JPH05342576A - Production and apparatus for production of high-density magnetic recording medium - Google Patents

Production and apparatus for production of high-density magnetic recording medium

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JPH05342576A
JPH05342576A JP15374992A JP15374992A JPH05342576A JP H05342576 A JPH05342576 A JP H05342576A JP 15374992 A JP15374992 A JP 15374992A JP 15374992 A JP15374992 A JP 15374992A JP H05342576 A JPH05342576 A JP H05342576A
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JP
Japan
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thin film
holder
substrate
substrates
disk
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Application number
JP15374992A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Suzuki
博之 鈴木
Katsuo Abe
勝男 阿部
Yoshinori Honda
好範 本田
Takayuki Kishikawa
隆之 岸川
Atsusuke Takagaki
篤補 高垣
Keigo Iechika
啓吾 家近
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable the formation of thin films on base bodies of plural sizes and to increase the output of the magnetic recording medium by providing the existing sheet static confronting type thin film forming device with a holder which can form the thin films not only on the base bodies to be originally handled by the device but also on the base bodies smaller than these base bodies as well. CONSTITUTION:The holder 10 to be used for the sheet static confronting type thin film forming device is constituted of a disk 11 having the same size as the size of the disk substrates to be ordinarily handled and is constituted of the disk 11 having the same size as the size of the sizes of the plural substrates existing on the periphery. The disk is provided with plural substrate holding holes 12 existing on the periphery and a shaft holding hole 13 existing at the center. The holder is constituted in such a manner and the ordinary substrates are inserted into the holding holes 12. The thin films are then formed on the surfaces of these substrates. The separately prepd. holder of a smaller size is used if the size of the substrate to be inserted into the holding holes 12 is smaller than the size of the ordinary substrates. The holding holes 12 are provided with radial parts 15 corresponding to the substrates of the ordinary size and radial parts 14 for reducing the radius so as to deal with the substrates of the small size in order to make the holes 12 adaptable even to the substrates of the small size. The mounting of even the substrates having the different diameters is thus possible.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、高密度磁気記録媒体
の製造方法および製造装置にかかわり、さらに詳しく
は、コンピュータにおける記憶装置として使用される磁
気ディスク装置における、磁気記録層が薄膜からなる磁
気ディスクにたしいて好適な製造方法および製造装置に
関している。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a high-density magnetic recording medium, and more particularly to a magnetic disk device used as a storage device in a computer, in which a magnetic recording layer is a thin magnetic film. The present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus suitable for a disc.

【0002】[0002]

【従来の技術】高密度の磁気記録媒体、たとえば、磁気
ディスク装置におけるスパッタディスクの成膜は、従
来、パレットに複数枚の非磁性材からなるディスク基板
を組み込み、搬送型インライン成膜装置を用いておこな
われている。しかし、搬送型インライン成膜装置によっ
て得られるディスクは、搬送異方性に起因すると考えら
れる円板基体周方向の保持力の変動を生じ、磁気ディス
ク装置として組み上げたときに、ヘッド出力の変動をと
もなうため、ディスクの直径を小さくし、高密度磁気記
録を可能とするダウンサイジングが主流となりつつある
磁気ディスク装置にたいする成膜装置として限界があ
る。
2. Description of the Related Art Hitherto, a high-density magnetic recording medium, for example, a sputter disk in a magnetic disk apparatus, is formed by using a carrier type in-line film forming apparatus in which a disk substrate made of a plurality of non-magnetic materials is incorporated in a pallet. Has been done. However, the disk obtained by the transfer type in-line film forming apparatus causes a fluctuation in the holding force in the circumferential direction of the disk substrate, which is considered to be caused by the transfer anisotropy, and causes a fluctuation in the head output when assembled as a magnetic disk apparatus. Therefore, there is a limit as a film forming apparatus for a magnetic disk apparatus, which is becoming the mainstream in downsizing that enables a high density magnetic recording by reducing the diameter of the disk.

【0003】ディスク基板ごとにカセットから一枚づつ
仕込み、成膜をおこなう枚葉対向静止型薄膜形成装置は
このような問題のない成膜をおこなえる。この成膜装置
は、たとえば特公平3−45455号公報に記載されて
いるように、主チャンバと、主チャンバの上部に配置さ
れた入口ロードロックおよび出口ロードロックと、これ
らのロードロックのあいだに位置して主チャンバの上部
に配置された複数の処理ステーションと、ロードロック
および処理ステーションの各々に配置され、基体を主チ
ャンバから処理ステーションおよびロードロックの内部
に上昇させると共に、ロードロックおよび処理ステーシ
ョンから主チャンバ内部に基体を下降させる垂直搬送機
構と、主チャンバ内部においてこれらの垂直搬送機構の
あいだの基体の搬送をおこなう水平搬送機構とを具備し
ている。磁気ディスク装置のディスク基板などの基体が
外部から入口ロードロックの内部に装填されると、垂直
搬送機構が基体を主チャンバ内部に下降させかつ主チャ
ンバ内部にある水平搬送機構にわたし、水平搬送機構が
処理ステーションの各々の下部にある垂直搬送機構に順
次に水平搬送し、これらの垂直搬送機構が処理ステーシ
ョンの各々に上昇させ、処理のあいだ保持したあと下降
させ、最後の処理ステーションの垂直搬送機構が処理の
おわった基体を水平搬送機構にわたすと、水平搬送機構
が出口ロードロックの下部にある垂直搬送機構に基体を
搬送し、この垂直搬送機構が基体を出口ロードロック内
部に上昇させ、このロードロックを通じて基体を外部に
搬出している。
A single-wafer-facing static thin film forming apparatus, in which each disk substrate is loaded from a cassette one by one to perform film formation, can perform film formation without such a problem. This film forming apparatus includes a main chamber, an inlet load lock and an outlet load lock arranged above the main chamber, and a load lock between these main locks, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 3-45455. A plurality of processing stations located above the main chamber and located in each of the load lock and processing station to raise the substrate from the main chamber into the processing station and into the load lock, as well as the load lock and processing station. A vertical transfer mechanism for lowering the substrate into the main chamber and a horizontal transfer mechanism for transferring the substrate between these vertical transfer mechanisms inside the main chamber. When a substrate such as a disk substrate of a magnetic disk device is loaded into the entrance load lock from the outside, the vertical transport mechanism lowers the substrate into the main chamber and transfers it to the horizontal transport mechanism inside the main chamber. Vertically conveys to the vertical transfer mechanism at the bottom of each processing station, and these vertical transfer mechanisms raise to each of the processing stations, hold during processing and then lower, and then the vertical transfer mechanism of the last processing station. When the processed substrate is passed to the horizontal transport mechanism, the horizontal transport mechanism transports the substrate to the vertical transport mechanism below the exit load lock, and this vertical transport mechanism raises the substrate into the exit load lock, The substrate is carried out through the load lock.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、枚葉対
向静止型薄膜形成装置は、成膜することができる基体の
サイズが装置ごとに特定されているため、つまり専用化
されており、サイズごとに装置を必要とするため、前述
のニーズに応じて装置の新設あるいは増設を必要とす
る。さらに、薄膜形成は、基体をひとつづつロードロッ
クおよび処理ステーションの各々に搬送しながらおこな
っているため、成膜に時間がかかり、生産量に限界があ
る。
However, in the single-wafer-facing stationary type thin film forming apparatus, the size of the substrate on which the film can be formed is specified for each apparatus, that is, it is dedicated, and the size of each substrate is different. Since a device is required, new installation or expansion of the device is required according to the above-mentioned needs. Further, since the thin film is formed while transporting the substrates one by one to each of the load lock and the processing station, it takes a long time to form the film and the production amount is limited.

