JPH05341325A - Ｍｉｍ液晶パネルおよびその製造方法 - Google Patents
Ｍｉｍ液晶パネルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05341325A JPH05341325A JP17497892A JP17497892A JPH05341325A JP H05341325 A JPH05341325 A JP H05341325A JP 17497892 A JP17497892 A JP 17497892A JP 17497892 A JP17497892 A JP 17497892A JP H05341325 A JPH05341325 A JP H05341325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mim
- liquid crystal
- electrodeposition
- crystal panel
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高開口率で、高画質なＭＩＭ液晶パネルを提供
すること。 【構成】透明画素電極１と金属配線４の間に厚さ０．５
μｍ以上でパターンニングが可能な絶縁厚膜２を挟んだ
３重構造とし、絶縁厚膜に設けた穴５の部分で陽極酸化
処理で形成した絶縁皮膜３と透明画素電極１を直接接続
してＭＩＭ素子を形成する。あるいは、前記絶縁厚膜と
して、電着カラ−フィルタ−を用いることで、カラ−Ｍ
ＩＭ基板構造とする。 【効果】従来必要であった、タンタル配線と透明画素電
極間の隙間が不要となり、高開口率が得られる。また、
タンタル配線と透明画素電極間の横電界が解消するの
で、配向不良が発生しにくくなり、高画質のＭＩＭ液晶
パネルを提供できる。
すること。 【構成】透明画素電極１と金属配線４の間に厚さ０．５
μｍ以上でパターンニングが可能な絶縁厚膜２を挟んだ
３重構造とし、絶縁厚膜に設けた穴５の部分で陽極酸化
処理で形成した絶縁皮膜３と透明画素電極１を直接接続
してＭＩＭ素子を形成する。あるいは、前記絶縁厚膜と
して、電着カラ−フィルタ−を用いることで、カラ−Ｍ
ＩＭ基板構造とする。 【効果】従来必要であった、タンタル配線と透明画素電
極間の隙間が不要となり、高開口率が得られる。また、
タンタル配線と透明画素電極間の横電界が解消するの
で、配向不良が発生しにくくなり、高画質のＭＩＭ液晶
パネルを提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス方式液晶表示パネルにおいて、液晶スイッチング素子
に用いられる金属−絶縁体−金属あるいは金属−絶縁体
−透明導電体構造（以下、ＭＩＭと記す）を有する非線
形素子を持った液晶パネルの構造、およびその製造方法
に関する。
ス方式液晶表示パネルにおいて、液晶スイッチング素子
に用いられる金属−絶縁体−金属あるいは金属−絶縁体
−透明導電体構造（以下、ＭＩＭと記す）を有する非線
形素子を持った液晶パネルの構造、およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＩＭ素子とは、特許公開公報昭６１−
２９５５２８に記載されているように、例えばタンタル
（Ｔａ）−タンタル酸化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）−酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）のような金属−絶縁体−透明導電体
の３層構造であり、その電流−電圧特性は非線形を示
