JPH0536792A - Method and apparatus for burn-in - Google Patents

Method and apparatus for burn-in

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JPH0536792A
JPH0536792A JP3192311A JP19231191A JPH0536792A JP H0536792 A JPH0536792 A JP H0536792A JP 3192311 A JP3192311 A JP 3192311A JP 19231191 A JP19231191 A JP 19231191A JP H0536792 A JPH0536792 A JP H0536792A
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JP3192311A
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Inventor
Tatsuya Hashinaga
Katsunori Nishiguchi
達也 橋長
勝規 西口
Original Assignee
Sumitomo Electric Ind Ltd
住友電気工業株式会社
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature

Abstract

PURPOSE:To control the temperature of individual semiconductor chips themselves with good accuracy and nearly uniformly by a method wherein temperature sensors are installed at individual semiconductor devices in the semiconductor chips themselves at the inside of the semiconductor devices, the sensors are monitored and opening positions of ventilation ports are set individually according to monitored results. CONSTITUTION:A plurality of burn-in boards 1 are installed at the inside of a burn-in (high-temperature continuous operation) test container 6; semiconductor devices which are provided with semiconductor chips 71 to 73 at the inside are set on the boards. Integrated circuits 711 to 713 and diodes 721 to 723 for temperature detection use are formed on the semiconductor chips 71 to 73. The electric characteristic of the diodes 72 for temperature detection use is monitored individually by using a temperature detector 92. A control device 93 controls an electricity-feeding amount by 40 electricity-feeding device 91 on the basis of monitored results by the temperature detector 92 and controls opening positions of ventilation ports 83a to 83c via position control parts 82a to 82c. Thereby, the temperature of the individual chips themselves can be controlled with good accuracy and uniformly.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明はバーンイン方法および装置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン(高温連続動作)試験に使用される。 The present invention relates to an burn method and apparatus, in particular, be used to burn (high temperature continuous operation) test which gives the temperature load and an electrical load to the device under test serving semiconductor devices.

【0002】 [0002]

【従来の技術】バーンイン試験は、半導体デバイスの寿命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に不可欠のものである。 BACKGROUND ART burn-in test is one of the essential for the detection of early failure in service life prediction and screening process of the semiconductor device. 一般に、バーンイン試験は次のようにして行なわれる。 In general, the burn-in test is carried out as follows. 図6はバーンインボード1の斜視図である。 6 is a perspective view of a burn-in board 1. 耐熱性の樹脂等からなるボード2上には、被試験デバイスたる半導体デバイス(図示せず)がセットされる複数のソケット3が設けられ、ボード2の一端には外部と電気接触をとる外部端子4が設けられている。 On board 2 made of a heat-resistant resin or the like, a plurality of sockets 3 are provided to the device under test serving semiconductor devices (not shown) is set, at one end of the board 2 external terminals taking external electrical contact 4 is provided.
また、ボード2の他端には、オペレータがバーンインボード1を操作するための取手5が設けられている。 Further, the other end of the board 2, a handle 5 for the operator to operate the burn-in board 1 is provided. そして、ソケット3の端子(図示せず)と外部端子4は、ボード2上の配線(一部のみ図示)によって接続される。 Then, the external terminals 4 and terminals (not shown) of the socket 3 are connected by the wiring on the board 2 (only partially shown).

【0003】このようなバーンインボード1は、図7のようにバーンイン試験容器6にセットされる。 Such a burn-in board 1 is set to the burn-in test container 6 as shown in FIG. すなわち、バーンイン試験容器6は本体たる筐体61に蓋体6 That is, the burn-in test container 6 is lid 206 to the body serving housing 61
2がヒンジ機構63によって結合された構造をなし、内部に設けられたボードコネクタ64の挿入スリット65 2 forms the bond structure by a hinge mechanism 63, the insertion slit 65 of the board connector 64 provided on the inside
にバーンインボード1が差し込まれる。 Burn-in board 1 is inserted into the. これにより、バーンインボード1の外部端子4とボードコネクタ64の端子(図示せず)との接続がとられる。 Thus, connection of the terminals of the external terminals 4 and board connector 64 of the burn-in board 1 (not shown) is taken. この接続を介して、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によりなされる。 Through this connection, the energization of the semiconductor device is made by a not shown power device. なお、図示しないが、バーンイン試験容器6には温度調整装置が付設されており、通常は、バーンイン試験容器6の内部に温風を供給するか、あるいはヒータを設ける構造となっている。 Although not shown, the burn-in test container 6 are attached temperature adjusting device, generally has a structure in which the interior of the burn-in test container 6 or to supply hot air, or providing a heater.

