
も、その要旨とするものである。
The present invention also relates to a ceramic substrate and a piezoelectric / piezoelectric material.
In a piezoelectric / electrostrictive actuator formed of an electrostrictive drive unit, the ceramic substrate is a first substrate having holes or cutouts of a predetermined size, and a flat second substrate is a green substrate. By stacking in a sheet state and firing, a recess is formed in the void or cutout portion, and
An integrated multi-layer ceramic substrate in which the bottom of the recess is a thin wall portion is formed, and the piezoelectric / electrostrictive drive unit is further formed on the surface of the thin wall portion of the multi-layer ceramic substrate. A piezoelectric / electrostrictive actuator characterized by:

【0008】[0008]

【作用・効果】このような本発明に係る圧電/電歪アク
チュエータは、セラミック基板とその薄肉厚部の面上に
形成された膜状若しくは層状の圧電/電歪駆動部(第一
の電極と第二の電極とそれら電極間に形成された圧電/
電歪層から構成される)とからなるものであるところか
ら、相対的に低駆動電圧にて大変位が得られ、また応答
速度が速く、且つ発生力も大きく、更にはその製造プロ
セスに膜形成プロセスを用いることにより、同一基板面
上に多数個の素子を容易に形成することが出来、かかる
圧電/電歪駆動部の高集積化が可能となる特徴を有して
いる。
In the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention as described above, the piezoelectric / electrostrictive drive unit (first electrode and the layered piezoelectric / electrostrictive drive unit formed on the surface of the ceramic substrate and the thin wall portion thereof is provided. A second electrode and a piezoelectric formed between the electrodes
Since it is composed of an electrostrictive layer), a large displacement can be obtained at a relatively low driving voltage, the response speed is fast, and the generation force is large. By using the process, a large number of elements can be easily formed on the same substrate surface, and the piezoelectric / electrostrictive drive unit can be highly integrated.

【0009】また、本発明に従って、そのような圧電/
電歪駆動部形成用の基板として有利に用いられる積層構
造のセラミック基板は、所定大きさの空孔部乃至は欠除
部を有する第一の基板と平板状の第二の基板とを、グリ
ーンシートの状態で積層し、焼成することにより、一体
化してなるものであるところから、かかるセラミック基
板のアクチュエータとして使用する部位を、第一の基板
の空孔部乃至は欠除部に相当する第二の基板部位とする
ことにより、当該部位のみを薄肉厚化することが出来、
以てアクチュエータ基板の強度を低下させることなく、
また隣接する圧電/電歪駆動部同士が変位時に互いに干
渉することなく、アクチュエータの小型化、高集積化を
容易に図ることが出来るのである。
Also according to the invention such a piezoelectric /
A ceramic substrate having a laminated structure, which is advantageously used as a substrate for forming an electrostrictive drive unit, includes a first substrate having pores or cutouts of a predetermined size and a flat second substrate, and a green substrate. Since the sheets are laminated in a sheet state and are integrated by firing, the portion of the ceramic substrate to be used as the actuator is the first portion corresponding to the holes or the cutout portions of the first substrate. By making the second substrate part, it is possible to thin only the part concerned,
Therefore, without lowering the strength of the actuator substrate,
Further, the adjacent piezoelectric / electrostrictive drive units do not interfere with each other when displaced, and the actuator can be easily downsized and highly integrated.

【0010】特に、本発明にあっては、空孔部乃至は欠
除部を有した第一の基板に、平板状の第二の基板(これ
が振動板として機能する)を貼り合わせ、アクチュエー
タとして必要な部分のみを薄板化し、アクチュエータ用
基板全体としての強度が保持され得る構造とされている
ところから、一つの基板面上に多数の圧電/電歪駆動部
を有するアクチュエータ構造として、機能と強度を両立
させることが出来、非常に有効であり、しかも、第一の
基板と第二の基板がセラミックグリーンシート或いはセ
ラミックグリーンテープの状態で積層され、焼成により
一体化されているところから、非常に信頼性の高い積層
基板を有するものである。
In particular, in the present invention, a flat plate-shaped second substrate (which functions as a vibrating plate) is attached to a first substrate having holes or cutouts to form an actuator. Since the structure is such that only the necessary parts are thinned and the strength of the actuator substrate as a whole can be maintained, the function and strength of an actuator structure with many piezoelectric / electrostrictive drive parts on one substrate surface can be improved. Is very effective, and moreover, the first substrate and the second substrate are laminated in the state of a ceramic green sheet or a ceramic green tape and are integrated by firing, It has a highly reliable laminated substrate.

【0011】なお、本発明に従う圧電/電歪アクチュエ
ータにあっては、低電圧駆動が可能で、しかも大きい屈
曲変位・発生力を得るために、有利には、厚さとして1
00μm以下、好ましくは50μm以下である圧電/電
歪駆動部と、厚さとして50μm以下、好ましくは30
μm以下の薄肉厚部(第二の基板厚さ)を有するセラミ
ック積層基板とから構成されることとなる。
In the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention, in order to be able to drive at a low voltage and to obtain a large bending displacement / generated force, the thickness is preferably 1
A piezoelectric / electrostrictive drive unit having a thickness of 00 μm or less, preferably 50 μm or less, and a thickness of 50 μm or less, preferably 30
A ceramic laminated substrate having a thin wall portion (second substrate thickness) of not more than μm.

【0012】[0012]

【具体的構成・実施例】以下に、本発明に従う圧電/電
歪アクチュエータの具体的構造を示す図面を参照しつ
つ、本発明を、更に具体的に明らかにすることとする。
なお、理解を容易にするために、各図面を通して、同様
の構造乃至は機能を有するものには、同一の符号を付す
ものとする。
Specific Structure / Examples The present invention will be more specifically clarified below with reference to the drawings showing the specific structure of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.
In addition, in order to facilitate understanding, the same reference numerals are given to those having the same structure or function throughout the drawings.

【0013】先ず、図1及び図2には、本発明に係る圧
電/電歪アクチュエータにおいて好適に用いられるセラ
ミック基板の一例が示されている。
First, FIGS. 1 and 2 show an example of a ceramic substrate preferably used in the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【0014】かかる図において、セラミック基板2は、
所定大きさの矩形の空孔部6を有する第一の基板4と、
その一方の面に重ね合わされた平板状の第二の基板8と
からなり、それら第一及び第二の基板4,8は、グリー
ンシートの状態で積層、一体化され、焼成されることに
より、一体的な構成とされ、以て薄肉厚部8aを有する
と共に、周縁部を第一の基板4にて補強された構成とさ
れている。即ち、その一体化された基板2は、空孔部6
において凹所が形成されており、またかかる凹所の底部
が薄肉厚部8aとして構成されているのである。
In this figure, the ceramic substrate 2 is
A first substrate 4 having a rectangular hole 6 of a predetermined size;
It is composed of a flat plate-shaped second substrate 8 superposed on one surface thereof, and the first and second substrates 4 and 8 are laminated in a state of a green sheet, integrated, and baked, It has an integrated structure, and thus has a thin wall portion 8a and a peripheral portion reinforced by the first substrate 4. That is, the integrated substrate 2 has a hole 6
In, the recess is formed, and the bottom of the recess is configured as the thin wall portion 8a.

【0015】また、図3及び図4に示されるセラミック
基板10は、第一の基板として上記とは異なる形態のも
のを用いたものであって、ここでは、第一の基板12に
は、圧電/電歪駆動部の設けられる各部位に位置して、
複数の矩形状の空孔部14が並列的に設けられている。
そして、そのような第一の基板12が、第二の基板8と
一体的に積層されることにより、複数の空孔部14に対
応する部位に所定大きさの凹所が形成され、そして該凹
所の底部が薄肉厚部8aとして構成されているのであ
る。
Further, the ceramic substrate 10 shown in FIGS. 3 and 4 uses a different form from the above as the first substrate. Here, the first substrate 12 is made of a piezoelectric material. / Located at each site where the electrostrictive drive is installed,
A plurality of rectangular hole portions 14 are provided in parallel.
Then, such a first substrate 12 is integrally laminated with the second substrate 8 to form a recess of a predetermined size at a portion corresponding to the plurality of holes 14, and The bottom of the recess is configured as the thin wall portion 8a.