す。以下にＴａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ構造における従来
構造の製造方法について図９，図１０を用いて説明す
る。図９はＭＩＭ素子を示す平面図であり、図１０は、
図９におけるＡ−Ｂ断面を示す断面図である。ガラス基
板２４の上にＴａ２３をスパッタリング法により形成
し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、Ｔａ２３
からなるＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形成する。こ
のＴａ２３の平面パタ−ン形状は、図９の実線２５で示
す。次に陽極酸化法によりＴａ２３表面に絶縁体として
Ｔａ2 Ｏ5 の絶縁皮膜２２を厚さ５０ｎｍ形成する。次
に透明導電体２１として、ＩＴＯをスパッタリング法に
より形成し、フォトエッチングによりパターニングし、
ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上部電極と液晶駆動用透明
画素電極とを形成する。この透明導電体２１の平面パタ
−ン形状を図９に示す。絶縁皮膜２２と透明導電体２１
のクロス部がＭＩＭ素子となる。
２９５５２８に記載されているように、例えばタンタル
（Ｔａ）−タンタル酸化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）−酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）のような金属−絶縁体−透明導電体
の３層構造であり、その電流−電圧特性は非線形を示
す。以下にＴａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ構造における従来
構造の製造方法について図９，図１０を用いて説明す
る。図９はＭＩＭ素子を示す平面図であり、図１０は、
図９におけるＡ−Ｂ断面を示す断面図である。ガラス基
板２４の上にＴａ２３をスパッタリング法により形成
し、フォトエッチングによりパタ−ニングし、Ｔａ２３
からなるＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形成する。こ
のＴａ２３の平面パタ−ン形状は、図９の実線２５で示
す。次に陽極酸化法によりＴａ２３表面に絶縁体として
Ｔａ2 Ｏ5 の絶縁皮膜２２を厚さ５０ｎｍ形成する。次
に透明導電体２１として、ＩＴＯをスパッタリング法に
より形成し、フォトエッチングによりパターニングし、
ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上部電極と液晶駆動用透明
画素電極とを形成する。この透明導電体２１の平面パタ
−ン形状を図９に示す。絶縁皮膜２２と透明導電体２１
のクロス部がＭＩＭ素子となる。
【０００３】次に、ＭＩＭ素子を用いた液晶パネルの構
成について図１１を用いて説明する。ＭＩＭ液晶パネル
は、一般に、ＭＩＭ素子の付いたアクティブ基板と、対
向透明電極のついた対向基板からなるが、図１１は従来
の一例として、列電極側にアクティブ素子を形成した液
晶パネルの構成図である。ガラス基板３１上には、金属
配線として、金属列電極３２が列数だけ通り、金属列電
極３２から５〜１０μｍ隙間を開けて透明画素電極３３
が形成されている。また対向基板は、列電極と交差する
方向にライン数の透明行電極３４がＩＴＯで形成され、
透明行電極３４と透明画素電極３３の重なった部分のみ
が表示に有効となっている。
成について図１１を用いて説明する。ＭＩＭ液晶パネル
は、一般に、ＭＩＭ素子の付いたアクティブ基板と、対
