JPH054647B2 - - Google Patents
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- JPH054647B2 JPH054647B2 JP23780585A JP23780585A JPH054647B2 JP H054647 B2 JPH054647 B2 JP H054647B2 JP 23780585 A JP23780585 A JP 23780585A JP 23780585 A JP23780585 A JP 23780585A JP H054647 B2 JPH054647 B2 JP H054647B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- G—PHYSICS
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- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は強誘電性のスメクチツク状の液晶表
示セルに関する。
示セルに関する。
［発明の技術的背景］
表示装置として用いられる液晶表示セルの型と
しては第１にネマチツク状あるいはコレステリツ
ク状の液晶が使用されている。電界効果モード内
で動作したこの型は数ボルトの信号で動作可能な
典型的なものであるが、励起電界が除去された場
合には液晶は常に短時間で同じ状態に戻つてしま
つていた。そこでイギリス国特許出願第1557199
号（アメリカ合衆国特許第4139273号）では、電
気的にアドレス可能な不揮発性の液晶表示を行う
方法が開示されている。この方法では動作の双安
定性を図るためにスメクチツクＡの液晶が注入し
て使用されている。しかしこれはかなり高い駆動
電圧を必要とする。後に、“アプライド．フイジ
クス．レターVol.36、No.11”の第889頁乃至901頁
（1980年、６月刊）に記載されたN.A.Clark及び
S.T.Laderwallによる“液晶におけるマイクロ秒
以下の双安定電気光学的スイツチング”と題する
論文に、より小さな電圧でスイツチングが可能な
双安定セルが記載されており、これには強誘電性
のスメクチツクＣの液晶注入が採用されている。
しては第１にネマチツク状あるいはコレステリツ
ク状の液晶が使用されている。電界効果モード内
で動作したこの型は数ボルトの信号で動作可能な
典型的なものであるが、励起電界が除去された場
合には液晶は常に短時間で同じ状態に戻つてしま
つていた。そこでイギリス国特許出願第1557199
号（アメリカ合衆国特許第4139273号）では、電
気的にアドレス可能な不揮発性の液晶表示を行う
方法が開示されている。この方法では動作の双安
定性を図るためにスメクチツクＡの液晶が注入し
て使用されている。しかしこれはかなり高い駆動
電圧を必要とする。後に、“アプライド．フイジ
クス．レターVol.36、No.11”の第889頁乃至901頁
（1980年、６月刊）に記載されたN.A.Clark及び
S.T.Laderwallによる“液晶におけるマイクロ秒
以下の双安定電気光学的スイツチング”と題する
論文に、より小さな電圧でスイツチングが可能な
双安定セルが記載されており、これには強誘電性
のスメクチツクＣの液晶注入が採用されている。
“双安定的”及び“双安定性”という言葉は本
発明では、液晶が光学上マクロ的に弁別的な２つ
のラツチング状態の間で電気的に切換え可能であ
り、そのため適切な照射状態、例えば直接観察し
たり、あるいは適切に方向付けされていて交差し
ている偏向子の間に挾んで観察することによつ
て、セルが対照的な様相の２つのラツチング状態
の間を電気的に切換え可能な表示要素として働く
ことができるような状態に関して用いられる。
発明では、液晶が光学上マクロ的に弁別的な２つ
のラツチング状態の間で電気的に切換え可能であ
り、そのため適切な照射状態、例えば直接観察し
たり、あるいは適切に方向付けされていて交差し
ている偏向子の間に挾んで観察することによつ
て、セルが対照的な様相の２つのラツチング状態
の間を電気的に切換え可能な表示要素として働く
ことができるような状態に関して用いられる。
強誘電性を示すようにするために、スメクチツ
ク材料は前記のＣ、Ｉ、Ｆのようなスメクチツク
状態にで存在しなければならないのみならず、本
質的にカイラルな材料によつて構成されているか
又はカイラル性を示すためにカイラルな構成物を
含んでいなければならない。異なるスメクチツク
相の順序を決定するために、Leornard Hill出版
（1984年）のG.W.GrayとJ.W.Goodby著“スメク
チツク液晶組織と構造”の特に153頁のダイヤグ
ラムを参照する。従来カイラル性は＊で示されて
いるので、この本に用いられている試料はＣ＊と
表される。