【0005】本発明の目的は、このような枚葉静止対向
型薄膜形成装置において、ディスク基板のような基体に
たいする薄膜形成を複数サイズにわたっておこなえ、し
かも単位時間あたりの生産量を増大させることができる
ようにすることにある。
An object of the present invention is to enable thin film formation on a substrate such as a disk substrate over a plurality of sizes in such a single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, and to increase the production amount per unit time. To do so.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法は、基体を
一枚ずつ搬送しつつ薄膜からなる磁気記録層を各々の基
体に形成する枚葉静止対向型薄膜形成装置をもちいて高
密度磁気記録媒体を製造する方法であって、前記基体に
関連するサイズをもち、薄膜形成領域を露出させてより
小さなサイズをもつ複数の基体を保持する機構をもつホ
ルダを準備し、このホルダの保持機構の各々に小サイズ
の基体を装着し、枚葉静止対向型薄膜形成装置にこれが
通常あつかう基体にかわって前記ホルダを投入し、ホル
ダ上の小サイズの基体に薄膜を形成させていることを特
徴としている。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a high-density magnetic recording medium according to the present invention comprises forming a thin film magnetic recording layer on each substrate while transporting the substrates one by one. A method of manufacturing a high-density magnetic recording medium by using a single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, wherein a plurality of substrates having a size related to the substrate and exposing a thin film forming region are formed. Prepare a holder with a holding mechanism, attach a small-sized substrate to each of the holding mechanisms of this holder, put the holder in place of the substrate normally handled by the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, and place it on the holder. Is characterized in that a thin film is formed on the small-sized substrate.

【0007】また、本発明の高密度磁気記録媒体の製造
装置は、基体を一枚ずつ搬送しつつ薄膜からなる磁気記
録層を各々の基体に形成する枚葉静止対向型薄膜形成装
置と、この薄膜形成装置において取り扱われる基体に関
連するサイズおよび形状をもち、薄膜形成領域を露出さ
せてより小さなサイズからなる複数の基体を保持する機
構を設けられているホルダとからなることを特徴として
いる。
The high-density magnetic recording medium manufacturing apparatus of the present invention comprises a sheet-fed stationary opposed thin film forming apparatus for forming a magnetic recording layer made of a thin film on each substrate while transporting the substrates one by one. The thin film forming apparatus is characterized by comprising a holder having a size and a shape related to a substrate to be handled and having a mechanism for exposing a thin film forming region and holding a plurality of substrates having a smaller size.

【0008】[0008]

【作用】成膜は、小サイズの基体をホルダにある保持機
構に装着し、ホルダを枚葉静止対向型薄膜形成装置に投
入することによってなされる。ホルダは枚葉静止対向型
薄膜形成装置が本来あつかう基体と同一のサイズおよび
形態をもっているため、枚葉静止対向型薄膜形成装置は
基体と同様にホルダ上の小サイズ基体における露出され
た面に成膜をおこなう。
The film formation is carried out by mounting a small-sized substrate on the holding mechanism in the holder and inserting the holder into the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus. Since the holder has the same size and shape as the substrate that the single-wafer stationary opposed thin-film forming apparatus originally handles, the single-wafer stationary opposed thin-film forming apparatus is formed on the exposed surface of the small-sized substrate on the holder like the substrate. Do the membrane.

【0009】枚葉静止対向型薄膜形成装置が本来あつか
う基体が磁気ディスク装置のディスクからなる場合、ホ
ルダの保持機構はディスク基板における磁性記録層を形
成される面を露出させかつディスク基板の周縁を保持す
る溝を内周面にもつ円形の孔として構成される。枚葉静
止対向型薄膜形成装置がたとえば5.25インチのディ
スク基板をあつかい、ホルダが5.25インチの直径を
もつものからなっていると、直径1インチのディスク基
板にたいする八個の保持孔をひとつのホルダに設けるこ
とができ、また、枚葉静止対向型薄膜形成装置が6.5
インチのディスク基板をあつかい、ホルダの直径が6.
5インチであると、1.8インチのディスク基板にたい
する六個の保持孔を、あるいは、2.5インチのディス
ク基板にたいする四個の保持孔をひとつのホルダに設け
ることができる。このため、枚葉静止対向型薄膜形成装
置における生産量が少なくとも四倍になる。なお、枚葉
静止対向型薄膜形成装置は特開平3−45455号公報
に記載された装置を用いることが好ましいが、他の構成
をもつ同様な装置であってもよい。
When the substrate that is originally used by the single-wafer stationary thin film forming apparatus is a disk of a magnetic disk device, the holder holding mechanism exposes the surface of the disk substrate on which the magnetic recording layer is formed and exposes the periphery of the disk substrate. It is configured as a circular hole having a groove for holding on the inner peripheral surface. If the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus handles a 5.25-inch disk substrate and the holder has a diameter of 5.25 inches, eight holding holes for a 1-inch diameter disk substrate are formed. It can be installed in one holder, and a single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus can be used in 6.5.
Handles an inch-sized disk substrate and the holder has a diameter of 6.
With 5 inches, one holder can be provided with six holding holes for a 1.8-inch disk substrate or four holding holes for a 2.5-inch disk substrate. Therefore, the production amount in the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus is at least four times as large. It is preferable to use the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 3-45455 as the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, but a similar apparatus having another configuration may be used.

【0010】[0010]

【実施例】本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法およ
び製造装置の実施例は、以下に、図面を参照して説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of a method and an apparatus for manufacturing a high density magnetic recording medium of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】以下の説明において磁気記録媒体はコンピ
ュータの記憶装置として用いられる磁気ディスク装置の
ディスクである。本発明による高密度磁気記録媒体の製
造方法は、枚葉静止対向型薄膜形成装置が本来あつかう
基体に関連するサイズ、この場合、ディスク基板に関連
するサイズをもつと共に、この本来のサイズのディスク
基板よりも小さなサイズをもつ複数のディスク基板が薄
膜形成領域を露出させて保持される機構をもつホルダを
準備し、このホルダの保持機構の各々に小サイズのディ
スク基板を装着し、このホルダにかわって枚葉静止対向
型薄膜形成装置に投入し、各々の小サイズのディスク基
板に薄膜を形成させている。
In the following description, the magnetic recording medium is a disk of a magnetic disk device used as a storage device of a computer. A method of manufacturing a high density magnetic recording medium according to the present invention has a size related to a substrate which is originally used by a single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, in this case, a size related to a disk substrate, and a disk substrate of this original size. Prepare a holder that has a mechanism to hold multiple disk substrates of a smaller size by exposing the thin film formation area, attach a small-sized disk substrate to each of the holding mechanisms of this holder, and replace it with this holder. It is put into a single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus to form a thin film on each small size disk substrate.