【0016】さらに、図5〜図7に示されるセラミック
基板16は、第一の基板18として、圧電/電歪駆動部
が設けられる部位に相当する部分が欠除されて、所定大
きさの切除部20が設けられてなるコ字状形状のものを
用い、そのような第一の基板18に、前記と同様に、平
板状の第二の基板8が一体的に積層、一体化せしめられ
て形成されている。それによって、セラミック基板16
において、該第一の基板18の切除部20に相当する部
位に薄肉厚部8aが形成されると共に、第二の基板8の
底部は、その矩形状周縁をコ字状において補強されてい
るのである。このように、第一の基板18は、それが一
体的な構造を有している限りにおいて、空孔部形態の他
に、欠除された形態のものであってもよいのである。
Further, in the ceramic substrate 16 shown in FIGS. 5 to 7, as the first substrate 18, a portion corresponding to the portion where the piezoelectric / electrostrictive drive portion is provided is cut off, and the ceramic substrate 16 is cut into a predetermined size. The second substrate 8 having a flat plate shape is integrally laminated and integrated on such a first substrate 18 as described above by using a U-shaped member provided with the portion 20. Has been formed. Thereby, the ceramic substrate 16
In the above, since the thin thickness portion 8a is formed in a portion corresponding to the cutout portion 20 of the first substrate 18, and the bottom portion of the second substrate 8 is reinforced with its rectangular peripheral edge in a U shape. is there. As described above, the first substrate 18 may be in the form of a cutout, in addition to the form of holes, as long as it has an integral structure.

【0017】また、図8〜図10に示されるセラミック
基板38において、長方形状を為す第一の基板40は、
圧電/電歪駆動部が設けられる部位に相当する部分が欠
除されて、矩形の空孔部42が設けられていると共に、
この空孔部42の長手方向(図において左右方向)の両
端部位に、空孔部42から所定長さに亘ってそれぞれ切
り欠かれた段部44が設けられてなる構成とされてい
る。これによって、インクジエットプリントヘッドへの
適用に際し、インクジェットノズル基板を接合した場合
に、インクタンクからインクを導く流路として用いるこ
とが出来るようになっている。そして、この第一の基板
40に、前記と同様に、平板状の第二の基板8が積層一
体化されているのである。
Further, in the ceramic substrate 38 shown in FIGS. 8 to 10, the first substrate 40 having a rectangular shape is
A portion corresponding to a portion where the piezoelectric / electrostrictive drive portion is provided is cut away, and a rectangular hole portion 42 is provided, and
At both ends of the hole 42 in the longitudinal direction (horizontal direction in the drawing), stepped portions 44 cut out from the hole 42 for a predetermined length are provided. This allows the ink jet print head to be used as a flow path for guiding the ink from the ink tank when the ink jet nozzle substrates are joined when applied to the ink jet print head. Then, the flat plate-shaped second substrate 8 is laminated and integrated on the first substrate 40 in the same manner as described above.

【0018】これらの構造によって、アクチュエータと
して必要なセラミック基板部分のみを薄肉化し、アクチ
ュエータ用の基板全体としての強度は維持することが出
来るのである。そして、このような基板構造とすること
により、1つの基板面上に多数の圧電/電歪駆動部を有
するアクチュエータ構造として、機能と強度を両立させ
ることが出来、しかもセラミックの一体焼成物であると
ころから、耐熱性が高く、また非常に信頼性の高い積層
基板とされている。
With these structures, only the ceramic substrate portion necessary for the actuator can be thinned, and the strength of the entire actuator substrate can be maintained. With such a substrate structure, it is possible to achieve both function and strength as an actuator structure having a large number of piezoelectric / electrostrictive drive units on one substrate surface, and it is a ceramic integrally fired product. Therefore, the laminated substrate has high heat resistance and extremely high reliability.

【0019】本発明は、上記の如き構造を有する積層型
のセラミック基板を用いて、目的とする圧電/電歪アク
チュエータを形成したものであって、その幾つかの具体
例が図11〜図16に示されている。
The present invention is one in which a desired piezoelectric / electrostrictive actuator is formed using a laminated ceramic substrate having the above-mentioned structure, and some specific examples thereof are shown in FIGS. Is shown in.

【0020】先ず、図11に示される圧電/電歪アクチ
ュエータは、セラミック基板22の空孔部24が設けら
れている部位(凹所の底部)に相当する面上、即ちセラ
ミック基板22の薄肉厚部22a上において、第一の電
極膜26、膜状若しくはシート状の圧電/電歪層28、
及び第二の電極膜30が順次積層されて、多層に形成さ
れた一体構造とされている。なお、第一及び第二の電極
膜26,30は、それぞれ、圧電/電歪層28の端部よ
り延び出させられて、リード部26a,30aを形成し
ており、それらリード部26a,30aを通じて、それ
ぞれの電極膜26,30に電圧印加が行なわれるように
なっている。従って、このような構造の圧電/電歪アク
チュエータにおいては、その圧電/電歪層28に電界が
作用せしめられると、電界誘起歪の横効果により、セラ
ミック基板22の板面に垂直な方向の屈曲変位乃至は発
生力が発現せしめられるのである。
First, in the piezoelectric / electrostrictive actuator shown in FIG. 11, the ceramic substrate 22 has a thin wall thickness on the surface corresponding to the portion (bottom of the recess) where the hole portion 24 is provided. A first electrode film 26, a film-shaped or sheet-shaped piezoelectric / electrostrictive layer 28 on the portion 22a,
The second electrode film 30 and the second electrode film 30 are sequentially laminated to form a multi-layered integrated structure. The first and second electrode films 26 and 30 are extended from the ends of the piezoelectric / electrostrictive layer 28 to form lead portions 26a and 30a, respectively, and the lead portions 26a and 30a are formed. A voltage is applied to each of the electrode films 26 and 30 through. Therefore, in the piezoelectric / electrostrictive actuator having such a structure, when an electric field is applied to the piezoelectric / electrostrictive layer 28, the lateral effect of the electric field-induced strain causes the ceramic substrate 22 to bend in a direction perpendicular to the plate surface. The displacement or the generating force is exhibited.

【0021】また、図12は、セラミック基板22の薄
肉厚部22aの面上に、複数の帯状電極32とそれらを
接続する電極接続部34とからなる櫛形の電極膜36a
及びそれと同形状の電極膜36bが図示の如き配置形態
においてそれぞれ設けられると共に、更にそれらの電極
膜36a,36b間に、それら電極膜36a,36bと
接するように、圧電/電歪層28が形成され、一体構造
とされている例を示している。そして、かかる構造の圧
電/電歪アクチュエータにおいては、その圧電/電歪層
28に電界が作用せしめられると、電界誘起歪の縦効果
により、セラミック基板22の板面に垂直な方向の屈曲
変位乃至は発生力が発現せしめられるのである。
Further, FIG. 12 shows that a comb-shaped electrode film 36a composed of a plurality of strip electrodes 32 and electrode connecting portions 34 connecting them is formed on the surface of the thin wall portion 22a of the ceramic substrate 22.
And an electrode film 36b having the same shape as that of the electrode film 36a, and the piezoelectric / electrostrictive layer 28 is formed between the electrode films 36a and 36b so as to be in contact with the electrode films 36a and 36b. In the example shown in FIG. In the piezoelectric / electrostrictive actuator having such a structure, when an electric field is applied to the piezoelectric / electrostrictive layer 28, the longitudinal displacement of the electric field-induced strain causes bending displacement or displacement in a direction perpendicular to the plate surface of the ceramic substrate 22. Is the generative power.

