JPH0544177B2 - - Google Patents
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- JPH0544177B2 JPH0544177B2 JP58181999A JP18199983A JPH0544177B2 JP H0544177 B2 JPH0544177 B2 JP H0544177B2 JP 58181999 A JP58181999 A JP 58181999A JP 18199983 A JP18199983 A JP 18199983A JP H0544177 B2 JPH0544177 B2 JP H0544177B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビーム露光装置用導通ピンに係
り、特に描画時にシリコン等の基板を接地するた
めの導通ピンに関する。
り、特に描画時にシリコン等の基板を接地するた
めの導通ピンに関する。
LSIや超LSIの製作時に電子ビームを試料に照
射して所望のパターンを描画するための電子ビー
ム露光装置は広く利用され、その装置例は第１図
に示す如きものである。第１図に於いて、電子銃
２より発射された電子ビームはマスク３により所
望の断面形状に整形され、電子レンズ４から試料
１上に結像される。上記電子レンズ４と試料１間
に配置されたＸ及びＹ方向の偏向電極（装置）５
Ｘ，５Ｙにはコンピユータ８からデジタル−アナ
ログ変換回路６Ｘ，６Ｙ及び加算増幅回路７Ｘ，
７Ｙを介して偏向信号が供給される。コンピユー
タ８よりゲート信号をゲート回路１０Ｘ，１０Ｙ
に送るようにする。ゲート回路１０Ｘ，１０Ｙの
出力は上記した加算増幅回路７Ｘ，７Ｙに加えら
れコンピユータ８からの指令に基づいて上記ゲー
ト回路を開き電子銃２からの電子ビームを試料１
のＸ軸またはＹ軸方向に対して描画する。
射して所望のパターンを描画するための電子ビー
ム露光装置は広く利用され、その装置例は第１図
に示す如きものである。第１図に於いて、電子銃
２より発射された電子ビームはマスク３により所
望の断面形状に整形され、電子レンズ４から試料
１上に結像される。上記電子レンズ４と試料１間
に配置されたＸ及びＹ方向の偏向電極（装置）５
Ｘ，５Ｙにはコンピユータ８からデジタル−アナ
ログ変換回路６Ｘ，６Ｙ及び加算増幅回路７Ｘ，
７Ｙを介して偏向信号が供給される。コンピユー
タ８よりゲート信号をゲート回路１０Ｘ，１０Ｙ
に送るようにする。ゲート回路１０Ｘ，１０Ｙの
出力は上記した加算増幅回路７Ｘ，７Ｙに加えら
れコンピユータ８からの指令に基づいて上記ゲー
ト回路を開き電子銃２からの電子ビームを試料１
のＸ軸またはＹ軸方向に対して描画する。
この際に試料１に電子ビームを照射するとシリ
コン等の基板内に電荷が蓄積され、コンピユータ
８から偏向装置５Ｘ，５Ｙに与えられる所定位置
に偏位させる電圧値だけでは所定位置に電子ビー
ムが照射されずにずれを発生する。
コン等の基板内に電荷が蓄積され、コンピユータ
８から偏向装置５Ｘ，５Ｙに与えられる所定位置
に偏位させる電圧値だけでは所定位置に電子ビー
ムが照射されずにずれを発生する。
この様な弊害を除去するためには第１図で試料
１の側面を接地９する様にすればよい。
１の側面を接地９する様にすればよい。
第２図及び第３図は従来の試料に接地を施すた
めの説明に供する一部を断面とする試料の側面図
であり、第２図の実施例に於いて試料１としてシ
リコン基板を用いた場合に酸化膜（SiO2）１ａ
が形成されていない側壁１ｂにステンレス鋼から
なる導通ピン１１のチツプ１１ａを圧接するよう
になされる。尚１２は導通ピン１１を保持する保
持部材でスプリング１３により試料１の側壁を押
圧し、該保持部材１２は接地９されている。
めの説明に供する一部を断面とする試料の側面図
であり、第２図の実施例に於いて試料１としてシ
リコン基板を用いた場合に酸化膜（SiO2）１ａ
が形成されていない側壁１ｂにステンレス鋼から
なる導通ピン１１のチツプ１１ａを圧接するよう
になされる。尚１２は導通ピン１１を保持する保
持部材でスプリング１３により試料１の側壁を押
圧し、該保持部材１２は接地９されている。
上記構成によれば試料側壁１ｂは凹凸が大きく
結晶方向がふぞろいなので導通ピン１１のチツプ