ク材料は前記のＣ、Ｉ、Ｆのようなスメクチツク
状態にで存在しなければならないのみならず、本
質的にカイラルな材料によつて構成されているか
又はカイラル性を示すためにカイラルな構成物を
含んでいなければならない。異なるスメクチツク
相の順序を決定するために、Leornard Hill出版
（1984年）のG.W.GrayとJ.W.Goodby著“スメク
チツク液晶組織と構造”の特に153頁のダイヤグ
ラムを参照する。従来カイラル性は＊で示されて
いるので、この本に用いられている試料はＣ＊と
表される。
Ｃ、Ｉ、Ｆ層の強誘電性液晶材料にカイラル性
があると、液晶の分子は続くスメクチツク層内に
自然に漸次異なる方向へ配列されていく傾向があ
る。層が平行面に配列される場合はその配列に従
つてらせんが決り、このらせんのピツチは、カイ
ラルな分子を非カイラルな分子あるいは反対に手
のある一層カイラルな分子で稀薄にすることによ
つて延長されなかつた場合にはその厚みは通常２
乃至３ミクロンである。
があると、液晶の分子は続くスメクチツク層内に
自然に漸次異なる方向へ配列されていく傾向があ
る。層が平行面に配列される場合はその配列に従
つてらせんが決り、このらせんのピツチは、カイ
ラルな分子を非カイラルな分子あるいは反対に手
のある一層カイラルな分子で稀薄にすることによ
つて延長されなかつた場合にはその厚みは通常２
乃至３ミクロンである。
前記ClarkとLagerwallの論文には、Ｃ＊相の
状態に保持された厚み1.5ミクロンのDOBAMBC
あるいはHOBACPC層のセルが双安定的な作用
を示し、そのスメクチツク層は液晶層自身に対し
ては垂直な平行面上に配列されていることが記載
されている。この様な条件下では液晶分子のらせ
ん状の配列が抑制される傾向が観察され、著者は
彼等が発見した双安定的な作用を表面安定作用に
よるらせん構造の抑制によるものとしている。
状態に保持された厚み1.5ミクロンのDOBAMBC
あるいはHOBACPC層のセルが双安定的な作用
を示し、そのスメクチツク層は液晶層自身に対し
ては垂直な平行面上に配列されていることが記載
されている。この様な条件下では液晶分子のらせ
ん状の配列が抑制される傾向が観察され、著者は
彼等が発見した双安定的な作用を表面安定作用に
よるらせん構造の抑制によるものとしている。
Clark及びLagerwallの後の論文“表面安定構
造を用いた強誘電性の液晶電気光学”（Mol.
Cryst.Liq.Cryst.1983年 Vol.94、213頁乃至234
頁）において著者はM.A.Handschyと協力して、
この様なセルを用いた研究についてさらに報告
し、厚さ２ミクロンのＣ＊相DOBAMCを含むセ
ルおよび厚さ1.5ミクロンのＣ＊相Ｉ＊相両方の
HOBACPCのセルに見られる双安定性について
述べている。（この論文ではHOBACPCのＩ＊相
がＦ＊相と誤つて記載されているが、後に訂正さ
れている。） らせん形成の抑制が動作の双安定性を得るのに
効果的であるというこの理論の有効性は前記著者
以外にも本発明者や他の人々によつて認められて
いる。Ｃ＊相の試料を用いた本発明者の研究で
は、セルに注入するバルク材料のらせんのピツチ
が層の厚みより数倍大きい場合でさへ、４ミクロ
ンあるいはそれ以上の液晶層を保持するセル内の
作用の双安定性は認められなかつた。この発見は
文献では支持されている。すなわち“フイジカ
ル．レビユー Ａ”、Vol.28、No.１、1983年７月
号、512頁ないし514頁の論文“ソリトン スイツ
チ”においてP.E.CladisとH.R.Brandはピツチが
10から100ミクロンのＣ＊相の試料で満たされた
厚さ110ミクロンのセルを用いた観察においては、
スイツチング電圧が６×105Vcm-1までは双安定
性は認められなかつたことを報告している。この
報告では“さらに言えることは、一般にピツチよ
り厚みの小さな試料を生成した場合はカイラルな
スメチツク液晶内での双安定性は得られない。”
と結論している。同様に、“フエロエレクトリク
ス”、1983年、Vol.49、275頁乃至284頁の中の論
文“強誘電性スメクチツク液晶の分析、性質及び
応用”の応用”の章で、J.W.Goodbyは以下のよ
うに述べている。“スメクチツク相Ｃ＊、Ｉ＊及
びＦ＊は３つの異なる方法で用いられる。(1)厚み
１乃至３ミクロンの薄いセル。らせんは形成され
ずセルは双安定状態である。１つの傾斜領域から
他の傾斜領域へのスイツチングスピードはマイク
ロ秒の単位である。(2)らせんが形成されない厚い
セル。双安定性ではないがスイツチングスピード
はやはりマイクロ秒単位であり、同様の角度から
観察した性質を持ち、従来のねじれたネマチツク
装置とは対照的である。(3)らせんの形成されない
厚いセルであり、双安定性状態ではなく、(2)のセ
ルと同様の性質を持つ。
造を用いた強誘電性の液晶電気光学”（Mol.
