JPH0534405A - Ｉｃハンドラの温度制御方式 - Google Patents
Ｉｃハンドラの温度制御方式Info
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- JPH0534405A JPH0534405A JP3212972A JP21297291A JPH0534405A JP H0534405 A JPH0534405 A JP H0534405A JP 3212972 A JP3212972 A JP 3212972A JP 21297291 A JP21297291 A JP 21297291A JP H0534405 A JPH0534405 A JP H0534405A
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- JP
- Japan
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- bath
- refrigerant
- heater
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＩＣデバイスを常温状態でその電気的特性の
試験・測定を行うに当って、測定対象となるＩＣデバイ
スを確実に一定の温度条件にする。 【構成】 測定温度設定器３０により低温域測定モード
が選択されて、流路切換弁２７によってボンベ２５と冷
媒供給管２３との間が配管２４の大流量配管部２４ａを
介して接続されて、大量の冷媒が冷媒供給管２３に供給
されると共に、クロスフローファン２１が作動して恒温
槽１内を冷却する。また、高温域測定モードが選択され
ると、この信号に基づいてヒータ２２が作動して、恒温
槽１は設定温度まで上昇される。さらに、中間温度域測
定モードが選択されて、外気温度とは無関係に温度制御
が行われ、まずヒータ２２を作動させて、恒温槽１内を
所定の温度まで上昇させ、これと同時に、または恒温槽
１内が所定の温度まで上昇した後に、冷媒供給管２３に
冷媒を供給して槽内温度を低下させる。
試験・測定を行うに当って、測定対象となるＩＣデバイ
スを確実に一定の温度条件にする。 【構成】 測定温度設定器３０により低温域測定モード
が選択されて、流路切換弁２７によってボンベ２５と冷
媒供給管２３との間が配管２４の大流量配管部２４ａを
介して接続されて、大量の冷媒が冷媒供給管２３に供給
されると共に、クロスフローファン２１が作動して恒温
槽１内を冷却する。また、高温域測定モードが選択され
ると、この信号に基づいてヒータ２２が作動して、恒温
槽１は設定温度まで上昇される。さらに、中間温度域測
定モードが選択されて、外気温度とは無関係に温度制御
が行われ、まずヒータ２２を作動させて、恒温槽１内を
所定の温度まで上昇させ、これと同時に、または恒温槽
１内が所定の温度まで上昇した後に、冷媒供給管２３に
冷媒を供給して槽内温度を低下させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣデバイス（集積回
路素子）の電気的特性等の試験・測定を行う場合におい
て、試験されるＩＣデバイスの温度状態を正確に制御す
るためのＩＣハンドラの温度制御方式に関するものであ
る。
路素子）の電気的特性等の試験・測定を行う場合におい
て、試験されるＩＣデバイスの温度状態を正確に制御す
るためのＩＣハンドラの温度制御方式に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣハンドラはＩＣデバイスの電気的特
性の試験・測定を行うためのＩＣデバイスの試験装置に
おいて、ＩＣデバイスをＩＣテスタに供給し、また試験
終了後のＩＣデバイスを試験結果に基づいて分類分けし
て収納するための機構部を構成するものである。ここ
で、ＩＣデバイスの試験を行うに当っては、単に常温状
態で試験するだけでなく、例えば＋５０℃〜＋１３０℃
といった高温状態または−５５℃〜０℃というように低
温状態で行われるようになっている。このために、ＩＣ
デバイスを所定の温度状態とするための熱処理レーン
と、ＩＣテスタのテストヘッドにＩＣデバイスを接離さ
せる機構とを恒温槽内に装着するように構成している。
そして、高温ハンドラの場合には、この恒温槽内に加熱
手段としてのヒータを内蔵すると共に、このヒータの熱
を槽内全体に行き渡らせるためのファンを設けるように
している。また、低温ハンドラの場合には、液体窒素等
の冷媒を供給する冷媒供給手段を設けて、この冷媒供給
手段から供給された冷媒を気化して冷気となして、この
冷気をファンにより槽内に循環させるようにしている。
そして、高温ハンドラであっても、また低温ハンドラで
あっても、槽自体及び槽内に循環流を形成するための手
段等は共通のものであるところから、ヒータ及び冷媒供
給手段を予め槽内に設け、ヒータまたは冷媒供給手段を
選択的に作動させることによって、高温ハンドラとして
も、また低温ハンドラとしても用いることができる構成
としたものも知られている。さらには、ＩＣデバイスを
常温状態で試験する場合においては、前述した恒温槽を
用いることなく、室温状態下で測定が行われる。
性の試験・測定を行うためのＩＣデバイスの試験装置に
おいて、ＩＣデバイスをＩＣテスタに供給し、また試験
終了後のＩＣデバイスを試験結果に基づいて分類分けし
て収納するための機構部を構成するものである。ここ