１１ａが接する場合に電荷を放電し易く、導通ピ
ン１１は該側壁１ｂを破つて突き立てられる。第
３図に示す実施例は放電源１４から試料１の底面
１ｃに孔１５を穿ち、該孔１５にステンレス鋼か
らなる導通ピン１１を挿入して接地している。
結晶方向がふぞろいなので導通ピン１１のチツプ
１１ａが接する場合に電荷を放電し易く、導通ピ
ン１１は該側壁１ｂを破つて突き立てられる。第
３図に示す実施例は放電源１４から試料１の底面
１ｃに孔１５を穿ち、該孔１５にステンレス鋼か
らなる導通ピン１１を挿入して接地している。
上記した第２図及び第３図に示される構成によ
ると、試料に予め放電加工等により孔明け加工を
施さなければならず、更に試料の厚み方向の側壁
に導通ピンを突き立てて圧接させるために試料を
破る際に破壊させる弊害を生ずる。
ると、試料に予め放電加工等により孔明け加工を
施さなければならず、更に試料の厚み方向の側壁
に導通ピンを突き立てて圧接させるために試料を
破る際に破壊させる弊害を生ずる。
更に電子ビームを照射すると導通ピンのチツプ
の摩耗が激しく、ステンレス鋼の他はチタンまた
はチタンナイトライド或いはタングステンカーバ
イト等の硬い物質を用いても２〜３回の使用でチ
ツプが摩耗または劈開される欠点を有する。
の摩耗が激しく、ステンレス鋼の他はチタンまた
はチタンナイトライド或いはタングステンカーバ
イト等の硬い物質を用いても２〜３回の使用でチ
ツプが摩耗または劈開される欠点を有する。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、導通ピンのチ
ツプが劈開されないで且つ試料を破壊しない電子
ビーム露光装置用導通ピンを提供することを目的
とするものである。
ツプが劈開されないで且つ試料を破壊しない電子
ビーム露光装置用導通ピンを提供することを目的
とするものである。
そして上記目的は本発明によれば、ダイヤモン
ド材にイオンインプランテーシヨンを施しその先
端部の外表面をアモルフアス化して導通性を付与
して形成し、描画する試料に当接させて接地し、
電子ビーム照射により基板に蓄積される電荷を除
去することを特徴とする電子ビーム露光装置用導
通ピンを提供することで達成される。
ド材にイオンインプランテーシヨンを施しその先
端部の外表面をアモルフアス化して導通性を付与
して形成し、描画する試料に当接させて接地し、
電子ビーム照射により基板に蓄積される電荷を除
去することを特徴とする電子ビーム露光装置用導
通ピンを提供することで達成される。
以下本発明の実施例を図面について詳述する。
第４図は本発明の導通ピンとして利用するダイ
ヤモンド針の拡大側面図、第５図は第４図のチツ
プ部分の拡大図であり、同図において導通ピン１
１はチタン等より構成したチツプ保持部１６を載
頭円錐形状となし、載頭部分にチツプ１７がロー
付け１８されている。
ヤモンド針の拡大側面図、第５図は第４図のチツ
プ部分の拡大図であり、同図において導通ピン１
１はチタン等より構成したチツプ保持部１６を載
頭円錐形状となし、載頭部分にチツプ１７がロー
付け１８されている。
チツプ１７はダイヤモンド、ボロン、サフアイ
ア等の超硬質材料が用いられ、その先端１７ａの
曲率半径Ｒは3μｍ〜15μｍに選択し、該チツプの
外表面にはイオンインプランテーシヨンによつて
ボロン、燐、窒素等を150V程度で注入する。注
入電圧は大きい程よくイオン種は何を選択しても
よいが５×1015個／cm2程度のドーズ量に選択する
とチツプ１７の外側表面から1000〜2000Å厚程度
にアモルフアス化した薄膜層１７ｂが形成されて
ダイヤモンドは導通状態になされる。
ア等の超硬質材料が用いられ、その先端１７ａの
曲率半径Ｒは3μｍ〜15μｍに選択し、該チツプの
外表面にはイオンインプランテーシヨンによつて
ボロン、燐、窒素等を150V程度で注入する。注
入電圧は大きい程よくイオン種は何を選択しても
よいが５×1015個／cm2程度のドーズ量に選択する
とチツプ１７の外側表面から1000〜2000Å厚程度
にアモルフアス化した薄膜層１７ｂが形成されて
ダイヤモンドは導通状態になされる。
第６図はチツプとしてダイヤモンドを注入イオ
ンとしてボロンを用い150Vでドーズ量を可変さ
せた場合の固有抵抗ρを対数目盛で縦軸にとつた