Cryst.Liq.Cryst.1983年 Vol.94、213頁乃至234
頁）において著者はM.A.Handschyと協力して、
この様なセルを用いた研究についてさらに報告
し、厚さ２ミクロンのＣ＊相DOBAMCを含むセ
ルおよび厚さ1.5ミクロンのＣ＊相Ｉ＊相両方の
HOBACPCのセルに見られる双安定性について
述べている。（この論文ではHOBACPCのＩ＊相
がＦ＊相と誤つて記載されているが、後に訂正さ
れている。） らせん形成の抑制が動作の双安定性を得るのに
効果的であるというこの理論の有効性は前記著者
以外にも本発明者や他の人々によつて認められて
いる。Ｃ＊相の試料を用いた本発明者の研究で
は、セルに注入するバルク材料のらせんのピツチ
が層の厚みより数倍大きい場合でさへ、４ミクロ
ンあるいはそれ以上の液晶層を保持するセル内の
作用の双安定性は認められなかつた。この発見は
文献では支持されている。すなわち“フイジカ
ル．レビユー Ａ”、Vol.28、No.１、1983年７月
号、512頁ないし514頁の論文“ソリトン スイツ
チ”においてP.E.CladisとH.R.Brandはピツチが
10から100ミクロンのＣ＊相の試料で満たされた
厚さ110ミクロンのセルを用いた観察においては、
スイツチング電圧が６×105Vcm-1までは双安定
性は認められなかつたことを報告している。この
報告では“さらに言えることは、一般にピツチよ
り厚みの小さな試料を生成した場合はカイラルな
スメチツク液晶内での双安定性は得られない。”
と結論している。同様に、“フエロエレクトリク
ス”、1983年、Vol.49、275頁乃至284頁の中の論
文“強誘電性スメクチツク液晶の分析、性質及び
応用”の応用”の章で、J.W.Goodbyは以下のよ
うに述べている。“スメクチツク相Ｃ＊、Ｉ＊及
びＦ＊は３つの異なる方法で用いられる。(1)厚み
１乃至３ミクロンの薄いセル。らせんは形成され
ずセルは双安定状態である。１つの傾斜領域から
他の傾斜領域へのスイツチングスピードはマイク
ロ秒の単位である。(2)らせんが形成されない厚い
セル。双安定性ではないがスイツチングスピード
はやはりマイクロ秒単位であり、同様の角度から
観察した性質を持ち、従来のねじれたネマチツク
装置とは対照的である。(3)らせんの形成されない
厚いセルであり、双安定性状態ではなく、(2)のセ
ルと同様の性質を持つ。
［発明の概要］
以上をまとめるといかなるピツチのＣ＊相材料
の場合も、厚み３ミクロン以上の液晶層を備えた
セルにおいては動作の双安定性は知られていなか
つた。同様に、液晶層の厚みが３ミクロン以上で
動作の双安定性を示すような別の型の強誘電性の
セルは従来技術には見られない。ピツチが少なく
とも数十ミクロンあれば、層の厚みがピツチより
小さくともピツチは巻回されないと信じられてい
る。これまで見たところでは、ピツチの抑制は動
作の双安定性を示すかどうかの決めてではない。
我々の考えでは双安定性はセル内にある試料の相
がどのような順序かということで決まる。
の場合も、厚み３ミクロン以上の液晶層を備えた
セルにおいては動作の双安定性は知られていなか
つた。同様に、液晶層の厚みが３ミクロン以上で
動作の双安定性を示すような別の型の強誘電性の
セルは従来技術には見られない。ピツチが少なく
とも数十ミクロンあれば、層の厚みがピツチより
小さくともピツチは巻回されないと信じられてい
る。これまで見たところでは、ピツチの抑制は動
作の双安定性を示すかどうかの決めてではない。
我々の考えでは双安定性はセル内にある試料の相
がどのような順序かということで決まる。
本発明は厚みが３ミクロン以上もありながら尚
双安定性を示す強誘電性の液晶表示セルに関す
る。特に重要なのは、Ｉ＊材料とＦ＊材料がＣ＊
材料とはかなり異なつていて、Ｃ＊材料を用いた
従来知られた表示セルの特徴である３ミクロンの
範囲の限界を越えた厚みを持つ液晶層を備えたＩ
＊材料とＦ＊材料で満たされた表示セルでは、本
質的に双安定的な動作をするという発見である。
Ｉ＊及びＦ＊材料で満たされたセルでこの双安定
性を得るためには、必ずしも液晶層の薄さによる
らせんの表面安定化抑制を必要としない。Ｉ＊及
びＦ＊材料の場合らせんが生じないのは、このＩ
＊及びＦ＊材料内に拡張性の３次元結合の方向性
及び順番があるために立体的な安定効果が生ずる
と考えられている。立体的な安定効果の存在は表
面的な安定効果以上に、その液晶の厚みが大きい
ので電界をかけずにＩ＊あるいはＦ＊相にまでセ
ルが冷やされるときピツチラインが現われるかあ
るいは保持されるかを、セル内のピツチラインの
動向を観察することで直接推論される。いつたん
充分な強さの電界が与えられるとこのピツチライ
は消えるが、電界が除去されても直ぐには再度現
われない。電界をかける前にピツチラインがある
ということは層が表面的に安定化されていなかつ
たことを示し、又電界除去後もピツチラインがな
いのは表面的な安定化以外何らかの現象によつて
安定化が行われたことを示す。このようにＩ＊及
びＦ＊のセルの双安定的な動作においては表面が
２次的な役割を果たす。しかしながらこの双安定
性は液晶層の厚みにともなつて無制限に延びるも
のではないが、少なくともある材料では20ミクロ
ン以上の厚みにまで効果が及ぶことが実験から明
らかになつている。
双安定性を示す強誘電性の液晶表示セルに関す
る。特に重要なのは、Ｉ＊材料とＦ＊材料がＣ＊
材料とはかなり異なつていて、Ｃ＊材料を用いた
従来知られた表示セルの特徴である３ミクロンの
範囲の限界を越えた厚みを持つ液晶層を備えたＩ
＊材料とＦ＊材料で満たされた表示セルでは、本
質的に双安定的な動作をするという発見である。
Ｉ＊及びＦ＊材料で満たされたセルでこの双安定
性を得るためには、必ずしも液晶層の薄さによる
らせんの表面安定化抑制を必要としない。Ｉ＊及
びＦ＊材料の場合らせんが生じないのは、このＩ
＊及びＦ＊材料内に拡張性の３次元結合の方向性
及び順番があるために立体的な安定効果が生ずる
と考えられている。立体的な安定効果の存在は表
