JPH0544991B2 - - Google Patents
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- JPH0544991B2 JPH0544991B2 JP20494984A JP20494984A JPH0544991B2 JP H0544991 B2 JPH0544991 B2 JP H0544991B2 JP 20494984 A JP20494984 A JP 20494984A JP 20494984 A JP20494984 A JP 20494984A JP H0544991 B2 JPH0544991 B2 JP H0544991B2
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- Japan
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- output
- wave height
- photomultiplier tube
- scintillator
- height discriminator
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、ポジトロン用あるいはシングルフ
オトン用のリング型ECT装置（エミツシヨン・
コンピユータ断層撮影装置）に使用されるシンチ
レーシヨン検出器に関する。
オトン用のリング型ECT装置（エミツシヨン・
コンピユータ断層撮影装置）に使用されるシンチ
レーシヨン検出器に関する。
(ロ) 従来技術
リング型ECT装置は多数の放射線検出器をリ
ング型に配列してなるものであるが、放射線検出
器を小さくしてその配列密度を高くする程空間分
解能が向上する。ところで、従来では、放射線検
出器として通常、１個のシンチレータと１個の光
電子増倍管とを組合せてなるシンチレーシヨン検
出器が用られている。そのため、光電子増倍管の
大きさにより各シンチレーシヨン検出器の大きさ
が制限され、小さくするのにも限界がある。ま
た、たとえ小さくできたとしてもリング型配列全
体では光電子増倍管の本数も増加するので高価に
なるという欠点がある。
ング型に配列してなるものであるが、放射線検出
器を小さくしてその配列密度を高くする程空間分
解能が向上する。ところで、従来では、放射線検
出器として通常、１個のシンチレータと１個の光
電子増倍管とを組合せてなるシンチレーシヨン検
出器が用られている。そのため、光電子増倍管の
大きさにより各シンチレーシヨン検出器の大きさ
が制限され、小さくするのにも限界がある。ま
た、たとえ小さくできたとしてもリング型配列全
体では光電子増倍管の本数も増加するので高価に
なるという欠点がある。
(ハ) 目的
この発明は、光電子増倍管を増加させずに、し
たがつて高価格化を招くことなく、空間分解能を
向上させたシンチレーシヨン検出器を提供するこ
とを目的とする。
たがつて高価格化を招くことなく、空間分解能を
向上させたシンチレーシヨン検出器を提供するこ
とを目的とする。
(ニ) 構成
この発明のシンチレーシヨン検出器では、多数
個のシンチレータが互いに隣接して配列されてお
り、そのうちの一定個数ずつが複数個の光電子増
倍管のそれぞれに光結合されている。そして各光
電子増倍管の出力パルスの波高が第１の波高弁別
器により所定の高いレベルのウインド内に入つて
いることが検出され、また第２の波高弁別器によ
り所定の低いレベルのウインド内に入つているこ
とが検出される。同一の光電子増倍管の結合され
るシンチレータ間では光のクロストークがないよ
うにされ、隣接している光電子増倍管に結合して
いるシンチレータ間では光のクロストークが生じ
るようにされる。各光電子増倍間に接続された第
１の波高弁別器の出力と該光電子増倍管に隣接す
る他の光電子増倍管に接続された第２の波高弁別
器の出力との組合せによりどのシンチレータに放
射線が入射したかが判別される。
個のシンチレータが互いに隣接して配列されてお
り、そのうちの一定個数ずつが複数個の光電子増
倍管のそれぞれに光結合されている。そして各光
電子増倍管の出力パルスの波高が第１の波高弁別
器により所定の高いレベルのウインド内に入つて
いることが検出され、また第２の波高弁別器によ
り所定の低いレベルのウインド内に入つているこ
とが検出される。同一の光電子増倍管の結合され
るシンチレータ間では光のクロストークがないよ
うにされ、隣接している光電子増倍管に結合して
