JPH0547869A - Probe card device - Google Patents
Probe card deviceInfo
- Publication number
- JPH0547869A JPH0547869A JP22954391A JP22954391A JPH0547869A JP H0547869 A JPH0547869 A JP H0547869A JP 22954391 A JP22954391 A JP 22954391A JP 22954391 A JP22954391 A JP 22954391A JP H0547869 A JPH0547869 A JP H0547869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- probe
- connecting pad
- card
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ上に形成
されている半導体素子乃至半導体回路の電気的特性を測
定装置によって測定するのに用いるプロ―ブカ―ド装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card device used for measuring the electrical characteristics of a semiconductor element or a semiconductor circuit formed on a semiconductor wafer by a measuring device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、図３で全体として１で、（ｉ）下
方に延長している探針２を有し、且つ上方に臨み且つ探
針２に整合用抵抗３を介挿している伝送線路４を介して
連結されている測定装置連結用パッド５を有する構成を
有し、（ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置台６上に配置固
定される、半導体素子乃至回路（図示せず）を形成し且
つ上面に上記半導体素子乃至回路から導出されているカ
―ド連結用パッド８を有する半導体ウェハ７の上方位置
に、（ｂ）探針２の遊端が半導体ウェハ７のカ―ド連結
用パッド８と接触するように、固定部９に支持されてい
る状態に配置され、且つ（ｉｉｉ）その配置状態で、下
面にカ―ド連結用パッド１１を有する測定装置１０を、
そのカ―ド連結用パッド１１が測定装置連結用パッド５
と接触している状態で、上方から受けている、という状
態で用いられるプロ―ブカ―ド装置が提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in FIG. 3, the transmission is 1 as a whole, and (i) has a probe 2 extending downward and facing upward and inserting a matching resistor 3 in the probe 2. A semiconductor device or a circuit (not shown), which has a structure having a measuring device connecting pad 5 connected via a line 4 and is (ii) (a) arranged and fixed on a semiconductor wafer mounting table 6. (B) The free end of the probe 2 is card-connected to the semiconductor wafer 7 at a position above the semiconductor wafer 7 having the card-connecting pads 8 formed on the upper surface and led out from the semiconductor element or circuit. The measuring device 10 is arranged in a state of being supported by the fixing portion 9 so as to come into contact with the pad 8 for use, and (iii) in the arranged state, the measuring device 10 having the card connecting pad 11 on its lower surface.
The card connecting pad 11 is the measuring device connecting pad 5.
There has been proposed a probe card device which is used while being in contact with and being received from above.
【０００３】この場合、測定装置１０は、固定部１２上
に植立された支持体１３上に、軸１４を用いて回動自在
に支持されている。In this case, the measuring device 10 is rotatably supported by a shaft 14 on a support 13 that is planted on a fixed portion 12.
【０００４】また、プロ―ブカ―ド装置１は、（ｉ）
（ａ）上面及び下面上に伝送線路２２ａ及び２２ｂを上
述した伝送線路４の一部としてそれぞれ形成している絶
縁基板２１を有し、（ｂ）伝送線路２２ａ及び２２ｂ
が、点線図示にように、絶縁基板２１内を通って互に連
結され、（ｃ）伝送線路２２ｂに、上述した半導体ウェ
ハ７のカ―ド連結用パッド８に接触する探針２３が、上
述した探針２として連結され、（ｄ）伝送線路２２ａ上
に連結用パッド２４が形成されているプロ―ブカ―ド２
０と、（ｉｉ）（ａ）上面及び下面上に伝送線路３２ａ
及び３２ｂを上述した伝送線路４の他の一部としてそれ
ぞれ形成している絶縁基板３１を有し、（ｂ）伝送線路
３２ａ及び３２ｂが、点線図示のように、絶縁基板３１
内を通って連結され、（ｃ）伝送線路３２ｂ上に上述し
たプロ―ブカ―ド２０の連結用パッド２４に接触する連
結用パッド３３が形成され、（ｄ）伝送線路２２ａ上に
連結用パッド３４が形成されているフロックリング３０
と、（ｉｉｉ）上面および下面上に伝送線路４２ａ及び
４２ｂを上述した伝送線路４のさらに他の一部としてそ
れぞれ形成している絶縁基板４１を有し、（ｂ）伝送線
路４２ａが、その延長途上において、伝送線路部４２ａ
−１及び４２ａ−２を形成するように間断され、（ｃ）
伝送線路４２ｂと伝送線路４２ａの伝送線路部４２ａ−
とが、点線図示のように、絶縁基板４１内を通って互に
連結され、（ｄ）絶縁基板４１上に、両端からリ―ド５
２ａ及び５２ｂを導出している抵抗５１が、そのリ―ド
５２ａ及び５２ｂの遊端を伝送線路４２ａの伝送線路部
４２ａ−１及び４２ａ−２にそれぞれ連結して、上述し
た整合用抵抗として装架され、（ｅ）伝送線路４２ｂ上
に上述したフロックリング３０の連結用パッド３４に接
触する連結用パッド４３が形成され、（ｆ）伝送線路４
２ａ上に上述した測定装置１０のカ―ド連結用パッド１
１に接触する連結用パッド４４が、上述した測定装置連
結用パッド５として形成されているパフォ―マンスボン
ド４０とを有し、（ｉｖ）上述したフロックリング３０
が、上述した固定部９に支持されていることによって、
（ａ）プロ―ブカ―ド装置１が上述したようにして、固
定部９に支持されている状態に配置され、且つ（ｂ）そ
の配置状態で、上述した測定装置１０を、その回動によ
り、上述した状態で、上方から受けているように、構成
されている。Further, the probe card device 1 has (i)
(A) The insulating substrate 21 having the transmission lines 22a and 22b formed on the upper and lower surfaces as a part of the transmission line 4 described above, respectively. (B) The transmission lines 22a and 22b.
However, as shown by the dotted line, the probe 23 connected to each other through the insulating substrate 21 and (c) the transmission line 22b is in contact with the card connection pad 8 of the semiconductor wafer 7 described above. Probe card 2 which is connected as a probe 2 and has a connection pad 24 formed on (d) the transmission line 22a.
0, and (ii) (a) the transmission line 32a on the upper and lower surfaces.
And 32b are formed as other parts of the transmission line 4 described above, respectively, and (b) the transmission lines 32a and 32b are the insulating substrate 31 as shown by dotted lines.
And (c) a connecting pad 33 is formed on the transmission line 32b so as to contact the connecting pad 24 of the probe card 20, and (d) a connecting pad is formed on the transmission line 22a. Flock ring 30 with 34 formed
And (iii) an insulating substrate 41 on which the transmission lines 42a and 42b are respectively formed on the upper surface and the lower surface as still another part of the transmission line 4 described above, and (b) the transmission line 42a is an extension thereof. On the way, the transmission line portion 42a
-1 and 42a-2, (c)
Transmission line 42b and transmission line portion 42a of transmission line 42a-
And are connected to each other through the inside of the insulating substrate 41 as shown by the dotted line, and (d) on the insulating substrate 41, the leads 5 are connected from both ends.
The resistors 51 leading out 2a and 52b connect the free ends of the leads 52a and 52b to the transmission line portions 42a-1 and 42a-2 of the transmission line 42a, respectively, and are mounted as the above-mentioned matching resistors. And (e) the connecting pad 43 that contacts the connecting pad 34 of the flock ring 30 is formed on the transmission line 42b. (F) The transmission line 4
The card connecting pad 1 of the measuring device 10 described above on 2a.
The connecting pad 44 contacting with 1 has the performance bond 40 formed as the above-mentioned measuring device connecting pad 5, and (iv) the above-mentioned flock ring 30.
However, by being supported by the fixing portion 9 described above,
(A) The probe card device 1 is arranged in a state where it is supported by the fixed portion 9 as described above, and (b) in the arranged state, the measuring device 10 described above is rotated by its rotation. In the above-mentioned state, it is configured to be received from above.
【０００５】以上が、従来提案されているプロ―ブカ―
ド装置の構成である。The above is the conventionally proposed prober.
This is the configuration of the drive device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来のプロ
―ブカ―ド装置１によれば、半導体ウェハ７上に形成さ
れている半導体素子乃至回路の電気的特性を測定装置１
０によって測定することができるが、そのプロ―ブカ―
ド装置１が、プロ―ブカ―ド２０と、フロックリング３
０と、パフォ―マンスボ―ド４０とを用いて構成されて
いるので、大型、複雑であるとともに、探針２から測定
装置連結用パッド５まで間の伝送線路４が、多くの伝送
線路を用いて構成されているので、極めて長いととも
に、その伝送線路４の延長途上に、多くの連結用パッド
を有しているので、半導体ウェハ７上の半導体素子乃至
回路から、高周波信号を、カ―ド連結用パッド８、及び
測定装置１０のカ―ド連結用パッド１１を介して、測定
装置１０に供給して、半導体ウェハ７上の半導体素子乃
至回路の電気的特性を測定せんとする場合、高周波信号
に大きな損失や、反射が生じたりして、この場合の電気
的特性を高精度に測定することができない、という欠点
を有していた。According to the conventional probe card apparatus 1 shown in FIG. 3, a measuring apparatus 1 for measuring the electrical characteristics of semiconductor elements or circuits formed on the semiconductor wafer 7 is provided.
It can be measured by 0, but the prober
The device 1 includes a probe card 20 and a flock ring 3.
0 and the performance board 40 are used, so that the transmission line 4 between the probe 2 and the measuring device connecting pad 5 is large and complicated, and many transmission lines are used. Since the transmission line 4 is extremely long and has many connecting pads on the way of the extension of the transmission line 4, a high-frequency signal is transmitted from the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer 7 to the card. In the case of supplying electric power to the measuring device 10 through the connecting pad 8 and the card connecting pad 11 of the measuring device 10 to measure the electrical characteristics of the semiconductor elements or circuits on the semiconductor wafer 7, There is a drawback in that the electrical characteristics in this case cannot be measured with high accuracy because a large loss or reflection occurs in the signal.