【0012】図1はこの枚葉静止対向型薄膜形成装置に
おいて用いられるホルダを示している。ホルダ10は、
枚葉静止対向型薄膜形成装置において取り扱われるディ
スク基板と同じ直径に関連するサイズをもつ円板11か
らなっていると共に、この通常サイズのディスク基板よ
りも小さなサイズをもつ複数の小サイズのディスク基板
wが薄膜からなる磁気記録層を形成される領域を外部に
露出させて保持する孔12を具備している。
FIG. 1 shows a holder used in this single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus. The holder 10 is
A plurality of small-sized disk substrates each having a disk 11 having the same diameter and related size as the disk substrate handled in the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus and having a size smaller than the normal-sized disk substrate. A hole 12 is provided to expose and hold a region where w is a thin-film magnetic recording layer to the outside.

【0013】ホルダ10は、前述の枚葉静止対向型薄膜
形成装置がたとえば6.5インチのディスク基板をあつ
かうように構成されている場合、直径6.5インチの大
きさをもつ円板11からなっていると共に、枚葉静止対
向型薄膜形成装置のカセットにあるシャフトにホルダを
装着するための孔、たとえば内径40mmの孔13がこ
の円板の中心に設けられている。
The holder 10 includes a disk 11 having a diameter of 6.5 inches when the above-mentioned single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus is configured to handle a 6.5-inch disk substrate, for example. In addition, a hole for mounting the holder on the shaft of the cassette of the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, for example, a hole 13 having an inner diameter of 40 mm is provided at the center of the disc.

【0014】保持孔12は、ホルダを構成している円板
11の周縁と中心孔13とのあいだに形成される領域に
設けられている。ホルダに装着されるディスク基板wが
たとえば1.8インチの直径をもつディスク基板である
場合には、六個の保持孔12が円板11における外周と
内周とのあいだにはさまれた領域に、円板11の中心に
関して60゜の角度間隔でもって設けられている。各々
の保持孔12は、図2によく示されているように、ディ
スク基板wの半径に関連する部分14と前記半径よりも
大きな半径をもつ部分15とからなっている。これらの
保持孔12の内周面は、図3に示すように、断面がほぼ
v字形をなしている。このv字形部分の先端には、図4
に示すように、ディスク基板wの周縁の断面形状に関連
する形態の17が形成されている。このホルダにたいす
るディスク基板wの装着は、ディスク基板wを保持孔1
2の内部に配置し、保持孔における部分14にある溝1
6にディスク基板wの周縁をはめ込むことによってなさ
れている。ディスク基板wが保持孔に装着されると、デ
ィスク基板wは周縁の一部が保持孔の部分13にある溝
16に保持されている領域を残して、表面を露出された
状態にてホルダ10に保持される。
The holding hole 12 is provided in a region formed between the peripheral edge of the disk 11 forming the holder and the central hole 13. When the disk substrate w mounted on the holder is, for example, a disk substrate having a diameter of 1.8 inches, the six holding holes 12 are regions sandwiched between the outer circumference and the inner circumference of the disc 11. In addition, they are provided at an angle of 60 ° with respect to the center of the disk 11. Each holding hole 12 is composed of a portion 14 associated with the radius of the disk substrate w and a portion 15 having a radius larger than the radius, as best shown in FIG. The inner peripheral surfaces of these holding holes 12 have a substantially v-shaped cross section, as shown in FIG. At the tip of this v-shaped portion, as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, a shape 17 related to the cross-sectional shape of the peripheral edge of the disk substrate w is formed. When mounting the disc substrate w on this holder, the disc substrate w is held in the holding hole 1
The groove 1 located inside the 2 and in the part 14 in the holding hole
6 by fitting the peripheral edge of the disk substrate w. When the disc substrate w is mounted in the holding hole, the holder 10 is exposed in a state where the surface of the disc substrate w is exposed, leaving a region where a part of the peripheral edge is held in the groove 16 in the portion 13 of the holding hole. Held in.

【0015】図5および図6は枚葉静止対向型薄膜形成
装置を示している。この薄膜形成装置20は、特公平3
−45455号公報に記載されているように、6.5イ
ンチのディスク基板wを装填するための標準カセットc
を搬送するコンベア21、主チャンバ22、入口ロード
ロック23、出口ロードロック24、複数の処理ステー
ション25〜28、標準カセットcにたいしてディスク
基板wを出し入れする垂直搬送機構29、各々のロード
ロックおよび各々の処理ステーションにディスク基板w
を出し入れする垂直搬送機構31〜36、入口ロードロ
ックとこれと一列にならんでいる処理ステーションにた
いする垂直搬送機構のあいだのディスク基板wの搬送を
おこなう水平搬送機構37、出口ロードロック24とこ
れと一列にならんでいる処理ステーションにたいする垂
直搬送機構のあいだのディスク基板wの搬送をおこなう
水平搬送機構38、それに、垂直搬送機構のあいだのデ
ィスク基板wの搬送をおこなう回転搬送機構39を具備
している。
FIGS. 5 and 6 show a sheet-fed stationary opposed thin film forming apparatus. This thin film forming apparatus 20 is
-45455, a standard cassette c for loading a 6.5-inch disk substrate w.
A main chamber 22, an entrance load lock 23, an exit load lock 24, a plurality of processing stations 25 to 28, a vertical transfer mechanism 29 for loading and unloading a disk substrate w to and from a standard cassette c, each load lock and each. Disk substrate w at processing station
Vertical transport mechanisms 31 to 36 for loading and unloading, a horizontal transport mechanism 37 for transporting the disk substrate w between the inlet load lock and the vertical transport mechanism for the processing station in line with this, the exit load lock 24 and one line for this. It is equipped with a horizontal transport mechanism 38 for transporting the disk substrate w between the vertical transport mechanisms and a rotary transport mechanism 39 for transporting the disk substrate w between the vertical transport mechanisms to the processing station.