向透明電極のついた対向基板からなるが、図１１は従来
の一例として、列電極側にアクティブ素子を形成した液
晶パネルの構成図である。ガラス基板３１上には、金属
配線として、金属列電極３２が列数だけ通り、金属列電
極３２から５〜１０μｍ隙間を開けて透明画素電極３３
が形成されている。また対向基板は、列電極と交差する
方向にライン数の透明行電極３４がＩＴＯで形成され、
透明行電極３４と透明画素電極３３の重なった部分のみ
が表示に有効となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述した、ＭＩＭ液晶
パネルは、アクティブ基板に５〜２０μｍのＴａ配線が
列電極数またはライン数だけ存在し、さらに５〜１０μ
ｍの隙間を開けて透明画素電極が形成される為に、実際
に有効な画素面積が全体に占める面積比（以下、開口率
と記す）が低下する。
パネルは、アクティブ基板に５〜２０μｍのＴａ配線が
列電極数またはライン数だけ存在し、さらに５〜１０μ
ｍの隙間を開けて透明画素電極が形成される為に、実際
に有効な画素面積が全体に占める面積比（以下、開口率
と記す）が低下する。
【０００５】これらの課題を解決するために、本発明の
目的は、金属配線を透明画素電極の下に重ねて形成する
ことにより、開口率が高く、明るく高画質のＭＩＭ液晶
パネルを提供することにある。
目的は、金属配線を透明画素電極の下に重ねて形成する
ことにより、開口率が高く、明るく高画質のＭＩＭ液晶
パネルを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させる為
に、本発明は、金属配線の上に、素子部のみ穴を設けた
厚膜の層間絶縁膜を作成し、その上に透明画素電極を作
成する３重構造にすることにより、層間絶縁膜の穴の部
分がＭＩＭ素子となり、金属配線は透明画素電極の下を
通る構造をとる。
に、本発明は、金属配線の上に、素子部のみ穴を設けた
厚膜の層間絶縁膜を作成し、その上に透明画素電極を作
成する３重構造にすることにより、層間絶縁膜の穴の部
分がＭＩＭ素子となり、金属配線は透明画素電極の下を
通る構造をとる。
【０００７】
【作用】金属配線は、厚さ０．５μｍ以上の層間絶縁膜
により透明画素電極との間が完全に絶縁され、３重構造
となるため、金属配線が透明画素電極の下を通っても、
その影響は完全に無くなる。従って、従来なら金属配線
と透明画素電極の間に開けるべき隙間は不要になり、透
明画素電極間のみの隙間で済むために、開口率が改善さ
れる。
により透明画素電極との間が完全に絶縁され、３重構造
となるため、金属配線が透明画素電極の下を通っても、
その影響は完全に無くなる。従って、従来なら金属配線
と透明画素電極の間に開けるべき隙間は不要になり、透
明画素電極間のみの隙間で済むために、開口率が改善さ
れる。
【０００８】
【実施例１】以下、本発明による一実施例を図面を用い
て説明する。図１３〜図１７は、本発明によるＭＩＭ基
板の製造工程を説明するための図である。まず、図１３
のガラス基板４１に、Ｔａ薄膜をスパッタリング等によ
り形成する。次に、フォトエッチングによりＴａ薄膜を
パタ−ンニングし、ＭＩＭ素子と金属配線となるＴａ配
線４２を線状に残す。Ｔａ膜厚は、０．１〜０．２μ
ｍ、線幅としては、画面サイズにより異なるが、５〜２
０μｍ程度が一般的である。
て説明する。図１３〜図１７は、本発明によるＭＩＭ基
板の製造工程を説明するための図である。まず、図１３
のガラス基板４１に、Ｔａ薄膜をスパッタリング等によ
り形成する。次に、フォトエッチングによりＴａ薄膜を
パタ−ンニングし、ＭＩＭ素子と金属配線となるＴａ配
線４２を線状に残す。Ｔａ膜厚は、０．１〜０．２μ