もので１×1015で10MΩ、１×1016で数KΩの値を
示している。これらのデータから１×1016個／cm2
前後でイオン注入するのが最適である。
ンとしてボロンを用い150Vでドーズ量を可変さ
せた場合の固有抵抗ρを対数目盛で縦軸にとつた
もので１×1015で10MΩ、１×1016で数KΩの値を
示している。これらのデータから１×1016個／cm2
前後でイオン注入するのが最適である。
第７図は上述の如くダイヤモンド、サフアイア
等の超硬質材料に導電性を付与した針をチツプ保
持部材１６に固定して、試料１の酸化膜１ａが形
成されている基板の表面に100ｇ／mm2程度の押圧
力を矢印Ａ方向に加えると窒化膜や酸化膜１ａが
1000Å〜7000Å厚程度では該酸化膜１ａが破れて
チツプが基板内に突き立てられて基板内に蓄積さ
れた電荷１９はチツプ１７の導電膜１７ｂ→導電
性のチツプ保持部材１６を介して接地９される。
等の超硬質材料に導電性を付与した針をチツプ保
持部材１６に固定して、試料１の酸化膜１ａが形
成されている基板の表面に100ｇ／mm2程度の押圧
力を矢印Ａ方向に加えると窒化膜や酸化膜１ａが
1000Å〜7000Å厚程度では該酸化膜１ａが破れて
チツプが基板内に突き立てられて基板内に蓄積さ
れた電荷１９はチツプ１７の導電膜１７ｂ→導電
性のチツプ保持部材１６を介して接地９される。
第８図は本発明の導通ピン１１を片持梁構成す
るリード２１の先端に固定し、固定部２０に螺子
２２で固定させ、試料１を矢印Ｂ方向に所定の押
圧力が加わる様に上動させて、試料１を固定させ
るようにしたものであり、この様にすれば酸化膜
または窒化膜１ａが破れてダイヤモンドチツプは
基板内に突きささり電荷を接地出来る。上記実施
例に利用するリード２１及び固定部２０と螺子２
２等は電子ビーム露光装置内に挿入されるため電
子ビームが影響を受けない燐青銅やアルミニウム
等の非磁性材料を用いる必要がある。
るリード２１の先端に固定し、固定部２０に螺子
２２で固定させ、試料１を矢印Ｂ方向に所定の押
圧力が加わる様に上動させて、試料１を固定させ
るようにしたものであり、この様にすれば酸化膜
または窒化膜１ａが破れてダイヤモンドチツプは
基板内に突きささり電荷を接地出来る。上記実施
例に利用するリード２１及び固定部２０と螺子２
２等は電子ビーム露光装置内に挿入されるため電
子ビームが影響を受けない燐青銅やアルミニウム
等の非磁性材料を用いる必要がある。
第９図は試料１を導通ピン１１のチツプ１７方
向に上動させた場合のリード２１の緩み状態を示
すものでリード２１が２１ａに示す位置迄、持ち
上げられるとチツプ１７は距離Ｌだけ試料１の上
面を摺動しながら酸化膜１ａを破ることになり、
この間に試料表面をこすることでチツプ１７の寿
命が低下することを見出した。
向に上動させた場合のリード２１の緩み状態を示
すものでリード２１が２１ａに示す位置迄、持ち
上げられるとチツプ１７は距離Ｌだけ試料１の上
面を摺動しながら酸化膜１ａを破ることになり、
この間に試料表面をこすることでチツプ１７の寿
命が低下することを見出した。
これら原因になる寿命の低下を補償するための
実施例を第１０図及び第１１図について説明す
る。
実施例を第１０図及び第１１図について説明す
る。
第１０図は片持梁を二重構造としたものであり
第１のリード２１は燐青銅で構成しチツプ１７を
ロー付したチツプ保持部材１６の一端を第１のリ
ード２１先端に固着し、該リードの他端をスペー
サ２３及び第２のリード２４を介して固定部２０
に固定する。スペーサ２３及び固定部２０はアル
ミニウム等の非磁性材で構成され、第２のリード
２４に導通ピン１１の中間部すなわちチツプ保持
部材１６の下端部もロー付２８によつて固定され
ている。
第１のリード２１は燐青銅で構成しチツプ１７を
ロー付したチツプ保持部材１６の一端を第１のリ
ード２１先端に固着し、該リードの他端をスペー
サ２３及び第２のリード２４を介して固定部２０
に固定する。スペーサ２３及び固定部２０はアル
ミニウム等の非磁性材で構成され、第２のリード
２４に導通ピン１１の中間部すなわちチツプ保持
部材１６の下端部もロー付２８によつて固定され
ている。
この構造で試料１を矢印Ｂ方向に上動させた時
には第８図に示す場合に比べてチツプ１７が試料
表面で摺動する摺動幅Ｌを大幅に減少させる事が