【0022】さらに、図13は、第一の電極膜26と圧
電/電歪層28と第二の電極膜30とからなる圧電/電
歪駆動部の複数が、別個に、セラミック基板22上に設
けられてなる例を示すものであり、膜状のアクチュエー
タが好適に用いられる高集積化構造を実現したものであ
る。なお、ここで用いられている基板22は、図3に示
される如き複数の空孔部が基板の底面側に設けられてな
るものであり、該空孔部に相当する第二の基板部位(薄
肉厚部)に各圧電/電歪駆動部が配設されているのであ
る。
Further, FIG. 13 shows that a plurality of piezoelectric / electrostrictive driving portions each including a first electrode film 26, a piezoelectric / electrostrictive layer 28, and a second electrode film 30 are separately provided on a ceramic substrate 22. This is an example in which it is provided, and realizes a highly integrated structure in which a film actuator is preferably used. The substrate 22 used here is one in which a plurality of holes as shown in FIG. 3 are provided on the bottom surface side of the substrate, and a second substrate portion (corresponding to the holes) ( Each piezoelectric / electrostrictive drive section is disposed in the thin wall thickness section).

【0023】更にまた、図14は、セラミック基板22
の薄肉厚部22aの一方の面上に複数の帯状電極膜32
が配列され、圧電/電歪層28にて埋め込まれた状態
で、圧電/電歪駆動部が形成された例であり、該圧電/
電歪駆動部上には、電極層34、圧電/電歪層36、及
び電極層34が順次積層一体化せしめられた構造とされ
ている。
Furthermore, FIG. 14 shows a ceramic substrate 22.
A plurality of strip-shaped electrode films 32 on one surface of the thin-walled portion 22a of
Is an example in which the piezoelectric / electrostrictive drive portion is formed in a state where the piezoelectric / electrostrictive layer 28 is embedded in the piezoelectric / electrostrictive layer 28.
The electrode layer 34, the piezoelectric / electrostrictive layer 36, and the electrode layer 34 are sequentially laminated and integrated on the electrostrictive drive portion.

【0024】また、図15に示される圧電/電歪アクチ
ュエータは、セラミック基板22において、薄肉厚部2
2aのみの形状が円形形状とされた例であり、該セラミ
ック基板22の薄肉厚部22aの形状に対応して、その
面上に形成される圧電/電歪層28及び帯状電極32か
らなる圧電/電歪駆動部も、円形形状において設けられ
ているのである。
Further, the piezoelectric / electrostrictive actuator shown in FIG.
This is an example in which only the shape of 2a is circular, and the piezoelectric / electrostrictive layer 28 and the strip electrode 32 formed on the surface of the ceramic substrate 22 corresponding to the shape of the thin-walled portion 22a are formed. / The electrostrictive drive unit is also provided in a circular shape.

【0025】さらに、図16に示されるアクチュエータ
は、セラミック基板22の薄肉厚部22aの両面に、圧
電/電歪駆動部(26,28,30)が設けられた、バ
イモルフ型の圧電/電歪アクチュエータの例である。
Further, the actuator shown in FIG. 16 is a bimorph type piezoelectric / electrostrictive device in which piezoelectric / electrostrictive drive parts (26, 28, 30) are provided on both sides of the thin wall portion 22a of the ceramic substrate 22. It is an example of an actuator.

【0026】ところで、これら本発明に従う圧電/電歪
アクチュエータは、具体的には、次のようにして作製さ
れることとなる。
The piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention is specifically manufactured in the following manner.

【0027】先ず、圧電/電歪駆動部が形成されるセラ
ミック基板(22)に関して、それを形成する材料とし
ては、機械的強度が大きく、後述するように、1400
℃程度の熱処理が可能で、望ましくは接着剤等を用いる
ことなく圧電/電歪駆動部と積層一体化し得る絶縁体若
しくは誘電体であれば、酸化物系のセラミック材料であ
っても、また非酸化物系のセラミック材料であっても良
いが、その中でも、少なくとも酸化アルミニウム,酸化
マグネシウム,酸化ジルコニウム,窒化アルミニウム,
窒化珪素のうちの何れかを主成分とした材料が、変位や
発生力が大きく、応答速度も速いという優れたアクチュ
エータ特性を得る為に好適に採用され、特に酸化アルミ
ニウムおよび/または酸化ジルコニウムを主成分とした
セラミック材料の使用が好ましい。更に、その中でも、
特に、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セ
リウム、酸化カルシウム及び酸化マグネシウムからなる
群より選ばれた少なくとも一つの化合物で安定化された
酸化ジルコニウムを主成分とする材料が、薄い基板厚さ
においても高い機械的強度が得られること、高靭性であ
ること、膜形成手法において採用される圧電/電歪材料
との熱処理時の応力が小さいこと、更にその圧電/電歪
材料との化学的な反応性が小さいことから、アクチュエ
ータの基板として有利に用いられる。しかも、このよう
な安定化された酸化ジルコニウム材料からなるセラミッ
ク基板においては、本発明に従うキャビティ構造におい
ても、変位を大きく取り易い利点があるのである。な
お、酸化ジルコニウムを安定化する為の前記化合物の添
加量としては、酸化イットリウムや酸化イッテルビウム
では1モル%〜30モル%、酸化セリウムでは6モル%
〜50モル%、酸化カルシウムや酸化マグネシウムでは
5モル%〜40モル%とすることが好ましいが、その中
でも、特に、酸化イットリウムを安定化剤として用いる
ことが望ましく、その場合には、1.5モル%以上6モ
ル%以下とすることが、更に好ましくは、2モル%以上
4モル%以下とすることが、望ましい。このような添加
範囲で、酸化イットリウムを添加した酸化ジルコニウム
は、その結晶相が部分安定化されることにより、優れた
基板特性を与える。
First, regarding the ceramic substrate (22) on which the piezoelectric / electrostrictive drive section is formed, the material for forming it has a large mechanical strength, and as will be described later, 1400.
Even if it is an oxide-based ceramic material, it can be heat-treated at about ℃, and if it is an insulator or a dielectric that can be laminated and integrated with the piezoelectric / electrostrictive drive unit without using an adhesive or the like, Oxide-based ceramic materials may be used, but among them, at least aluminum oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, aluminum nitride,
A material containing any of silicon nitride as a main component is preferably adopted in order to obtain excellent actuator characteristics such as large displacement and generated force and fast response speed. Particularly, aluminum oxide and / or zirconium oxide is mainly used. Preference is given to using ceramic materials as constituents. Furthermore, among them,
In particular, a material whose main component is zirconium oxide stabilized with at least one compound selected from the group consisting of yttrium oxide, ytterbium oxide, cerium oxide, calcium oxide and magnesium oxide has high mechanical properties even at a thin substrate thickness. Of high mechanical strength, high toughness, low stress during heat treatment with the piezoelectric / electrostrictive material used in the film forming method, and chemical reactivity with the piezoelectric / electrostrictive material. Because of its small size, it is advantageously used as a substrate for actuators. Moreover, in the ceramic substrate made of such a stabilized zirconium oxide material, even in the cavity structure according to the present invention, there is an advantage that a large displacement can be easily taken. The amount of the compound added to stabilize zirconium oxide is 1 mol% to 30 mol% for yttrium oxide and ytterbium oxide, and 6 mol% for cerium oxide.
.About.50 mol%, and in the case of calcium oxide or magnesium oxide, it is preferable to set it to 5 mol% to 40 mol%. Among them, it is particularly desirable to use yttrium oxide as a stabilizer. It is preferable that the amount is at least mol% and at most 6 mol%, more preferably at least 2 mol% and at most 4 mol%. Zirconium oxide to which yttrium oxide is added in such an addition range provides excellent substrate characteristics because its crystal phase is partially stabilized.