で、ＩＣデバイスの試験を行うに当っては、単に常温状
態で試験するだけでなく、例えば＋５０℃〜＋１３０℃
といった高温状態または−５５℃〜０℃というように低
温状態で行われるようになっている。このために、ＩＣ
デバイスを所定の温度状態とするための熱処理レーン
と、ＩＣテスタのテストヘッドにＩＣデバイスを接離さ
せる機構とを恒温槽内に装着するように構成している。
そして、高温ハンドラの場合には、この恒温槽内に加熱
手段としてのヒータを内蔵すると共に、このヒータの熱
を槽内全体に行き渡らせるためのファンを設けるように
している。また、低温ハンドラの場合には、液体窒素等
の冷媒を供給する冷媒供給手段を設けて、この冷媒供給
手段から供給された冷媒を気化して冷気となして、この
冷気をファンにより槽内に循環させるようにしている。
そして、高温ハンドラであっても、また低温ハンドラで
あっても、槽自体及び槽内に循環流を形成するための手
段等は共通のものであるところから、ヒータ及び冷媒供
給手段を予め槽内に設け、ヒータまたは冷媒供給手段を
選択的に作動させることによって、高温ハンドラとして
も、また低温ハンドラとしても用いることができる構成
としたものも知られている。さらには、ＩＣデバイスを
常温状態で試験する場合においては、前述した恒温槽を
用いることなく、室温状態下で測定が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、常温ハンド
ラの場合において、ＩＣデバイスを室温状態の下で測定
されるとしても、この室温は季節や設置場所，測定時等
により大きな差があり、またＩＣハンドラの設置部近傍
に発熱する装置や機器等が配設されている場合には、室
温自体が高くなる等、周囲環境によってはかなりの温度
差がある。従って、常温ハンドラで試験・測定するとき
に、ＩＣデバイスの温度条件はかなり大きな幅でのばら
つきがあり、必ずしも同一条件下で試験・測定されてい
る訳ではないことになる。このために、試験結果に対す
る信頼性は必ずしも完全とはならない。
ラの場合において、ＩＣデバイスを室温状態の下で測定
されるとしても、この室温は季節や設置場所，測定時等
により大きな差があり、またＩＣハンドラの設置部近傍
に発熱する装置や機器等が配設されている場合には、室
温自体が高くなる等、周囲環境によってはかなりの温度
差がある。従って、常温ハンドラで試験・測定するとき
に、ＩＣデバイスの温度条件はかなり大きな幅でのばら
つきがあり、必ずしも同一条件下で試験・測定されてい
る訳ではないことになる。このために、試験結果に対す
る信頼性は必ずしも完全とはならない。
【０００４】本発明は前述した点に鑑みてなされたもの
であって、その目的とするところは、常温ハンドラにお
いても、確実に一定の温度条件下でＩＣデバイスの電気
的特性等の試験・測定を行うことができるようにしたＩ
Ｃハンドラの温度制御方式を提供するものである。
であって、その目的とするところは、常温ハンドラにお
いても、確実に一定の温度条件下でＩＣデバイスの電気
的特性等の試験・測定を行うことができるようにしたＩ
Ｃハンドラの温度制御方式を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明は、内部にＩＣデバイスを所定の温度状
態とするための熱処理レーンと、ＩＣテスタのテストヘ
ッドにＩＣデバイスを接離させる機構とを装着した恒温
槽に、この恒温槽内を加熱するためのヒータと、冷却用
の冷媒供給手段と、循環流を形成するためのファンとを
設け、前記ヒータにより恒温槽内を加熱することによっ
て、前記ＩＣデバイスを所定の高温状態にしてその測定
を行う高温域測定モードと、前記冷媒供給手段から冷媒
を供給することによって、前記ＩＣデバイスを所定の低
温状態にしてその測定を行う低温域測定モードと、前記
ヒータを作動させると共に、前記冷媒供給手段から冷媒
を供給することによって、前記高温域と低温域との中間
における所定の温度域でＩＣデバイスの測定を行う中間
温度域測定モードとの間に切換可能としたことをその特
徴とするものである。
ために、本発明は、内部にＩＣデバイスを所定の温度状
態とするための熱処理レーンと、ＩＣテスタのテストヘ
ッドにＩＣデバイスを接離させる機構とを装着した恒温
槽に、この恒温槽内を加熱するためのヒータと、冷却用
の冷媒供給手段と、循環流を形成するためのファンとを
設け、前記ヒータにより恒温槽内を加熱することによっ
て、前記ＩＣデバイスを所定の高温状態にしてその測定
を行う高温域測定モードと、前記冷媒供給手段から冷媒
を供給することによって、前記ＩＣデバイスを所定の低
温状態にしてその測定を行う低温域測定モードと、前記
ヒータを作動させると共に、前記冷媒供給手段から冷媒
を供給することによって、前記高温域と低温域との中間
における所定の温度域でＩＣデバイスの測定を行う中間
温度域測定モードとの間に切換可能としたことをその特
徴とするものである。
【０００６】
【作用】このような構成を採用することにより、高温か
ら低温までの全ての温度領域で、正確に同一の温度条件
下にしてＩＣデバイスの試験・測定を行うことができる
ようになる。即ち、高温状態で試験・測定する場合に
は、ヒータとファンとを作動させることによって、恒温
槽内を目的とする高温状態にまで上昇させると共に、こ
の温度状態を維持してＩＣデバイスの試験・測定を行