【0016】コンベア21は、たとえばチェーンコンベ
アからなっていて、主チャンバ22の一端に配置され、
カセットcをこれに装填されたディスク基板wの間隔に
対応する間欠移動している。垂直搬送機構29は、コン
ベア21の下部に配置され、間欠停止されたコンベア2
1にあるカセットcから入口ロードロック23に関連す
る位置までディスク基板wを上昇させている。垂直搬送
機構30も、コンベア21の下部に配置され、出口ロッ
クに関連する位置からコンベア21上のカセットcにデ
ィスク基板wを下降させている。垂直搬送機構自体はデ
ィスク基板wを保持するサポート41およびこれを昇降
させる空気圧シリンダなどの昇降器42をもつもので、
ホルダ10における溝16とおなじ溝がサポートに設け
られている。
The conveyor 21 comprises, for example, a chain conveyor and is arranged at one end of the main chamber 22.
The cassette c is intermittently moved corresponding to the interval between the disk substrates w loaded therein. The vertical transport mechanism 29 is arranged below the conveyor 21 and is intermittently stopped.
The disk substrate w is raised from the cassette c located at 1 to the position related to the entrance load lock 23. The vertical transfer mechanism 30 is also arranged under the conveyor 21 and lowers the disk substrate w from the position related to the exit lock to the cassette c on the conveyor 21. The vertical transfer mechanism itself has a support 41 for holding the disk substrate w and an elevator 42 such as a pneumatic cylinder for raising and lowering it.
The same groove as the groove 16 in the holder 10 is provided in the support.

【0017】主チャンバ22はたとえば直方体の形態を
もつ真空容器からなっている。入口ロードロック23は
主チャンバ22の一端に位置してこれの上部に配置さ
れ、出口ロードロック24は入口ロードロック23と対
面して主チャンバ22の上部に配置されている。入口ロ
ードロック23は主チャンバ22に固定された部材およ
びこの部材と密閉空間を形成する位置およびコンベア2
1にあるカセットcの上部の位置とのあいだを回転する
部材43からなっている。出口ロードロック24も、主
チャンバ22に固定された部材およびこの部材と密閉空
間を形成する位置およびコンベア21にあるもうひとつ
のカセットcの上部の位置のあいだを回転する部材44
からなっている。垂直搬送機構31は入口ロードロック
23の下部に位置して主チャンバ22の内部に組み込ま
れ、入口ロードロック23から主チャンバ22の内部に
ディスク基板wを下降させている。垂直搬送機構32は
出口ロードロック24の下部に位置して主チャンバ22
の内部に組み込まれ、主チャンバ22の内部から入口ロ
ードロック23にディスク基板wを上昇させている。こ
れらの垂直搬送機構は、コンベア21にたいする垂直搬
送機構29、30と同様に、ディスク基板wを保持する
サポートおよびサポートを移動させる昇降器を具備して
いる。
The main chamber 22 comprises a vacuum container having a rectangular parallelepiped shape, for example. The inlet load lock 23 is located at one end of the main chamber 22 and is arranged above it, and the outlet load lock 24 is arranged above the main chamber 22 so as to face the inlet load lock 23. The inlet load lock 23 is a member fixed to the main chamber 22, a position forming an enclosed space with this member, and the conveyor 2
It is composed of a member 43 which rotates between itself and the upper position of the cassette c in FIG. The outlet load lock 24 also rotates between a member fixed to the main chamber 22 and a position forming a closed space with this member and a position above another cassette c on the conveyor 21.
It consists of The vertical transfer mechanism 31 is located under the entrance load lock 23 and is incorporated in the main chamber 22 to lower the disk substrate w from the entrance load lock 23 into the main chamber 22. The vertical transport mechanism 32 is located below the exit load lock 24 and is located in the main chamber 22.
The disk substrate w is lifted from the inside of the main chamber 22 to the entrance load lock 23. Similar to the vertical transfer mechanisms 29 and 30 for the conveyor 21, these vertical transfer mechanisms are provided with a support for holding the disk substrate w and an elevator for moving the support.

【0018】処理ステーション25、26は入口ロード
ロック23と一列に、処理ステーション27、28は出
口ロードロック24と一列に主チャンバ22の上部に配
置されている。垂直搬送機構33〜36は各々の処理ス
テーション25〜28の下部に位置して主チャンバ22
の内部に組み込まれ、これらの処理ステーションと主チ
ャンバ22の内部とのあいだの昇降をディスク基板wに
なさせている。これらの垂直搬送機構も、垂直搬送機構
29〜32と同様に、ディスク基板wを保持するサポー
トおよびサポートを移動させる昇降器を具備している。
The processing stations 25, 26 are arranged in line with the inlet load lock 23, and the processing stations 27, 28 are arranged in line with the outlet load lock 24 above the main chamber 22. The vertical transfer mechanisms 33 to 36 are located under the respective processing stations 25 to 28 and are located in the main chamber 22.
The disk substrate w is raised and lowered between these processing stations and the inside of the main chamber 22. Similar to the vertical transfer mechanisms 29 to 32, these vertical transfer mechanisms also include a support for holding the disk substrate w and an elevator for moving the support.

【0019】水平搬送機構37は、入口ロードロック2
3の垂直搬送機構31から隣接する処理ステーション2
6の垂直搬送機構33へのディスク基板wの搬送、処理
ステーション26の垂直搬送機構33と処理ステーショ
ン27の垂直搬送機構34とのあいだのディスク基板w
の搬送、それに、処理ステーション27の垂直搬送機構
34と回転搬送機構39とのあいだのディスク基板wの
搬送をおこなうためのもので、主チャンバ22の内部に
組み込まれている。もうひとつの水平搬送機構38は、
回転搬送機構39と処理ステーション28の垂直搬送機
構35とのあいだのディスク基板wの搬送、処理ステー
ション28の垂直搬送機構35と処理ステーション27
の垂直搬送機構36とのあいだのディスクの搬送、それ
に、処理ステーション27の垂直搬送機構36と出口ロ
ードロック24の垂直搬送機構32とのあいだのディス
ク基板wの搬送をおこなうもので、主チャンバ22の内
部に組み込まれている。搬送は、水平搬送機構38につ
いて説明すると、ロッド47を垂直搬送機構のサポート
に接近させて、ロッド47にあるピンにディスク基板を
のせ、クランクアーム45、46によってロッド47に
上昇、水平移動および下降をなさせて、隣接する垂直搬
送機構のサポートにディスク基板をわたしたあと、ロッ
ド47をこのサポートから離すことによってなされてい
る。水平搬送機構37における水平搬送も同様にしてな
されている。回転搬送機構39は、水平搬送機構37か
ら水平搬送機構28にディスク基板wを一枚づつ搬送す
るためのもので、これらの水平搬送機構の端部のあいだ
に位置して主チャンバ22の内部に組み込まれている。
搬送は、軸48を中心にして、ディスク基板を保持する
サポート51、52を回転させ、サポートを順次に水平
搬送機構37、28の各々の端部に移動させることによ
ってなされている。
The horizontal transfer mechanism 37 includes the entrance load lock 2
Vertical processing mechanism 3 from 3 to adjacent processing station 2
6, the disk substrate w is transferred to the vertical transfer mechanism 33, and the disk substrate w is provided between the vertical transfer mechanism 33 of the processing station 26 and the vertical transfer mechanism 34 of the processing station 27.
For carrying the disk substrate w between the vertical carrying mechanism 34 and the rotary carrying mechanism 39 of the processing station 27, and is incorporated in the main chamber 22. The other horizontal transport mechanism 38 is
Transfer of the disk substrate w between the rotary transfer mechanism 39 and the vertical transfer mechanism 35 of the processing station 28, the vertical transfer mechanism 35 of the processing station 28, and the processing station 27.
Of the disk substrate w between the vertical transfer mechanism 36 of the processing station 27 and the vertical transfer mechanism 32 of the exit load lock 24, and the main chamber 22. Built into the. Regarding the conveyance, the horizontal conveyance mechanism 38 will be described. The rod 47 is brought closer to the support of the vertical conveyance mechanism, the disk substrate is placed on the pin of the rod 47, and the crank arms 45 and 46 move the rod 47 upward, horizontally, and downward. After the disk substrate is placed on the support of the adjacent vertical transport mechanism, the rod 47 is separated from the support. Horizontal transportation in the horizontal transportation mechanism 37 is performed in the same manner. The rotary transport mechanism 39 is for transporting the disk substrates w one by one from the horizontal transport mechanism 37 to the horizontal transport mechanism 28. The rotary transport mechanism 39 is located between the end portions of these horizontal transport mechanisms and is located inside the main chamber 22. It has been incorporated.
The transportation is performed by rotating supports 51 and 52 for holding the disk substrate around the shaft 48 and sequentially moving the supports to the respective ends of the horizontal transport mechanisms 37 and 28.