面的な安定効果以上に、その液晶の厚みが大きい
ので電界をかけずにＩ＊あるいはＦ＊相にまでセ
ルが冷やされるときピツチラインが現われるかあ
るいは保持されるかを、セル内のピツチラインの
動向を観察することで直接推論される。いつたん
充分な強さの電界が与えられるとこのピツチライ
は消えるが、電界が除去されても直ぐには再度現
われない。電界をかける前にピツチラインがある
ということは層が表面的に安定化されていなかつ
たことを示し、又電界除去後もピツチラインがな
いのは表面的な安定化以外何らかの現象によつて
安定化が行われたことを示す。このようにＩ＊及
びＦ＊のセルの双安定的な動作においては表面が
２次的な役割を果たす。しかしながらこの双安定
性は液晶層の厚みにともなつて無制限に延びるも
のではないが、少なくともある材料では20ミクロ
ン以上の厚みにまで効果が及ぶことが実験から明
らかになつている。
本発明では、対向した電極を有するプレート間
に閉込められたスメクチツクＩ＊相又はＦ＊相の
液晶層を備え、作用の双安定性を表す強誘電性の
液晶セルであつて、前記プレートの相互に向合つ
ている内側面が、近接している液晶分子が２つの
面の各々の同じ方向に平面配列を促進するように
処理されており、プレートが液晶層の厚さを４ミ
クロンから40ミクロンに制限する働きをしている
強誘電性の液晶表示セルが提供されている。
に閉込められたスメクチツクＩ＊相又はＦ＊相の
液晶層を備え、作用の双安定性を表す強誘電性の
液晶セルであつて、前記プレートの相互に向合つ
ている内側面が、近接している液晶分子が２つの
面の各々の同じ方向に平面配列を促進するように
処理されており、プレートが液晶層の厚さを４ミ
クロンから40ミクロンに制限する働きをしている
強誘電性の液晶表示セルが提供されている。
液晶層の厚みは通常20ミクロン以下がよい。
［実施例］
液晶層用の密封された容器は、２つのガラスシ
ート１１と１２を周囲シール１３で共に固定させ
ることによつて形成される。この２つのシートの
内表面には透明な酸化インジウム錫の電極層１４
と１５が付着しており、各電極は分子配列のため
に周囲シールで挟まれた表示範囲内で、ポリイミ
ド（図示されていない）のようなポリマーで覆わ
れている。ポリイミドの層は２つとも単一の方向
に粗面化されているため、液晶が接触する時液晶
分子の平面配列が粗面化方向になるように働かけ
る。セルは、互いに平行に配列された２つのポリ
イミド層の各々の粗面化方向になるように組立て
られる。その結果できる容器内に含まれる液晶層
の厚みは周囲シールの厚みによつて決り、周囲シ
ールの材料の中に混入された、半径が均一な短い
ガラスフアイバ（図示されていない）の散乱光に
よつて液晶層の厚みは正確に調節される。セルは
周囲シールで閉じられた部分の一端の中のガラス
シートの一方についている開口部（図示されてい
ない）から真空状態にされ、もう１つの対角線上
反対の開口部（図示されていない）からは液晶媒
体が入るようにすると便利である。注入作業は、
等方性の層にまで加熱して粘性を適当な低値にま
で下げた注入材料によつて行われる。この注入作
業に続いて２つの開口部が密閉される。注目した
いのはセルの基本構成が、当然のことであるが、
粗面化方向の平行配列を除いては、例えば従来の
ねじれたネマチツク構造に以ていることである。
一例としては10.7ミクロンの厚みのセルの液晶注
入はCE8の名でBDHより市販されている以下の
カイラルエステルであつた。
ート１１と１２を周囲シール１３で共に固定させ
ることによつて形成される。この２つのシートの
内表面には透明な酸化インジウム錫の電極層１４
と１５が付着しており、各電極は分子配列のため
に周囲シールで挟まれた表示範囲内で、ポリイミ
ド（図示されていない）のようなポリマーで覆わ
れている。ポリイミドの層は２つとも単一の方向
に粗面化されているため、液晶が接触する時液晶
分子の平面配列が粗面化方向になるように働かけ
る。セルは、互いに平行に配列された２つのポリ
イミド層の各々の粗面化方向になるように組立て
られる。その結果できる容器内に含まれる液晶層
の厚みは周囲シールの厚みによつて決り、周囲シ
ールの材料の中に混入された、半径が均一な短い
ガラスフアイバ（図示されていない）の散乱光に
よつて液晶層の厚みは正確に調節される。セルは
周囲シールで閉じられた部分の一端の中のガラス
シートの一方についている開口部（図示されてい
ない）から真空状態にされ、もう１つの対角線上
反対の開口部（図示されていない）からは液晶媒
体が入るようにすると便利である。注入作業は、
等方性の層にまで加熱して粘性を適当な低値にま
で下げた注入材料によつて行われる。この注入作
業に続いて２つの開口部が密閉される。注目した
いのはセルの基本構成が、当然のことであるが、
粗面化方向の平行配列を除いては、例えば従来の
ねじれたネマチツク構造に以ていることである。
一例としては10.7ミクロンの厚みのセルの液晶注
入はCE8の名でBDHより市販されている以下の
カイラルエステルであつた。
この材料を液晶状態から加熱する場合の変位温
度は以下のように認められていた。
度は以下のように認められていた。
スメクチツクＪ＊からスメクチツクＩ＊へ67
℃ スメクチツクＩ＊からスメクチツクＣ＊へ
70.3℃ スメクチツクＣ＊からスメクチツクＡへ＊
80.7℃ スメクチツクＡからコレステリツクスへ135
℃ コレステリツクから等方状へ140℃ 注入後セルがゆつくり冷やされると、粗面化さ
れたポリイミド表面の性質によつて平面配列が生
じ、スメクチツクＡ層へ移行するスメクチツクの
配列が粗面化方向に対しては順方向に、しかも液
晶層の主表面に対しては垂直な平面に生じる。こ
のスメクチツク層の配列は、このスメクチツク層
内の分子へ冷やされた液体がＣ＊相へ移行する際
に変化する間維持された。この段階ではピツチラ
インが観察された。このことから表面効果のみで
あせんを戻すにはセルの厚みが大きすぎることが
わかる。これは液晶層の厚みがらせんのピツチよ