う。また、低温状態で試験・測定する場合には、冷媒供
給手段に冷媒を供給すると共に、ファンにより冷気を循
環させて、恒温槽内を目的とする低温状態にまで低下さ
せ、そしてこの温度状態を維持しながらＩＣデバイスの
試験・測定を行う。
ら低温までの全ての温度領域で、正確に同一の温度条件
下にしてＩＣデバイスの試験・測定を行うことができる
ようになる。即ち、高温状態で試験・測定する場合に
は、ヒータとファンとを作動させることによって、恒温
槽内を目的とする高温状態にまで上昇させると共に、こ
の温度状態を維持してＩＣデバイスの試験・測定を行
う。また、低温状態で試験・測定する場合には、冷媒供
給手段に冷媒を供給すると共に、ファンにより冷気を循
環させて、恒温槽内を目的とする低温状態にまで低下さ
せ、そしてこの温度状態を維持しながらＩＣデバイスの
試験・測定を行う。
【０００７】一方、常温状態でＩＣデバイスの試験・測
定結果の信頼性，安定性を得るためには、全てのデバイ
スを同じ温度条件下で試験・測定する必要がある。そこ
で、常温ハンドラとして用いる場合においても、恒温槽
を利用し、この恒温槽内を所定の温度雰囲気下に置い
て、試験・測定を行うようにした。ところで、常温状態
として、例えば＋２５℃にする場合においては、外気の
状態、即ちＩＣハンドラが設置されている部屋の温度に
よっては槽内を加熱しなければならないときもあり、ま
た冷却する必要がある場合もある。さらには、槽内の温
度を調整する必要がないこともある。従って、外気条件
を考慮して温度管理を行うようにすると、この温度管理
を行うための制御が極めて複雑になってしまう。そこ
で、この常温状態である中間温度域においては、ヒータ
と冷媒供給手段を共に作動させることによって、外気と
は異なる温度状態を作り出すようにしている。これによ
って、従来では温度条件を無視した状態で試験・測定を
行っていた常温条件下でのＩＣデバイスの試験・測定を
一定の温度条件下で行うことができるようになり、試験
・測定の精度が向上する。
定結果の信頼性，安定性を得るためには、全てのデバイ
スを同じ温度条件下で試験・測定する必要がある。そこ
で、常温ハンドラとして用いる場合においても、恒温槽
を利用し、この恒温槽内を所定の温度雰囲気下に置い
て、試験・測定を行うようにした。ところで、常温状態
として、例えば＋２５℃にする場合においては、外気の
状態、即ちＩＣハンドラが設置されている部屋の温度に
よっては槽内を加熱しなければならないときもあり、ま
た冷却する必要がある場合もある。さらには、槽内の温
度を調整する必要がないこともある。従って、外気条件
を考慮して温度管理を行うようにすると、この温度管理
を行うための制御が極めて複雑になってしまう。そこ
で、この常温状態である中間温度域においては、ヒータ
と冷媒供給手段を共に作動させることによって、外気と
は異なる温度状態を作り出すようにしている。これによ
って、従来では温度条件を無視した状態で試験・測定を
行っていた常温条件下でのＩＣデバイスの試験・測定を
一定の温度条件下で行うことができるようになり、試験
・測定の精度が向上する。
【０００８】而して、前述した所定の中間温度域を作り
出すためには、まずヒータによって恒温槽内を加熱し
て、所定の温度に上昇させるようになし、この状態で冷
媒供給手段を作動させて、この所定の中間温度域となる
ように調整すれば、容易に、しかも正確かつ安定した温
度管理が可能となり、また液体窒素等の冷媒の消費量を
少なくすることができる。
出すためには、まずヒータによって恒温槽内を加熱し
て、所定の温度に上昇させるようになし、この状態で冷
媒供給手段を作動させて、この所定の中間温度域となる
ように調整すれば、容易に、しかも正確かつ安定した温
度管理が可能となり、また液体窒素等の冷媒の消費量を
少なくすることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。まず、図１にＩＣハンドラの恒温槽の断面
を、また図２にその外観をそれぞれ示す。同図から明ら
かなように、恒温槽１はその全体が断熱壁によって区切
られた空間からなり、その前面部にはＩＣテスタ２のテ
ストヘッド２ａが臨んでいる。また、この恒温槽１に
は、その上部位置にデバイス入口１ａが設けられ、また
下部位置にはデバイス出口１ｂが設けられており、これ
らデバイス入口１ａ，デバイス出口１ｂにはそれぞれシ
ャッタ３，４が配設されている。従って、ＩＣデバイス
Ｄがローダ側のシュート５から供給されると、シャッタ
３を開放してこの恒温槽１内に受け入れられることにな
り、またＩＣデバイスＤがＩＣテスタ２のテストヘッド
２ａに接続することによって、その電気的特性の試験・
測定が行われると、シャッタ４が開放されて、アンロー
ダ側のシュート６に向けて送り出されることになる。従
って、ＩＣデバイスＤは、ローダ側のシュート５から恒
温槽１内に送り込まれ、この恒温槽１内においてテスト
ヘッド２ａに接続されて、試験・測定が行われた後、ア
ンローダ側のシュート６に至る経路に沿って搬送され、
しかもこのＩＣデバイスＤの搬送経路では、ＩＣデバイ
スＤは自重で滑走するようになっている。
に説明する。まず、図１にＩＣハンドラの恒温槽の断面
を、また図２にその外観をそれぞれ示す。同図から明ら
かなように、恒温槽１はその全体が断熱壁によって区切
られた空間からなり、その前面部にはＩＣテスタ２のテ
ストヘッド２ａが臨んでいる。また、この恒温槽１に