【0004】なお、バーンイン試験容器6の内部温度すなわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度T [0004] The internal temperature i.e. the ambient temperature T of the device under test serving semiconductor device burn-in test container 6
aは、筐体61の内壁近傍などに設けられた温度センサにより測定されている。 a is measured by a temperature sensor provided such as near the inner wall of the casing 61. この測定温度をモニタし、温度調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン試験を行なっている。 Monitoring the measured temperature, by controlling the temperature adjusting device, is conventionally performs a burn-in test.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行なうことができなかった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the above prior art, it was not possible to suitably perform the burn-in test for the following reasons. すなわち、従来技術でリアルタイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度T That is, it can be monitored in real time in the prior art environmental temperature T of the device under test
aであり、これは半導体チップの表面温度、とりわけp is a, which is the semiconductor chip surface temperature, especially p
n接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおけるジャンクション温度T jとは一致しない。 n junction or does not coincide with the junction temperature T j such as in the Schottky junction. 半導体デバイスの故障は、このジャンクション温度T jに依存するため、従来は、環境温度Taを測定した結果からジャンクション温度T jを推定し、バーンイン試験を行なっていた。 Failure of the semiconductor device is dependent on the junction temperature T j, conventionally, estimates the junction temperature T j from the result of measuring the environmental temperature Ta, were subjected to burn-in test. ところが、この環境温度T aとジャンクション温度T jの関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別の推定作業が必要になる。 However, this examine the relationship between the environmental temperature T a and the junction temperature T j requires a very complicated task, the size of semiconductor devices, formats, such as specifications require a separate estimated work each time different. このため、簡単かつ精度の良いバーンイン試験を行なうことが困難であった。 Therefore, it is difficult to perform simple and good burn-in test accuracy. また、 Also,
環境温度T aは試験容器6内の位置によって異なり、各々の半導体デバイスの発熱量も同一でないので、同一条件下で多数のデバイスのスクリーニングを行なうのは容易でなかった。 Environmental temperature T a varies depending on the position in the test container 6, since the heating value of each of the semiconductor devices also not identical, is not easy to carry out the screening of a large number of devices under the same conditions.

【0006】そこで本発明は、バーンイン試験が同時に施される複数の被試験デバイス中のチップ自体の温度を、精度よくコントロールできるバーンイン方法および装置を提供することを目的とする。 [0006] The present invention aims at providing a plurality of temperature of the chip itself in the device under test burn-in test is performed at the same time, the burn-in method and apparatus can be accurately controlled.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップを内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスを複数の送風口を有する試験容器内の所定温度の環境下に置き、複数の半導体チップに通電することで試験を行なうバーンイン方法において、複数の半導体チップのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成しておき、 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is placed in an environment of a predetermined temperature of the test container having a plurality of air blowing port a plurality of semiconductor devices as a device under test having a semiconductor chip inside, a plurality of semiconductor burn-in method of performing a test by energizing the chip in advance forming a temperature sensor to each of the plurality of semiconductor chips,
試験中に複数の温度センサの電気特性を検出することにより複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定し、温度の測定結果にもとづき、複数の半導体デバイスの温度が略同一となるよう複数の送風口の半導体デバイスに対する相対的な開口位置を独立に制御することを特徴とする。 Respectively measuring the temperature of a plurality of semiconductor chips by detecting the electrical characteristics of a plurality of temperature sensors during the test, based on the measurement result of the temperature, the temperature of the plurality of semiconductor devices of the plurality of air blowing port so as to be substantially the same and controlling the relative open position relative to the semiconductor device independently.