【０００７】よって、本発明は、上述した欠点のない新
規なプロ―ブカ―ド装置を提案せんとするものである。Therefore, the present invention proposes a new probe card device which does not have the above-mentioned drawbacks.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るプロ―ブカ―ド装置は、図３で前述した従来のプロ―
ブカ―ド装置の場合と同様に、（ｉ）下方に延長してい
る探針を有し、且つ上方に臨み且つ上記探針に整合用抵
抗を介挿している伝送線路を介して連結されている測定
装置連結用パッドを有する構成を有し、（ｉｉ）（ａ）
半導体ウェハ載置台上に配置固定される、半導体素子乃
至回路を形成し且つ上面に上記半導体素子乃至回路から
導出されているカ―ド連結用パッドを有する半導体ウェ
ハの上方位置に、（ｂ）上記探針の遊端が上記カ―ド連
結用パッドと接触するように、固定部に支持されている
状態に配置され、且つ（ｉｉｉ）その配置状態で、下面
にカ―ド連結用パッドを有する測定装置を、そのカ―ド
連結用パッドが上記測定装置連結用パッドと接触してい
る状態で、上方から受けている、という状態で用いられ
る構成を有する。The probe card apparatus according to the first aspect of the present invention is a conventional probe card apparatus described in FIG.
As in the case of the Buchard device, (i) it has a probe extending downward and is connected to the probe through a transmission line which faces upward and has a matching resistor inserted therein. Having a pad for connecting a measuring device, (ii) (a)
Above the semiconductor wafer, which is arranged and fixed on the semiconductor wafer mounting table, has a semiconductor element or circuit formed thereon and has a card connecting pad derived from the semiconductor element or circuit on its upper surface, The probe is arranged so as to be supported by the fixing portion so that the free end of the probe comes into contact with the above-mentioned card connecting pad, and (iii) in that arrangement, it has a card connecting pad on its lower surface. The measuring device is used in such a state that the card connecting pad is received from above while the card connecting pad is in contact with the measuring device connecting pad.
【０００９】しかしながら、本願第１番目の発明による
プロ―ブカ―ド装置は、このような構成を有するプロ―
ブカ―ド装置において、（ａ）上面及び下面上に、第１
及び第２の伝送線路を、上記伝送線路として、それぞれ
形成している絶縁基板を有し、（ｂ）上記第１の伝送線
路は、その延長途上において、第１及び第２の伝送線路
部を形成するように間断され、（ｃ）上記第２の伝送線
路と上記第１の伝送線路部とが、上記絶縁基板内を通っ
て互に連結され、（ｄ）上記第２の伝送線路に、探針
が、上記探針として連結され、（ｅ）上記絶縁基板上
に、上記第１及び第２の伝送線路部間において、薄膜抵
抗が、両端を上記第１及び第２の伝送線路部に連結し
て、上記整合用抵抗として装架され、 （ｆ）上記第２
の伝送線路部上に、連結用パッドが、上記測定装置連結
用パッドとして形成されている。However, the probe card apparatus according to the first invention of the present application is a probe card having such a structure.
In the Buchard device, (a) the first and second upper surfaces
And a second transmission line as the above-mentioned transmission line, respectively, and an insulating substrate is formed, and (b) the first transmission line has the first and second transmission line portions in the process of extension thereof. Intermittently so as to form, (c) the second transmission line and the first transmission line portion are connected to each other through the insulating substrate, and (d) the second transmission line, A probe is connected as the probe, and (e) a thin film resistor is provided on the insulating substrate between the first and second transmission line portions, and both ends are connected to the first and second transmission line portions. Connected and mounted as the matching resistor, (f) the second
A connecting pad is formed on the transmission line portion as the measuring device connecting pad.
【００１０】本願第２番目の発明によるプロ―ブカ―ド
装置も、図３で前述した従来のプロ―ブカ―ド装置の場
合と同様に、（ｉ）下方に延長している探針を有し、且
つ上方に臨み且つ上記探針に整合用抵抗を介挿している
伝送線路を介して連結されている測定装置連結用パッド
を有する構成を有し、（ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置
台上に配置固定される、半導体素子乃至回路を形成し且
つ上面に上記半導体素子乃至回路から導出されているカ
―ド連結用パッドを有する半導体ウェハの上方位置に、
（ｂ）上記探針の遊端が上記カ―ド連結用パッドと接触
するように、固定部に支持されている状態に配置され、
且つ（ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカ―ド連結用パ
ッドを有する測定装置を、そのカ―ド連結用パッドが上
記測定装置連結用パッドと接触している状態で、上方か
ら受けている、という状態で用いられる構成を有する。The probe card device according to the second aspect of the present invention also has (i) a probe extending downward as in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. And (ii) (a) a semiconductor wafer mounting table, which has a pad for measuring device connection, which is connected to the probe through a transmission line in which a matching resistor is inserted and which faces upward. At a position above the semiconductor wafer, which is arranged and fixed on the upper surface of the semiconductor wafer, which forms a semiconductor element or circuit and has a card connecting pad which is led out from the semiconductor element or circuit on the upper surface,
(B) The probe is arranged so as to be supported by the fixed portion so that the free end of the probe comes into contact with the card connecting pad,
And (iii) in that arrangement, the measuring device having a card connecting pad on the lower surface is received from above while the card connecting pad is in contact with the measuring device connecting pad. It has a configuration used in the state of.
【００１１】しかしながら、本願第２番目の発明による
プロ―ブカ―ド装置は、このような構成を有するプロ―
ブカ―ド装置において、（ａ）上面及び下面上に、第１
及び第２の伝送線路を、上記伝送線路として、それぞれ
形成している複数の絶縁基板を有し、（ｂ）上記複数の
絶縁基板は、互に積重ねられて一体化され、（ｃ）上記
複数の絶縁基板の全てまたは一部のそれぞれにおいて、
上記第１の伝送線路が、その延長途上において、第１及
び第２の伝送線路部を形成するように間断され、（ｄ）
複数の絶縁基板中の最下位置の絶縁基板の上記第２の伝
送線路と上記複数の絶縁基板中の最上位置の絶縁基板の
上記第１の伝送線路、または第１または第２の伝送線路
部とが、上記複数の絶縁基板内を通って互に連結され、
（ｅ）上記複数の絶縁基板中の最下位置の絶縁基板の第
２の伝送線路に、探針が、上記探針として連結され、
（ｆ）複数の絶縁基板中の、上記第１の伝送線路が上記
第１及び第２の伝送線路部を形成するように間断されて
いる絶縁基板のそれぞれ上に、上記第１及び第２の伝送
線路部間において、薄膜抵抗が、両端を上記第１及び第
２の伝送線路部に連結して、上記整合用抵抗として装架
され、（ｇ）複数の絶縁基板中の最上位置の絶縁基板の
上記第１の伝送線路、または第１または第２の伝送線路
部上に、連結用パッドが、上記測定装置連結用パッドと
して形成されている。However, the probe card device according to the second invention of the present application is a probe card having such a structure.
In the Buchard device, (a) the first and second upper surfaces
And a plurality of insulating substrates respectively forming the second transmission line as the transmission line, and (b) the plurality of insulating substrates are stacked and integrated with each other, and (c) the plurality of insulating substrates are integrated. In all or part of each of the insulating substrate of
The first transmission line is interrupted so as to form first and second transmission line portions in the process of extension thereof, (d)
The second transmission line of the lowermost insulating substrate of the plurality of insulating substrates and the first transmission line of the uppermost insulating substrate of the plurality of insulating substrates, or the first or second transmission line portion. And are connected to each other through the plurality of insulating substrates,
(E) A probe is connected as the probe to the second transmission line of the lowermost insulating substrate among the plurality of insulating substrates.
(F) The first and second insulating lines in the plurality of insulating substrates, on which the first transmission line is interrupted so as to form the first and second transmission line portions, respectively. Between the transmission line portions, a thin film resistor is mounted as the matching resistor by connecting both ends to the first and second transmission line portions, and (g) the insulating substrate at the uppermost position among the plurality of insulating substrates. A connecting pad is formed as the measuring device connecting pad on the first transmission line, or the first or second transmission line portion.
【００１２】[0012]
【作用・効果】本願第１番目の発明及び本願第２番目の
発明によるプロ―ブカ―ド装置は、図３で前述した従来
のプロ―ブカ―ド装置の場合と同様に、半導体ウェハ上
に形成されている半導体素子乃至回路の電気的特性を測
定装置によって測定することができるが、そのプロ―ブ
カ―ド装置が、上記（ａ）〜（ｆ）の要件しか有してい
ないので、小型、簡易化することができるとともに、探
針から測定装置連結用パッドまで間の伝送線路を、図３
で前述した従来のプロ―ブカ―ド装置の場合に比し極め
て短くすることができるとともに、その伝送線路の延長
途上の連結用パッドを有していないので、半導体ウェハ
上の半導体素子乃至回路から、高周波信号を測定装置に
供給して、半導体ウェハ上の半導体素子乃至回路の電気
的特性を測定せんとする場合でも、その高周波信号に大
きな損失を生ぜしめたり、不必要に反射を生ぜしめたり
せず、よって、この場合の電気的特性を、図３で前述し
た従来のプロ―ブカ―ド装置の場合に比し高精度に測定
することができる。[Advantageous Effects] The probe card apparatus according to the first invention of the present application and the second invention of the present application can be formed on the semiconductor wafer in the same manner as in the conventional probe card apparatus described above with reference to FIG. The electrical characteristics of the formed semiconductor element or circuit can be measured by a measuring device, but since the probe card device has only the above requirements (a) to (f), it is compact. , Which can be simplified, and the transmission line from the probe to the pad for connecting the measuring device is shown in FIG.