いるシンチレータ間では光のクロストークが生じ
るようにされる。各光電子増倍間に接続された第
１の波高弁別器の出力と該光電子増倍管に隣接す
る他の光電子増倍管に接続された第２の波高弁別
器の出力との組合せによりどのシンチレータに放
射線が入射したかが判別される。
(ホ) 実施例
第１図において、多数のシンチレータ１が互い
に隣接してリング型に配列されており、３個ずつ
ライトガイド４を介して１個の光電子増倍管５に
光学的に結合されている。同一の光電子増倍管５
に結合されるシンチレータ１の間には光学的遮蔽
板２が挿入されて互いに光のクロストークがない
ようにされているが、隣接する光電子増倍管５に
結合されるシンチレータ１の間は光学的結合面３
となつていて、互いに光のクロストークが生じる
ようにされている。各光電子増倍管５には、増幅
器６を介して主波高別器７と副波高弁別器８とが
それぞれ接続されている。これらの波高弁別器
７，８は光電子増倍管５から生じる出力パスルの
波高を弁別するもので、主波高弁別器７は第２図
イに示すように高いレベルのウインドに波高が入
つているときに出力を生じ、副波高弁別器８は第
２図(ロ)に示すように主波高弁別器７よりは低いレ
ベルのウインドに波高入つているときに出力を生
じる。この高いレベルのウインドは各光電子増倍
管５にライトガイド４を介して結合されたシンチ
レータ１がらの光に対応して定められ、低いレベ
ルのウインドは隣接する光電子増倍管５に結合さ
れたシンチレータ１からのクロストーク光に対応
して定められている。主波高弁別器７の出力はゲ
ート回路１０を介して出力されるが、このゲート
回路１０はAND回路９の出力がないときのみ開
いて信号を通過させ、AND回路９から出力が送
られているときは閉じて信号を阻止する。AND
回路９には、主波高弁別器７の出力の隣りの副波
高弁別器８の出力とが入力されている。
に隣接してリング型に配列されており、３個ずつ
ライトガイド４を介して１個の光電子増倍管５に
光学的に結合されている。同一の光電子増倍管５
に結合されるシンチレータ１の間には光学的遮蔽
板２が挿入されて互いに光のクロストークがない
ようにされているが、隣接する光電子増倍管５に
結合されるシンチレータ１の間は光学的結合面３
となつていて、互いに光のクロストークが生じる
ようにされている。各光電子増倍管５には、増幅
器６を介して主波高別器７と副波高弁別器８とが
それぞれ接続されている。これらの波高弁別器
７，８は光電子増倍管５から生じる出力パスルの
波高を弁別するもので、主波高弁別器７は第２図
イに示すように高いレベルのウインドに波高が入
つているときに出力を生じ、副波高弁別器８は第
２図(ロ)に示すように主波高弁別器７よりは低いレ
ベルのウインドに波高入つているときに出力を生
じる。この高いレベルのウインドは各光電子増倍
管５にライトガイド４を介して結合されたシンチ
レータ１がらの光に対応して定められ、低いレベ
ルのウインドは隣接する光電子増倍管５に結合さ
れたシンチレータ１からのクロストーク光に対応
して定められている。主波高弁別器７の出力はゲ
ート回路１０を介して出力されるが、このゲート
回路１０はAND回路９の出力がないときのみ開
いて信号を通過させ、AND回路９から出力が送
られているときは閉じて信号を阻止する。AND
回路９には、主波高弁別器７の出力の隣りの副波
高弁別器８の出力とが入力されている。
今、第１図のシンチレータ１のうちａ，ｂ，
ｃ，ｄの記号を付したものにそれぞれγ線が入射
するものとする。まず、シンチレータａにのみγ
線が入射した場合、ここで生じたシンチレーシヨ
ン光は光学的遮蔽板２で遮られるので隣接するシ
ンチレータｂ等に漏れることなく、全てＡの光電
子増倍管５に入射する。そこで、この場合は光電
子増倍管Ａから生じる出力パルスの波高は大きな
ものとなり、そのためＡ側では主波高弁別器７か
ら出力が生じるが副波高弁別器８からは出力は生
じない。また、このとき、Ｂの光電子増倍管５に
は何らの光も入射されないのでＢ側では主および
副波高弁別器７，８とも出力を生じない。そこ
で、この場合はＡ側のAND回路９から出力が生
じないので、Ａ側の主波高弁別器７の出力はその
ままゲート回路１０を通過する。
ｃ，ｄの記号を付したものにそれぞれγ線が入射
するものとする。まず、シンチレータａにのみγ
線が入射した場合、ここで生じたシンチレーシヨ
ン光は光学的遮蔽板２で遮られるので隣接するシ
ンチレータｂ等に漏れることなく、全てＡの光電