【0008】また、本発明は、半導体チップを内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスが収容され、複数の送風口を有する試験容器と、この試験容器の内部への送風をに調整する温調手段と、複数の半導体チップに電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置において、複数の半導体チップのそれぞれにあらかじめ形成された温度センサの電気特性を試験中に検出することにより、当該複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定する測定手段と、この測定手段の出力にもとづき、複数の半導体チップの温度が略同一となるよう、温調手段を制御して複数の送風口の半導体デバイスに対する相対的な開口位置を独立に設定する制御手段とを備えることを特徴とする。 Further, the present invention includes a plurality of semiconductor devices as the device under test is received having a semiconductor chip therein is adjusted to a test container having a plurality of air blowing port, the air blowing into the interior of the test container and temperature control means, in the burn-in apparatus and a current supply means for supplying power to a plurality of semiconductor chips, by detecting the electrical characteristics of the temperature sensor previously formed on each of a plurality of semiconductor chips during a test, the plural measuring means for measuring a semiconductor chip temperatures of, based on the output of the measuring means, so that the temperature of the plurality of semiconductor chips is substantially identical, relative to control temperature regulating means for the semiconductor devices of the plurality of air blowing port and a controlling means for setting the numerical aperture positioned independently.

【0009】 [0009]

【作用】本発明のバーンイン方法によれば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度センサが各デバイスごとに設けられ、これをモニタし、その結果に応じて送風口の開口位置を個別に設定しているため、複数の半導体チップごとに風量が調整され、各々のチップ自体の温度を精度よく略均一にコントロールできる。 According to a burn method of the present invention, a semiconductor device within the semiconductor chip temperature sensor itself is provided for each device, which monitors the opening position of the air blowing port is set individually in accordance with the result and for that, the air volume is adjusted for each of a plurality of semiconductor chips, the temperature of each of the chip itself can accurately substantially uniformly controlled.

【0010】また、本発明のバーンイン装置では、測定手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモニタし、その結果にもとづいて温調手段がコントロールされて複数の送風口の開口位置が設定される。 Further, in the burn-in apparatus of the present invention monitors the temperature sensor provided in the semiconductor chip by the measurement means, as a result the temperature adjustment means on the basis of is controlled multiple blower opening open position of the set . したがって、制御手段にプログラムを設定しておくことで、自動的に精度よく略均一の温度コントロールができることになる。 Therefore, by setting the program in the control unit, so that it is automatically accurately temperature controlled substantially uniform.

【0011】 [0011]

【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, an embodiment of the present invention by the accompanying drawings.

【0012】図1は実施例に係るバーンイン装置の送風系の概念図であり、図2は温度検出および通電系の概念図である。 [0012] Figure 1 is a conceptual diagram of the air system of the burn-in system according to the embodiment, FIG. 2 is a conceptual diagram of a temperature detection and energization system. バーンイン試験容器6の内部には複数のバーンインボード1が設けられ、これには半導体チップ7 1 The interior of the burn-in test container 6 is provided with a plurality of burn-in board 1, the semiconductor chip 71 to this
〜7 3を内部に有する半導体デバイス(図示せず)がソケット3 1 〜3 3によってセットされ、この半導体チップ7 1 〜7 3には集積回路71 1 〜71 3と温度センサとしての温度検出用ダイオード72 1 〜72 3が形成されている。 Semiconductor device having a to 7 3 therein (not shown) is set by the socket 3 1 to 3 3, for detecting temperature of the temperature sensor and the integrated circuit 71 1 to 71 3 in the semiconductor chip 71 to 7 3 diode 72 1-72 3 are formed. バーンイン試験容器6には温度調整装置としての送風機81と位置制御部82a〜82cが付設され、温風の供給される位置がされるようになっている。 So that the position control unit 82a~82c and the blower 81 as a temperature adjusting device is attached, is a position to be supplied warm air to a burn-in test container 6.
半導体チップ7の集積回路71には通電装置91から独立に電気負荷が与えられるようになっており、温度検出用ダイオード72の電気特性(特に立ち上がり電圧V F The integrated circuit 71 of the semiconductor chip 7 serves as an electrical load is applied independently from the energization device 91, the electrical characteristics of the temperature detection diode 72 (particularly threshold voltage V F
の変化)は温度検出器92で個別にモニタされ、ジャンクション温度T jがデバイスごとに測定されるようになっている。 Change in) are individually monitored by a temperature detector 92, the junction temperature T j is adapted to be measured for each device.