ｍ、線幅としては、画面サイズにより異なるが、５〜２
０μｍ程度が一般的である。
【０００９】次に、陽極酸化するために、図１４のよう
に、Ｔａ配線４２を剥離可能タイプ導電ペースト４３で
接続する。この導電ペ−スト４３に、剥離可能タイプを
用いることで、後で簡単に剥すことができる。本実施例
では、（株）シントーケミトロン製のシントロンＫ−３
４３４を使用した。また、パターンニング段階で、全て
のＴａ配線を接続しておき、最後に切断する場合もあ
る。次に、ガラス基板４１をクエン酸等の陽極酸化槽４
５に入れて、白金等の陽極酸化用対向電極４４の間に３
０〜５０Ｖの直流電圧を印加してＴａを陽極酸化処理
し、表面に絶縁体であるＴａ2 Ｏ5 を形成する。導電ペ
ースト剥離、洗浄後の状態を図１５に示す。Ｔａ配線４
２のうち、陽極酸化された部分にのみ、Ｔａ2 Ｏ5 の絶
縁皮膜４６が約０．０５μｍの厚さで形成されている。
に、Ｔａ配線４２を剥離可能タイプ導電ペースト４３で
接続する。この導電ペ−スト４３に、剥離可能タイプを
用いることで、後で簡単に剥すことができる。本実施例
では、（株）シントーケミトロン製のシントロンＫ−３
４３４を使用した。また、パターンニング段階で、全て
のＴａ配線を接続しておき、最後に切断する場合もあ
る。次に、ガラス基板４１をクエン酸等の陽極酸化槽４
５に入れて、白金等の陽極酸化用対向電極４４の間に３
０〜５０Ｖの直流電圧を印加してＴａを陽極酸化処理
し、表面に絶縁体であるＴａ2 Ｏ5 を形成する。導電ペ
ースト剥離、洗浄後の状態を図１５に示す。Ｔａ配線４
２のうち、陽極酸化された部分にのみ、Ｔａ2 Ｏ5 の絶
縁皮膜４６が約０．０５μｍの厚さで形成されている。
【００１０】その後、図１６のように、全面に有機また
は無機のパターンニング可能タイプ絶縁厚膜４７を形成
後、フォトエッチングにより素子部分のみ穴４８を開け
る。パターンニング可能タイプ絶縁厚膜としては、感光
性有機高分子膜が好ましいが、通常の高分子膜や無機膜
をフォトレジストを用いてパタ−ンニングしてもかまわ
ない。本実施例では、厚さ約２μｍでアクリル系の感光
性有機絶縁厚膜を使用し、絶縁厚膜の穴４８のサイズは
２μｍ角とした。この穴のサイズにより素子面積が決定
され、ＭＩＭ素子容量と画素電極上の液晶容量の比（以
下、容量比と記す）が決まる。ＭＩＭ液晶パネルの場
合、この容量比により表示性能が左右され、通常２以上
の値が必要である。また、絶縁厚膜４７の厚さが薄いと
配線部分の容量も影響するので、絶縁厚膜４７の厚み
は、絶縁皮膜４６の１０倍以上の厚さである０．５μｍ
以上の方が好ましい。
は無機のパターンニング可能タイプ絶縁厚膜４７を形成
後、フォトエッチングにより素子部分のみ穴４８を開け
る。パターンニング可能タイプ絶縁厚膜としては、感光
性有機高分子膜が好ましいが、通常の高分子膜や無機膜
をフォトレジストを用いてパタ−ンニングしてもかまわ
ない。本実施例では、厚さ約２μｍでアクリル系の感光
性有機絶縁厚膜を使用し、絶縁厚膜の穴４８のサイズは
２μｍ角とした。この穴のサイズにより素子面積が決定
され、ＭＩＭ素子容量と画素電極上の液晶容量の比（以
下、容量比と記す）が決まる。ＭＩＭ液晶パネルの場
合、この容量比により表示性能が左右され、通常２以上
の値が必要である。また、絶縁厚膜４７の厚さが薄いと
配線部分の容量も影響するので、絶縁厚膜４７の厚み
は、絶縁皮膜４６の１０倍以上の厚さである０．５μｍ
以上の方が好ましい。
【００１１】次に、透明画素電極を形成する工程を図１
７を用いて説明する。ＩＴＯ膜を低温スパッタ法等を用
いてガラス基板４１の全面に形成する。この状態では、
素子部分のみＩＴＯと接続し、それ以外の部分はパター