It can be made extremely shorter than in the case of the conventional probe card device described above, and since it does not have a connecting pad in the process of extending the transmission line, Even when supplying high-frequency signals to a measuring device to measure the electrical characteristics of semiconductor elements or circuits on a semiconductor wafer, the high-frequency signals may cause large loss or unnecessary reflection. Therefore, the electrical characteristics in this case can be measured with higher accuracy than in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG.
【００１３】[0013]
【実施例１】次に、図１を伴って、本発明によるプロ―
ブカ―ド装置の第１の実施例を述べよう。[Embodiment 1] Next, referring to FIG.
Let us describe a first embodiment of the Buchard device.
【００１４】図１において、図３との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００１５】図１に示す本発明によるプロ―ブカ―ド装
置は、符号２００で示すように、図３で上述した従来の
プロ―ブカ―ド装置１の場合と同様に、（ｉ）下方に延
長している探針２を有し、且つ上方に臨み且つ探針２に
整合用抵抗３を介挿している伝送線路４を介して連結さ
れている測定装置連結用パッド５を有する構成を有し、
（ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置台６上に配置固定され
る、半導体素子乃至回路（図示せず）を形成し且つ上面
に半導体素子乃至回路から導出されているカ―ド連結用
パッド８を有する半導体ウェハ７の上方位置に、（ｂ）
探針２の遊端がカ―ド連結用パッド８と接触するよう
に、固定部９に支持されている状態に配置され、且つ
（ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカ―ド連結用パッド
１１を有する測定装置１０を、そのカ―ド連結用パッド
１１が測定装置連結用パッド５と接触している状態で、
上方から受けている、という状態で用いられる構成を有
する。The probe card device according to the present invention shown in FIG. 1, as indicated by reference numeral 200, is (i) downwardly moved, as in the case of the conventional probe card device 1 described above with reference to FIG. The probe 2 is extended, and the measuring device connecting pad 5 is connected to the probe 2 via a transmission line 4 having a matching resistor 3 interposed therebetween. Then
(Ii) (a) A card connecting pad 8 which is arranged and fixed on the semiconductor wafer mounting table 6 and which forms a semiconductor element or circuit (not shown) and which is led out from the semiconductor element or circuit on the upper surface. (B) above the semiconductor wafer 7
The probe 2 is arranged so as to be supported by the fixing portion 9 so that the free end of the probe 2 comes into contact with the card connecting pad 8, and (iii) in that state, the card connecting pad is provided on the lower surface. In the state where the card connecting pad 11 is in contact with the measuring device connecting pad 5,
It has a configuration that is used in the state of receiving from above.
【００１６】しかしながら、図１に示す本発明によるプ
ロ―ブカ―ド装置は、このような構成を有するプロ―ブ
カ―ド装置において、（ａ）上面及び下面上に、伝送線
路６２ａ及び６２ｂを、伝送線路４として、それぞれ形
成している絶縁基板６１を有し、（ｂ）伝送線路６２ａ
は、その延長途上において、伝送線路部６２ａ−１及び
６２ａ−２を形成するように間断され、（ｃ）伝送線路
６２ｂと伝送線路部６２ａ−１とが、点線図示のよう
に、絶縁基板３１内を通って互に連結され、（ｄ）伝送
線路６２ｂに、探針２３が、探針２として連結され、
（ｅ）絶縁基板６１上に、伝送線路部６２ａ−１及び６
２ａ−２間において、薄膜抵抗７１が、両端を図１の左
側または右側に示されているように、伝送線路部６２ａ
−１及び６２ａ−２に連結して、整合用抵抗３として装
架され、（ｆ）伝送線路部６２ａ−２上に、連結用パッ
ド６３が、測定装置連結用パッド５として形成されてい
る。However, in the probe card device according to the present invention shown in FIG. 1, in the probe card device having such a configuration, (a) the transmission lines 62a and 62b are provided on the upper and lower surfaces, respectively. Each of the transmission lines 4 has an insulating substrate 61 formed therein, and (b) the transmission line 62a.
Is interrupted so as to form the transmission line portions 62a-1 and 62a-2 during the extension thereof, and (c) the transmission line 62b and the transmission line portion 62a-1 are separated from each other by the insulating substrate 31 as shown by a dotted line. The probe 23 is connected to each other through the inside, and the probe 23 is connected to the transmission line 62b as the probe 2.
(E) The transmission line portions 62a-1 and 6a are provided on the insulating substrate 61.
2a-2, the thin film resistor 71 has a transmission line portion 62a having both ends as shown on the left side or the right side of FIG.
-1 and 62a-2 are connected and mounted as a matching resistor 3, and (f) a connecting pad 63 is formed as a measuring device connecting pad 5 on the transmission line portion 62a-2.
【００１７】以上が、本発明によるプロ―ブカ―ド装置
の第１の実施例の構成である。The above is the configuration of the first embodiment of the probe card device according to the present invention.
【００１８】このような構成を有する本発明によるプロ
―ブカ―ド装置によれば、半導体ウェハ７上に形成され
ている半導体素子乃至回路の電気的特性を測定装置１０
によって測定することができるが、そのプロ―ブカ―ド
装置２００が、上述した（ａ）〜（ｆ）の要件しか有し
ていないので、小型、簡易化することができるととも
に、探針２から測定装置連結用パッド５まで間の伝送線
路４を図３で前述した従来のプロ―ブカ―ド装置の場合
に比し極めて短くすることができるとともに、その伝送
線路４の延長途上に連結用パッドを有していないので、
半導体ウェハ７上の半導体素子乃至回路から、高周波信
号を測定装置１０に供給して、半導体ウェハ７上の半導
体素子乃至回路の電気的特性を測定せんとする場合で
も、その高周波信号に大きな損失を生ぜしめたり、不必
要に反射を生ぜしめたりせず、よって、この場合の電気
的特性を、図３で前述した従来のプロ―ブカ―ド装置の
場合に比し高精度に測定することができる。According to the probe card device of the present invention having such a configuration, the measuring device 10 for measuring the electrical characteristics of the semiconductor elements or circuits formed on the semiconductor wafer 7 is provided.
However, since the probe card device 200 has only the requirements (a) to (f) described above, the probe card 2 can be downsized and simplified. The transmission line 4 up to the measuring device connecting pad 5 can be made extremely shorter than in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. Because I don't have
Even when the high-frequency signal is supplied from the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer 7 to the measuring apparatus 10 to measure the electrical characteristics of the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer 7, a large loss occurs in the high-frequency signal. Therefore, the electrical characteristics in this case can be measured with higher accuracy than in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. it can.
【００１９】[0019]
【実施例２】次に、図２を伴って、本発明によるプロ―
ブカ―ド装置の第２の実施例を述べよう。[Embodiment 2] Next, referring to FIG.
Let us describe a second embodiment of the Buchard device.
【００２０】図２において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明は省略する。2, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００２１】図２に示す本発明によるプロ―ブカ―ド装
置も、図１に示す本発明によるプロ―ブカ―ド装置で述
べた図３に示す従来のプロ―ブカ―ド装置の場合と同様
の構成を有する。The probe card apparatus according to the present invention shown in FIG. 2 is also the same as the conventional probe card apparatus shown in FIG. 3 described in the probe card apparatus according to the present invention shown in FIG. It has the configuration of.
【００２２】しかしながら、図２に示す本発明によるプ
ロ―ブカ―ド装置３００は、このような構成を有するプ
ロ―ブカ―ド装置において、（ａ）上面及び下面上に、
伝送線路６２ａ及び６２ｂを、伝送線路４として、それ
ぞれ形成している複数、図においては２つのの絶縁基板
６１−１及び６１−２を有し、（ｂ）複数の絶縁基板６
１−１及び６１−２は、互に積重ねられて一体化され、
（ｃ）複数の絶縁基板６１−１及び６１−２の全てまた
は一部（図においては全て）のそれぞれにおいて、伝送
線路６２ａが、その延長途上において、伝送線路部６２
ａ−１及び６２ａ−２を形成するように間断され、
（ｄ）複数の絶縁基板６１−１及び６１−２中の最下位
置の絶縁基板６１−１の伝送線路６２ｂと複数の絶縁基
板６１−１及び６１−２中の最上位置の絶縁基板６１−
２の第１の伝送線路６２ａ−１または伝送線路部６２ａ
−１または６２ａ−２（図においては、伝送線路部６２
ａ−１）とが、点線図示のように、複数の絶縁基板６１
−１及び６１−２内を通って互に連結され、（ｅ）複数
の絶縁基板６１−１及び６１−２中の最下位置の絶縁基
板６１−１の伝送線路６２ｂに、探針２３が、探針２と
して連結され、（ｆ）複数の絶縁基板６１−１及びへ６
１−２中の、伝送線路６２ａが伝送線路部６２ａ−１及
び６２ａ−２を形成するように間断されている絶縁基板
のそれぞれ上に、伝送線路部６２ａ−１及び６２ａ−２
間において、薄膜抵抗３７が、実施例１の場合と同様
に、両端を伝送線路部６２ａ−１及び６２ａ−２に連結
して、整合用抵抗３として装架され、（ｇ）複数の絶縁
基板６１−１及び６１−２中の最上位置の絶縁基板６１
−２の伝送線路６２ａ伝送線路部６２ａ−１または６２
ａ−２上に、連結用パッド６３が、測定装置連結用パッ
ド５として形成されている。However, the probe card apparatus 300 according to the present invention shown in FIG. 2 is a probe card apparatus having such a configuration, in which (a) the upper surface and the lower surface,
The transmission lines 62a and 62b are respectively formed as the transmission line 4 and have a plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2, respectively, in the figure, (b) a plurality of insulating substrates 6
1-1 and 61-2 are stacked and integrated with each other,
(C) In all or some (all in the figure) of the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2, the transmission line 62a is being extended, and the transmission line portion 62 is
interrupted to form a-1 and 62a-2,
(D) The transmission line 62b of the lowermost insulating substrate 61-1 among the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2 and the uppermost insulating substrate 61-2 of the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2.