【0013】制御装置93は温度検出器92のモニタ結果にもとづき、通電装置91による通電量を制御し、かつ送風口83a〜83cの開口位置を位置制御部82a The control device 93 based on the monitor results of the temperature detector 92 to control the energization amount by energizing device 91, and an opening position of the air blowing port 83a~83c position control section 82a
〜82cを介してコントロールしている。 You have control over the ~82c. なお、この位置制御は送風口83a〜83cに設けられたガイドパイプ84a〜84cを上下に駆動することでなされる。 Incidentally, the position control is made by driving the guide pipe 84a~84c provided air blowing port 83a~83c vertically. また、制御装置93にはバーンイン試験におけるジャンクション温度T jの許容範囲が記憶され、モニタ結果と対比して通電装置91と、温度調整装置によるガイドパイプ84a〜84cの駆動とをコントロールするよう、あらかじめプログラムされている。 Further, the control in the apparatus 93 the allowable range of the junction temperature T j at the burn-in test is stored, the energizing device 91 in comparison with monitoring result, so as to control the driving of the guide pipe 84a~84c by the temperature adjusting device, in advance It has been programmed.

【0014】図3は上記実施例における半導体チップ7 [0014] The semiconductor chip 7 3 in the above embodiment
の斜視構成(同図(a)参照)と、温度検出用ダイオード72のI−V特性(同図(b)参照)を示している。 A perspective configuration (see FIG. (A)), it shows the I-V characteristic of the temperature detection diode 72 (see FIG. (B)).
図示の通り、半導体チップ7には集積回路71と温度検出用ダイオード72が形成されると共に、集積回路71 As shown, together with the semiconductor chip 7 integrated circuit 71 and the temperature detecting diode 72 is formed, the integrated circuits 71
に接続された通電用パッド73と、温度検出用ダイオード72のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用パッド74が設けられている。 Energization pads 73 connected, the monitor pad 74 connected anode and cathode of the temperature detection diode 72 is provided. このような半導体チップ7はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチップキャリア(LCC)としてパッケージングされ、被試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。 Such semiconductor chip 7 as a flat package, or packaged as leadless chip carrier (LCC), the semiconductor device is configured as a device under test. このような半導体チップ7における温度モニタは、温度検出用ダイオード72のI−V特性の観測によりなされる。 Temperature monitoring of the semiconductor chip 7 is made by observation of the I-V characteristic of the temperature detection diode 72. すなわち、図2(a)に示すI−V特性の立ち上がり電圧V Fは、温度によってリニアに変化するので、この立ち上がり電圧V Fの変化からジャンクション温度T That is, the rising voltage V F of the I-V characteristic shown in FIG. 2 (a), since changes linearly with temperature, junction temperature from the change of the threshold voltage V F T
jを正確に求めることができる。 j it is possible to accurately determine.