ンニング可能タイプ絶縁厚膜４７により絶縁されてい
る。最後に、フォトエッチングにより、ＩＴＯをパタ−
ンニングすることにより透明画素電極４９とＩＣ接続配
線５０のみ残すことにより、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ
のＭＩＭ構造を持つＭＩＭ基板が作成される。
７を用いて説明する。ＩＴＯ膜を低温スパッタ法等を用
いてガラス基板４１の全面に形成する。この状態では、
素子部分のみＩＴＯと接続し、それ以外の部分はパター
ンニング可能タイプ絶縁厚膜４７により絶縁されてい
る。最後に、フォトエッチングにより、ＩＴＯをパタ−
ンニングすることにより透明画素電極４９とＩＣ接続配
線５０のみ残すことにより、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ
のＭＩＭ構造を持つＭＩＭ基板が作成される。
【００１２】実施例１で作成したＭＩＭ素子基板の一画
素の平面図を図１に、図１におけるＡ−Ｂ断面図を図２
に示す。ガラス基板６の上に金属配線として、厚さ０．
２μｍのＴａ配線４が形成され、その表面は陽極酸化処
理により厚さ５０ｎｍの絶縁皮膜３が形成されている。
この上に、厚さ２μｍで素子部に穴５を設けたパターン
ニング可能タイプ絶縁厚膜２が形成され、さらにその上
に透明画素電極１が形成されている。この絶縁厚膜の穴
５の形状は図１に示すように、Ｔａ配線４より細い方
が、パタ−ン位置がずれても素子面積が変化しないので
好ましい。絶縁厚膜の穴５の部分では、陽極酸化された
絶縁皮膜３と透明画素電極１が直接接続され、Ｔａ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 −ＩＴＯのＭＩＭ素子が形成されている。ＭＩ
Ｍ素子以外の部分は、パターンニング可能タイプ絶縁厚
膜２により透明画素電極１とＴａ配線４の間は完全に絶
縁されているため、透明画素電極への影響は無い。
素の平面図を図１に、図１におけるＡ−Ｂ断面図を図２
に示す。ガラス基板６の上に金属配線として、厚さ０．
２μｍのＴａ配線４が形成され、その表面は陽極酸化処
理により厚さ５０ｎｍの絶縁皮膜３が形成されている。
この上に、厚さ２μｍで素子部に穴５を設けたパターン
ニング可能タイプ絶縁厚膜２が形成され、さらにその上
に透明画素電極１が形成されている。この絶縁厚膜の穴
５の形状は図１に示すように、Ｔａ配線４より細い方
が、パタ−ン位置がずれても素子面積が変化しないので
好ましい。絶縁厚膜の穴５の部分では、陽極酸化された
絶縁皮膜３と透明画素電極１が直接接続され、Ｔａ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 −ＩＴＯのＭＩＭ素子が形成されている。ＭＩ
Ｍ素子以外の部分は、パターンニング可能タイプ絶縁厚
膜２により透明画素電極１とＴａ配線４の間は完全に絶
縁されているため、透明画素電極への影響は無い。
【００１３】実施例１により作成したＭＩＭ液晶パネル
の構成図を図１２に示し、従来構造の図１１と比較しな
がら説明する。従来構造では、図１１のように、金属列
電極３２と透明画素電極３３との間に５〜１０μｍの隙
間が必要であったが、本実施例では図１２に示すよう
に、金属列電極３２が透明画素電極３３の下部を通って
いるために、隙間は必要なくなり、透明画素電極３３の
サイズが大きくなっていることがわかる。本実施例によ
り、１平方インチ当たり６４８×２２０画素のＭＩＭ液
晶パネルにおいて、開口率が５７％から７６％に向上し
た。
の構成図を図１２に示し、従来構造の図１１と比較しな
がら説明する。従来構造では、図１１のように、金属列