【0028】また、そのようなセラミック基板は、有利
には、所定大きさの空孔部乃至は欠除部を有する第一の
基板(4,12,18,40)と、振動板として機能す
る平板状の第二の基板(8)とを用いて、形成されるこ
ととなるが、少なくとも第二の基板材料中には、酸化珪
素(SiO,SiO2 )が有利に含有せしめられる。こ
の酸化珪素の含有量は、0.5重量%以上、5重量%以
下とすることが好ましく、特に1重量%以上、3重量%
以下とすることが望ましい。このような割合の酸化珪素
の含有は、該第二の基板上に形成される圧電/電歪駆動
部の熱処理時において、圧電/電歪材料との過剰な反応
を避け、良好なアクチュエータ特性を得る上において、
有効である。
Further, such a ceramic substrate advantageously functions as a vibrating plate, as well as a first substrate (4, 12, 18, 40) having holes or cutouts of a predetermined size. It is to be formed by using the flat plate-shaped second substrate (8), but at least the second substrate material contains silicon oxide (SiO, SiO 2 ) advantageously. The content of the silicon oxide is preferably 0.5% by weight or more and 5% by weight or less, and particularly 1% by weight or more and 3% by weight.
The following is desirable. By containing silicon oxide in such a ratio, an excessive reaction with the piezoelectric / electrostrictive material is avoided during heat treatment of the piezoelectric / electrostrictive drive portion formed on the second substrate, and good actuator characteristics are obtained. In getting
It is valid.

【0029】さらに、本発明に従う圧電/電歪アクチュ
エータにおいて、その高速応答性と大きな変位を得るた
めに、圧電/電歪駆動部が形成される第二のセラミック
基板(8)の厚さ、換言すれば薄肉厚部(8a)の厚さ
は、一般に、50μm以下、好ましくは30μm以下、
更に好ましくは15μm以下とすることが望ましい。一
方、第一のセラミック基板(4,12,18)の厚さ
は、一般に、30μm以上、好ましくは50μm以上、
更に好ましくは100μm以上とすることが望ましい。
また、アクチュエータとして大きな変位と大きな発生力
を得るために、少なくとも第二のセラミック基板につい
ては、結晶の平均粒子径が0.1〜2μmであることが
好ましく、更に好ましくは1μm以下の平均粒子径が望
ましい。
Furthermore, in the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention, in order to obtain its high-speed response and large displacement, the thickness of the second ceramic substrate (8) on which the piezoelectric / electrostrictive drive section is formed, in other words, If so, the thickness of the thin wall portion (8a) is generally 50 μm or less, preferably 30 μm or less,
It is more desirable that the thickness be 15 μm or less. On the other hand, the thickness of the first ceramic substrate (4, 12, 18) is generally 30 μm or more, preferably 50 μm or more,
More preferably, the thickness is 100 μm or more.
In order to obtain a large displacement and a large generative force as an actuator, at least the second ceramic substrate preferably has an average crystal grain size of 0.1 to 2 μm, more preferably 1 μm or less. Is desirable.

【0030】なお、このようなセラミック基板(2,1
0,16,38)を加工・成形する方法としては、例え
ば、所定大きさの空孔部乃至は欠除部を有する第一の基
板に、平板状の第二の基板を、グリーンシートの状態で
積層するグリーンシート積層法の他、成形型を用いる加
圧成形、鋳込成形、射出成形等の各種成形法、更には超
音波加工、切削・研削加工等の機械加工によって、空孔
部乃至は欠除部(凹所)を形成する加工法等が挙げられ
るが、中でも、加工応力が残らず、薄肉厚部の板厚の精
度も高い方法であるグリーンシート積層法が好ましく用
いられる。このグリーンシート積層法では、好適には、
両者のグリーンシートを熱圧着により積層し、その後焼
成することにより、一体化せしめられることとなる。ま
た、その一体化に際して、第一の基板と第二の基板の厚
さは、必ずしも同一とする必要はないが、少なくとも焼
成による収縮率が同程度になるようにしたグリーンシー
トを用いることが望ましい。
Incidentally, such a ceramic substrate (2, 1
0, 16, 38) can be processed / molded by, for example, a first substrate having holes or cutouts of a predetermined size, a flat second substrate, and a green sheet state. In addition to the green sheet laminating method of laminating in, various molding methods such as pressure molding using a molding die, casting molding, injection molding, and mechanical processing such as ultrasonic processing, cutting and grinding, Examples of the method include a processing method for forming a notched portion (recess), and among them, a green sheet laminating method is preferably used because it does not leave a processing stress and the plate thickness of a thin wall portion is highly accurate. In this green sheet laminating method, preferably,
Both green sheets are laminated by thermocompression bonding and then fired to be integrated. Further, in the integration, the first substrate and the second substrate do not necessarily have to have the same thickness, but it is desirable to use a green sheet that has at least about the same shrinkage factor by firing. ..

【0031】また、第一の基板には、圧電/電歪駆動部
が形成される部位において、所定寸法にて空孔部(6,
14,42)乃至は欠除部(20)が形成されている
が、それら空孔部乃至は欠除部の形成は、予め空孔部乃
至は欠除部を有するようにグリーンシートを成形する方
法の他、レーザー加工や金型によるプレス機械加工、超
音波加工等を用いる方法等を採用して、好適に実施され
るが、中でも、金型による機械加工が、量産性、集積性
に優れることから、有利に用いられる。また、これらの
加工は、基板焼成後に行なうことも可能であるが、より
好ましくはグリーンシート時に行なわれる。
Further, the first substrate is provided with a hole (6, 6) having a predetermined size in a portion where the piezoelectric / electrostrictive drive portion is formed.
14 and 42) or the cutout portions (20) are formed, the formation of the voids or cutout portions is performed by forming the green sheet in advance so as to have the voids or cutout portions. In addition to the method, it is preferably carried out by adopting a method using laser processing, press machining with a die, ultrasonic machining, etc. Among them, the die machining is excellent in mass productivity and integration. Therefore, it is advantageously used. Further, although these processings can be performed after firing the substrate, more preferably, they are performed at the time of the green sheet.

【0032】なお、このようなセラミック基板の形状、
更には第一の基板に設けられる空孔部乃至は欠除部の形
状としては、例示の如き矩形形状に何等限定されるもの
ではなく、用途に応じて如何なる形状であっても採用可
能であり、例えば円形、楕円形、R型正方形、R型長方
形、カプセル形、各種多角形、更にはそれらを組み合わ
せた複合形等の、様々な形状が採用され得るが、特に、
コーナーが丸味を持つ形状、例えばR型正方形、R型長
方形、カプセル形(長円形)、円形、楕円形等が好まし
い。
The shape of such a ceramic substrate,
Furthermore, the shape of the holes or cutouts provided on the first substrate is not limited to the rectangular shape as illustrated, and any shape can be adopted according to the application. , Various shapes such as a circular shape, an oval shape, an R-shaped square, an R-shaped rectangular, a capsule shape, various polygonal shapes, and a composite shape combining them can be adopted, but in particular,
A shape having rounded corners, such as an R-shaped square, an R-shaped rectangular, a capsule shape (oval), a circle, an ellipse, or the like is preferable.

【0033】そして、このようなセラミック基板上への
圧電/電歪駆動部の形成は、以下のようにして、行なわ
れることとなる。
The formation of the piezoelectric / electrostrictive drive section on such a ceramic substrate is performed as follows.

【0034】先ず、圧電/電歪材料のバルクを用いる場
合には、金型を用いたプレス成形法やスラリー原料を用
いたテープ成形法等によって得られた圧電/電歪材料の
生成形体を、前記未焼成のセラミック積層基板の薄肉厚
部面(8a)上に熱圧着によって積層し、基板と圧電/
電歪駆動部を同時に焼成する方法があり、この場合に
は、電極は予め後述する膜形成法によって少なくとも積
層基板側或いは圧電/電歪成形体側に形成しておく必要
がある。
First, when the bulk of the piezoelectric / electrostrictive material is used, a piezoelectric / electrostrictive material green body obtained by a press molding method using a die or a tape molding method using a slurry raw material is used. The unfired ceramic laminated substrate is laminated by thermocompression bonding on the thin-walled surface (8a),
There is a method of simultaneously firing the electrostrictive drive section. In this case, it is necessary to previously form the electrodes on at least the laminated substrate side or the piezoelectric / electrostrictive molded body side by a film forming method described later.