【0015】図4および図5は、上記実施例のバーンイン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス7 [0015] Figures 4 and 5, the burn-in apparatus of the above embodiment, serving the device under test semiconductor devices 7
0をソケット3にマウントする様子を示し、図3は斜視図、図4は断面図である。 0 shows how to mount the socket 3, 3 is a perspective view, FIG. 4 is a cross-sectional view. ソケット3は基体31と蓋体32を有し、これらはヒンジ33により開閉自在に結合され、レバー34とフック35の係合により閉じられる。 Socket 3 has a base 31 and lid 32, they are openably coupled by a hinge 33, it is closed by the engagement of the lever 34 and the hook 35. 基体31の中央部には貫通口36が形成されると上に、上面から十字状の凹部37が形成され、ここに端子38が設けられる。 On the the central portion of the base 31 through holes 36 are formed, it is formed a cross-shaped recess 37 from above, the terminal 38 is provided here. そして、端子38の一端は基体31 Then, one end of the terminal 38 base 31
の下面に突出し、バーンインボード1上の配線に接続されている。 Protrusion of the lower surface, is connected to the wiring on the burn-in board 1. また、蓋体32の中央部には、放熱部材39 Also, the central portion of the lid 32, the heat radiating member 39
がねじ止めされている。 It is screwed. 一方、半導体デバイス70の底面には端子76が設けられ、ソケット3にマウントされることでソケット3の端子38と接触する。 On the other hand, the terminal 76 is provided on the bottom surface of the semiconductor device 70, in contact with the terminals 38 of the socket 3 by being mounted in the socket 3. 半導体デバイス70を凹部37にマウントし、蓋体32を閉じると、放熱部材39の底面が半導体デバイス70の上面に接触し、放熱が達成される。 The semiconductor device 70 is mounted in the recess 37, closing the lid 32, the bottom surface of the heat radiating member 39 contacts the upper surface of the semiconductor device 70, the heat dissipation is achieved. したがって、この放熱部材39に当たる風量により、デバイス70の温度が調整される。 Therefore, the air volume impinging on the heat radiating member 39, the temperature of the device 70 is adjusted.

【0016】上記実施例によれば、半導体チップ7自体の温度を、複数のチップのいずれについても極めて精度よくモニタできる。 According to the above embodiment, the temperature of the semiconductor chip 7 itself can very accurately monitor for any of a plurality of chips. すなわち、この半導体チップ7自体の温度は、試験装置内部の位置によって異なる環境温度T aに依存するだけでなく、集積回路71における発熱と外部への放熱にも依存し、この発熱量および放熱量は装着状態等によるバラツキが極めて大きい。 That is, the temperature of the semiconductor chip 7 itself is not only dependent on the different environmental temperature T a by the position of the internal test apparatus is also dependent on the heat dissipation of the heating and the external in the integrated circuit 71, the heating value and heat radiation amount It is a very large variation due to the mounting state, and the like. ところが、 However,
本実施例では、半導体チップ7に設けた温度検出用ダイオード72のジャンクション温度T jを個別のモニタしているので、全ての半導体チップ7の温度の直接測定ができる。 In this embodiment, since the junction temperature T j of the temperature detection diode 72 provided on the semiconductor chip 7 are separate monitor can directly measure the temperatures of all the semiconductor chips 7.

【0017】したがって、このモニタ結果を用いることにより、複数の送風口83a〜83cの開口位置を独立にコントロールして、全体の半導体チップ7の表面温度(ジャンクション温度T j )を精度よく均一にコントロールできる。 [0017] Thus, by using the monitoring result, by controlling the opening positions of the air blowing port 83a~83c independently, the surface temperature of the entire semiconductor chip 7 (junction temperature T j) accurately uniformly control it can. すなわち、温度の高いデバイスの多い部分と温度の低いデバイスの多い部分とで送風口83a〜8 That is, the air blowing port in the high part and low device with many parts of the temperature of high temperature devices 83a~8
3cの先端位置を異ならせることにより、温度の均一化が図られる。 By varying the 3c tip position of, uniform temperature is achieved. 具体的には、高温のデバイスがあるときはその近傍の送風口83をデバイスに接近させ、そのデバイスの温度が適正値に下ったら定常位置に戻せばよい。 Specifically, when there is a high temperature of the device to approximate the air blowing port 83 in the vicinity thereof to the device, the temperature of the device may be returned to the normal position When down to the proper value.
逆に、低温のデバイスがあるときには、送風口83をその位置でデバイスから遠ざければよい。 Conversely, when there is a low temperature of the device may be farther away from the device to the air blowing port 83 at that position. これにより、スクリーニングの正確化と、歩留りの向上を同時に実現できる。 This realizes a precise of screening, improving the yield at the same time.