No. 2 first transmission line 62a-1 or transmission line section 62a
-1 or 62a-2 (in the figure, the transmission line unit 62
a-1) is a plurality of insulating substrates 61 as shown by dotted lines.
-1 and 61-2 are connected to each other, and (e) the probe 23 is attached to the transmission line 62b of the lowermost insulating substrate 61-1 among the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2. , (F) a plurality of insulating substrates 61-1 and 6 connected to each other as the probe 2.
In 1-2, the transmission line portions 62a-1 and 62a-2 are respectively provided on the insulating substrates which are interrupted so that the transmission line 62a forms the transmission line portions 62a-1 and 62a-2.
Between the two, the thin film resistor 37 is mounted as the matching resistor 3 by connecting both ends to the transmission line portions 62a-1 and 62a-2 as in the case of the first embodiment, and (g) a plurality of insulating substrates. Insulating substrate 61 at the highest position in 61-1 and 61-2
-2 transmission line 62a transmission line portion 62a-1 or 62
The connecting pad 63 is formed on the a-2 as the measuring device connecting pad 5.
【００２３】なお、上述においては、本発明の２つの実
施例を示したに留まり、例えば図２に示す本発明による
プロ―ブカ―ド装置の第２の実施例において、絶縁基板
上の測定装置１０側の伝送線路を２つの伝送線路部を形
成するように間断するのに代え、間断していない構成と
することもでき、また、このように伝送線路 を間断し
ていないようにするが、半導体ウェハ７側の伝送線路
を、２つの第１及び第２の伝送線路部を形成するように
間断し、そして、それら第１及び第２の伝送線路部間
に、薄膜抵抗を配した構成とし、これに応じて、第１の
伝送線路部と絶縁基板側の伝送線路とを連結し、第２の
伝送線路部上に測定装置用連結用パッドとしての連結用
パッドを形成した構成とすることもでき、また、絶縁基
板６１−１及び６１−２間に、絶縁基板６１−２と同様
の構成を有する１つまたは複数の絶縁基板を配した構成
とすることもでき、その他、本発明の精神を脱すること
なしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。In the above description, only two embodiments of the present invention are shown. For example, in the second embodiment of the probe card apparatus according to the present invention shown in FIG. Instead of interrupting the transmission line on the 10 side so as to form two transmission line portions, it is possible to adopt a configuration in which the transmission line is not interrupted, and in this way, the transmission line is not interrupted. The transmission line on the semiconductor wafer 7 side is interrupted so as to form two first and second transmission line portions, and a thin film resistor is arranged between the first and second transmission line portions. In accordance therewith, the first transmission line section and the transmission line on the insulating substrate side are connected to each other, and a connection pad as a connection pad for a measuring device is formed on the second transmission line section. Insulating substrates 61-1 and 61-2 It is also possible to arrange one or a plurality of insulating substrates having the same structure as the insulating substrate 61-2 between them, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit of the present invention. It could be done.
【図１】本発明によるプロ―ブカ―ド装置の第１の実施
例を示す、一部を断面として示す略線図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of a probe card device according to the present invention, a part of which is shown in section.
【図２】本発明によるプロ―ブカ―ド装置の第２の実施
例を示す、一部を断面として示す略線図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the probe card device according to the present invention, a part of which is shown in section.
【図３】従来のプロ―ブカ―ド装置を示す、一部を断面
として示す略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a part of a conventional probe card device as a cross section.
１ プロ―ブカ―ド装置 ２ 探針 ３ 整合用抵抗 ４ 伝送線路 ５ 測定装置連結用パッド ６ 半導体ウェハ載置台 ７ 半導体ウェハ ８ カ―ド連結用パッド ９ 固定部 １０ 測定装置 １１ カ―ド連結用パッド １２ 固定部 １３ 支持体 １４ 軸 ２０ プロ―ブカ―ド ２１ 絶縁基板 ２２ａ、２２ｂ 伝送線路 ２３ 探針 ２４ 連結用パッド ３０ フロックリング ３１ 絶縁基板 ３２ａ、３２ｂ 伝送線路 ３４ 連結用パッド ４０ パフォ―マンスボンド ４１ 絶縁基板 ４２ａ、４２ｂ 伝送線路 ４２ａ−１、４２ａ−２ 伝送線路部 ４３ 連結用パッド ５１ 抵抗 ５２ａ、５２ｂ リ―ド 1 Probe Card Device 2 Probe 3 Matching Resistor 4 Transmission Line 5 Measuring Device Connecting Pad 6 Semiconductor Wafer Mounting Table 7 Semiconductor Wafer 8 Card Connecting Pad 9 Fixing Part 10 Measuring Device 11 Card Connecting Pad 12 Fixed part 13 Support 14 Shaft 20 Probe card 21 Insulation substrate 22a, 22b Transmission line 23 Probe 24 Connection pad 30 Flock ring 31 Insulation substrate 32a, 32b Transmission line 34 Connection pad 40 Performance bond 41 Insulating Substrate 42a, 42b Transmission Line 42a-1, 42a-2 Transmission Line Section 43 Connection Pad 51 Resistor 52a, 52b Lead
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成４年１月３０日[Submission date] January 30, 1992
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Name of item to be corrected] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 プローブカード装置Patent application title: Probe card device
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ上に形成
されている半導体素子乃至半導体回路の電気的特性を測
定装置によって測定するのに用いるプローブカード装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card device used for measuring the electrical characteristics of a semiconductor element or a semiconductor circuit formed on a semiconductor wafer by a measuring device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、図３で全体として、符号１で示さ
れているような、（ｉ）下方に延長している探針２を有
し、且つ上方に臨み且つ探針２に整合用抵抗３を介挿し
ている伝送線路４を介して連結されている測定装置連結
用パッド５を有する構成を有し、（ｉｉ）（ａ）半導体
ウェハ載置台６上に配置固定される、半導体素子乃至回
路（図示せず）を形成し且つ上面に上記半導体素子乃至
回路から導出されているカード連結用パッド８を有する
半導体ウェハ７の上方位置に、（ｂ）探針２の遊端が半
導体ウェハ７のカード連結用パッド８と接触するよう
に、固定部９に支持されている状態に配置され、且つ
（ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカード連結用パッド
１１を有する測定装置１０を、そのカード連結用パッド
１１が測定装置連結用パッド５と接触している状態で、
上方から受けている、という状態で用いられるプローブ
カード装置が、提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown by reference numeral 1 in FIG. 3 as a whole, (i) has a probe 2 extending downward and facing upward and for alignment with the probe 2. A semiconductor device having a structure having a measuring device connecting pad 5 connected via a transmission line 4 having a resistor 3 interposed therebetween, and (ii) (a) being arranged and fixed on a semiconductor wafer mounting table 6. (B) the free end of the probe 2 is located above the semiconductor wafer 7 which forms a circuit (not shown) and has the card connecting pad 8 led out from the semiconductor element or circuit on the upper surface. 7 is arranged so as to be supported by the fixed portion 9 so as to come into contact with the card connecting pad 8 of (7), and (iii) in that arrangement, the measuring device 10 having the card connecting pad 11 on the lower surface thereof is Card connection pad 11 for measuring device connection In a state in which the contact is with the head 5,
A probe card device that is used while being received from above has been proposed.
【０００３】この場合、測定装置１０は、固定部１２上
に植立された支持体１３上に、軸１４を用いて回動自在
に支持されている。In this case, the measuring device 10 is rotatably supported by a shaft 14 on a support 13 that is planted on a fixed portion 12.
【０００４】また、プローブカード装置１は、（ｉ）
（ａ）上面及び下面上に伝送線路２２ａ及び２２ｂを上
述した伝送線路４の一部としてそれぞれ形成している絶
縁基板２１を有し、（ｂ）伝送線路２２ａ及び２２ｂ
が、点線図示にように、絶縁基板２１内を通って互に連
結され、（ｃ）伝送線路２２ｂに、上述した半導体ウェ
ハ７のカード連結用パッド８に接触する探針２３が、上
述した探針２として連結され、（ｄ）伝送線路２２ａ上
に連結用パッド２４が形成されているプローブカード２
０と、（ｉｉ）（ａ）上面及び下面上に伝送線路３２ａ
及び３２ｂを上述した伝送線路４の他の一部としてそれ
ぞれ形成している絶縁基板３１を有し、（ｂ）伝送線路
３２ａ及び３２ｂが、点線図示のように、絶縁基板３１
内を通って連結され、（ｃ）伝送線路３２ｂ上に上述し
たプローブカード２０の連結用パッド２４に接触する連
結用パッド３３が形成され、（ｄ）伝送線路２２ａ上に
連結用パッド３４が形成されているフロックリング３０
と、（ｉｉｉ）上面および下面上に伝送線路４２ａ及び
４２ｂを上述した伝送線路４のさらに他の一部としてそ
れぞれ形成している絶縁基板４１を有し、（ｂ）伝送線
路４２ａが、その延長途上において、伝送線路部４２ａ
−１及び４２ａ−２を形成するように間断され、（ｃ）
伝送線路４２ｂと伝送線路４２ａの伝送線路部４２ａ−
とが、点線図示のように、絶縁基板４１内を通って互に
連結され、（ｄ）絶縁基板４１上に、両端からリード５
２ａ及び５２ｂを導出している抵抗５１が、そのリード
５２ａ及び５２ｂの遊端を伝送線路４２ａの伝送線路部
４２ａ−１及び４２ａ−２にそれぞれ連結して、上述し
た整合用抵抗として装架され、（ｅ）伝送線路４２ｂ上
に上述したフロックリング３０の連結用パッド３４に接
触する連結用パッド４３が形成され、（ｆ）伝送線路４
２ａ上に上述した測定装置１０のカード連結用パッド１
１に接触する連結用パッド４４が、上述した測定装置連
結用パッド５として形成されているパフォーマンスボン
ド４０とを有し、（ｉｖ）上述したフロックリング３０
が、上述した固定部９に支持されていることによって、
（ａ）プローブカード装置１が上述したようにして、固
定部９に支持されている状態に配置され、且つ（ｂ）そ
の配置状態で、上述した測定装置１０を、その回動によ
り、上述した状態で、上方から受けているように、構成
されている。Further, the probe card device 1 is (i)
(A) The insulating substrate 21 having the transmission lines 22a and 22b formed on the upper and lower surfaces as a part of the transmission line 4 described above, respectively. (B) The transmission lines 22a and 22b.