【0020】この枚葉静止対向型薄膜形成装置では、コ
ンベア21がカセットcにある未処理のディスク基板w
の間隔ごとに、カセットcを間欠移動させる。カセット
cがとまるごとに、入口ロードロック23の部材43が
コンベア21に載せられたカセットcの上に回転し、垂
直搬送機構29がカセット内のディスク基板wを部材4
3に上昇させ、部材43がこのディスク基板wを保持す
る。垂直搬送機構31は、部材43が閉じと、ディスク
基板wを保持し、真空チャンバ22の内部に下降する。
下降すると、水平搬送機構37が作動し、ロッド47が
ディスク基板wを隣接する処理ステーション25の垂直
搬送機構33に搬送する。搬送がなされると、垂直搬送
機構33のサポートが上昇し、処理ステーション25の
内部にディスク基板wを装填する。処理がおわると、垂
直搬送機構33がディスク基板を下降させ、水平搬送機
構37がつぎの処理ステーション26の垂直搬送機構3
8にディスク基板wを搬送する。この処理ステーション
における処理がおわるごとに、水平搬送機構38が回転
搬送機構39のサポートにディスク基板wを搬送し、回
転搬送機構39がディスク基板wをもうひとつの水平搬
送機構38に移動させる。水平搬送機構38は垂直搬送
機構35および垂直搬送機構36に順次にディスク基板
wを搬送し、垂直搬送機構35、36がそれぞれ関係す
る処理ステーション27、28に順次にディスク基板w
の出し入れをおこなう。処理ステーション28における
処理がおわると、水平搬送機構38はディスク基板wを
出口ロードロック24の垂直搬送機構32に搬送し、垂
直搬送機構32がディスク基板wを出口ロードロック2
4の内部に上昇させ、部材44がディスク基板Wを保持
する。保持すると、部材44はコンベア21の上に回転
する。このときまでに、最後のディスク基板がカセット
cから送り出され、空の状態にて出口ロードロック24
に関連する位置までコンベア21によって搬送されてい
る。部材44が空のカセット上に位置すると、コンベア
21の下部にあるもうひとつの垂直搬送機構30が部材
44からディスク基板wを支持しかつ下降し、処理のお
わったディスク基板を空のカセットc’に装填する。カ
セットcからの最初の処理ステーション33へのディス
ク基板の搬送、処理ステーション間のディスク基板の搬
送、水平搬送機構間のディスク基板の搬送、それに、最
後の処理ステーション36からカセットc’へのディス
ク基板の搬送は同じ作業時間でなされ、ディスク基板は
一枚づつつぎつぎと処理される。
In this single-wafer stationary opposed type thin film forming apparatus, the conveyor 21 has an unprocessed disk substrate w in the cassette c.
The cassette c is intermittently moved at every interval. Every time the cassette c stops, the member 43 of the entrance load lock 23 rotates on the cassette c placed on the conveyor 21, and the vertical transport mechanism 29 moves the disk substrate w in the cassette to the member 4
3 and the member 43 holds the disc substrate w. When the member 43 is closed, the vertical transport mechanism 31 holds the disk substrate w and descends into the vacuum chamber 22.
When it descends, the horizontal transfer mechanism 37 operates and the rod 47 transfers the disk substrate w to the vertical transfer mechanism 33 of the adjacent processing station 25. When the transfer is performed, the support of the vertical transfer mechanism 33 rises, and the disk substrate w is loaded inside the processing station 25. When the processing is over, the vertical transfer mechanism 33 lowers the disk substrate, and the horizontal transfer mechanism 37 moves the vertical transfer mechanism 3 of the next processing station 26.
The disk substrate w is transported to 8. Each time the processing in this processing station is completed, the horizontal transfer mechanism 38 transfers the disk substrate w to the support of the rotary transfer mechanism 39, and the rotary transfer mechanism 39 moves the disk substrate w to another horizontal transfer mechanism 38. The horizontal transport mechanism 38 sequentially transports the disk substrate w to the vertical transport mechanism 35 and the vertical transport mechanism 36, and sequentially transports the disk substrate w to the processing stations 27 and 28 related to the vertical transport mechanisms 35 and 36, respectively.
Take in and out. When the processing in the processing station 28 is over, the horizontal transfer mechanism 38 transfers the disk substrate w to the vertical transfer mechanism 32 of the exit load lock 24, and the vertical transfer mechanism 32 transfers the disk substrate w to the exit load lock 2.
4, the member 44 holds the disk substrate W. When held, the member 44 rotates on the conveyor 21. By this time, the last disk substrate has been sent out from the cassette c, and the exit load lock 24 in the empty state.
Is conveyed by the conveyor 21 to a position related to. When the member 44 is located on the empty cassette, another vertical transport mechanism 30 at the bottom of the conveyor 21 supports and lowers the disk substrate w from the member 44, so that the processed disk substrate is empty cassette c ′. To load. Transfer of the disk substrate from the cassette c to the first processing station 33, transfer of the disk substrate between the processing stations, transfer of the disk substrate between the horizontal transfer mechanisms, and transfer of the disk substrate from the final processing station 36 to the cassette c ′. Are carried out in the same working time, and the disc substrates are processed one after another.