出来てその寿命回数は倍に向上した。
には第８図に示す場合に比べてチツプ１７が試料
表面で摺動する摺動幅Ｌを大幅に減少させる事が
出来てその寿命回数は倍に向上した。
第１１図に示すものは燐青銅のリード２１の
略々中央部に導通ピン１１を植立し、該リードの
両端に同じく非磁性材よりなる軸受部材２５ａ，
２５ｂを固定し、該軸受部材に固定部２０に植立
したロツド２６ａ，２６ｂに摺動自在に挿通し、
固定部２０，２０と軸受２５ａ，２５ｂ間にリー
ド全体を下方へ偏倚させるためのスプリング２７
ａ，２７ｂを介在させる。
略々中央部に導通ピン１１を植立し、該リードの
両端に同じく非磁性材よりなる軸受部材２５ａ，
２５ｂを固定し、該軸受部材に固定部２０に植立
したロツド２６ａ，２６ｂに摺動自在に挿通し、
固定部２０，２０と軸受２５ａ，２５ｂ間にリー
ド全体を下方へ偏倚させるためのスプリング２７
ａ，２７ｂを介在させる。
上記した構成に於いて試料１を矢印Ｂ方向に上
動させればスプリング２７ａ，２７ｂの偏倚力に
抗してリード２１はロツド２６ａ，２６ｂに沿つ
て平行に上動するために片持梁に比べてチツプが
摺動されることはない。
動させればスプリング２７ａ，２７ｂの偏倚力に
抗してリード２１はロツド２６ａ，２６ｂに沿つ
て平行に上動するために片持梁に比べてチツプが
摺動されることはない。
以上、詳細に説明したように、本発明の電子ビ
ーム露光装置用導通ピンによればダイヤモンド材
を用いているので試料の絶縁膜（酸化膜や窒化
膜）を破る際に基板を傷つける様なこともなく、
その使用回数を20000〜30000回とする事が出来、
且つ、導通ピンとしての機能を充分に果たし電子
ビーム照射時に試料内に蓄積される電荷を完全に
放電させる事が出来る特徴を有する。
ーム露光装置用導通ピンによればダイヤモンド材
を用いているので試料の絶縁膜（酸化膜や窒化
膜）を破る際に基板を傷つける様なこともなく、
その使用回数を20000〜30000回とする事が出来、
且つ、導通ピンとしての機能を充分に果たし電子
ビーム照射時に試料内に蓄積される電荷を完全に
放電させる事が出来る特徴を有する。
第１図は従来の電子ビーム露光装置用導通ピン
の使用方法を説明するための系統図、第２図は従
来の導通ピンを試料に装着する場合の試料の一部
を断面とした説明図、第３図は従来の試料に導通
ピンを立てるために基板の底部に放電によつて孔
明けを行う方法を説明するための試料の側断面
図、第４図は本発明に用いる導通ピンの拡大側面
図、第５図はチツプ部分の拡大側断面図、第６図
はダイヤモンドにイオンインプランテーシヨンす
る場合のドーズ量と固有抵抗の関係を示す線図、
第７図は導通ピンを試料に圧接させた場合の状態
を示す試料の側断面図、第８図は本発明の導通ピ
ン圧接装置の側面図、第９図は圧接状態を示す動
作拡大図、第１０図は本発明の他の実施例を示す
導通ピン圧接装置の側面図、第１１図は本発明の
更に他の実施例を示す導通ピン圧接装置の側面図
である。 １……試料、２……電子銃、３……マスク、４
……電子レンズ、５Ｘ，５Ｙ……偏向電極、６
Ｘ，６Ｙ……デジタル−アナログ変換回路、７
Ｘ，７Ｙ……加算増幅回路、８……コンピユー
タ、９……接地、１１……導通ピン、１２……保
持部材、１４……放電源、１５……孔、１６……
チツプ保持部、１７……チツプ、１７ｂ……薄膜
層、２１，２４……リード、２２……螺子、２３
……スペーサ、２５ａ，２５ｂ……軸受、２６
ａ，２６ｂ，……ロツド、２７ａ，２７ｂ……ス
プリング。
の使用方法を説明するための系統図、第２図は従
来の導通ピンを試料に装着する場合の試料の一部
を断面とした説明図、第３図は従来の試料に導通
ピンを立てるために基板の底部に放電によつて孔
明けを行う方法を説明するための試料の側断面
図、第４図は本発明に用いる導通ピンの拡大側面
図、第５図はチツプ部分の拡大側断面図、第６図
はダイヤモンドにイオンインプランテーシヨンす
る場合のドーズ量と固有抵抗の関係を示す線図、
第７図は導通ピンを試料に圧接させた場合の状態
を示す試料の側断面図、第８図は本発明の導通ピ
ン圧接装置の側面図、第９図は圧接状態を示す動
作拡大図、第１０図は本発明の他の実施例を示す
導通ピン圧接装置の側面図、第１１図は本発明の
更に他の実施例を示す導通ピン圧接装置の側面図
である。 １……試料、２……電子銃、３……マスク、４