Are connected to each other through the insulating substrate 21 as shown by the dotted line, and the (c) transmission line 22b has the probe 23 which comes into contact with the card connection pad 8 of the semiconductor wafer 7 described above. A probe card 2 which is connected as a needle 2 and has a connection pad 24 formed on (d) the transmission line 22a.
0, and (ii) (a) the transmission line 32a on the upper and lower surfaces.
And 32b are formed as other parts of the transmission line 4 described above, respectively, and (b) the transmission lines 32a and 32b are the insulating substrate 31 as shown by dotted lines.
The connection pad 33 is formed on the transmission line 32b, and the connection pad 33 is formed on the transmission line 32b so as to be in contact with the connection pad 24 of the probe card 20. The connection pad 34 is formed on the transmission line 22a. Flock ring 30
And (iii) an insulating substrate 41 on which the transmission lines 42a and 42b are respectively formed on the upper surface and the lower surface as still another part of the transmission line 4 described above, and (b) the transmission line 42a is an extension thereof. On the way, the transmission line portion 42a
-1 and 42a-2, (c)
Transmission line 42b and transmission line portion 42a of transmission line 42a-
And are connected to each other through the inside of the insulating substrate 41 as shown by the dotted line, and (d) on the insulating substrate 41, the leads 5 are provided from both ends.
The resistors 51 leading out 2a and 52b are mounted as the matching resistors described above by connecting the free ends of the leads 52a and 52b to the transmission line portions 42a-1 and 42a-2 of the transmission line 42a, respectively. , (E) the connecting pad 43 that contacts the connecting pad 34 of the flock ring 30 is formed on the transmission line 42b, and (f) the transmission line 4
The pad 1 for connecting the card of the measuring device 10 described above on 2a.
1 has a connecting pad 44 which has the performance bond 40 formed as the measuring device connecting pad 5 described above, and (iv) the flock ring 30 described above.
However, by being supported by the fixing portion 9 described above,
(A) The probe card device 1 is arranged in a state of being supported by the fixed portion 9 as described above, and (b) in the arranged state, the measuring device 10 described above is rotated to rotate the measuring device 10. In the state, it is configured to be received from above.
【０００５】以上が、従来提案されているプローブカー
ド装置の構成である。The above is the configuration of the conventionally proposed probe card device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来のプロ
ーブカード装置１によれば、半導体ウェハ７上に形成さ
れている半導体素子乃至回路の電気的特性を測定装置１
０によって測定することができるが、そのプローブカー
ド装置１が、プローブカード２０と、フロックリング３
０と、パフォーマンスボード４０とを用いて構成されて
いるので、大型、複雑であるとともに、探針２から測定
装置連結用パッド５まで間の伝送線路４が、多くの伝送
線路を用いて構成されているので、極めて長いととも
に、その伝送線路４の延長途上に、多くの連結用パッド
を有しているので、半導体ウェハ７上の半導体素子乃至
回路から、高周波信号を、カード連結用パッド８、及び
測定装置１０のカード連結用パッド１１を介して、測定
装置１０に供給して、半導体ウェハ７上の半導体素子乃
至回路の電気的特性を測定せんとする場合、高周波信号
に大きな損失や、反射が生じたりして、この場合の電気
的特性を高精度に測定することができない、という欠点
を有していた。According to the conventional probe card device 1 shown in FIG. 3, the device 1 for measuring the electrical characteristics of the semiconductor elements or circuits formed on the semiconductor wafer 7 is used.
0, but the probe card device 1 includes a probe card 20 and a flock ring 3.
0 and the performance board 40, the transmission line 4 is large and complicated, and the transmission line 4 between the probe 2 and the measuring device connecting pad 5 is formed using many transmission lines. Therefore, since it is extremely long and has many connecting pads along the extension of the transmission line 4, a high frequency signal is transmitted from the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer 7 to the card connecting pad 8, In addition, when the electrical characteristics of the semiconductor elements or circuits on the semiconductor wafer 7 are measured by supplying to the measuring apparatus 10 through the card connecting pad 11 of the measuring apparatus 10, a large loss or reflection of a high frequency signal is generated. However, there is a drawback that the electrical characteristics in this case cannot be measured with high accuracy.
【０００７】よって、本発明は、上述した欠点のない新
規なプローブカード装置を提案せんとするものである。Therefore, the present invention proposes a novel probe card device which does not have the above-mentioned drawbacks.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るプローブカード装置は、図３で前述した従来のプロー
ブカード装置の場合と同様に、（ｉ）下方に延長してい
る探針を有し、且つ上方に臨み且つ上記探針に整合用抵
抗を介挿している伝送線路を介して連結されている測定
装置連結用パッドを有する構成を有し、（ｉｉ）（ａ）
半導体ウェハ載置台上に配置固定される、半導体素子乃
至回路を形成し且つ上面に上記半導体素子乃至回路から
導出されているカード連結用パッドを有する半導体ウェ
ハの上方位置に、（ｂ）上記探針の遊端が上記カード連
結用パッドと接触するように、固定部に支持されている
状態に配置され、且つ（ｉｉｉ）その配置状態で、下面
にカード連結用パッドを有する測定装置を、そのカード
連結用パッドが上記測定装置連結用パッドと接触してい
る状態で、上方から受けている、という状態で用いられ
る構成を有する。The probe card device according to the first invention of the present application has (i) a probe extending downward as in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. And a structure having a measuring device connecting pad which faces upward and is connected to the probe via a transmission line in which a matching resistor is inserted, (ii) (a)
(B) the probe, which is arranged and fixed on the semiconductor wafer mounting table and which has a semiconductor element or circuit formed thereon and has a card connecting pad derived from the semiconductor element or circuit on its upper surface. Of the measuring device having a card connecting pad on the lower surface in a state of being supported by the fixed portion so that the free end of the card may come into contact with the card connecting pad. The connection pad is in a state of being received from above while the connection pad is in contact with the measurement device connection pad.
【０００９】しかしながら、本願第１番目の発明による
プローブカード装置は、このような構成を有するプロー
ブカード装置において、（ａ）上面及び下面上に、第１
及び第２の伝送線路を、上記伝送線路として、それぞれ
形成している絶縁基板を有し、（ｂ）上記第１の伝送線
路は、その延長途上において、第１及び第２の伝送線路
部を形成するように間断され、（ｃ）上記第２の伝送線
路と上記第１の伝送線路部とが、上記絶縁基板内を通っ
て互に連結され、（ｄ）上記第２の伝送線路に、探針
が、上記探針として連結され、（ｅ）上記絶縁基板上
に、上記第１及び第２の伝送線路部間において、薄膜抵
抗が、両端を上記第１及び第２の伝送線路部に連結し
て、上記整合用抵抗として装架され、 （ｆ）上記第２
の伝送線路部上に、連結用パッドが、上記測定装置連結
用パッドとして形成されている。However, the probe card device according to the first invention of the present application is the probe card device having such a configuration, in which (a) the first and second upper surfaces are provided.
And a second transmission line as the above-mentioned transmission line, respectively, and an insulating substrate is formed, and (b) the first transmission line has the first and second transmission line portions in the process of extension thereof. Intermittently so as to form, (c) the second transmission line and the first transmission line portion are connected to each other through the insulating substrate, and (d) the second transmission line, A probe is connected as the probe, and (e) a thin film resistor is provided on the insulating substrate between the first and second transmission line portions, and both ends are connected to the first and second transmission line portions. Connected and mounted as the matching resistor, (f) the second
A connecting pad is formed on the transmission line portion as the measuring device connecting pad.
【００１０】本願第２番目の発明によるプローブカード
装置も、図３で前述した従来のプローブカード装置の場
合と同様に、（ｉ）下方に延長している探針を有し、且
つ上方に臨み且つ上記探針に整合用抵抗を介挿している
伝送線路を介して連結されている測定装置連結用パッド
を有する構成を有し、（ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置
台上に配置固定される、半導体素子乃至回路を形成し且
つ上面に上記半導体素子乃至回路から導出されているカ
ード連結用パッドを有する半導体ウェハの上方位置に、
（ｂ）上記探針の遊端が上記カード連結用パッドと接触
するように、固定部に支持されている状態に配置され、
且つ（ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカード連結用パ
ッドを有する測定装置を、そのカード連結用パッドが上
記測定装置連結用パッドと接触している状態で、上方か
ら受けている、という状態で用いられる構成を有する。The probe card device according to the second aspect of the present invention also has (i) a probe extending downward and facing upward, as in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. Further, it has a structure having a measuring device connecting pad connected to the probe through a transmission line in which a matching resistor is inserted, and (ii) (a) is arranged and fixed on a semiconductor wafer mounting table. At a position above a semiconductor wafer having a semiconductor element or circuit formed thereon and having a card connecting pad derived from the semiconductor element or circuit on the upper surface,
(B) The probe is arranged so as to be supported by the fixing portion so that the free end of the probe comes into contact with the card connecting pad,
And (iii) in that arrangement, the measuring device having the card connecting pad on the lower surface is received from above while the card connecting pad is in contact with the measuring device connecting pad. It has the configuration used.