子増倍管５に入射する。そこで、この場合は光電
子増倍管Ａから生じる出力パルスの波高は大きな
ものとなり、そのためＡ側では主波高弁別器７か
ら出力が生じるが副波高弁別器８からは出力は生
じない。また、このとき、Ｂの光電子増倍管５に
は何らの光も入射されないのでＢ側では主および
副波高弁別器７，８とも出力を生じない。そこ
で、この場合はＡ側のAND回路９から出力が生
じないので、Ａ側の主波高弁別器７の出力はその
ままゲート回路１０を通過する。
つぎに、シンチレータｂにのみγ線が入射した
場合は、ここで生じたシンチレーシヨン光は光学
的遮蔽板２で遮られるので隣接するシンチレータ
ａには漏れないが隣接するシンチレータｃには漏
れる。そのためその光がＡの光電子増倍管５に入
射するとともに、シンチレータｃに漏れたクロス
トーク光が光電子増倍管Ｂに入射する。そこで、
この場合は光電子増倍管Ａから生じる出力パルス
の波高は大きなものとなり、そのためＡ側では主
波高弁別器７から出力が生じるが副波高弁別器８
からは出力は生じず、しかもこのとき、光電子増
倍管Ｂにはクロストーク光が入射するのでＢ側で
は主波高弁別器７からは出力が生じないが、副波
高弁別器８は出力を生じる。そのため、この場合
はＡ側のAND回路９から出力が生じることにな
り、これによりＡ側のゲート回路１０は阻止状態
になるのでＡ側の主波高弁別器７の出力はゲート
回路１０により阻止されてしまう。
場合は、ここで生じたシンチレーシヨン光は光学
的遮蔽板２で遮られるので隣接するシンチレータ
ａには漏れないが隣接するシンチレータｃには漏
れる。そのためその光がＡの光電子増倍管５に入
射するとともに、シンチレータｃに漏れたクロス
トーク光が光電子増倍管Ｂに入射する。そこで、
この場合は光電子増倍管Ａから生じる出力パルス
の波高は大きなものとなり、そのためＡ側では主
波高弁別器７から出力が生じるが副波高弁別器８
からは出力は生じず、しかもこのとき、光電子増
倍管Ｂにはクロストーク光が入射するのでＢ側で
は主波高弁別器７からは出力が生じないが、副波
高弁別器８は出力を生じる。そのため、この場合
はＡ側のAND回路９から出力が生じることにな
り、これによりＡ側のゲート回路１０は阻止状態
になるのでＡ側の主波高弁別器７の出力はゲート
回路１０により阻止されてしまう。
シンチレータｃにのみγ線が入射した場合、そ
のシンチレーシヨン光は光学的遮蔽板２で遮られ
るので隣接するシンチレータｄには漏れないが隣
接するシンチレータｂには漏れる。そのためその
光が光電子増倍管Ｂに入射するとともに、シンチ
レータｂに漏れたクロストーク光が光電子増倍管
Ａに入射する。そこで、この場合は光電子増倍管
Ｂから生じる出力パルスの波高は大きなものとな
り、そのためＢ側では主波高弁別器７から出力が
生じるが副波高弁別器８からは出力は生じず、し
かもこのとき、光電子増倍管Ａにはクロストーク
光が入射するのでＡ側では主波高弁別器７からは
出力が生じないが、副波高弁別器８は出力を生じ
る。そのため、この場合はＢ側のAND回路９か
らの出力が生じることになり、これによりＢ側の
ゲート回路１０は阻止状態になるのでＢ側の主波
高弁別器７の出力はゲート回路１０により阻止さ
れてしまう。
のシンチレーシヨン光は光学的遮蔽板２で遮られ
るので隣接するシンチレータｄには漏れないが隣
接するシンチレータｂには漏れる。そのためその
光が光電子増倍管Ｂに入射するとともに、シンチ
レータｂに漏れたクロストーク光が光電子増倍管
Ａに入射する。そこで、この場合は光電子増倍管
Ｂから生じる出力パルスの波高は大きなものとな
り、そのためＢ側では主波高弁別器７から出力が
生じるが副波高弁別器８からは出力は生じず、し
かもこのとき、光電子増倍管Ａにはクロストーク
光が入射するのでＡ側では主波高弁別器７からは
出力が生じないが、副波高弁別器８は出力を生じ
る。そのため、この場合はＢ側のAND回路９か
らの出力が生じることになり、これによりＢ側の
ゲート回路１０は阻止状態になるのでＢ側の主波
高弁別器７の出力はゲート回路１０により阻止さ
れてしまう。
シンチレータｄにのみγ線が入射した場合に
は、そのシンチレーシヨン光は光学的遮蔽板２で
遮られるので隣接するシンチレータｃ等に漏れる
ことなく、全て光電子増倍管Ｂに入射する。そこ
で、この場合は光電子増倍管Ｂから生じる出力パ
ルスの波高は大きなものとなり、そのためＢ側で
は主波高弁別器７から出力が生じるが副波高弁別
器８からは出力は生じない。また、このとき、光