りかなり大きい（この材料がＣ＊状態の場合約２
ミクロン）ことから予想されていた。さらに冷却
してＩ＊相へ移行する時ピツチラインの比率に僅
かな変化（約10％）が認められた。
℃ スメクチツクＩ＊からスメクチツクＣ＊へ
70.3℃ スメクチツクＣ＊からスメクチツクＡへ＊
80.7℃ スメクチツクＡからコレステリツクスへ135
℃ コレステリツクから等方状へ140℃ 注入後セルがゆつくり冷やされると、粗面化さ
れたポリイミド表面の性質によつて平面配列が生
じ、スメクチツクＡ層へ移行するスメクチツクの
配列が粗面化方向に対しては順方向に、しかも液
晶層の主表面に対しては垂直な平面に生じる。こ
のスメクチツク層の配列は、このスメクチツク層
内の分子へ冷やされた液体がＣ＊相へ移行する際
に変化する間維持された。この段階ではピツチラ
インが観察された。このことから表面効果のみで
あせんを戻すにはセルの厚みが大きすぎることが
わかる。これは液晶層の厚みがらせんのピツチよ
りかなり大きい（この材料がＣ＊状態の場合約２
ミクロン）ことから予想されていた。さらに冷却
してＩ＊相へ移行する時ピツチラインの比率に僅
かな変化（約10％）が認められた。
セルの注入作用をＩ＊相に保つためその温度を
69.8℃に維持した状態で、電圧によつてスイツチ
ングがどのような影響を受けるかを調べるために
一連の試験が行われた。この目的のためにセル
は、偏向面が粗面化方向に対して45℃の位置にあ
る交差している偏向子の間に配置された。第２図
にはこの結果がグラフとして示されていて、パル
ス継続期間の対数がパルス電圧の対数の関数とし
て示されている。実際には継続時間が既知のパル
スの電圧を上げることによつて結果がえられる。
各パルス長に対して１つの過渡的な効果の閾値電
圧が示され、スイツチング電圧の効果はこの閾値
電圧で初めて顕著となるが持続はしない。対応す
る双安定的な効果の閾値電圧は、スイツチングが
２時間を越えるような特別な緩和状態がなくとも
得られるようなより大きな電圧の単位である。
（緩和状態はかなり長い間顕著ではないと考えら
れているが、特別な装置を用いれば適切な温度安
定が２時間以上継続しないのでこの緩和状態を確
立することは不可能だつた）。第２図からわかる
ように双安定的なスイツチング時間は大体115か
ら約25ボルトの電圧範囲に反比例しながら変化す
る。電圧が約12.5ボルトの低い範囲ではスイツチ
ング時間は電圧の６乗に反比例し、さらに低い電
圧範囲でパルス継続時間が10ミリ秒を越える場合
はおよそ電圧の２乗に反比例する。いつたんセル
が電界と共に双安定的に切換えられるとらせんの
ラインは消え、セルがスメクチツクＩ＊相にある
限りこのラインが再び現われることはなかつた。
第２のセルはより厚みのある周囲シールを用いて
構成されており、厚さ20ミクロン以上の液晶層を
提供する。このセルのスイツチング電圧はより高
いが10.7ミクロンのセルと同じ双安定的な性質を
示した。
69.8℃に維持した状態で、電圧によつてスイツチ
ングがどのような影響を受けるかを調べるために
一連の試験が行われた。この目的のためにセル
は、偏向面が粗面化方向に対して45℃の位置にあ
る交差している偏向子の間に配置された。第２図
にはこの結果がグラフとして示されていて、パル
ス継続期間の対数がパルス電圧の対数の関数とし
て示されている。実際には継続時間が既知のパル
スの電圧を上げることによつて結果がえられる。
各パルス長に対して１つの過渡的な効果の閾値電
圧が示され、スイツチング電圧の効果はこの閾値
電圧で初めて顕著となるが持続はしない。対応す
る双安定的な効果の閾値電圧は、スイツチングが
２時間を越えるような特別な緩和状態がなくとも
得られるようなより大きな電圧の単位である。
（緩和状態はかなり長い間顕著ではないと考えら
れているが、特別な装置を用いれば適切な温度安
定が２時間以上継続しないのでこの緩和状態を確
立することは不可能だつた）。第２図からわかる
ように双安定的なスイツチング時間は大体115か
ら約25ボルトの電圧範囲に反比例しながら変化す
る。電圧が約12.5ボルトの低い範囲ではスイツチ
ング時間は電圧の６乗に反比例し、さらに低い電
圧範囲でパルス継続時間が10ミリ秒を越える場合
はおよそ電圧の２乗に反比例する。いつたんセル
が電界と共に双安定的に切換えられるとらせんの
ラインは消え、セルがスメクチツクＩ＊相にある
限りこのラインが再び現われることはなかつた。
第２のセルはより厚みのある周囲シールを用いて
構成されており、厚さ20ミクロン以上の液晶層を
提供する。このセルのスイツチング電圧はより高
いが10.7ミクロンのセルと同じ双安定的な性質を
示した。
第３のセルには約30ミクロンの空間があつた。
この例では真の双安定性はなく、顕著な緩和効果
はほんの数秒間のパルスの間にのみ見られた。こ
れは液晶層が厚くなりすぎて、密封表面に直角の
表面におけるスメクチツク層の整列が層の厚み全
体には充分に行渡らないからであると考えられて
いる。同様に、スメクチツクＣ＊状態にあつた材
料において、セルの厚みが３ミクロンを越えてい
る場合に見られた双安定性の喪失の原因も同じで
あり、Ｃ＊状態の材料の６面体構成の欠如によつ
て、スメクチツク層の平面整列を形成するのに必
要な厚みの限界の縮小が引起こされると考えられ
ている。
この例では真の双安定性はなく、顕著な緩和効果
はほんの数秒間のパルスの間にのみ見られた。こ
れは液晶層が厚くなりすぎて、密封表面に直角の
表面におけるスメクチツク層の整列が層の厚み全
体には充分に行渡らないからであると考えられて
いる。同様に、スメクチツクＣ＊状態にあつた材
料において、セルの厚みが３ミクロンを越えてい
る場合に見られた双安定性の喪失の原因も同じで
あり、Ｃ＊状態の材料の６面体構成の欠如によつ
て、スメクチツク層の平面整列を形成するのに必
要な厚みの限界の縮小が引起こされると考えられ
ている。
例示されているスメクチツクＩ＊材料が通常の
表示用途に最適の材料として提供されたものでな