は、その上部位置にデバイス入口１ａが設けられ、また
下部位置にはデバイス出口１ｂが設けられており、これ
らデバイス入口１ａ，デバイス出口１ｂにはそれぞれシ
ャッタ３，４が配設されている。従って、ＩＣデバイス
Ｄがローダ側のシュート５から供給されると、シャッタ
３を開放してこの恒温槽１内に受け入れられることにな
り、またＩＣデバイスＤがＩＣテスタ２のテストヘッド
２ａに接続することによって、その電気的特性の試験・
測定が行われると、シャッタ４が開放されて、アンロー
ダ側のシュート６に向けて送り出されることになる。従
って、ＩＣデバイスＤは、ローダ側のシュート５から恒
温槽１内に送り込まれ、この恒温槽１内においてテスト
ヘッド２ａに接続されて、試験・測定が行われた後、ア
ンローダ側のシュート６に至る経路に沿って搬送され、
しかもこのＩＣデバイスＤの搬送経路では、ＩＣデバイ
スＤは自重で滑走するようになっている。
【００１０】恒温槽１内には、デバイス熱処理レーン１
０と、テスタ挿脱機構部１１とが設けられている。デバ
イス熱処理レーン１０はローダ側シュート５に連なる傾
斜状態のシュートからなり、またテスタ挿脱機構部１１
においては、ＩＣデバイスＤは垂直方向に滑走させる垂
直シュート１２を備えている。そして、デバイス熱処理
レーン１０とテスタ挿脱機構部１１の垂直シュート１２
との間には、オリエンタと呼ばれるデバイス方向転換部
１３が設けられている。
０と、テスタ挿脱機構部１１とが設けられている。デバ
イス熱処理レーン１０はローダ側シュート５に連なる傾
斜状態のシュートからなり、またテスタ挿脱機構部１１
においては、ＩＣデバイスＤは垂直方向に滑走させる垂
直シュート１２を備えている。そして、デバイス熱処理
レーン１０とテスタ挿脱機構部１１の垂直シュート１２
との間には、オリエンタと呼ばれるデバイス方向転換部
１３が設けられている。
【００１１】テスタ挿脱機構部１１は、ＩＣデバイスＤ
を所定の位置に位置決めした状態でクランプしてテスト
ヘッド２ａに接離させるためのものであって、このため
に垂直シュート１２にはストッパロッド１４がＩＣデバ
イスＤの滑走路に挿脱可能に設けられると共に、クラン
プ板１５がこの垂直シュート１２の滑走面に対面するよ
うに設けられている。従って、クランプ板１５を垂直シ
ュート１２から離間させた状態で、その間にＩＣデバイ
スＤを滑走させて、ストッパロッド１４を突出させ、こ
のＩＣデバイスＤを所定の位置に位置決めし、次いでク
ランプ板１５を垂直シュート１２側に変位させることに
よって、まずＩＣデバイスＤをクランプして、それをテ
ストヘッド２ａに接続することによって、その電気的特
性の試験・測定を行うことができる。また、前述とは反
対の動作を行わせると、ＩＣデバイスＤをテストヘッド
２ａから脱着させて、アンローダ側のシュート６に向け
て送り出すことができるようになる。
を所定の位置に位置決めした状態でクランプしてテスト
ヘッド２ａに接離させるためのものであって、このため
に垂直シュート１２にはストッパロッド１４がＩＣデバ
イスＤの滑走路に挿脱可能に設けられると共に、クラン
プ板１５がこの垂直シュート１２の滑走面に対面するよ
うに設けられている。従って、クランプ板１５を垂直シ
ュート１２から離間させた状態で、その間にＩＣデバイ
スＤを滑走させて、ストッパロッド１４を突出させ、こ
のＩＣデバイスＤを所定の位置に位置決めし、次いでク
ランプ板１５を垂直シュート１２側に変位させることに
よって、まずＩＣデバイスＤをクランプして、それをテ
ストヘッド２ａに接続することによって、その電気的特
性の試験・測定を行うことができる。また、前述とは反
対の動作を行わせると、ＩＣデバイスＤをテストヘッド
２ａから脱着させて、アンローダ側のシュート６に向け
て送り出すことができるようになる。
【００１２】ところで、このＩＣハンドラは高低温ハン
ドラであって、このために恒温槽１の内部を所定の温度
状態となるように加熱する加熱装置及び冷却用の冷却装
置が設けられている。このために、デバイス熱処理レー
ン１０の下部において、このレーン１０に沿うように設
けたダクト２０を有し、このダクト２０内には恒温槽１
内に循環流を形成するためのクロスフローファン２１が
吸い込み口２０ａに近傍位置に設けられており、またこ
のクロスフローファン２１より吹き出し口２０ｂ側の位
置にロッド状のヒータ２２を複数本（図面においては３
本）挿通させることによって、加熱装置となし、また液
体窒素からなる冷媒を供給するための冷媒供給管２３を
配設することにより冷却装置を構成している。ここで、
ＩＣデバイスＤのレーン数、即ちデバイス熱処理レーン
１０及び垂直シュート１２は多数列設けられており、恒
温槽１は全てのレーンをカバーすることができる幅を有
するものであるために、ダクト２０はかなり長尺となっ
ている。そして、ヒータ２２及び冷媒供給管２３もこの
ダクト２０の全長にわたる長さを有する長尺の部材から
なる。
ドラであって、このために恒温槽１の内部を所定の温度
状態となるように加熱する加熱装置及び冷却用の冷却装
置が設けられている。このために、デバイス熱処理レー
ン１０の下部において、このレーン１０に沿うように設
けたダクト２０を有し、このダクト２０内には恒温槽１
内に循環流を形成するためのクロスフローファン２１が
吸い込み口２０ａに近傍位置に設けられており、またこ
のクロスフローファン２１より吹き出し口２０ｂ側の位