【0035】また、上記と同様にして得られた圧電/電
歪材料の成形体を焼成し、得られた焼結体を、接着剤を
介して前記焼結したセラミック積層基板の薄肉厚部面上
に貼り合わせることによって形成する方法があり、この
場合も、電極は予め後述する膜形成法によって少なくと
も積層基板側或いは圧電/電歪成形体側に形成しておく
必要がある。なお、接着剤としては、導電性を有するも
のが良い。
Further, a piezoelectric / electrostrictive material molded body obtained in the same manner as above is fired, and the obtained sintered body is subjected to the above-mentioned sintering through an adhesive to obtain a thin wall surface of the ceramic laminated substrate. There is also a method of forming it by pasting on it, and in this case also, it is necessary to previously form the electrode on at least the laminated substrate side or the piezoelectric / electrostrictive molded body side by the film forming method described later. It is preferable that the adhesive has conductivity.

【0036】なお、かかる圧電/電歪材料の焼成温度と
しては、800℃〜1400℃程度が良く、好ましくは
1000〜1400℃の範囲の温度が有利に選択され
る。この場合、組成を制御するために、圧電/電歪材料
の蒸発源の存在下に焼成して、雰囲気制御することが好
ましい。
The firing temperature of the piezoelectric / electrostrictive material is preferably about 800 ° C. to 1400 ° C., preferably 1000 ° to 1400 ° C. In this case, in order to control the composition, it is preferable to perform firing in the presence of an evaporation source of the piezoelectric / electrostrictive material and control the atmosphere.

【0037】一方、膜形成法によって圧電/電歪駆動部
を形成する場合においては、以下のようにして行なわれ
る。
On the other hand, when the piezoelectric / electrostrictive drive portion is formed by the film forming method, it is carried out as follows.

【0038】先ず、各材料からなる電極膜(26,3
0)及び圧電/電歪膜(28)をセラミック基板(2
2)上に形成するには、公知の各種の膜形成法、例え
ば、スクリーン印刷の如き厚膜法やディッピング等の塗
布法、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、イオ
ンプレーティング、CVD、メッキ等の薄膜法等が適宜
に採用され得るが、それらに何等限定されるものではな
い。なお、圧電/電歪膜(28)を形成するには、好ま
しくはスクリーン印刷、ディッピング、塗布等による手
法が採用される。これらの手法は、圧電/電歪セラミッ
ク粒子を主成分とするペーストやスラリーを用いて、基
板上に膜形成することが出来、良好なアクチュエータ特
性が得られるからである。また、このようにして、圧電
/電歪駆動部の形成を膜形成法によって行なうと、接着
剤等を用いずにセラミック基板と一体化することが出来
ることから、信頼性、再現性が優れ、更に集積化し易い
こと等から、特に好ましい。また、そのような膜の形状
としては、スクリーン印刷法、フォトリソグラフィ法等
を用いてパターン形成する他、レーザー加工法やスライ
シング、超音波加工等の機械加工法を用い、不必要な部
分を除去してパターン形成しても良い。
First, an electrode film (26, 3) made of each material
0) and the piezoelectric / electrostrictive film (28) on the ceramic substrate (2
2) For forming on top, various known film forming methods, for example, thick film method such as screen printing, coating method such as dipping, ion beam, sputtering, vacuum deposition, ion plating, CVD, plating, etc. The thin film method and the like can be appropriately adopted, but the method is not limited thereto. Incidentally, in order to form the piezoelectric / electrostrictive film (28), it is preferable to adopt a method such as screen printing, dipping or coating. This is because these methods can form a film on a substrate by using a paste or slurry containing piezoelectric / electrostrictive ceramic particles as a main component, and excellent actuator characteristics can be obtained. In addition, when the piezoelectric / electrostrictive drive section is formed by the film forming method in this manner, the piezoelectric / electrostrictive drive section can be integrated with the ceramic substrate without using an adhesive or the like, and therefore, the reliability and reproducibility are excellent, It is particularly preferable because it can be easily integrated. In addition, as the shape of such a film, in addition to pattern formation using a screen printing method, a photolithography method, etc., a mechanical processing method such as a laser processing method, slicing, or ultrasonic processing is used to remove unnecessary portions. Then, a pattern may be formed.

【0039】また、作製されるアクチュエータの構造や
膜の形状は、何等限定されるものではなく、用途に応じ
て如何なる形状でも採用可能であり、例えば三角形、四
角形等の多角形、円、楕円、円環等の円形、櫛状、格子
状またはこれらを組み合わせた特殊形状であっても、何
等差支えない。
Further, the structure of the actuator to be manufactured and the shape of the film are not limited in any way, and any shape can be adopted according to the application, for example, a polygon such as a triangle, a quadrangle, a circle, an ellipse, A circular shape such as an annular shape, a comb shape, a lattice shape, or a special shape in which these are combined does not matter.

【0040】そして、このようにしてセラミック積層基
板上に形成されたそれぞれの膜(26,28,30)
は、各膜の形成の都度、熱処理されて、基板と一体構造
となるようにされても良く、また全膜を形成した後、同
時に熱処理して各膜が同時に基板に一体的に結合せしめ
られるようにしても良い。なお、薄膜化手法により、電
極膜を形成する場合には、一体化するために必ずしも熱
処理を必要としないことがある。
Then, the respective films (26, 28, 30) thus formed on the ceramic laminated substrate.
May be heat-treated to form an integral structure with the substrate each time each film is formed, or after forming all films, heat-treating at the same time to integrally bond each film to the substrate. You may do it. When the electrode film is formed by the thinning method, the heat treatment may not always be necessary for the integration.

【0041】さらに、かかる形成された膜と基板とを一
体化するための熱処理温度としては、一般に800℃〜
1400℃程度の温度が採用され、好ましくは1000
℃〜1400℃の範囲の温度が有利に選択される。ま
た、圧電/電歪膜(28)を熱処理する場合には、高温
時に圧電/電歪膜の組成が不安定とならないように、そ
のような圧電/電歪材料の蒸発源と共に、雰囲気制御を
行ないながら、熱処理することが好ましい。
Further, the heat treatment temperature for integrating the formed film and the substrate is generally 800.degree.
A temperature of about 1400 ° C is adopted, preferably 1000
Temperatures in the range of ℃ to 1400 ℃ are advantageously selected. When the piezoelectric / electrostrictive film (28) is heat-treated, the atmosphere of the piezoelectric / electrostrictive material is controlled together with the evaporation source of the piezoelectric / electrostrictive material so that the composition of the piezoelectric / electrostrictive film does not become unstable at high temperatures. It is preferable to perform heat treatment while performing.

【0042】なお、上記の方法にて作製される圧電/電
歪駆動部を構成する電極膜(26,30)の材料として
は、前記熱処理温度並びに焼成温度程度の高温酸化雰囲
気に耐えられる導体であれば特に限定されるものではな
く、例えば金属単体であっても、合金であっても良く、
また絶縁性セラミックスやガラス等の添加物と金属や合
金との混合物であっても、更には導電性セラミックスで
あっても何等差支えない。より好ましくは、白金、パラ
ジウム、ロジウム等の高融点貴金属類、銀−パラジウ
ム、銀−白金、白金−パラジウム等の合金を主成分とす
る電極材料が好適に用いられる。
The material of the electrode films (26, 30) constituting the piezoelectric / electrostrictive drive section produced by the above method is a conductor that can withstand a high temperature oxidizing atmosphere at the heat treatment temperature and the firing temperature. There is no particular limitation as long as it is a single metal or an alloy,
Further, it does not matter if it is a mixture of an additive such as insulating ceramics or glass and a metal or an alloy, or even a conductive ceramic. More preferably, an electrode material containing a high melting point noble metal such as platinum, palladium, rhodium, or an alloy such as silver-palladium, silver-platinum, or platinum-palladium as a main component is preferably used.

【0043】また、上記混合物において、金属や合金に
添加せしめられるセラミックスとしては、前記基板材料
或いは後述する圧電/電歪材料と同様な材料を用いるこ
とが望ましく、その添加量としては、基板と同じ材料に
おいては5〜30体積%、また圧電/電歪材料と同じ材
料においては5〜20体積%程度が好ましい。特に、そ
れら基板材料と圧電/電歪材料を共に上記金属や合金に
混在せしめてなる混合物が、目的とする電極の形成に有
利に用いられる。
Further, in the above mixture, as the ceramics to be added to the metal or alloy, it is desirable to use the same material as the above-mentioned substrate material or the piezoelectric / electrostrictive material described later, and the addition amount thereof is the same as that of the substrate. The material is preferably 5 to 30% by volume, and the same material as the piezoelectric / electrostrictive material is preferably about 5 to 20% by volume. In particular, a mixture obtained by mixing both the substrate material and the piezoelectric / electrostrictive material with the above metal or alloy is advantageously used for forming the intended electrode.