いことは明らかである。他の材料と適当に混合す
ることでＩ＊相の温度範囲は変えたり拡張したり
できる。さらに、CE8よりも高い偏向作用を持つ
材料を組込むことでスイツチング効率を上げるこ
ともできる。一例としては、第４のセルは非カイ
ラルな（ラセミ酸の）CE8で満たされた厚み40ミ
クロンの液晶層を備え、偏向作用がより高くピツ
チもより長くする約６重量％のカイラルなエステ
ルが緩和されているが、それでも厚みが大きすぎ
て双安定性に欠けるということはない。この様な
添加物は動作温度時にはＩ＊あるいはＦ＊相にお
いて混合を残すが単独ではどちらの相をもあらわ
さない。
表示用途に最適の材料として提供されたものでな
いことは明らかである。他の材料と適当に混合す
ることでＩ＊相の温度範囲は変えたり拡張したり
できる。さらに、CE8よりも高い偏向作用を持つ
材料を組込むことでスイツチング効率を上げるこ
ともできる。一例としては、第４のセルは非カイ
ラルな（ラセミ酸の）CE8で満たされた厚み40ミ
クロンの液晶層を備え、偏向作用がより高くピツ
チもより長くする約６重量％のカイラルなエステ
ルが緩和されているが、それでも厚みが大きすぎ
て双安定性に欠けるということはない。この様な
添加物は動作温度時にはＩ＊あるいはＦ＊相にお
いて混合を残すが単独ではどちらの相をもあらわ
さない。
別の例では代用としての強誘電性の６面体スメ
クチツク相、スメクチツクＦ＊を含むセルにテス
トを施している。このテストのために、Ｆ＊相を
表すことが知られている材料（P.A.C.Gane等著
“Mol.Cryst.Liq.Cryst.”、1983年、第100巻、67頁
ないし74頁の記事より）はカイラルなエステルド
−パントを添加することにより強誘電性を示す。
その結果できる混合物は20.8％のHEPTOBPD
（ビス−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンジリデン−
４−フエニルエネデイミン）、79重量％TBBA
（テレフタルイリデン−ビス−ｎ−ブチルアニリ
ン）及び6.1重量％のカイラルエステルド−パン
トを含んでいた。この混合物はドーピングされて
いないHEPTOBPD／TBBA混合物の温度から
約9゜下降した110℃から130゜でＦ＊相を示す。第
３図は厚さ8.9ミクロンのこのＦ＊相材料の層が
124℃に保たれた場合そのスイツチング電圧に対
してスイツチングパルスの継続時間がどのように
変化するかを対数で示したものである。
HEPTOBPD／TBBA混合物でカイラルド−パ
ントを薄めると層の厚みより長い約40ミクロンも
のバルク材料のらせんのピツチが生じ、セル内に
はピツチラインは見られなかつた。
クチツク相、スメクチツクＦ＊を含むセルにテス
トを施している。このテストのために、Ｆ＊相を
表すことが知られている材料（P.A.C.Gane等著
“Mol.Cryst.Liq.Cryst.”、1983年、第100巻、67頁
ないし74頁の記事より）はカイラルなエステルド
−パントを添加することにより強誘電性を示す。
その結果できる混合物は20.8％のHEPTOBPD
（ビス−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンジリデン−
４−フエニルエネデイミン）、79重量％TBBA
（テレフタルイリデン−ビス−ｎ−ブチルアニリ
ン）及び6.1重量％のカイラルエステルド−パン
トを含んでいた。この混合物はドーピングされて
いないHEPTOBPD／TBBA混合物の温度から
約9゜下降した110℃から130゜でＦ＊相を示す。第
３図は厚さ8.9ミクロンのこのＦ＊相材料の層が
124℃に保たれた場合そのスイツチング電圧に対
してスイツチングパルスの継続時間がどのように
変化するかを対数で示したものである。
HEPTOBPD／TBBA混合物でカイラルド−パ
ントを薄めると層の厚みより長い約40ミクロンも
のバルク材料のらせんのピツチが生じ、セル内に
はピツチラインは見られなかつた。
厚みが３ミクロン以上もある液晶層を備えた比
較的速いスイツチングの双安定的な表示セルを構
成することができると、ねじれのあるネマチツク
及び相変化セルのような他の型のセル用に以前研
究された方法の多くが、その型の変形のセルには
ほとんど適用できないため、利益が大きい。一
方、もし前記他の型のセル用に研究された厚みの
範囲が、厚みの閾値を３ミクロン以下にするため
に実質的に減らさなければならない時は、より顕
著な変化が要求される。しかしながら光バルブモ
ード内のＩ＊又はＦ＊相の動作は、表示セルが適
切に方向付けされた偏向子の間に置かれた場合、
その動作は複屈折効果に依存しているため、実質
的にＣ＊セルの表面安定化と同様の精密な制御が
層の厚みに必要とされる。セルが液晶層の背後に
置かれた反射体を持つ反射モード内で操作される
場合は、さらに精密な厚みの制御が必要になる。
一方注意したいのは、セルが光バルブモードでは
なく多色性の染料あるいは混合染料が液晶に添加
される主体検索モードにある場合は、厚みの制御
が緩和されるということである。この例では、セ
ルが平面偏向された光で観察されるようになつて
おり、この光の偏向平面は液晶の双安定的な方向
状態の１つの中で染料分子が色を示さないように
配列されている。もう一方の双安定的な状態で
は、Ｉ＊あるいはＦ＊相の傾斜角度が45゜でない
ときは最大限に利用されないが、染料が色を吸収
することができる。近年知られている材料ではこ
の傾斜角度が前記値の半分より大きくないのが普
通であり、従つてセルが染料と充分に一体となつ
て適切な吸収作用をすることを確認することが重
要である。これは厚みが３ミクロン以上のセルで
は容易であることは明らかである。
較的速いスイツチングの双安定的な表示セルを構
成することができると、ねじれのあるネマチツク
及び相変化セルのような他の型のセル用に以前研
究された方法の多くが、その型の変形のセルには
ほとんど適用できないため、利益が大きい。一
方、もし前記他の型のセル用に研究された厚みの