置にロッド状のヒータ２２を複数本（図面においては３
本）挿通させることによって、加熱装置となし、また液
体窒素からなる冷媒を供給するための冷媒供給管２３を
配設することにより冷却装置を構成している。ここで、
ＩＣデバイスＤのレーン数、即ちデバイス熱処理レーン
１０及び垂直シュート１２は多数列設けられており、恒
温槽１は全てのレーンをカバーすることができる幅を有
するものであるために、ダクト２０はかなり長尺となっ
ている。そして、ヒータ２２及び冷媒供給管２３もこの
ダクト２０の全長にわたる長さを有する長尺の部材から
なる。
【００１３】冷媒供給管２３には配管２４が接続されて
おり、この配管２４の他端はボンベ２４に接続され、こ
のボンベ２５から冷媒としての液体窒素が冷媒供給管２
３に供給されて、この冷媒供給管２３内で冷媒を霧化し
てその軸線方向に複数個穿設した冷媒噴出口から噴出さ
れるようになっている。そして、クロスフローファン２
１による循環流により冷却風としてダクト２０の吹き出
し口２０ａから吹き出させて、恒温槽１の全域に冷却風
を送るようになされている。ここで、ボンベ２５から冷
媒供給管２３への配管２４は、その途中で、大流量配管
部２４ａと小流量配管部２４ｂとに分岐している。小流
量配管部２４ｂには絞り２６が設けられている。また、
この大流量配管部２４ａと小流量配管部２４ｂとの分岐
部には、流路切換弁２７が設けられており、この流路切
換弁２７により、ボンベ２４から冷媒供給管２３への冷
媒の供給を、大流量供給状態と小流量供給状態と、流路
遮断状態との３位置に切り換えることができるようにな
っている。さらに、大流量配管部２４ａと小流量配管部
２４ｂとは電磁開閉弁２８に接続されており、この電磁
開閉弁２８によっても冷媒供給管２３への冷媒の供給流
量の制御が行われることになる。
おり、この配管２４の他端はボンベ２４に接続され、こ
のボンベ２５から冷媒としての液体窒素が冷媒供給管２
３に供給されて、この冷媒供給管２３内で冷媒を霧化し
てその軸線方向に複数個穿設した冷媒噴出口から噴出さ
れるようになっている。そして、クロスフローファン２
１による循環流により冷却風としてダクト２０の吹き出
し口２０ａから吹き出させて、恒温槽１の全域に冷却風
を送るようになされている。ここで、ボンベ２５から冷
媒供給管２３への配管２４は、その途中で、大流量配管
部２４ａと小流量配管部２４ｂとに分岐している。小流
量配管部２４ｂには絞り２６が設けられている。また、
この大流量配管部２４ａと小流量配管部２４ｂとの分岐
部には、流路切換弁２７が設けられており、この流路切
換弁２７により、ボンベ２４から冷媒供給管２３への冷
媒の供給を、大流量供給状態と小流量供給状態と、流路
遮断状態との３位置に切り換えることができるようにな
っている。さらに、大流量配管部２４ａと小流量配管部
２４ｂとは電磁開閉弁２８に接続されており、この電磁
開閉弁２８によっても冷媒供給管２３への冷媒の供給流
量の制御が行われることになる。
【００１４】恒温槽１によって、ＩＣデバイスＤの電気
的特性の試験・測定を行うに当っては、このＩＣデバイ
スＤを−５５℃〜０℃の低温域における１または複数ポ
イントの温度条件下と、＋１３０℃〜＋５０℃の高温域
における１または複数ポイントの温度条件下と、この低
温域と高温域との中間温度域における１または複数ポイ
ントの温度条件下との３つの温度域測定モードに設定す
ることが出来るようになっている。このために、このＩ
Ｃハンドラにおける制御装置には、測定温度設定器３０
が設けられており、この測定温度設定器３０は、マニュ
アル操作によって設定すべき温度条件を任意に、または
段階的に設定することができるようになっている。そし
て、この測定温度設定器３０は制御回路３１に接続され
ており、測定温度設定器３０によって所定の温度条件が
設定された時には、この制御回路３１からの信号に基づ
いて、ヒータ２２の電源２２ａと、配管２４の流路切換
弁２７に入力されるようになっており、高温域測定モー
ドが選択されたときには、ヒータ２２のみが作動し、低
温域測定モードが選択されると、ボンベ２５から大流量
配管部２４ａを通って冷媒供給管２３に冷媒が大流量で
供給されるようになる。さらに、中間温度域測定モード
が選択されると、ヒータ２２が作動すると共に、ボンベ
２５からの冷媒が小流量配管部２４ｂを介して冷媒供給
管２３に供給されるようになっている。測定温度設定器
３０からの信号は、さらに制御部３１にも入力される。
そして、この制御回路３１には、デバイス熱処理レーン
１０及びデバイス挿脱機構部１１の垂直シュート１２に
設けた温度センサ３２からの温度検出信号が入力される
ようになっており、この温度検出信号は制御回路３１に
おいて、測定温度設定器３０で設定された温度と比較し
て、常に設定温度となるようにヒータ２２及び／または
電磁開閉弁２８のＯＮ，ＯＦＦ制御が行われるようにな
っている。
的特性の試験・測定を行うに当っては、このＩＣデバイ
スＤを−５５℃〜０℃の低温域における１または複数ポ
イントの温度条件下と、＋１３０℃〜＋５０℃の高温域
における１または複数ポイントの温度条件下と、この低
温域と高温域との中間温度域における１または複数ポイ
ントの温度条件下との３つの温度域測定モードに設定す
ることが出来るようになっている。このために、このＩ
Ｃハンドラにおける制御装置には、測定温度設定器３０
が設けられており、この測定温度設定器３０は、マニュ