電子増倍管Ａには何らの光も入射されないのでＡ
側では主および副波光弁別器７，８とも出力を生
じない。そこで、この場合はＢ側のAND回路９
から出力が生じないので、Ｂ側の主波高弁別器７
の出力はそのままゲート回路１０を通過する。
は、そのシンチレーシヨン光は光学的遮蔽板２で
遮られるので隣接するシンチレータｃ等に漏れる
ことなく、全て光電子増倍管Ｂに入射する。そこ
で、この場合は光電子増倍管Ｂから生じる出力パ
ルスの波高は大きなものとなり、そのためＢ側で
は主波高弁別器７から出力が生じるが副波高弁別
器８からは出力は生じない。また、このとき、光
電子増倍管Ａには何らの光も入射されないのでＡ
側では主および副波光弁別器７，８とも出力を生
じない。そこで、この場合はＢ側のAND回路９
から出力が生じないので、Ｂ側の主波高弁別器７
の出力はそのままゲート回路１０を通過する。
このように、光電子増倍管Ａ，Ｂに接続された
主、副波高弁別器７，８の出力の組合せを判別す
ることにより、Ａ側のゲート回路１０から出力が
生じたときはシンチレータａにγ線が入射したこ
とが、Ａ側のAND回路９から出力が生じたとき
はシンチレータｂにγ線が入射したことが、Ｂ側
のAND回路９から出力が生じたときはシンチレ
ータｃにγ線が入射したことが、Ｂ側にゲート回
路１０から出力が生じたときはシンチレータｄに
γ線が入射したことが、それぞれ識別できる。
主、副波高弁別器７，８の出力の組合せを判別す
ることにより、Ａ側のゲート回路１０から出力が
生じたときはシンチレータａにγ線が入射したこ
とが、Ａ側のAND回路９から出力が生じたとき
はシンチレータｂにγ線が入射したことが、Ｂ側
のAND回路９から出力が生じたときはシンチレ
ータｃにγ線が入射したことが、Ｂ側にゲート回
路１０から出力が生じたときはシンチレータｄに
γ線が入射したことが、それぞれ識別できる。
なお、第３図のように１個の光電子増倍管５に
対して９個のシンチレータ１を光結合して光電子
増倍管５を少なくとも２層にリング型に配列し、
リング型配列の周方向のみでなく、周方向と直角
な方向でも上記と同様にγ線が入射したシンチレ
ータ１がどれであるかを識別するよう構成すれ
ば、多層スライスのECT画像を得ることができ
る。
対して９個のシンチレータ１を光結合して光電子
増倍管５を少なくとも２層にリング型に配列し、
リング型配列の周方向のみでなく、周方向と直角
な方向でも上記と同様にγ線が入射したシンチレ
ータ１がどれであるかを識別するよう構成すれ
ば、多層スライスのECT画像を得ることができ
る。
また、上記ではリング型に配列しているが、多
角形や球状にシンチレータ１および光電子増倍管
５を配列することもできる。
角形や球状にシンチレータ１および光電子増倍管
５を配列することもできる。
(ヘ) 効果
この発明によれば、シンチレータの大きさを光
電子増倍管の大きさに関係なく小さくできるの
で、シンチレータの配列密度を高めて空間分解能
を向上させることが容易にできる。また、光電子
増倍管の本数を少なくできるので安価となる。
電子増倍管の大きさに関係なく小さくできるの
で、シンチレータの配列密度を高めて空間分解能
を向上させることが容易にできる。また、光電子
増倍管の本数を少なくできるので安価となる。
第１図はこの発明の一実施例のブロツク図、第
２図イ，ロは波高弁別器の動作を説明するための
タイムチヤート、第３図は他の実施例の概略的な
斜視図である。 １……シンチレータ、２……光学的遮蔽板、３
……光学的結合面、４……ライトガイド、５……
光電子増倍管、６……増幅器、７……主波高弁別
器、８……副波高弁別器、９……AND回路、１
０……ゲート回路。
２図イ，ロは波高弁別器の動作を説明するための
タイムチヤート、第３図は他の実施例の概略的な
斜視図である。 １……シンチレータ、２……光学的遮蔽板、３
……光学的結合面、４……ライトガイド、５……
光電子増倍管、６……増幅器、７……主波高弁別
器、８……副波高弁別器、９……AND回路、１
０……ゲート回路。
Claims (1)
- １ 互いに隣接して配列されている多数個のシン
チレータと、この多数のシンチレータの一定個数
ずつがそれぞれ光結合されている複数個の光電子
増倍管と、各光電子増倍管の出力パルスの波高が
所定の高いレベルのウインドウ内に入つているこ
とを検出して出力を生じる第１の波高弁別器と、
各光電子増倍管の出力パルスの波高が所定の低い
レベルのウインド内に入つていることを検出して