【００１１】しかしながら、本願第２番目の発明による
プローブカード装置は、このような構成を有するプロー
ブカード装置において、（ａ）上面及び下面上に、第１
及び第２の伝送線路を、上記伝送線路として、それぞれ
形成している複数の絶縁基板を有し、（ｂ）上記複数の
絶縁基板は、互に積重ねられて一体化され、（ｃ）上記
複数の絶縁基板の全てまたは一部のそれぞれにおいて、
上記第１の伝送線路が、その延長途上において、第１及
び第２の伝送線路部を形成するように間断され、（ｄ）
複数の絶縁基板中の最下位置の絶縁基板の上記第２の伝
送線路と上記複数の絶縁基板中の最上位置の絶縁基板の
上記第１の伝送線路、または第１または第２の伝送線路
部とが、上記複数の絶縁基板内を通って互に連結され、
（ｅ）上記複数の絶縁基板中の最下位置の絶縁基板の第
２の伝送線路に、探針が、上記探針として連結され、
（ｆ）複数の絶縁基板中の、上記第１の伝送線路が上記
第１及び第２の伝送線路部を形成するように間断されて
いる絶縁基板のそれぞれ上に、上記第１及び第２の伝送
線路部間において、薄膜抵抗が、両端を上記第１及び第
２の伝送線路部に連結して、上記整合用抵抗として装架
され、（ｇ）複数の絶縁基板中の最上位置の絶縁基板の
上記第１の伝送線路、または第１または第２の伝送線路
部上に、連結用パッドが、上記測定装置連結用パッドと
して形成されている。However, the probe card device according to the second invention of the present application is the probe card device having such a configuration, in which (a) the first and
And a plurality of insulating substrates respectively forming the second transmission line as the transmission line, and (b) the plurality of insulating substrates are stacked and integrated with each other, and (c) the plurality of insulating substrates are integrated. In all or part of each of the insulating substrate of
The first transmission line is interrupted so as to form first and second transmission line portions in the process of extension thereof, (d)
The second transmission line of the lowermost insulating substrate of the plurality of insulating substrates and the first transmission line of the uppermost insulating substrate of the plurality of insulating substrates, or the first or second transmission line portion. And are connected to each other through the plurality of insulating substrates,
(E) A probe is connected as the probe to the second transmission line of the lowermost insulating substrate among the plurality of insulating substrates.
(F) The first and second insulating lines in the plurality of insulating substrates, on which the first transmission line is interrupted so as to form the first and second transmission line portions, respectively. Between the transmission line portions, a thin film resistor is mounted as the matching resistor by connecting both ends to the first and second transmission line portions, and (g) the insulating substrate at the uppermost position among the plurality of insulating substrates. A connecting pad is formed as the measuring device connecting pad on the first transmission line, or the first or second transmission line portion.
【００１２】[0012]
【作用・効果】本願第１番目の発明及び本願第２番目の
発明によるプローブカード装置は、図３で前述した従来
のプローブカード装置の場合と同様に、半導体ウェハ上
に形成されている半導体素子乃至回路の電気的特性を測
定装置によって測定することができるが、そのプローブ
カード装置が、上述した要件（本願第１番目の発明の場
合、上記（ａ）〜（ｆ）、本願第２番目の発明の場合、
上記（ａ）〜（ｇ））しか有していないので、小型、簡
易化することができるとともに、探針から測定装置連結
用パッドまで間の伝送線路を、図３で前述した従来のプ
ローブカード装置の場合に比し極めて短くすることがで
きるとともに、その伝送線路の延長途上の連結用パッド
を有していないので、半導体ウェハ上の半導体素子乃至
回路から、高周波信号を測定装置に供給して、半導体ウ
ェハ上の半導体素子乃至回路の電気的特性を測定せんと
する場合でも、その高周波信号に大きな損失を生ぜしめ
たり、不必要に反射を生ぜしめたりせず、よって、この
場合の電気的特性を、図３で前述した従来のプローブカ
ード装置の場合に比し高精度に測定することができる。[Advantageous Effects] The probe card device according to the first invention of the present application and the second invention of the present application is a semiconductor element formed on a semiconductor wafer, as in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. The electrical characteristics of the circuit can be measured by a measuring device, and the probe card device has the above-mentioned requirements (in the case of the first invention of the present application, the above (a) to (f) and the second invention of the present application). In the case of invention,
Since it has only the above (a) to (g), it can be made small and simple, and the transmission line from the probe to the pad for connecting the measuring device has the conventional probe card described above with reference to FIG. It can be made extremely short compared to the case of the device, and since it does not have a connecting pad on the way of extension of the transmission line, it supplies a high frequency signal from the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer to the measuring device. , Even when measuring the electrical characteristics of semiconductor elements or circuits on a semiconductor wafer, it does not cause a large loss in the high-frequency signal or unnecessary reflection, and therefore the electrical characteristics in this case The characteristics can be measured with higher accuracy than in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG.
【００１３】[0013]
【実施例１】次に、図１を伴って、本発明によるプロー
ブカード装置の第１の実施例を述べよう。First Embodiment Next, a first embodiment of the probe card device according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００１４】図１において、図３との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００１５】図１に示す本発明によるプローブカード装
置は、符号２００で示すように、図３で上述した従来の
プローブカード装置１の場合と同様に、（ｉ）下方に延
長している探針２を有し、且つ上方に臨み且つ探針２に
整合用抵抗３を介挿している伝送線路４を介して連結さ
れている測定装置連結用パッド５を有する構成を有し、
（ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置台６上に配置固定され
る、半導体素子乃至回路（図示せず）を形成し且つ上面
に半導体素子乃至回路から導出されているカード連結用
パッド８を有する半導体ウェハ７の上方位置に、（ｂ）
探針２の遊端がカード連結用パッド８と接触するよう
に、固定部９に支持されている状態に配置され、且つ
（ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカード連結用パッド
１１を有する測定装置１０を、そのカード連結用パッド
１１が測定装置連結用パッド５と接触している状態で、
上方から受けている、という状態で用いられる構成を有
する。The probe card device according to the present invention shown in FIG. 1 is, as indicated by reference numeral 200, as in the case of the conventional probe card device 1 described above with reference to FIG. 3, (i) a probe extending downward. 2 and has a configuration including a measuring device connecting pad 5 facing upward and connected to the probe 2 via a transmission line 4 in which a matching resistor 3 is inserted,
(Ii) (a) A semiconductor which is arranged and fixed on the semiconductor wafer mounting table 6, forms a semiconductor element or circuit (not shown), and has a card connecting pad 8 derived from the semiconductor element or circuit on the upper surface. At the position above the wafer 7, (b)
Measurement in which the free end of the probe 2 is supported by the fixed portion 9 so that the free end of the probe 2 comes into contact with the card connecting pad 8, and (iii) in that state, the card connecting pad 11 is provided on the lower surface. With the device 10 in a state where the card connecting pad 11 is in contact with the measuring device connecting pad 5,
It has a configuration that is used in the state of receiving from above.
【００１６】しかしながら、図１に示す本発明によるプ
ローブカード装置は、このような構成を有するプローブ
カード装置において、（ａ）上面及び下面上に、伝送線
路６２ａ及び６２ｂを、伝送線路４として、それぞれ形
成している絶縁基板６１を有し、（ｂ）伝送線路６２ａ
は、その延長途上において、伝送線路部６２ａ−１及び
６２ａ−２を形成するように間断され、（ｃ）伝送線路
６２ｂと伝送線路部６２ａ−１とが、点線図示のよう
に、絶縁基板３１内を通って互に連結され、（ｄ）伝送
線路６２ｂに、探針２３が、探針２として連結され、
（ｅ）絶縁基板６１上に、伝送線路部６２ａ−１及び６
２ａ−２間において、薄膜抵抗７１が、両端を図１の左
側または右側に示されているように、伝送線路部６２ａ
−１及び６２ａ−２に連結して、整合用抵抗３として装
架され、（ｆ）伝送線路部６２ａ−２上に、連結用パッ
ド６３が、測定装置連結用パッド５として形成されてい
る。However, in the probe card device according to the present invention shown in FIG. 1, in the probe card device having such a configuration, (a) the transmission lines 62a and 62b are formed as the transmission line 4 on the upper surface and the lower surface, respectively. It has an insulating substrate 61 formed, and (b) a transmission line 62a.
Is interrupted so as to form the transmission line portions 62a-1 and 62a-2 during the extension thereof, and (c) the transmission line 62b and the transmission line portion 62a-1 are separated from each other by the insulating substrate 31 as shown by a dotted line. The probe 23 is connected to each other through the inside, and the probe 23 is connected to the transmission line 62b as the probe 2.
(E) The transmission line portions 62a-1 and 6a are provided on the insulating substrate 61.
2a-2, the thin film resistor 71 has a transmission line portion 62a having both ends as shown on the left side or the right side of FIG.
-1 and 62a-2 are connected and mounted as a matching resistor 3, and (f) a connecting pad 63 is formed as a measuring device connecting pad 5 on the transmission line portion 62a-2.
【００１７】以上が、本発明によるプローブカード装置
の第１の実施例の構成である。The above is the configuration of the first embodiment of the probe card device according to the present invention.
【００１８】このような構成を有する本発明によるプロ
ーブカード装置によれば、半導体ウェハ７上に形成され
ている半導体素子乃至回路の電気的特性を測定装置１０
によって測定することができるが、そのプローブカード
装置２００が、上述した（ａ）〜（ｆ）の要件しか有し
ていないので、小型、簡易化することができるととも
に、探針２から測定装置連結用パッド５まで間の伝送線
路４を図３で前述した従来のプローブカード装置の場合
に比し極めて短くすることができるとともに、その伝送
線路４の延長途上に連結用パッドを有していないので、
半導体ウェハ７上の半導体素子乃至回路から、高周波信
号を測定装置１０に供給して、半導体ウェハ７上の半導
体素子乃至回路の電気的特性を測定せんとする場合で
も、その高周波信号に大きな損失を生ぜしめたり、不必
要に反射を生ぜしめたりせず、よって、この場合の電気
的特性を、図３で前述した従来のプローブカード装置の
場合に比し高精度に測定することができる。According to the probe card device of the present invention having such a configuration, the measuring device 10 for measuring the electrical characteristics of the semiconductor elements or circuits formed on the semiconductor wafer 7 is described.