【0044】なお、上記の如き電極材料は、電極が圧電
/電歪材料若しくは基板材料と同時に熱処理されるか、
或いは圧電/電歪材料を熱処理する環境に晒される場合
に、有利に用いられるものである。また、バルクを用い
たアクチュエータ構造において、電極のみを単独で熱処
理する場合や、膜構造を有するアクチュエータにおける
第二の電極膜については、上記電極材料の他に、金、銀
等の材料を使用することも可能である。
The electrode material as described above may be heat treated at the same time as the piezoelectric / electrostrictive material or the substrate material.
Alternatively, it is advantageously used when exposed to the environment for heat treatment of the piezoelectric / electrostrictive material. Further, in the actuator structure using the bulk, when heat-treating only the electrode alone, or for the second electrode film in the actuator having the film structure, a material such as gold or silver is used in addition to the above electrode material. It is also possible.

【0045】そして、このような材料を用いて形成され
る電極は、用途に応じて適宜の厚さとされることとなる
が、図11,13,14,16に示される如き、電界誘
起歪の横効果を用いるタイプにおいては、一般に15μ
m以下、好ましくは5μm以下の厚さにおいて形成され
ることとなり、一方、図12,14,15に示される如
き電界誘起歪の縦効果を用いるタイプにおいては、3μ
m以上が良く、好ましくは10μm以上、更に好ましく
は20μm以上の厚さにおいて形成されることとなる。
The electrode formed by using such a material has an appropriate thickness according to the application, but as shown in FIGS. In the type that uses the lateral effect, it is generally 15μ
m or less, preferably 5 μm or less, while the type using the longitudinal effect of the electric field induced strain as shown in FIGS. 12, 14 and 15 has a thickness of 3 μm.
The thickness is preferably m or more, preferably 10 μm or more, and more preferably 20 μm or more.

【0046】また、圧電/電歪駆動部を構成する圧電/
電歪材料は、圧電或いは電歪効果等の電界誘起歪を示す
材料であれば、何れの材料を用いても形成され得るもの
であり、結晶質の材料であっても、非晶質の材料であっ
ても良く、また半導体材料であっても、誘電体セラミッ
クス材料や強誘電体セラミックス材料であっても、何等
差支えなく、更には分極処理が必要な材料であっても、
またそれが不必要な材料であっても良いのである。
In addition, the piezoelectric / electrostrictive drive section is composed of piezoelectric /
The electrostrictive material can be formed by using any material as long as it exhibits electric field induced strain such as piezoelectric or electrostrictive effect. A crystalline material or an amorphous material can be used. , A semiconductor material, a dielectric ceramic material, a ferroelectric ceramic material, or any material requiring polarization treatment,
It may also be an unnecessary material.

【0047】尤も、本発明に用いられる圧電/電歪材料
としては、好ましくはジルコン酸チタン酸鉛(PZT
系)を主成分とする材料、マグネシウムニオブ酸鉛(P
MN系)を主成分とする材料、ニッケルニオブ酸鉛(P
NN系)を主成分とする材料、亜鉛ニオブ酸鉛を主成分
とする材料、マンガンニオブ酸鉛を主成分とする材料、
アンチモンスズ酸鉛を主成分とする材料、チタン酸鉛を
主成分とする材料、チタン酸バリウムを主成分とする材
料、更にはこれらの複合材料等が用いられる。なお、P
ZT系を主成分とする材料に、ランタン、バリウム、ニ
オブ、亜鉛、ニッケル、マンガン等の酸化物やそれらの
他の化合物を添加物として含んだ材料、例えばPLZT
系となるように、前記材料に所定の添加物を適宜に加え
ても何等差支えない。
However, the piezoelectric / electrostrictive material used in the present invention is preferably lead zirconate titanate (PZT).
Lead-based magnesium niobate (P)
MN-based material, lead nickel niobate (P
NN-based) -based material, lead zinc niobate-based material, lead manganese lead-niobate-based material,
A material containing lead antimony stannate as a main component, a material containing lead titanate as a main component, a material containing barium titanate as a main component, and further a composite material of these are used. Note that P
A material containing an oxide of lanthanum, barium, niobium, zinc, nickel, manganese, etc. as an additive to a material containing ZT as a main component, for example, PLZT
It does not matter at all to add predetermined additives to the above materials so as to form a system.

【0048】そして、本発明に従う構造のアクチュエー
タにあっては、アクチュエータの特性の点から、圧電定
数で、|d31|が50×10-12 〔C/N〕以上、若し
くは|d33|が100×10-12 〔C/N〕以上である
材料が、中でも|d31|が100×10-12 〔C/N〕
以上若しくは|d33|が200×10-12 〔C/N〕以
上である材料が、圧電/電歪材料として有利に用いられ
ることとなる。
In the actuator having the structure according to the present invention, in view of the characteristics of the actuator, | d 31 | is 50 × 10 −12 [C / N] or more or | d 33 | Materials having a density of 100 × 10 −12 [C / N] or more, especially | d 31 | of 100 × 10 −12 [C / N]
A material having the above or | d 33 | of 200 × 10 −12 [C / N] or more can be advantageously used as a piezoelectric / electrostrictive material.

【0049】なお、圧電/電歪駆動部の厚さとしては、
一般に100μm以下、好ましくは50μm以下、更に
好ましくは30μm以下とされることが望ましい。
The thickness of the piezoelectric / electrostrictive drive section is as follows.
Generally, it is desirable that the thickness is 100 μm or less, preferably 50 μm or less, and more preferably 30 μm or less.

【0050】以上、本発明を、幾つかの実施例に基づい
て、具体的に説明してきたが、本発明は、上記実施例に
何等限定されて解釈されるべきものではなく、本発明の
範囲を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものである
ことが、理解されるべきである。
Although the present invention has been specifically described based on some embodiments, the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the scope of the present invention. It is to be understood that various changes, modifications, improvements, etc. can be made based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に従うセラミック基板の一例を示す底面
図である。
FIG. 1 is a bottom view showing an example of a ceramic substrate according to the present invention.

【図2】図1におけるII−II断面図である。2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.

【図3】本発明に従うセラミック基板の他の例を示す底
面図である。
FIG. 3 is a bottom view showing another example of the ceramic substrate according to the present invention.

【図4】図3におけるIV−IV断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.

【図5】本発明に従うセラミック基板の更に異なる例に
おいて、第一及び第二の基板の一体化前の状態を示す斜
視説明図である。
FIG. 5 is a perspective explanatory view showing a state before integration of the first and second substrates in a further different example of the ceramic substrate according to the present invention.

【図6】図5における第一及び第二の基板を一体化して
形成されてなるセラミック基板を示す斜視説明図であ
る。
6 is a perspective explanatory view showing a ceramic substrate formed by integrating the first and second substrates in FIG.

【図7】図6におけるVII−VII断面図である。7 is a sectional view taken along line VII-VII in FIG.

【図8】本発明に従うセラミック基板の更に異なる例に
おいて、その底面を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view showing a bottom surface of a ceramic substrate according to still another example of the present invention.

【図9】図8のIX−IX断面における第一及び第二の
基板の一体化前の状態を示す断面説明図である。
9 is a cross-sectional explanatory view showing a state before integration of the first and second substrates in the IX-IX cross section of FIG. 8;

【図10】図9の第一及び第二の基板を一体化した後の
状態を示す断面説明図である。
10 is a cross-sectional explanatory view showing a state after the first and second substrates of FIG. 9 are integrated.