出力を生じる第２の波高弁別回路とを有し、上記
同一の光電子増倍管の結合されるシンチレータ間
では光のクロストークがないようにするとともに
隣接している光電子増倍管に結合しているシンチ
レータ間では光のクロストークが生じるようにし
ておいて、上記各光電子増倍管に接続された第１
の波高弁別器の出力と該光電子増倍管に隣接する
他の光電子増倍管に接続された第２の波高弁別器
の出力との組合せによりどのシンチレータに放射
線が入射したかを判別るうようにしたシンチレー
シヨン検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20494984A JPS6183985A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | シンチレ−シヨン検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20494984A JPS6183985A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | シンチレ−シヨン検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183985A JPS6183985A (ja) | 1986-04-28 |
| JPH0544991B2 true JPH0544991B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16498988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20494984A Granted JPS6183985A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | シンチレ−シヨン検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183985A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2538247B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1996-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線像撮像装置 |
| JP4132305B2 (ja) | 1998-11-10 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及びその製造方法 |
| US7276704B1 (en) | 2000-05-08 | 2007-10-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube, photomultiplier tube unit, and radiation detector |
| EP1638130B1 (en) * | 2003-06-11 | 2009-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Multi anode-type photoelectron intensifier tube and radiation detector |
| JP2007078567A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2007292597A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 放射線検出器 |
| EP3977176A1 (en) * | 2018-05-28 | 2022-04-06 | Universitat de Barcelona | Reducing optical crosstalk effects in sipms |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP20494984A patent/JPS6183985A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6183985A (ja) | 1986-04-28 |
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