電極３２と透明画素電極３３との間に５〜１０μｍの隙
間が必要であったが、本実施例では図１２に示すよう
に、金属列電極３２が透明画素電極３３の下部を通って
いるために、隙間は必要なくなり、透明画素電極３３の
サイズが大きくなっていることがわかる。本実施例によ
り、１平方インチ当たり６４８×２２０画素のＭＩＭ液
晶パネルにおいて、開口率が５７％から７６％に向上し
た。
【００１４】本実施例では、図１７において、パタ−ン
ニング可能タイプ絶縁厚膜４７の上に直接、透明導電体
であるＩＴＯを形成したが、絶縁厚膜の上に０．００５
μｍ程度でクロム（Ｃｒ）等の金属薄膜をスパッタリン
グ等を用いて全面に形成後、ＩＴＯを形成することによ
り、Ｔａ−Ｔａ2 ０5 −ＣｒのＭＩＭ素子構成にするこ
とも可能である。
ニング可能タイプ絶縁厚膜４７の上に直接、透明導電体
であるＩＴＯを形成したが、絶縁厚膜の上に０．００５
μｍ程度でクロム（Ｃｒ）等の金属薄膜をスパッタリン
グ等を用いて全面に形成後、ＩＴＯを形成することによ
り、Ｔａ−Ｔａ2 ０5 −ＣｒのＭＩＭ素子構成にするこ
とも可能である。
【００１５】
【実施例２】次に、本発明による実施例として、実施例
１とは製造方法が異なる例を説明する。まず、図１３と
同様にＴａ配線および素子となる部分を形成する。次
に、パタ−ンニング可能タイプ絶縁厚膜を全面にコ−ト
後、フォトエッチングにより素子部分のみ穴を開ける。
実施例２では、このパターンニング可能タイプ絶縁厚膜
として、耐熱性を向上させる為に、ＳｉＯ2 系の無機絶
縁厚膜を用い、フォトレジストを用いてパターンニング
した。もちろん、実施例１で用いた感光性高分子膜でも
全く問題は無い。
１とは製造方法が異なる例を説明する。まず、図１３と
同様にＴａ配線および素子となる部分を形成する。次
に、パタ−ンニング可能タイプ絶縁厚膜を全面にコ−ト
後、フォトエッチングにより素子部分のみ穴を開ける。
実施例２では、このパターンニング可能タイプ絶縁厚膜
として、耐熱性を向上させる為に、ＳｉＯ2 系の無機絶
縁厚膜を用い、フォトレジストを用いてパターンニング
した。もちろん、実施例１で用いた感光性高分子膜でも
全く問題は無い。
【００１６】次に、Ｔａ配線を陽極酸化処理することに
より、無機絶縁厚膜の穴の部分のみ、表面に絶縁皮膜で
あるＴａ2 Ｏ5 を形成する。その後、実施例１の図１７
と同様に、透明画素電極とＩＣ接続配線を形成すること
により、Ｔａ−Ｔａ2 ０5 −ＩＴＯのＭＩＭ構造を持つ
ＭＩＭ基板が作成される。
より、無機絶縁厚膜の穴の部分のみ、表面に絶縁皮膜で
あるＴａ2 Ｏ5 を形成する。その後、実施例１の図１７
と同様に、透明画素電極とＩＣ接続配線を形成すること
により、Ｔａ−Ｔａ2 ０5 −ＩＴＯのＭＩＭ構造を持つ
ＭＩＭ基板が作成される。
【００１７】実施例２で作成したＭＩＭ素子基板の一画
素の平面図を図３に、図３におけるＡ−Ｂ断面図を図４
に示す。ガラス基板６の上にＴａ配線４が形成され、そ
の上に、素子部に穴５を設けたパターンニング可能タイ
プ絶縁厚膜２が形成され、さらにその上に透明画素電極
１が形成されている。絶縁厚膜の穴５の部分にのみ、陽
極酸化された絶縁皮膜３が形成され、透明画素電極１と
直接接続され、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯのＭＩＭ素子
が形成されている。絶縁厚膜の穴５と絶縁皮膜３の形状
は図３に示す。ＭＩＭ素子以外の部分は、絶縁厚膜２に
より透明画素電極１とＴａ配線４の間は完全に絶縁され
ている。
素の平面図を図３に、図３におけるＡ−Ｂ断面図を図４
に示す。ガラス基板６の上にＴａ配線４が形成され、そ