アル操作によって設定すべき温度条件を任意に、または
段階的に設定することができるようになっている。そし
て、この測定温度設定器３０は制御回路３１に接続され
ており、測定温度設定器３０によって所定の温度条件が
設定された時には、この制御回路３１からの信号に基づ
いて、ヒータ２２の電源２２ａと、配管２４の流路切換
弁２７に入力されるようになっており、高温域測定モー
ドが選択されたときには、ヒータ２２のみが作動し、低
温域測定モードが選択されると、ボンベ２５から大流量
配管部２４ａを通って冷媒供給管２３に冷媒が大流量で
供給されるようになる。さらに、中間温度域測定モード
が選択されると、ヒータ２２が作動すると共に、ボンベ
２５からの冷媒が小流量配管部２４ｂを介して冷媒供給
管２３に供給されるようになっている。測定温度設定器
３０からの信号は、さらに制御部３１にも入力される。
そして、この制御回路３１には、デバイス熱処理レーン
１０及びデバイス挿脱機構部１１の垂直シュート１２に
設けた温度センサ３２からの温度検出信号が入力される
ようになっており、この温度検出信号は制御回路３１に
おいて、測定温度設定器３０で設定された温度と比較し
て、常に設定温度となるようにヒータ２２及び／または
電磁開閉弁２８のＯＮ，ＯＦＦ制御が行われるようにな
っている。
【００１５】本実施例の方式を実施するための装置構成
は以上の通りであるが、次にその作動について説明す
る。まず、測定温度設定器３０により低温域測定モード
が選択されて、例えばＩＣデバイスＤを−５５℃の低温
状態にして測定する場合には、まず流路切換弁２７によ
ってボンベ２５と冷媒供給管２３との間が配管２４の大
流量配管部２４ａを介して接続されて、大量の冷媒が冷
媒供給管２３に供給されると共に、クロスフローファン
２１が作動して、ダクト２０内に吸い込み口２０ａから
吹き出し口２０ｂ向けての空気流が形成されて、図１に
矢印で示したような冷気の循環流が形成される。これに
よって、恒温槽１の内部、特にＩＣデバイスＤが走行す
る垂直シュート１２及びデバイス熱処理レーン１０が冷
却される。そして、恒温槽１内が設定温度状態となる
と、それを温度センサ３２が検出して、この検出信号が
制御回路３１に入力され、以後はこの温度状態を一定に
保持するために、制御回路３１からの制御信号に基づい
て電磁開閉弁２８が適宜作動して、間欠的に冷媒が冷媒
供給管２３内に供給される。このようにして恒温槽１内
を−５５℃に保持した状態で、ＩＣデバイスＤをシュー
ト５から恒温槽１内のデバイス熱処理レーン１０に送り
込み、このデバイス熱処理レーン１０において所定時間
留めることにより、ＩＣデバイスＤを測定温度である−
５５℃となるように冷却して、デバイス挿脱機構部１１
の垂直シュート１２に送り込んで、ＩＣテスタ２のテス
トヘッド２ａに接続してその電気的特性の試験・測定が
行われる。
は以上の通りであるが、次にその作動について説明す
る。まず、測定温度設定器３０により低温域測定モード
が選択されて、例えばＩＣデバイスＤを−５５℃の低温
状態にして測定する場合には、まず流路切換弁２７によ
ってボンベ２５と冷媒供給管２３との間が配管２４の大
流量配管部２４ａを介して接続されて、大量の冷媒が冷
媒供給管２３に供給されると共に、クロスフローファン
２１が作動して、ダクト２０内に吸い込み口２０ａから
吹き出し口２０ｂ向けての空気流が形成されて、図１に
矢印で示したような冷気の循環流が形成される。これに
よって、恒温槽１の内部、特にＩＣデバイスＤが走行す
る垂直シュート１２及びデバイス熱処理レーン１０が冷
却される。そして、恒温槽１内が設定温度状態となる
と、それを温度センサ３２が検出して、この検出信号が
制御回路３１に入力され、以後はこの温度状態を一定に
保持するために、制御回路３１からの制御信号に基づい
て電磁開閉弁２８が適宜作動して、間欠的に冷媒が冷媒
供給管２３内に供給される。このようにして恒温槽１内
を−５５℃に保持した状態で、ＩＣデバイスＤをシュー
ト５から恒温槽１内のデバイス熱処理レーン１０に送り
込み、このデバイス熱処理レーン１０において所定時間
留めることにより、ＩＣデバイスＤを測定温度である−
５５℃となるように冷却して、デバイス挿脱機構部１１
の垂直シュート１２に送り込んで、ＩＣテスタ２のテス
トヘッド２ａに接続してその電気的特性の試験・測定が
行われる。
【００１６】次に、測定温度設定器３０によって、例え
ば＋１００℃の高温域測定モードが選択されると、この
信号に基づいてヒータ２２の電源２２ａがＯＮする。な
お、このときには、流路切換弁２７はボンベ２５と冷媒
供給管２３との間を遮断する状態に保持される。これに
よって、図示した３本のヒータ２２が同時に作動して、
恒温槽１内の温度を設定温度にまで上昇させる。この状
態で、ＩＣデバイスＤをデバイス熱処理レーン１０に送
り込んで、このデバイス熱処理レーン１０で加熱した後
に、ＩＣテスタ２のテストヘッド２ａに接続して電気的
特性の試験・測定が行われる。そして、このときにおけ
る恒温槽１内の温度状態は温度センサ３２により監視さ
れており、この温度センサ３２からの信号に基づいてヒ
ータ２２の作動を制御することによって、設定温度を維
持する。
ば＋１００℃の高温域測定モードが選択されると、この
信号に基づいてヒータ２２の電源２２ａがＯＮする。な
お、このときには、流路切換弁２７はボンベ２５と冷媒
供給管２３との間を遮断する状態に保持される。これに