範囲が、厚みの閾値を３ミクロン以下にするため
に実質的に減らさなければならない時は、より顕
著な変化が要求される。しかしながら光バルブモ
ード内のＩ＊又はＦ＊相の動作は、表示セルが適
切に方向付けされた偏向子の間に置かれた場合、
その動作は複屈折効果に依存しているため、実質
的にＣ＊セルの表面安定化と同様の精密な制御が
層の厚みに必要とされる。セルが液晶層の背後に
置かれた反射体を持つ反射モード内で操作される
場合は、さらに精密な厚みの制御が必要になる。
一方注意したいのは、セルが光バルブモードでは
なく多色性の染料あるいは混合染料が液晶に添加
される主体検索モードにある場合は、厚みの制御
が緩和されるということである。この例では、セ
ルが平面偏向された光で観察されるようになつて
おり、この光の偏向平面は液晶の双安定的な方向
状態の１つの中で染料分子が色を示さないように
配列されている。もう一方の双安定的な状態で
は、Ｉ＊あるいはＦ＊相の傾斜角度が45゜でない
ときは最大限に利用されないが、染料が色を吸収
することができる。近年知られている材料ではこ
の傾斜角度が前記値の半分より大きくないのが普
通であり、従つてセルが染料と充分に一体となつ
て適切な吸収作用をすることを確認することが重
要である。これは厚みが３ミクロン以上のセルで
は容易であることは明らかである。
第１図は表示セルの概略的な斜視図であり、第
２図は第１図に従つて構成されたセルの特定の注
入及び厚みに対するスイツチングパルス継続時間
及びスイツチングパルス電圧の対数表示のグラフ
であり。第３図は注入及び厚みの異なる場合の結
果を示した第２図と同様のグラフである。 １１，１２……ガラスシート、１３……周囲シ
ール、１４，１５……電極層。
２図は第１図に従つて構成されたセルの特定の注
入及び厚みに対するスイツチングパルス継続時間
及びスイツチングパルス電圧の対数表示のグラフ
であり。第３図は注入及び厚みの異なる場合の結
果を示した第２図と同様のグラフである。 １１，１２……ガラスシート、１３……周囲シ
ール、１４，１５……電極層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対向する電極を有するプレート間に閉込めら
れたスメクチツク＊相又はＦ＊相の液晶層を備
え、前記プレートの相互に向合つている内側面
が、隣接している液晶分子が２つの面の各々で同
じ方向に平面整列されることを促進するように処
理されており、プレートが液晶層の厚さを４ミク
ロンから40ミクロンに制限している双安定性の強
誘電性の液晶表示セル。 ２ 液晶層の厚みが20ミクロン以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の強誘電
性の液晶表示セル。 ３ 液晶層内に多色性の染料が分散していること
を特徴とする特許請求の範囲第１項あるいは第２
項のいずれか１つに記載の強誘電性の液晶表示セ
ル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8426976 | 1984-10-25 | ||
| GB08426976A GB2166256B (en) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | Ferroelectric liquid crystal display cells |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103124A JPS61103124A (ja) | 1986-05-21 |
| JPH054647B2 true JPH054647B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=10568732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23780585A Granted JPS61103124A (ja) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | 強誘電性の液晶表示セル |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0179592A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61103124A (ja) |
| AU (1) | AU573039B2 (ja) |
| ES (1) | ES8705668A1 (ja) |
| GB (2) | GB2166256B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3585820D1 (de) * | 1984-11-14 | 1992-05-14 | Northern Telecom Ltd | Zweidimensionales optisches informationsverarbeitungsgeraet. |
| JPS61193129A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-27 | Casio Comput Co Ltd | 液晶光シヤツタ |
| GB2188742A (en) * | 1986-04-01 | 1987-10-07 | Stc Plc | Ferroelectric liquid crystal cells |
| GB8608116D0 (en) * | 1986-04-03 | 1986-05-08 | Secr Defence | Liquid crystal devices |
| GB8608114D0 (en) * | 1986-04-03 | 1986-05-08 | Secr Defence | Smectic liquid crystal devices |