However, since the probe card device 200 has only the requirements (a) to (f) described above, the probe card device 200 can be downsized and simplified, and the probe 2 can be connected to the measurement device. The transmission line 4 up to the pad 5 can be made extremely shorter than in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG. 3, and since the transmission line 4 does not have a connecting pad on the way of extension. ,
Even when the high-frequency signal is supplied from the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer 7 to the measuring apparatus 10 to measure the electrical characteristics of the semiconductor element or circuit on the semiconductor wafer 7, a large loss occurs in the high-frequency signal. It does not cause any reflection or unnecessary reflection, so that the electrical characteristics in this case can be measured with higher accuracy than in the case of the conventional probe card device described above with reference to FIG.
【００１９】[0019]
【実施例２】次に、図２を伴って、本発明によるプロー
ブカード装置の第２の実施例を述べよう。Second Embodiment Next, a second embodiment of the probe card device according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００２０】図２において、図１との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明は省略する。2, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００２１】図２に示す本発明によるプローブカード装
置も、図１に示す本発明によるプローブカード装置で述
べた図３に示す従来のプローブカード装置の場合と同様
の構成を有する。The probe card device according to the present invention shown in FIG. 2 also has the same configuration as that of the conventional probe card device shown in FIG. 3 described in the probe card device according to the present invention shown in FIG.
【００２２】しかしながら、図２に示す本発明によるプ
ローブカード装置３００は、このような構成を有するプ
ローブカード装置において、（ａ）上面及び下面上に、
伝送線路６２ａ及び６２ｂを、伝送線路４として、それ
ぞれ形成している複数、図においては２つのの絶縁基板
６１−１及び６１−２を有し、（ｂ）複数の絶縁基板６
１−１及び６１−２は、絶縁シート１５を介して、互に
積重ねられて一体化され、（ｃ）複数の絶縁基板６１−
１及び６１−２の全てまたは一部（図においては全て）
のそれぞれにおいて、伝送線路６２ａが、その延長途上
において、伝送線路部６２ａ−１及び６２ａ−２を形成
するように間断され、（ｄ）複数の絶縁基板６１−１及
び６１−２中の最下位置の絶縁基板６１−１の伝送線路
６２ｂと複数の絶縁基板６１−１及び６１−２中の最上
位置の絶縁基板６１−２の伝送線路６２ａ−１または伝
送線路部６２ａ−１または６２ａ−２（図においては、
伝送線路部６２ａ−１）とが、点線図示のように、複数
の絶縁基板６１−１及び６１−２内を通って互に連結さ
れ、（ｅ）複数の絶縁基板６１−１及び６１−２中の最
下位置の絶縁基板６１−１の伝送線路６２ｂに、探針２
３が、探針２として連結され、（ｆ）複数の絶縁基板６
１−１及び６１−２中の、伝送線路６２ａが伝送線路部
６２ａ−１及び６２ａ−２を形成するように間断されて
いる絶縁基板のそれぞれ上に、伝送線路部６２ａ−１及
び６２ａ−２間において、薄膜抵抗３７が、実施例１の
場合と同様に、両端を伝送線路部６２ａ−１及び６２ａ
−２に連結して、整合用抵抗３として装架され、（ｇ）
複数の絶縁基板６１−１及び６１−２中の最上位置の絶
縁基板６１−２の伝送線路６２ａの伝送線路部６２ａ−
１または６２ａ−２上に、連結用パッド６３が、測定装
置連結用パッド５として形成されている。However, the probe card device 300 according to the present invention shown in FIG. 2 is a probe card device having such a configuration, in which (a) the upper surface and the lower surface,
The transmission lines 62a and 62b are respectively formed as the transmission line 4 and have a plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2, respectively, in the figure, (b) a plurality of insulating substrates 6
1-1 and 61-2 are stacked and integrated with each other via the insulating sheet 15, and (c) a plurality of insulating substrates 61-
All or part of 1 and 61-2 (all in the figure)
In each of the above, the transmission line 62a is interrupted so as to form the transmission line portions 62a-1 and 62a-2 on the way of its extension, and (d) the bottom of the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2. The transmission line 62b of the insulating substrate 61-1 at the position and the transmission line 62a-1 or the transmission line portion 62a-1 or 62a-2 of the insulating substrate 61-2 at the uppermost position among the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2. (In the figure,
The transmission line portion 62a-1) is connected to each other through the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2 as shown by the dotted line, and (e) the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2. The probe 2 is attached to the transmission line 62b of the insulating substrate 61-1 at the lowermost position.
3 is connected as a probe 2, and (f) a plurality of insulating substrates 6
The transmission line parts 62a-1 and 62a-2 are provided on the insulating substrates of 1-1 and 61-2, respectively, on which the transmission line part 62a is interrupted so as to form the transmission line parts 62a-1 and 62a-2. In the meantime, the thin-film resistor 37 has the transmission line portions 62a-1 and 62a at both ends, as in the case of the first embodiment.
-2, mounted as a matching resistor 3 (g)
The transmission line portion 62a- of the transmission line 62a of the uppermost insulating substrate 61-2 among the plurality of insulating substrates 61-1 and 61-2
The connecting pad 63 is formed as the measuring device connecting pad 5 on the 1 or 62a-2.
【００２３】以上が、本発明によるプローブカード装置
の第２の実施例の構成である。The above is the configuration of the second embodiment of the probe card device according to the present invention.
【００２４】このような構成を有する本発明によるプロ
ーブカード装置による場合も、図１に示す本発明による
プローブカード装置の場合と同様に、半導体ウェハ７上
に形成されている半導体素子乃至回路の電気的特性を測
定装置１０によって測定することができ、また、そのプ
ローブカード装置２００が、上述した（ａ）〜（ｇ）の
要件しか有していないので、図１に示す本発明によるプ
ローブカード装置の場合と同様の作用効果が得られる。Also in the case of the probe card device according to the present invention having such a configuration, as in the case of the probe card device according to the present invention shown in FIG. 1, the electrical conductivity of the semiconductor elements or circuits formed on the semiconductor wafer 7 is increased. 1 can be measured by the measuring device 10, and the probe card device 200 has only the above-mentioned requirements (a) to (g). Therefore, the probe card device according to the present invention shown in FIG. The same action and effect as in the above case can be obtained.
【００２５】なお、上述においては、本発明の２つの実
施例を示したに留まり、例えば図２に示す本発明による
プローブカード装置の第２の実施例において、絶縁基板
上の測定装置１０側の伝送線路を２つの伝送線路部を形
成するように間断するのに代え、間断していない構成と
することもでき、また、このように伝送線路を間断して
いないようにするが、半導体ウェハ７側の伝送線路を、
２つの第１及び第２の伝送線路部を形成するように間断
し、そして、それら第１及び第２の伝送線路部間に、薄
膜抵抗を配した構成とし、これに応じて、第１の伝送線
路部と絶縁基板側の伝送線路とを連結し、第２の伝送線
路部上に測定装置用連結用パッドとしての連結用パッド
を形成した構成とすることもでき、また、絶縁基板６１
−１及び６１−２間に、絶縁基板６１−２と同様の構成
を有する１つまたは複数の絶縁基板を配した構成とする
こともでき、その他、本発明の精神を脱することなし
に、種々の変型、変更をなし得るであろう。In the above description, only two embodiments of the present invention are shown. For example, in the second embodiment of the probe card device according to the present invention shown in FIG. Instead of interrupting the transmission line so as to form two transmission line portions, an uninterrupted structure may be used. Further, although the transmission line is not interrupted in this way, the semiconductor wafer 7 Side transmission line,
Two first and second transmission line sections are interrupted so as to form a thin film resistor between the first and second transmission line sections, and the first and second transmission line sections are arranged accordingly. It is also possible to connect the transmission line section and the transmission line on the side of the insulating substrate and form a connecting pad as a connecting pad for the measuring device on the second transmission line section.
It is also possible to arrange one or a plurality of insulating substrates having the same structure as the insulating substrate 61-2 between -1 and 61-2, and otherwise without departing from the spirit of the present invention. Various modifications and changes could be made.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明によるプローブカード装置の第１の実施
例を示す、一部を断面として示す略線図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of a probe card device according to the present invention, a part of which is shown as a cross section.
【図２】本発明によるプローブカード装置の第２の実施
例を示す、一部を断面として示す略線図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the probe card device according to the present invention, a part of which is shown as a cross section.
【図３】従来のプローブカード装置を示す、一部を断面
として示す略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a part of a conventional probe card device as a cross section.