【0018】例えば50W発熱の多数の半導体デバイスのスクリーニングで、温度抵抗θ ja =2℃/Wであるときには、ジャンクション温度Tj=150℃にしたいときは環境温度T a =50℃に設定すればよい。 [0018] In the screening of a large number of semiconductor devices, for example 50W heating, when the temperature resistance θ ja = 2 ℃ / W, when you want the junction temperature Tj = 0.99 ° C. may be set to the ambient temperature T a = 50 ° C. . そして、 And,
あるデバイスの温度が160℃になったときは、ここでの送風口83の開口位置をデバイスに接近させ、等価的に風量を増加させて温度が150℃に戻ったら、定常の送風位置に送風口83の開口位置を設定すればよい。 When the temperature of a device became 160 ° C., wherein the moved closer to the device open position of the air blowing port 83 of Once equivalently temperature by increasing the air volume back to 0.99 ° C., blowing the blowing position of the constant it may be set open position of the mouth 83.

【0019】なお、本発明における温度センサとしては、集積回路71とは別に半導体チップに形成された温度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダイオードを利用してもよく、またトランジスタとしてもよい。 [0019] As the temperature sensor of the present invention is not limited to the temperature detection diode formed in a semiconductor chip separately from the integrated circuit 71 may utilize an internal diode of the integrated circuit, a transistor it may be. また、NiCr系の金属薄膜抵抗を半導体チップに形成してもよい。 It is also possible to form the metal thin film resistance of NiCr based on semiconductor chips. さらに、送風口の数や具体的な位置風量制御機構については、各種の態様を採用し得る。 Furthermore, for the number of the air blowing port and exact location airflow control mechanism may employ various aspects. 例えば、送風口の位置を固定しておき、バーンインボードを移動させることにより、送風口とバーンインボードの間の距離を変えてもよい。 For example, advance to fix the position of the air blowing port, by moving the burn-in board may be changed distance between the blower port and the burn-in board.

【0020】 [0020]

【発明の効果】以上の通り本発明のバーンイン方法によれば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、これをモニタし、これによって開口位置を複数の送風口ごとに設定しているため、半導体チップごとに風量を等価的に調整して、各々のチップ自体の温度を精度よく均一にコントロールできる。 According to a burn method As described above the present invention, a semiconductor device within the semiconductor chip temperature sensor itself is provided, which monitors, thereby to set the opening position for each of a plurality of air blowing port are therefore, by adjusting the air volume equivalently for each semiconductor chip, the temperature of each of the chip itself can accurately uniformly controlled. このため、 For this reason,
高歩留りであって、簡単かつ精度の良いバーンイン試験を行なうことが可能になる。 A high yield, it is possible to perform easy and good burn-in test accuracy.

【0021】また、本発明のバーンイン装置では、測定手段によって複数の半導体チップの個々に設けられた温度センサをモニタし、その結果にもとづいて温調手段がコントロールされ、複数の送風口の開口位置が個別に調節される。 Further, in the burn-in apparatus of the present invention monitors the temperature sensor provided in each of a plurality of semiconductor chips by the measurement means, the temperature control means based on the result is controlled, the opening positions of the air blowing port It is adjusted individually. したがって、制御手段に温度コントロールのプログラムを設定しておくことで、自動的に精度よく均一な温度コントロールができることになる。 Therefore, by setting the temperature control program in the control unit, so that it is automatically accurately uniform temperature control.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】実施例に係るバーンイン装置の送風系の概念図である。 1 is a conceptual diagram of the air system of the burn-in system according to the embodiment.

【図2】実施例に係るバーンイン装置の温度測定および通電系の概念図である。 2 is a conceptual diagram of a temperature measurement and conduction system of the burn-in system according to the embodiment.

【図3】実施例における半導体チップ7の構成と温度検出用ダイオード72の特性を示す図である。 3 is a diagram showing a characteristic configuration as the temperature detecting diode 72 of the semiconductor chip 7 in the embodiment.

【図4】実施例におけるソケット3の斜視図である。 4 is a perspective view of the socket 3 in the embodiment.

【図5】実施例におけるソケット3の断面図である。 5 is a cross-sectional view of the socket 3 in the embodiment.

【図6】バーンインボード1の構成を示す斜視図である。 6 is a perspective view showing a configuration of a burn-in board 1.