よって、図示した３本のヒータ２２が同時に作動して、
恒温槽１内の温度を設定温度にまで上昇させる。この状
態で、ＩＣデバイスＤをデバイス熱処理レーン１０に送
り込んで、このデバイス熱処理レーン１０で加熱した後
に、ＩＣテスタ２のテストヘッド２ａに接続して電気的
特性の試験・測定が行われる。そして、このときにおけ
る恒温槽１内の温度状態は温度センサ３２により監視さ
れており、この温度センサ３２からの信号に基づいてヒ
ータ２２の作動を制御することによって、設定温度を維
持する。
【００１７】さらに、中間温度域測定モードが選択され
て、例えば＋２５℃に温度が設定された場合にあって
は、外気温度がこの設定温度より高い場合があり、また
低い場合、さらには設定温度とほぼ同じである場合もあ
る。しかしながら、中間温度域測定モードが選択された
ときに、外気温度とは無関係に温度制御が行われること
になる。即ち、まずヒータ２２を作動させて、恒温槽１
内を所定の温度まで上昇させる。これと同時に、または
恒温槽１内が所定の温度まで上昇した後に、冷媒供給管
２３に冷媒を供給して槽内温度を低下させる。ただし、
この場合には、ほぼ常温域であることから、設定温度と
の温度差が小さいので、ヒータ２２は３本あるうちの１
本のみを作動させ、また流路切換弁２７を作動させて、
ボンベ２５と冷媒供給管２３との間は小流路配管部２４
ｂを介する流路で冷媒を供給するようになし、しかも電
磁開閉弁２８によって、実際の槽内の温度状態に応じて
間欠的に冷媒を供給する。これによって、より微細に温
度制御が可能となる。
て、例えば＋２５℃に温度が設定された場合にあって
は、外気温度がこの設定温度より高い場合があり、また
低い場合、さらには設定温度とほぼ同じである場合もあ
る。しかしながら、中間温度域測定モードが選択された
ときに、外気温度とは無関係に温度制御が行われること
になる。即ち、まずヒータ２２を作動させて、恒温槽１
内を所定の温度まで上昇させる。これと同時に、または
恒温槽１内が所定の温度まで上昇した後に、冷媒供給管
２３に冷媒を供給して槽内温度を低下させる。ただし、
この場合には、ほぼ常温域であることから、設定温度と
の温度差が小さいので、ヒータ２２は３本あるうちの１
本のみを作動させ、また流路切換弁２７を作動させて、
ボンベ２５と冷媒供給管２３との間は小流路配管部２４
ｂを介する流路で冷媒を供給するようになし、しかも電
磁開閉弁２８によって、実際の槽内の温度状態に応じて
間欠的に冷媒を供給する。これによって、より微細に温
度制御が可能となる。
【００１８】而して、このように常温状態でＩＣデバイ
スＤの電気的特性の試験・測定を行う際に、測定温度を
厳格に管理することによって、ＩＣデバイスＤの電気的
特性をより正確に測定することができることになる。な
お、この中間温度域、及び低温域，高温域のいずれの温
度域においても、それぞれ１ポイントの温度だけでな
く、複数ポイントの温度状態で試験・測定することがで
きるのは、言うまでもない。
スＤの電気的特性の試験・測定を行う際に、測定温度を
厳格に管理することによって、ＩＣデバイスＤの電気的
特性をより正確に測定することができることになる。な
お、この中間温度域、及び低温域，高温域のいずれの温
度域においても、それぞれ１ポイントの温度だけでな
く、複数ポイントの温度状態で試験・測定することがで
きるのは、言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ヒータ
を作動させて、ＩＣデバイスを高温状態にして試験・測
定を行う高温域測定モードと、冷媒供給手段から冷媒を
供給することによって、低温状態で試験・測定を行う低
温域測定モードとの他に、冷媒供給手段から冷媒を供給
することによって、高温域と低温域との中間における所
定の温度域でＩＣデバイスの測定を行う中間温度域測定
モードでＩＣデバイスの試験・測定を行うことができる
ようにしたので、従来常温ハンドラとして温度条件を無
視して雰囲気温度状態で試験・測定していたのに対し
て、常温域においても、正確に温度管理を行うことがで
き、ＩＣデバイスの試験・測定精度がより向上する。
を作動させて、ＩＣデバイスを高温状態にして試験・測
定を行う高温域測定モードと、冷媒供給手段から冷媒を
供給することによって、低温状態で試験・測定を行う低
温域測定モードとの他に、冷媒供給手段から冷媒を供給
することによって、高温域と低温域との中間における所
定の温度域でＩＣデバイスの測定を行う中間温度域測定
モードでＩＣデバイスの試験・測定を行うことができる
ようにしたので、従来常温ハンドラとして温度条件を無
視して雰囲気温度状態で試験・測定していたのに対し
て、常温域においても、正確に温度管理を行うことがで
き、ＩＣデバイスの試験・測定精度がより向上する。
【図１】本発明の一実施例を示す恒温槽の断面図であ
る。
る。
【図２】図１の恒温槽の全体構成図である。
１ 恒温槽
１０ デバイス熱処理レーン
１１ デバイス挿脱機構部
２０ ダクト
２１ クロスフローファン
２２ ヒータ
２３ 冷媒供給管
２４ 配管
２４ａ 大流量配管部
２４ｂ 小流量配管部
２５ ボンベ
３０ 測定温度設定器
３１ 制御回路
３２ 温度センサ
Claims (2)
- 【請求項１】 内部にＩＣデバイスを所定の温度状態と
するための熱処理レーンと、ＩＣテスタのテストヘッド
にＩＣデバイスを接離させる機構とを装着した恒温槽