【図11】本発明に係る圧電/電歪アクチュエータの一
実施例を示す斜視部分説明図である。
FIG. 11 is a perspective partial explanatory view showing an embodiment of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【図12】本発明に係る圧電/電歪アクチュエータの異
なる実施例を示す斜視部分説明図である。
FIG. 12 is a perspective partial explanatory view showing another embodiment of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【図13】本発明に係る圧電/電歪アクチュエータの更
に異なる実施例を示す斜視部分説明図である。
FIG. 13 is a perspective partial explanatory view showing still another embodiment of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【図14】本発明に係る圧電/電歪アクチュエータの更
に異なる実施例を示す斜視部分説明図である。
FIG. 14 is a perspective partial explanatory view showing still another embodiment of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【図15】本発明に係る圧電/電歪アクチュエータの更
に異なる実施例を示す斜視部分説明図である。
FIG. 15 is a perspective partial explanatory view showing still another embodiment of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【図16】本発明に係る圧電/電歪アクチュエータの更
に異なる実施例を示す斜視部分説明図である。
FIG. 16 is a perspective partial explanatory view showing still another embodiment of the piezoelectric / electrostrictive actuator according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2,10,16,22,38:セラミック基板 4,12,18,40:第一の基板 6,14,42:空孔部 20:切除部 8:第二の基板 26:第一の電極 28:圧電/電歪層 30:第二の電極 32:帯状電極膜 2, 10, 16, 22, 38: Ceramic substrate 4, 12, 18, 40: First substrate 6, 14, 42: Hole portion 20: Cutout portion 8: Second substrate 26: First electrode 28 : Piezoelectric / electrostrictive layer 30: Second electrode 32: Strip electrode film

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板と圧電/電歪駆動部とか
ら形成されてなる圧電/電歪アクチュエータにおいて、
該セラミック基板に所定大きさの凹所が形成されて、該
凹所の底部が薄肉厚部とされており、更に前記圧電/電
歪駆動部が、該セラミック基板の前記薄肉厚部の面上に
形成されていることを特徴とする圧電/電歪アクチュエ
ータ。
1. A piezoelectric / electrostrictive actuator comprising a ceramic substrate and a piezoelectric / electrostrictive drive section,
A recess of a predetermined size is formed in the ceramic substrate, the bottom of the recess is a thin wall portion, and the piezoelectric / electrostrictive drive unit is provided on the surface of the thin wall portion of the ceramic substrate. A piezoelectric / electrostrictive actuator characterized in that the piezoelectric / electrostrictive actuator is formed.
【請求項2】 セラミック基板と圧電/電歪駆動部とか
ら形成されてなる圧電/電歪アクチュエータにおいて、
該セラミック基板を、所定大きさの空孔部乃至は欠除部
を有する第一の基板に平板状の第二の基板をグリーンシ
ートの状態で積層し、焼成することにより、該空孔部乃
至は欠除部において凹所が形成されて、該凹所の底部が
薄肉厚部とされてなる一体化された積層セラミック基板
とすると共に、更に前記圧電/電歪駆動部を、該積層セ
ラミック基板の前記薄肉厚部の面上に形成したことを特
徴とする圧電/電歪アクチュエータ。
2. A piezoelectric / electrostrictive actuator comprising a ceramic substrate and a piezoelectric / electrostrictive drive section,
The ceramic substrate is laminated on a first substrate having pores or cutouts of a predetermined size with a flat second substrate in the state of a green sheet and fired to form the pores or A recess is formed in the recess, and a bottom portion of the recess is a thin-walled portion to form an integrated laminated ceramic substrate, and the piezoelectric / electrostrictive drive unit is further formed into the laminated ceramic substrate. A piezoelectric / electrostrictive actuator formed on the surface of the thin wall portion.
【請求項3】 前記圧電/電歪駆動部が、膜形成によっ
て作製されている請求項1または2記載の圧電/電歪ア
クチュエータ。
3. The piezoelectric / electrostrictive actuator according to claim 1, wherein the piezoelectric / electrostrictive drive section is formed by film formation.
【請求項4】 前記セラミック基板が、酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミ
ニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の圧電
/電歪アクチュエータ。
4. The ceramic substrate is made of a material containing any of aluminum oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, aluminum nitride and silicon nitride as a main component. Piezoelectric / electrostrictive actuator.
【請求項5】 前記セラミック基板が、酸化イットリウ
ム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウ
ム及び酸化マグネシウムからなる群より選ばれた少なく
とも一つの化合物にて安定化された酸化ジルコニウムを
主成分とする材料よりなることを特徴とする請求項1乃
至4の何れかに記載の圧電/電歪アクチュエータ。
5. A material containing zirconium oxide as a main component, wherein the ceramic substrate is stabilized with at least one compound selected from the group consisting of yttrium oxide, ytterbium oxide, cerium oxide, calcium oxide and magnesium oxide. The piezoelectric / electrostrictive actuator according to any one of claims 1 to 4, wherein
【請求項6】 前記セラミック基板のうち、少なくとも
前記第二の基板が、酸化珪素の含有量が0.5重量%以
上、5重量%以下であるセラミック材料にて形成されて
いる請求項2乃至5の何れかに記載の圧電/電歪アクチ
ュエータ。
6. The ceramic substrate, wherein at least the second substrate is made of a ceramic material having a silicon oxide content of 0.5 wt% or more and 5 wt% or less. 5. The piezoelectric / electrostrictive actuator according to any one of 5 above.
【請求項7】 前記セラミック基板の面上に、二つ以上
の圧電/電歪駆動部を、積層形態において若しくは並設
形態において設けた請求項1乃至6の何れかに記載の圧
電/電歪アクチュエータ。
7. The piezoelectric / electrostrictive device according to claim 1, wherein two or more piezoelectric / electrostrictive drive units are provided on the surface of the ceramic substrate in a laminated form or in a juxtaposed form. Actuator.
【請求項8】 前記セラミック基板の板厚において、少
なくとも前記薄肉厚部が50μm以下である請求項1乃
至7の何れかに記載の圧電/電歪アクチュエータ。
8. The piezoelectric / electrostrictive actuator according to claim 1, wherein in the plate thickness of the ceramic substrate, at least the thin wall portion is 50 μm or less.
【請求項9】 前記圧電/電歪駆動部の厚さが、100
μm以下である請求項1乃至8の何れかに記載の圧電/
電歪アクチュエータ。
9. The thickness of the piezoelectric / electrostrictive drive unit is 100.
9. The piezoelectric according to claim 1, which has a thickness of μm or less.
Electrostrictive actuator.
JP3204845A 1990-07-26 1991-07-19 Piezoelectric / electrostrictive actuator Expired - Lifetime JP2693291B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3204845A JP2693291B2 (en) 1990-07-26 1991-07-19 Piezoelectric / electrostrictive actuator

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19837490 1990-07-26
JP4598291 1991-02-19
JP3-45982 1991-02-19
JP2-198374 1991-02-19
JP3204845A JP2693291B2 (en) 1990-07-26 1991-07-19 Piezoelectric / electrostrictive actuator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0549270A true JPH0549270A (en) 1993-02-26
JP2693291B2 JP2693291B2 (en) 1997-12-24