【0021】ホルダ10に保持されているディスク基板
にたいする薄膜形成に際して、ホルダ10は1.8イン
チのディスク基板wがあらかじめローダによって装着さ
れ、標準カセットcに装填され、コンベア21に載せら
れる。カセットcが入口ロードロック23まで搬送され
ると、枚葉静止対向型薄膜形成装置は、ホルダ10のサ
イズおよび外形がこの装置において処理される6.5イ
ンチのディスク基板と同じであるため、6.5インチの
ディスク基板と同様に、カセットcにあるホルダ10を
入口ロードロックを経由して主チャンバの内部に搬送し
たあと、処理ステーション25〜28に順次に搬送し
て、ホルダ10に装着されている1.8インチのディス
ク基板wの各々における露出されている表面に、下地
層、磁性記録層および保護層を順に形成し、それから、
出口ロードロック24を経由して処理のおわったホルダ
10をコンベア21にあるカセットc’に搬出し、六枚
の成膜された1.8インチのディスクが各々のホルダ1
0ホルダから得られる。
When forming a thin film on the disc substrate held by the holder 10, the holder 10 is loaded with a 1.8-inch disc substrate w in advance by a loader, loaded into the standard cassette c, and placed on the conveyor 21. When the cassette c is transported to the inlet load lock 23, the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus has the same size and outer shape of the holder 10 as the 6.5-inch disk substrate processed in this apparatus. Like the 0.5 inch disk substrate, the holder 10 in the cassette c is transferred to the inside of the main chamber via the inlet load lock, and then sequentially transferred to the processing stations 25 to 28 to be mounted on the holder 10. An underlayer, a magnetic recording layer, and a protective layer are sequentially formed on the exposed surface of each of the 1.8-inch disk substrates w, and then,
The processed holder 10 is carried out to the cassette c ′ on the conveyor 21 via the exit load lock 24, and the six film-formed 1.8 inch disks are transferred to each holder 1
Obtained from 0 holder.

【0022】具体例を説明する。枚葉静止対向型薄膜形
成装置は、前述のような構成をもっち、6.5インチの
直径をもつディスク基板を処理することができるアメリ
カ合衆国のバリアン・アソシエイツ・インコーポレイテ
ッドのものからなっている。ホルダは図1に示すような
外径が6.5インチのホルダからなっている。薄膜を形
成されるディスク基板wは、外径1.8インチ、内径1
2mmからなる、Ni−Pを鍍金したAl−Mg合金か
らなっている。ホルダにある各々の保持孔12にはこの
1.8インチディスク基板を六枚装着し、ディスク基板
を装着したホルダを前述の枚葉静止対向型薄膜形成装置
のカセットに収納し、処理ステーションの各々によって
ホルダに装着されたディスク基板の表面に非磁性Crの
下地層を形成し、この下地層の表面にCo−6at%C
r−4at%Ta合金からなる磁性記録層を形成し、そ
れから、磁性記録層の表面にカーボンからなる保護層を
形成したところ、この成膜形成装置における放電ガス圧
力を低下させても、ヘッドの再生出力の変動を電気的な
補正回路なしに無視できる程度に小さくさせることがで
き、しかも、13000e以上というたかい保持力を得
られた。さらに、得られたディスク基板wを温度40゜
C、湿度80%RHの恒温恒湿環境に一週間おき、ミッ
シングエラーを測定したところ、エラーの増加は認めら
れず、耐食性もすぐれていた。これにたいして、保持力
および層構成が具体例と同程度のディスク基板を搬送型
インラインスパッタ装置によって製作し、温度40゜
C、湿度80%RHの恒温恒湿環境に一週間おいたあ
と、ミッシングエラーの増加を測定したところ、エラー
が面あたり128個以上に増加した。
A specific example will be described. The single-wafer stationary opposed type thin film forming apparatus has a structure as described above and is made by Varian Associates, Inc. of the United States of America capable of processing a disk substrate having a diameter of 6.5 inches. The holder is a holder having an outer diameter of 6.5 inches as shown in FIG. The disk substrate w on which a thin film is formed has an outer diameter of 1.8 inches and an inner diameter of 1
It is made of 2 mm thick Al-Mg alloy plated with Ni-P. Six of the 1.8-inch disk substrates are mounted in each holding hole 12 in the holder, and the holders mounted with the disk substrates are housed in the cassette of the above-mentioned single-wafer stationary opposed type thin film forming apparatus, and each of the processing stations A nonmagnetic Cr underlayer is formed on the surface of the disk substrate mounted on the holder by Co-6 at% C on the surface of the underlayer.
A magnetic recording layer made of an r-4 at% Ta alloy was formed, and then a protective layer made of carbon was formed on the surface of the magnetic recording layer. Even if the discharge gas pressure in this film forming apparatus was lowered, The fluctuation of the reproduction output can be reduced to a negligible level without an electrical correction circuit, and a strong holding force of 13000e or more was obtained. Further, the resulting disk substrate w was kept in a constant temperature and constant humidity environment of a temperature of 40 ° C. and a humidity of 80% RH for one week, and the missing error was measured. As a result, no increase in the error was recognized and the corrosion resistance was excellent. On the other hand, a disc substrate having the same holding power and the same layer structure as the specific example was produced by a transfer type in-line sputtering device, and after a week in a constant temperature and humidity environment of a temperature of 40 ° C and a humidity of 80% RH, a missing error occurred. Was measured, and the number of errors increased to 128 or more per surface.

【0023】本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法
は、このように、枚葉静止対向型薄膜形成装置によっ
て、磁気特性が安定しかつ耐食信頼性がすぐれた磁気記
録媒体を得られ、たとえば得られたディスクを書き込み
用インダクティブヘッドおよび読み出し専用のMRヘッ
ドをひとつの素子に具備したデュアルヘッドと組み合せ
ることによって、従来のインダクティブヘッドのみを用
いた磁気ディスク装置に比べて、安価でかつ体積あたり
で高密度の磁気記憶装置を得られるばかりか、従来のこ
の種の薄膜形成装置によって生産することができない小
さなサイズのディスクの生産もおこなえ、しかも、この
ディスクを大量に製作することができ、枚葉静止対向型
薄膜形成装置のスループットはたとえば毎時90ホルダ
以上となり、ディスクの生産枚数を一時間あたり360
枚〜420枚以上とさせることも可能である。
In the method for manufacturing a high density magnetic recording medium of the present invention, a magnetic recording medium having stable magnetic characteristics and excellent corrosion resistance can thus be obtained by the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus. By combining the obtained disk with a dual head having an inductive head for writing and an MR head for reading only in one element, the disk is less expensive and has a smaller volume per volume than a conventional magnetic disk apparatus using only an inductive head. In addition to obtaining a high-density magnetic storage device, it is possible to produce a small size disk that cannot be produced by a conventional thin film forming apparatus of this kind, and moreover, this disk can be produced in large quantities. The throughput of the leaf stationary facing thin film forming apparatus is, for example, 90 holders or more per hour, and 360 per hour production number
It is also possible to set the number of sheets to 420 or more.