【図7】バーンイン試験容器6の斜視図である。 7 is a perspective view of a burn-in test container 6.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…バーンインボード 2…ボード 3…ソケット 31…基体 32…蓋体 34…レバー 35…フック 38…端子 39…放熱部材 6…バーンイン試験容器 7…半導体チップ 70…半導体デバイス 71…集積回路 72…温度検出用ダイオード 81…送風機 82…位置制御部 83…送風口 84…ガイドパイプ 91…通電装置 92…温度検出器 93…制御装置 1 ... burn-in board 2 ... board 3 ... socket 31 ... base 32 ... cover 34 ... lever 35 ... hook 38 ... terminal 39 ... heat radiating member 6 ... burn-in test container 7 ... semiconductor chip 70 ... semiconductor device 71 ... integrated circuits 72 ... Temperature detecting diode 81 ... blower 82 ... position control section 83 ... air blowing port 84 ... guide pipe 91 ... energization device 92 ... temperature detectors 93 ... controller

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体チップを内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスを複数の送風口を有する試験容器内の所定温度の環境下に置き、前記複数の半導体チップに通電することで試験を行なうバーンイン方法において、 前記複数の半導体チップのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成しておき、 試験中に前記複数の温度センサの電気特性を検出することにより前記複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定し、 前記温度の測定結果にもとづき、前記複数の半導体デバイスの温度が略同一となるよう前記複数の送風口の前記半導体デバイスに対する相対的な開口位置を独立に制御することを特徴とするバーンイン方法。 Claims 1. A semiconductor chip is placed in an environment of a predetermined temperature of the test container with a plurality of air blowing port a plurality of semiconductor devices as the device under test included therein, the plurality of semiconductor chips wherein the plurality of semiconductor chips by the burn method of performing a test by energizing the plurality of keep the temperature sensor previously formed in the respective semiconductor chip, to detect the electrical characteristics of the plurality of temperature sensors during the test to temperature was measured, based on the measurement result of the temperature, the temperature of the plurality of semiconductor devices are controlled independently of the relative open position relative to the semiconductor device of the plurality of air blowing port so as to be substantially the same burn method comprising. 【請求項2】 半導体チップを内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスが収容され、複数の送風口を有する試験容器と、この試験容器の内部への送風を調整する温調手段と、前記複数の半導体チップに電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置において、 前記複数の半導体チップのそれぞれにあらかじめ形成された温度センサの電気特性を試験中に検出することにより、当該複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定する測定手段と、 この測定手段の出力にもとづき、前記複数の半導体チップの温度が略同一となるよう、前記温調手段を制御して前記複数の送風口の前記半導体デバイスに対する相対的な開口位置を独立に設定する制御手段とを備えることを特徴とするバーンイン装置。 2. A plurality of semiconductor devices as a device under test having a semiconductor chip therein is housed, a test container having a plurality of air blowing port, a temperature control means for adjusting the blowing air into the interior of the test container, in the burn-in apparatus and a current supply means for supplying power to said plurality of semiconductor chips, by detecting the electrical characteristics of the temperature sensor previously formed on each of the plurality of semiconductor chips during a test, the plurality of semiconductor chips measuring means for measuring the temperature, respectively, based on the output of the measuring means, so that the temperature of the plurality of semiconductor chips is substantially identical to said semiconductor device of said plurality of air blowing port by controlling the temperature control means burn-in apparatus, characterized in that it comprises a control means for setting a relative open position independently.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6887723B1 (en) 1998-12-04 2005-05-03 Formfactor, Inc. Method for processing an integrated circuit including placing dice into a carrier and testing
JP2008267818A (en) * 2007-04-16 2008-11-06 Espec Corp Burn-in test device
JP4514787B2 (en) * 2005-05-17 2010-07-28 株式会社アドバンテスト Temperature control method in an electronic device testing apparatus and an electronic device testing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6887723B1 (en) 1998-12-04 2005-05-03 Formfactor, Inc. Method for processing an integrated circuit including placing dice into a carrier and testing
US7217580B2 (en) 1998-12-04 2007-05-15 Formfactor Inc. Method for processing an integrated circuit
JP4514787B2 (en) * 2005-05-17 2010-07-28 株式会社アドバンテスト Temperature control method in an electronic device testing apparatus and an electronic device testing apparatus
JP2008267818A (en) * 2007-04-16 2008-11-06 Espec Corp Burn-in test device

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