【符号の説明】 １ プローブカード装置 ２ 探針 ３ 整合用抵抗 ４ 伝送線路 ５ 測定装置連結用パッド ６ 半導体ウェハ載置台 ７ 半導体ウェハ ８ カード連結用パッド ９ 固定部 １０ 測定装置 １１ カード連結用パッド １２ 固定部 １３ 支持体 １４ 軸 ２０ プローブカード ２１ 絶縁基板 ２２ａ、２２ｂ 伝送線路 ２３ 探針 ２４ 連結用パッド ３０ フロックリング ３１ 絶縁基板 ３２ａ、３２ｂ 伝送線路 ３４ 連結用パッド ４０ パフォーマンスボンド ４１ 絶縁基板 ４２ａ、４２ｂ 伝送線路 ４２ａ−１、４２ａ−２ 伝送線路部 ４３ 連結用パッド ５１ 抵抗 ５２ａ、５２ｂ リード[Explanation of Codes] 1 probe card device 2 probe 3 matching resistor 4 transmission line 5 measuring device connecting pad 6 semiconductor wafer mounting table 7 semiconductor wafer 8 card connecting pad 9 fixing part 10 measuring device 11 card connecting pad 12 Fixed part 13 Support 14 Axis 20 Probe card 21 Insulation substrate 22a, 22b Transmission line 23 Probe 24 Connection pad 30 Flock ring 31 Insulation substrate 32a, 32b Transmission line 34 Connection pad 40 Performance bond 41 Insulation substrate 42a, 42b Transmission Lines 42a-1 and 42a-2 Transmission line part 43 Connection pad 51 Resistors 52a and 52b Lead
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図１】 [Figure 1]
【図２】 [Fig. 2]
【図３】 [Figure 3]
Claims (2)
つ上方に臨み且つ上記探針に整合用抵抗を介挿している
伝送線路を介して連結されている測定装置連結用パッド
を有する構成を有し、 （ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置台上に配置固定され
る、半導体素子乃至回路を形成し且つ上面に上記半導体
素子乃至回路から導出されているカ―ド連結用パッドを
有する半導体ウェハの上方位置に、（ｂ）上記探針の遊
端が上記カ―ド連結用パッドと接触するように、固定部
に支持されている状態に配置され、且つ （ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカ―ド連結用パッド
を有する測定装置を、そのカ―ド連結用パッドが上記測
定装置連結用パッドと接触している状態で、上方から受
けている、という状態で用いられるプロ―ブカ―ド装置
において、 （ａ）上面及び下面上に、第１及び第２の伝送線路を、
上記伝送線路として、それぞれ形成している絶縁基板を
有し、 （ｂ）上記第１の伝送線路は、その延長途上において、
第１及び第２の伝送線路部を形成するように間断され、 （ｃ）上記第２の伝送線路と上記第１の伝送線路部と
が、上記絶縁基板内を通って互に連結され、 （ｄ）上記第２の伝送線路に、探針が、上記探針として
連結され、 （ｅ）上記絶縁基板上に、上記第１及び第２の伝送線路
部間において、薄膜抵抗が、両端を上記第１及び第２の
伝送線路部に連結して、上記整合用抵抗として装架さ
れ、 （ｆ）上記第２の伝送線路部上に、連結用パッドが、上
記測定装置連結用パッドとして形成されているプロ―ブ
カ―ドを有することを特徴とするプロ―ブカ―ド装置。(I) For connecting a measuring device, which has a probe extending downward and is connected to the probe via a transmission line which faces upward and through which a matching resistor is inserted. (Ii) (a) for connecting a card that forms a semiconductor element or circuit and is fixed on the semiconductor wafer mounting table and that is formed on the upper surface of the semiconductor element or circuit and is led out from the semiconductor element or circuit. It is arranged above the semiconductor wafer having the pad, (b) so that the free end of the probe comes into contact with the card connecting pad, and is supported by the fixing portion, and (iii) that Using the measuring device with the card connecting pad on the lower surface in the arranged state, receiving it from above while the card connecting pad is in contact with the measuring device connecting pad. In the probe card device used In a) top and on the lower surface, the first and second transmission lines,
Each of the transmission lines has an insulating substrate formed thereon, and (b) the first transmission line is being extended,
(C) the second transmission line and the first transmission line portion are connected to each other through the insulating substrate, and are separated so as to form first and second transmission line portions. d) A probe is connected to the second transmission line as the probe, and (e) a thin film resistor is provided on the insulating substrate between the first and second transmission line portions, and the both ends are Connected to the first and second transmission line parts and mounted as the matching resistor, (f) a connecting pad is formed on the second transmission line part as the measuring device connecting pad. A probe card device having a probe card that is open.
つ上方に臨み且つ上記探針に整合用抵抗を介挿している
伝送線路を介して連結されている測定装置連結用パッド
を有する構成を有し、 （ｉｉ）（ａ）半導体ウェハ載置台上に配置固定され
る、半導体素子乃至回路を形成し且つ上面に上記半導体
素子乃至回路から導出されているカ―ド連結用パッドを
有する半導体ウェハの上方位置に、（ｂ）上記探針の遊
端が上記カ―ド連結用パッドと接触するように、固定部
に支持されている状態に配置され、且つ （ｉｉｉ）その配置状態で、下面にカ―ド連結用パッド
を有する測定装置を、そのカ―ド連結用パッドが上記測
定装置連結用パッドと接触している状態で、上方から受
けている、という状態で用いられるプロ―ブカ―ド装置
において、 （ａ）上面及び下面上に、第１及び第２の伝送線路を、
上記伝送線路として、それぞれ形成している複数の絶縁
基板を有し、 （ｂ）上記複数の絶縁基板は、互に積重ねられて一体化
され、 （ｃ）上記複数の絶縁基板の全てまたは一部のそれぞれ
において、上記第１の伝送線路が、その延長途上におい
て、第１及び第２の伝送線路部を形成するように間断さ
れ、 （ｄ）複数の絶縁基板中の最下位置の絶縁基板の上記第
２の伝送線路と上記複数の絶縁基板中の最上位置の絶縁
基板の上記第１の伝送線路、または第１または第２の伝
送線路部とが、上記複数の絶縁基板内を通って互に連結
され、 （ｅ）上記複数の絶縁基板中の最下位置の絶縁基板の第
２の伝送線路に、探針が、上記探針として連結され、 （ｆ）複数の絶縁基板中の、上記第１の伝送線路が上記
第１及び第２の伝送線路部を形成するように間断されて
いる絶縁基板のそれぞれ上に、上記第１及び第２の伝送
線路部間において、薄膜抵抗が、両端を上記第１及び第
２の伝送線路部に連結して、上記整合用抵抗として装架
され、 （ｇ）複数の絶縁基板中の最上位置の絶縁基板の上記第
１の伝送線路、または第１または第２の伝送線路部上
に、連結用パッドが、上記測定装置連結用パッドとして
形成されているプロ―ブカ―ドを有することを特徴とす
るプロ―ブカ―ド装置。2. (i) For connecting a measuring device, which has a probe extending downward and is connected to a probe via a transmission line which faces upward and has a matching resistor interposed therein. (Ii) (a) for connecting a card that forms a semiconductor element or circuit and is fixed on the semiconductor wafer mounting table and that is formed on the upper surface of the semiconductor element or circuit and is led out from the semiconductor element or circuit. It is arranged above the semiconductor wafer having the pad, (b) so that the free end of the probe comes into contact with the card connecting pad, and is supported by the fixing portion, and (iii) that Using the measuring device with the card connecting pad on the lower surface in the arranged state, receiving it from above while the card connecting pad is in contact with the measuring device connecting pad. In the probe card device used In a) top and on the lower surface, the first and second transmission lines,
A plurality of insulating substrates that are respectively formed as the transmission line; (b) the plurality of insulating substrates are stacked and integrated with each other; and (c) all or a part of the plurality of insulating substrates. In each of the above, the first transmission line is interrupted so as to form the first and second transmission line portions during its extension, and (d) the insulating substrate at the lowest position among the plurality of insulating substrates. The second transmission line and the first transmission line or the first or second transmission line portion of the uppermost insulating substrate among the plurality of insulating substrates pass through the inside of the plurality of insulating substrates and are mutually connected. (E) a probe is connected as the probe to the second transmission line of the lowermost insulating substrate among the plurality of insulating substrates, and (f) the plurality of insulating substrates among the plurality of insulating substrates. The first transmission line forms the first and second transmission line portions. A thin film resistor is provided between the first and second transmission line portions on each of the insulating substrates that are interrupted by the above, and both ends thereof are connected to the first and second transmission line portions to form the matching resistor. (G) a connecting pad for connecting the measuring device, on the first transmission line or the first or second transmission line portion of the uppermost insulating substrate among the plurality of insulating substrates. A probe card device, characterized in that it has a probe card formed as a pad.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22954391A JPH0547869A (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Probe card device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22954391A JPH0547869A (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Probe card device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547869A true JPH0547869A (en) | 1993-02-26 |
Family
ID=16893817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22954391A Pending JPH0547869A (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Probe card device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547869A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845996A (en) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Nec Corp | Tester for semiconductor device |
| WO2021182084A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 日本電産リード株式会社 | Inspection jig, and circuit substrate inspection device comprising same |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP22954391A patent/JPH0547869A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845996A (en) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Nec Corp | Tester for semiconductor device |
| WO2021182084A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 日本電産リード株式会社 | Inspection jig, and circuit substrate inspection device comprising same |
| US12055579B2 (en) | 2020-03-13 | 2024-08-06 | Nidec Read Corporation | Inspection jig and circuit board inspection apparatus including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4161692A (en) | Probe device for integrated circuit wafers | |
| TW577988B (en) | Probe card with coplanar daughter card | |
| KR930002811B1 (en) | Integrated circuit lead frame adapted for a simultaneous bonding operation | |
| TW548417B (en) | Probe contact system having planarity adjustment mechanism | |
| TW423121B (en) | Packaging and interconnection of contact structure | |
| JPH1019930A (en) | Conductive contact | |
| JPH08114625A (en) | Probe card for measuring high temperature | |
| WO2004001807B1 (en) | Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs | |
| JPH07321170A (en) | Probe collection body for ic circuit testing instrument | |
| US20080164893A1 (en) | Probe card for testing wafer | |
| KR980005984A (en) | Test Methods for Multiple Integrated Circuits on Semiconductor Wafers | |
| JP2005010147A (en) | Module with inspection function, and its inspection method | |
| TW201100811A (en) | Probe card | |
| JPH0547869A (en) | Probe card device | |
| KR0161610B1 (en) | Jig for measuring the characteristics of a semiconductor manufacturing method for the same | |
| TW562949B (en) | Circuit for improved test and calibration in automated test equipment | |
| JP2001228171A (en) | Probe card | |
| US6774649B2 (en) | Test system for conducting a function test of a semiconductor element on a wafer, and operating method | |
| JP2001332323A (en) | Silicon electrode and high frequency contact point sheet as well as manufacturing method of silicon electrode | |
| JPH0365659A (en) | Probe card | |
| JPH0829475A (en) | Contact probe of mounted substrate inspection device | |
| JP2002098736A (en) | Semiconductor device testing device | |
| JP2004233155A (en) | Probe card and method of inspecting semiconductor chip | |
| JPH06174746A (en) | Heat-resistant probe card | |
| JP2006170700A (en) | Probe calibration jig, probe card with probe calibration jig and semiconductor wafer measurement device |