【0024】図1にもどると、このホルダ10には検知
孔17が設けられている。この検知孔は、たとえば図に
示すように中心孔の一部に一部に設けられた開口とし
て、保持孔12が設けられている領域に設けた貫通孔の
形態をもっている。このような検知孔は、ローダによっ
て未処理のディスク基板wをホルダ10に装着するとき
に、あるいは、アンローダによって薄膜形成されたディ
スク基板wを保持孔12からからはずしカセットcなど
に装填するときに、ローダおよびアンローダにホルダの
方向を認識させることができる。すなわち、保持孔12
はディスク基板wの半径に関連する部分14と前記半径
よりも大きな半径をもつ部分15とからなっていて、部
分15によって形成される開口のみからディスク基板w
を部分14にある溝16にたいする装着あるいは取り外
しをおこなえるため、あらかじめローダおよびアンロー
ダによる装填方向あるいは取り外し方向とホルダ10の
これらとを一致させておく必要があるが、光センサによ
って検知孔17の有無を検出することによって、ローダ
およびアンローダにホルダの現在の方向を認識させ、ホ
ルダ10の方向に応じたディスク基板の装填および取り
外しをおこなわせることができる。さらに、このような
検知孔は、光ビームがディスク基板における中心孔に対
応していない領域に位置しかつホルダの検知孔17を通
るように光センサを枚葉静止対向型薄膜形成装置におけ
るディスク基板の搬送路に組み込んでおくことによっ
て、本来あつかうサイズのディスク基板とホルダとを混
在して投入しても、これらのディスク基板とホルダとを
区別して、保持孔12にたいする未処理のディスク基板
の装着、あるいは、カセットにたいする薄膜を形成され
たディスク基板wの装填をローダおよびアンローダにな
させることができ、必要に応じて、これらのディスク基
板の各々にたいする処理ステーションにおける処理条件
の変更やその他の制御もおこなわせることができる。
Returning to FIG. 1, the holder 10 is provided with a detection hole 17. The detection hole has a form of a through hole provided in a region where the holding hole 12 is provided as an opening partially provided in a part of the central hole as shown in the figure. Such a detection hole is used when the unprocessed disk substrate w is mounted on the holder 10 by the loader, or when the thin film-formed disk substrate w is unloaded from the holding hole 12 by the unloader and loaded into the cassette c or the like. The direction of the holder can be recognized by the loader and the unloader. That is, the holding hole 12
Consists of a portion 14 of the disc substrate w which is associated with the radius of the disc substrate w and a portion 15 having a radius larger than said radius, and the disc substrate w is formed only from the opening formed by the portion 15.
In order to mount or dismount the groove 16 in the portion 14, it is necessary to match the loading or unloading direction of the loader and unloader with those of the holder 10 in advance. By detecting, the loader and the unloader can recognize the current direction of the holder, and the loading and unloading of the disk substrate according to the direction of the holder 10 can be performed. Further, such a detection hole is provided with an optical sensor so that the light beam is located in a region which does not correspond to the central hole of the disk substrate and passes through the detection hole 17 of the holder. By incorporating the disk substrate and the holder of the size to be handled in a mixed manner, the disk substrate and the holder can be distinguished from each other by mounting the unprocessed disk substrate in the holding hole 12 by incorporating the disk substrate and the holder into the carrying path. Alternatively, the disk substrate w having a thin film formed on the cassette can be loaded by the loader and the unloader, and if necessary, the processing conditions can be changed and other controls at the processing station for each of these disk substrates. It can be done.

【0025】図7はホルダの他の構成を示している。ホ
ルダ110は、図1〜図4に関連して説明したホルダと
同様に、外径が6.5インチのものからなっている。
が、保持孔112は外径65mmからなる四個の保持孔
112がホルダの円板111における周縁と中心孔11
3とにはさまれた領域に設けられ、保持孔の各々に四枚
の2.5インチのディスク基板を装着することができる
ようにさせている。各々保持孔112は、円として図示
されているが、図1〜図4に関連して説明した実施例と
同様に、ディスク基板の半径65mmをもつ部分115
とこの半径よりも大きな半径をもつ部分114とからな
っており、さらに、部分115を形成する周面の断面が
ほぼv字形をなしていると共に、装着される2.5イン
チのディスク基板の周縁の断面形状に関連する形態の溝
がv字形部分の先端に形成されている。
FIG. 7 shows another structure of the holder. The holder 110 has an outer diameter of 6.5 inches, similar to the holder described with reference to FIGS. 1 to 4.
However, the holding holes 112 are four holding holes 112 having an outer diameter of 65 mm, and the holding holes 112 are the peripheral edge of the disk 111 of the holder and the center hole 11.
It is provided in a region sandwiched by 3 so that four 2.5 inch disk substrates can be mounted in each of the holding holes. Each holding hole 112 is shown as a circle, but similar to the embodiment described in connection with FIGS. 1 to 4, a portion 115 having a radius of 65 mm of the disk substrate.
And a portion 114 having a radius larger than this radius, and further, the peripheral surface of the portion 115 has a substantially v-shaped cross section, and the peripheral edge of the 2.5-inch disk substrate to be mounted. A groove having a shape related to the cross-sectional shape is formed at the tip of the v-shaped portion.

【0026】このホルダも、保持孔112の各々に2.
5インチのディスク基板を装着し、前述の枚葉静止対向
型薄膜形成装置における外径6.5インチのディスク基
板にたいするカセットに収納し、6.5インチのディス
ク基板と同様にして成膜をおこなうことによって、各々
のホルダ110から2.5インチのディスク基板を四枚
づつ得られる。
This holder also has 2.
A 5-inch disk substrate is mounted, and the film is stored in a cassette corresponding to the 6.5-inch outer diameter disk substrate in the above-mentioned single-wafer stationary opposed thin-film forming apparatus, and film formation is performed in the same manner as the 6.5-inch disk substrate. Thus, four 2.5 inch disk substrates can be obtained from each holder 110.

【0027】図8は5.25インチのディスク基板をあ
つかう枚葉静止対向型薄膜形成装置にたいするホルダを
示している。このホルダ210は図1〜図4に関連して
説明したホルダと同様に外径が6.5インチからなって
いるが、八個の保持孔212がホルダの円板211にお
ける周縁と中心孔213とにはさまれた領域に設けら
れ、保持孔212の各々に1インチのディスク基板を装
着することができるようにさせている。各々保持孔21
2は、円として図示されているが、図1〜図4に関連し
て説明した実施例と同様に、ディスク基板の半径25.
4mmをもつ部分214とこの半径よりも大きな半径を
もつ部分216とからなっていると共に、部分215を
形成する周面の断面がほぼv字形をなし、装着される1
インチのディスク基板の周縁の断面形状に関連する形態
の溝がv字形部分の先端に形成されている。
FIG. 8 shows a holder for a single-wafer stationary opposed type thin film forming apparatus which handles a 5.25 inch disk substrate. This holder 210 has an outer diameter of 6.5 inches similarly to the holder described with reference to FIGS. 1 to 4, but eight holding holes 212 are provided at the peripheral edge of the disk 211 of the holder and the central hole 213. It is provided in a region sandwiched between the holding holes 212 so that a 1-inch disk substrate can be mounted in each of the holding holes 212. Each holding hole 21
2 is shown as a circle, but similar to the embodiment described in connection with FIGS. 1 to 4, the radius 25.
It is composed of a portion 214 having a diameter of 4 mm and a portion 216 having a radius larger than this radius, and the cross-section of the peripheral surface forming the portion 215 is substantially v-shaped and is mounted 1
A groove having a shape related to the cross-sectional shape of the peripheral edge of the inch disk substrate is formed at the tip of the v-shaped portion.