Family

ID=27292466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3204845A Expired - Lifetime JP2693291B2 (en) 1990-07-26 1991-07-19 Piezoelectric / electrostrictive actuator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2693291B2 (en)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0713255A1 (en) 1994-11-16 1996-05-22 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic diaphragm structure and method for producing the same
EP0718900A2 (en) 1994-12-21 1996-06-26 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element with a diaphragm having at least one stress releasing end section
US5545461A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion and method of producing the same
US5600197A (en) * 1994-02-14 1997-02-04 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element and method of producing the same
EP0782203A2 (en) 1995-12-28 1997-07-02 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film-type element and method for producing the same
US5852337A (en) * 1996-05-27 1998-12-22 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric film-type element
US5853514A (en) * 1995-09-27 1998-12-29 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing a piezoelectric/electrostrictive film element
US5856837A (en) * 1993-08-23 1999-01-05 Seiko Epson Corporation Ink jet recording head with vibrating element having greater width than drive electrode
JPH1126832A (en) * 1996-05-27 1999-01-29 Ngk Insulators Ltd Piezoelectric film type element
CN1045231C (en) * 1994-08-11 1999-09-22 日本碍子株式会社 Ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion and method of producing the same
CN1050008C (en) * 1994-08-11 2000-03-01 日本碍子株式会社 Piezoelectric/electrostrictive film element and method of producing the same
CN1050229C (en) * 1994-08-11 2000-03-08 日本碍子株式会社 Piezoelectric/electrostrictive film element having convex diaphragm portions and method of producing the same
US6049158A (en) * 1994-02-14 2000-04-11 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element having convex diaphragm portions and method of producing the same
US6091182A (en) * 1996-11-07 2000-07-18 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
WO2000052336A1 (en) 1999-03-03 2000-09-08 Ngk Insulators, Ltd. Pump
US6246156B1 (en) 1998-03-27 2001-06-12 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
US6265811B1 (en) 1996-11-29 2001-07-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic element, method for producing ceramic element, display device, relay device and capacitor
US6518690B2 (en) 2000-04-19 2003-02-11 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film type elements and process for producing the same
US6998763B2 (en) 2001-08-31 2006-02-14 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic device
WO2006068214A1 (en) 2004-12-22 2006-06-29 Ngk Insulators, Ltd. Diaphragm structure
JP2007242720A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Tdk Corp Process for manufacturing piezoelectric element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5878496A (en) * 1981-10-14 1983-05-12 日本電気株式会社 Multilayer ceramic board
JPS61189699A (en) * 1985-02-19 1986-08-23 日東紡績株式会社 Radio wave absorbent element
JPS645372A (en) * 1987-06-25 1989-01-10 Matsushita Electric Works Ltd Piezoelectric driving gear
JPH0256990A (en) * 1988-08-22 1990-02-26 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd Manufacture of ceramic superconductor wiring board
JPH0282598A (en) * 1988-09-19 1990-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of ceramic multilayer board

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5878496A (en) * 1981-10-14 1983-05-12 日本電気株式会社 Multilayer ceramic board
JPS61189699A (en) * 1985-02-19 1986-08-23 日東紡績株式会社 Radio wave absorbent element
JPS645372A (en) * 1987-06-25 1989-01-10 Matsushita Electric Works Ltd Piezoelectric driving gear
JPH0256990A (en) * 1988-08-22 1990-02-26 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd Manufacture of ceramic superconductor wiring board
JPH0282598A (en) * 1988-09-19 1990-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of ceramic multilayer board

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334673B1 (en) 1993-08-23 2002-01-01 Seiko Epson Corporation Ink jet print head with plural electrodes
US5856837A (en) * 1993-08-23 1999-01-05 Seiko Epson Corporation Ink jet recording head with vibrating element having greater width than drive electrode
US5956829A (en) * 1993-08-23 1999-09-28 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing an ink jet recording head
US5545461A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion and method of producing the same
US5600197A (en) * 1994-02-14 1997-02-04 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element and method of producing the same
US6049158A (en) * 1994-02-14 2000-04-11 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element having convex diaphragm portions and method of producing the same
US5774961A (en) * 1994-02-14 1998-07-07 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing piezoelectric/electrostrictive film element
US6108880A (en) * 1994-02-14 2000-08-29 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing a piezoelectric/electrostrictive film element having convex diaphragm portions
CN1050008C (en) * 1994-08-11 2000-03-01 日本碍子株式会社 Piezoelectric/electrostrictive film element and method of producing the same
CN1045231C (en) * 1994-08-11 1999-09-22 日本碍子株式会社 Ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion and method of producing the same
CN1050229C (en) * 1994-08-11 2000-03-08 日本碍子株式会社 Piezoelectric/electrostrictive film element having convex diaphragm portions and method of producing the same
US5997671A (en) * 1994-11-16 1999-12-07 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing ceramic diaphragm structure
US6552474B2 (en) 1994-11-16 2003-04-22 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic diaphragm structure and method for producing the same
EP0713255A1 (en) 1994-11-16 1996-05-22 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic diaphragm structure and method for producing the same
US5940947A (en) * 1994-12-21 1999-08-24 Ngk Insulators, Ltd. Method of making a piezoelectric/electrostrictive film element with a diaphragm having at least one stress releasing end section
US5767612A (en) * 1994-12-21 1998-06-16 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element with a diaphragm having at least one stress releasing end section
EP0718900A2 (en) 1994-12-21 1996-06-26 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element with a diaphragm having at least one stress releasing end section
US5889353A (en) * 1994-12-21 1999-03-30 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element with a diaphram having at least one stress releasing end section
US6217979B1 (en) 1995-09-27 2001-04-17 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film element
US5853514A (en) * 1995-09-27 1998-12-29 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing a piezoelectric/electrostrictive film element
EP0782203A2 (en) 1995-12-28 1997-07-02 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film-type element and method for producing the same
US6263552B1 (en) 1995-12-28 2001-07-24 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing piezoelectric/electrostrictive film-type element
US5852337A (en) * 1996-05-27 1998-12-22 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric film-type element
JPH1126832A (en) * 1996-05-27 1999-01-29 Ngk Insulators Ltd Piezoelectric film type element
US6091182A (en) * 1996-11-07 2000-07-18 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
US6297578B1 (en) 1996-11-07 2001-10-02 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
US6476540B2 (en) 1996-11-29 2002-11-05 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic element, method for producing ceramic element, display device, relay device, and capacitor
US6265811B1 (en) 1996-11-29 2001-07-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic element, method for producing ceramic element, display device, relay device and capacitor
US6246156B1 (en) 1998-03-27 2001-06-12 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
WO2000052336A1 (en) 1999-03-03 2000-09-08 Ngk Insulators, Ltd. Pump
US6565331B1 (en) 1999-03-03 2003-05-20 Ngk Insulators, Ltd. Pump
US6666658B2 (en) 1999-03-03 2003-12-23 Ngk Insulators, Ltd. Microfluidic pump device
US6682318B2 (en) 1999-03-03 2004-01-27 Ngk Insulators, Ltd. Pump
US6518690B2 (en) 2000-04-19 2003-02-11 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film type elements and process for producing the same
US6703257B2 (en) 2000-04-19 2004-03-09 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive film type elements and process for producing the same
US6998763B2 (en) 2001-08-31 2006-02-14 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic device
WO2006068214A1 (en) 2004-12-22 2006-06-29 Ngk Insulators, Ltd. Diaphragm structure
US7247972B2 (en) 2004-12-22 2007-07-24 Ngk Insulators, Ltd. Diaphragm structure
JP2007242720A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Tdk Corp Process for manufacturing piezoelectric element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2693291B2 (en) 1997-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2693291B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive actuator
JP2842448B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type actuator
JP3120260B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element
JP3151644B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element
JP3501860B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element and manufacturing method thereof
JP2665106B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film element
US5681410A (en) Method of producing a piezoelectric/electrostrictive actuator
US5622748A (en) Method of fabricating a piezoelectric/electrostrictive actuator
JPH0412678A (en) Piezoelectric/electrostriction actuator
JP3320596B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film element and method of manufacturing the same
EP0782203A2 (en) Piezoelectric/electrostrictive film-type element and method for producing the same
EP1503872B1 (en) Array of membrane ultrasound transducers
JP4015820B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP3126212B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element
JP4053822B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive device and manufacturing method thereof
JP3482101B2 (en) Piezoelectric film type element
JP3009945B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element
JP3313531B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film element and method of manufacturing the same
JPH07235708A (en) Method of fabrication of piezoelectric/electrostrictive film device
JP3582475B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element
JP2004186436A (en) Piezoelectric/electrostrictive film element
JP2002009359A (en) Integrated piezoelectric/electrostrictive film type element exhibiting excellent durability and its manufacturing method
JP3272004B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive film type element
JP2004120809A (en) Inorganic erectret actuator, manufacturing method thereof, liquid droplet injecting head, optical device, pressure sensor, oscillator, and motor
JPH07131086A (en) Piezoelectric film type element and its treatment method and drive method

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070905

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term