……電子レンズ、５Ｘ，５Ｙ……偏向電極、６
Ｘ，６Ｙ……デジタル−アナログ変換回路、７
Ｘ，７Ｙ……加算増幅回路、８……コンピユー
タ、９……接地、１１……導通ピン、１２……保
持部材、１４……放電源、１５……孔、１６……
チツプ保持部、１７……チツプ、１７ｂ……薄膜
層、２１，２４……リード、２２……螺子、２３
……スペーサ、２５ａ，２５ｂ……軸受、２６
ａ，２６ｂ，……ロツド、２７ａ，２７ｂ……ス
プリング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダイヤモンド材にイオンインプランテーシヨ
ンを施しその先端部の外表面をアモルフアス化し
て導通性を付与して形成し、描画する試料に当接
させて接地し、電子ビーム照射により基板に蓄積
される電荷を除去することを特徴とする電子ビー
ム露光装置用導通ピン。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光
装置用導通ピンを備えたことを特徴とする電子ビ
ーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181999A JPS6074616A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用導通ピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181999A JPS6074616A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用導通ピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074616A JPS6074616A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0544177B2 true JPH0544177B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=16110549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181999A Granted JPS6074616A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用導通ピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074616A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201532132A (zh) * | 2014-01-22 | 2015-08-16 | Mapper Lithography Ip Bv | 於帶電粒子射束處理期間針對半導體基板的電荷調整 |
| NL2012497B1 (en) * | 2014-03-24 | 2016-01-26 | Mapper Lithography Ip Bv | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620701A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-26 | Hitachi Ltd | Scroll fluid machine |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58181999A patent/JPS6074616A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620701A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-26 | Hitachi Ltd | Scroll fluid machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6074616A (ja) | 1985-04-26 |
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