【0028】このホルダも、保持孔212の各々に1イ
ンチのディスク基板を装着し、枚葉静止対向型薄膜形成
装置における5.25インチのディスク基板にたいする
標準カセットに収納し、直径5.25インチのディスク
基板と同様にして成膜をおこなうことによって、各々の
ホルダから1インチのディスク基板を八枚づつ得られ
る。
This holder also has a 1-inch disk substrate mounted in each of the holding holes 212, and is housed in a standard cassette for a 5.25-inch disk substrate in a single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, and has a diameter of 5.25 inches. By forming a film in the same manner as the disk substrate of (1), eight 1-inch disk substrates can be obtained from each holder.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、従来の
枚葉静止対向型薄膜形成装置によって小サイズの基体に
たいする薄膜形成もおこなえ、しかも、これの生産をた
かい効率でもっておこなうことができる。
As described above, the present invention can form a thin film on a small-sized substrate by using the conventional single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus, and can be produced with high efficiency. ..

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法および
装置に用いられるホルダの一実施例を示す正面図であ
る。
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a holder used in a method and apparatus for manufacturing a high density magnetic recording medium of the present invention.

【図2】図1に示すホルダにおける基体を保持する孔の
拡大断面図である。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a hole for holding a base body in the holder shown in FIG.

【図3】図2のA−A線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図4】図3におけるB部分の拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of portion B in FIG.

【図5】枚葉静止対向型薄膜形成装置の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a single-wafer stationary opposing thin film forming apparatus.

【図6】枚葉静止対向型薄膜形成装置の一部を破断され
た正面図である。
FIG. 6 is a front view in which a part of the single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus is cut away.

【図7】本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法および
装置に用いられるホルダの他の実施例を示す正面図であ
る。
FIG. 7 is a front view showing another embodiment of a holder used in the method and apparatus for manufacturing a high density magnetic recording medium of the present invention.

【図8】本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法および
装置に用いられるホルダのさらに他の実施例を示す正面
図である。
FIG. 8 is a front view showing still another embodiment of a holder used in the method and apparatus for manufacturing a high density magnetic recording medium of the present invention.

【符号の説明】 10、110、210…ホルダ 12、112、212…保持機構 w…小サイズの基体[Explanation of reference numerals] 10, 110, 210 ... Holders 12, 112, 212 ... Holding mechanism w ... Small size substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸川 隆之 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 高垣 篤補 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 家近 啓吾 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (72) Inventor Takayuki Kishikawa 2880 Kunizu, Odawara-shi, Kanagawa Hitachi Ltd. Odawara factory (72) Inventor Atsushi Takagaki 2880 Kunizu, Odawara, Kanagawa Hitachi Ltd. Odawara Inside the factory (72) Inventor Keigo Iechika 2880 Kozu, Odawara City, Kanagawa Stock Company Hitachi Ltd. Odawara Factory

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基体を一枚ずつ搬送しつつ薄膜からなる
磁気記録層を各々の基体に形成する枚葉静止対向型薄膜
形成装置をもちいて高密度磁気記録媒体を製造する方法
において、前記基体に関連するサイズをもち、薄膜形成
領域を露出させてより小さなサイズをもつ複数の基体を
保持する機構をもつホルダを準備し、このホルダの保持
機構の各々に小サイズの基体を装着し、枚葉静止対向型
薄膜形成装置にこれが通常あつかう基体にかわって前記
ホルダを投入し、ホルダ上の小サイズの基体に薄膜を形
成させていることを特徴とする高密度磁気記録媒体の製
造方法。
1. A method for producing a high-density magnetic recording medium using a sheet-fed stationary opposed thin film forming apparatus for forming a magnetic recording layer made of a thin film on each substrate while transporting the substrates one by one. , A holder having a mechanism for holding a plurality of substrates having a smaller size by exposing the thin film formation region, and mounting a small-sized substrate on each of the holding mechanisms of the holder. A method for manufacturing a high-density magnetic recording medium, characterized in that the holder is placed in a leaf stationary opposed thin film forming apparatus in place of a substrate which is normally used, and a thin film is formed on a small-sized substrate on the holder.
【請求項2】 基体を一枚ずつ搬送しつつ薄膜からなる
磁気記録層を各々の基体に形成する枚葉静止対向型薄膜
形成装置と、この薄膜形成装置において取り扱われる基
体に関連するサイズおよび形状をもち、薄膜形成領域を
露出させてより小さなサイズからなる複数の基体を保持
する機構を設けられているホルダとからなることを特徴
とする高密度磁気記録媒体の製造装置。
2. A sheet-fed stationary opposed type thin film forming apparatus for forming a magnetic recording layer made of a thin film on each of the substrates while conveying the substrates one by one, and a size and shape related to the substrates handled in the thin film forming apparatus. And a holder provided with a mechanism for holding a plurality of substrates having a smaller size by exposing a thin film forming region, and a manufacturing apparatus for a high density magnetic recording medium.
【請求項3】 枚葉静止対向型薄膜形成装置が主チャン
バと、主チャンバの上部に配置された入口ロードロック
および出口ロードロックと、これらのロードロックのあ
いだに位置して主チャンバの上部に配置された複数の処
理ステーションと、ロードロックおよび処理ステーショ
ンの各々に配置され、基体を主チャンバから処理ステー
ションおよびロードロックの内部に上昇させると共に、
ロードロックおよび処理ステーションから主チャンバ内
部に基体を下降させる垂直搬送機構と、主チャンバ内部
においてこれらの垂直搬送機構のあいだの基体の搬送を
おこなう水平搬送機構とを具備していると共に、3.5
インチ〜6.5インチの範囲の直径をもつディスク状基
体を処理するように構成され、ホルダが薄膜形成領域を
露出させて1インチ〜2.5インチの範囲の直径および
ディスクの形態をもつディスク状基体を保持する機構を
具備させられている請求項2に記載の製造装置。
3. A single-wafer stationary opposed thin film forming apparatus is provided with a main chamber, an entrance load lock and an exit load lock arranged on the upper part of the main chamber, and an upper part of the main chamber located between these load locks. A plurality of processing stations are arranged and arranged in each of the load lock and the processing station to raise the substrate from the main chamber into the processing station and the load lock, and
It has a vertical transfer mechanism for lowering the substrate from the load lock and the processing station into the main chamber, and a horizontal transfer mechanism for transferring the substrate between these vertical transfer mechanisms in the main chamber.
A disk configured to process a disk-like substrate having a diameter in the range of inches to 6.5 inches, the holder exposing the thin film forming area and having a diameter in the range of 1 inch to 2.5 inches and a shape of the disk. The manufacturing apparatus according to claim 2, further comprising a mechanism for holding the substrate.
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