| GB8616165D0 (en) * | 1986-07-02 | 1986-08-06 | Stc Plc | Liquid crystal cell |
| US5200848A (en) * | 1987-09-17 | 1993-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric smectic liquid crystal device |
| US5422749A (en) * | 1987-09-17 | 1995-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric smetic liquid crystal device |
| US4932758A (en) * | 1987-09-17 | 1990-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric smectic liquid crystal device having a bistable alignment state providing two stable orientation states |
| GB2231989B (en) * | 1989-05-24 | 1993-10-06 | Stc Plc | Neural networks |
| US5339090A (en) * | 1989-06-23 | 1994-08-16 | Northern Telecom Limited | Spatial light modulators |
| US5216415A (en) * | 1990-12-19 | 1993-06-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of driving a matrix-type liquid crystal display device |
| GB2265036B (en) * | 1992-03-10 | 1995-08-02 | Sharp Kk | Optical processor and neuromorphic processor |
| GB9407116D0 (en) * | 1994-04-11 | 1994-06-01 | Secr Defence | Ferroelectric liquid crystal display with greyscale |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1557199A (en) * | 1976-01-06 | 1979-12-05 | Standard Telephones Cables Ltd | Liquid crystal display cells |
| GB2110863B (en) * | 1981-12-01 | 1985-10-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Liquid crystal display devices |
| JPS58173718A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | 液晶光変調素子およびその製造方法 |
| ATE34468T1 (de) * | 1982-06-29 | 1988-06-15 | Secr Defence Brit | Fluessigkristrall-vorrichtungen. |
| GB2129954B (en) * | 1982-10-22 | 1986-03-05 | Stc Plc | Liquid crystal display device |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
-
1984
- 1984-10-25 GB GB08426976A patent/GB2166256B/en not_active Expired
- 1984-11-14 GB GB08428811A patent/GB2166258B/en not_active Expired
-
1985
- 1985-10-08 EP EP85307174A patent/EP0179592A3/en active Pending
- 1985-10-11 AU AU48516/85A patent/AU573039B2/en not_active Ceased
- 1985-10-25 JP JP23780585A patent/JPS61103124A/ja active Granted
- 1985-10-25 ES ES548227A patent/ES8705668A1/es not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES548227A0 (es) | 1987-05-01 |
| AU4851685A (en) | 1986-05-01 |
| GB2166256A (en) | 1986-04-30 |
| ES8705668A1 (es) | 1987-05-01 |
| GB8426976D0 (en) | 1984-11-28 |
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| GB2166256B (en) | 1988-06-08 |
| GB2166258A (en) | 1986-04-30 |
| AU573039B2 (en) | 1988-05-26 |
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| EP0179592A2 (en) | 1986-04-30 |
| GB2166258B (en) | 1988-06-08 |
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