に、この恒温槽内を加熱するためのヒータと、冷却用の
冷媒供給手段と、循環流を形成するためのファンとを設
け、前記ヒータにより恒温槽内を加熱することによっ
て、前記ＩＣデバイスを所定の高温状態にしてその測定
を行う高温域測定モードと、前記冷媒供給手段から冷媒
を供給することによって、前記ＩＣデバイスを所定の低
温状態にしてその測定を行う低温域測定モードと、前記
ヒータを作動させると共に、前記冷媒供給手段から冷媒
を供給することによって、前記高温域と低温域との中間
における所定の温度域でＩＣデバイスの測定を行う中間
温度域測定モードとの間に切換可能としたことを特徴と
するＩＣハンドラの温度制御方式。 - 【請求項２】 前記中間温度域測定モードでは、前記ヒ
ータを作動させることによって、外気温度以上に上昇さ
せた状態で、前記冷媒供給手段から供給される冷媒によ
って設定温度に調整するようにしたことを特徴とする請
求項１記載のＩＣハンドラの温度制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212972A JP2757609B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Ｉｃハンドラの温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212972A JP2757609B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Ｉｃハンドラの温度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534405A true JPH0534405A (ja) | 1993-02-09 |
| JP2757609B2 JP2757609B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16631351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212972A Expired - Lifetime JP2757609B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Ｉｃハンドラの温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757609B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207272B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-12-08 | Samsung Eletronics Co., Ltd. | Test handler that rapidly transforms temperature and method of testing semiconductor device using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60252276A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 回路部品の測定装置 |
| JPS6211244A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-20 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 恒温槽の循環装置 |
| JPH01180674U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-26 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3212972A patent/JP2757609B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60252276A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 回路部品の測定装置 |
| JPS6211244A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-20 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 恒温槽の循環装置 |
| JPH01180674U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207272B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-12-08 | Samsung Eletronics Co., Ltd. | Test handler that rapidly transforms temperature and method of testing semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2757609B2 (ja) | 1998-05-25 |
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