の上に、素子部に穴５を設けたパターンニング可能タイ
プ絶縁厚膜２が形成され、さらにその上に透明画素電極
１が形成されている。絶縁厚膜の穴５の部分にのみ、陽
極酸化された絶縁皮膜３が形成され、透明画素電極１と
直接接続され、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯのＭＩＭ素子
が形成されている。絶縁厚膜の穴５と絶縁皮膜３の形状
は図３に示す。ＭＩＭ素子以外の部分は、絶縁厚膜２に
より透明画素電極１とＴａ配線４の間は完全に絶縁され
ている。
【００１８】
【実施例３】次に、本発明による一実施例として、電着
カラ−フィルタ−を層間絶縁膜として使用し、カラ−フ
ィルタ−（以下、ＣＦと記す）とＭＩＭ素子を同一基板
に形成した、カラ−ＭＩＭ基板を製造する方法を図１８
〜図２８を用いて説明する。まず、図１８のガラス基板
６１に、Ｔａ薄膜をスパッタリング等により形成する。
次に、フォトエッチングによりＴａ薄膜をパタ−ンニン
グし、ＭＩＭ素子と金属配線となるＴａ配線６２を線状
に残す。Ｔａ膜厚は０．１〜０．２μｍ、線幅として
は、画面サイスにより異なるが、５〜２０μｍ程度が一
般適である。
カラ−フィルタ−を層間絶縁膜として使用し、カラ−フ
ィルタ−（以下、ＣＦと記す）とＭＩＭ素子を同一基板
に形成した、カラ−ＭＩＭ基板を製造する方法を図１８
〜図２８を用いて説明する。まず、図１８のガラス基板
６１に、Ｔａ薄膜をスパッタリング等により形成する。
次に、フォトエッチングによりＴａ薄膜をパタ−ンニン
グし、ＭＩＭ素子と金属配線となるＴａ配線６２を線状
に残す。Ｔａ膜厚は０．１〜０．２μｍ、線幅として
は、画面サイスにより異なるが、５〜２０μｍ程度が一
般適である。
【００１９】次に、陽極酸化するために、図１９のよう
に、Ｔａ配線６２を剥離タイプ導電ペースト６３で接続
する。また、パターンニング段階で全てのＴａ配線を接
続しておき、最後に切断する場合もある。次に、ガラス
基板６１をクエン酸等の陽極酸化槽６５に入れ、白金等
の陽極酸化用対向電極６４の間に３０〜５０Ｖの直流電
圧を印加して陽極酸化処理し、表面に絶縁皮膜であるＴ
ａ2 Ｏ5 を形成する。導電ペースト剥離、洗浄後の状態
を図２０に示す。Ｔａ配線６２のうち、陽極酸化された
部分にのみ、絶縁皮膜６６が形成されている。
に、Ｔａ配線６２を剥離タイプ導電ペースト６３で接続
する。また、パターンニング段階で全てのＴａ配線を接
続しておき、最後に切断する場合もある。次に、ガラス
基板６１をクエン酸等の陽極酸化槽６５に入れ、白金等
の陽極酸化用対向電極６４の間に３０〜５０Ｖの直流電
圧を印加して陽極酸化処理し、表面に絶縁皮膜であるＴ
ａ2 Ｏ5 を形成する。導電ペースト剥離、洗浄後の状態
を図２０に示す。Ｔａ配線６２のうち、陽極酸化された
部分にのみ、絶縁皮膜６６が形成されている。
【００２０】次に、電着ＣＦ形成用透明電極を作成する
ために、全面にＩＴＯをスパッタリング等で形成し、フ
ォトエッチングにより、パターンニングする。パターン
ニング後の形状を図２１に示す。Ｒ用電着電極６７、Ｇ
用電着電極６８、Ｂ用電着電極６９は、それぞれ接続部
の長さを変えておく。また、各電着電極には、素子数の
穴７０が形成されており、絶縁皮膜が表面にでている。
この電着電極の穴７０の部分がＭＩＭ素子となり、穴の
サイズにより素子面積が決定され、容量比が決まるの
で、通常２〜５μｍ角に設定される。
ために、全面にＩＴＯをスパッタリング等で形成し、フ
ォトエッチングにより、パターンニングする。パターン
ニング後の形状を図２１に示す。Ｒ用電着電極６７、Ｇ
用電着電極６８、Ｂ用電着電極６９は、それぞれ接続部
の長さを変えておく。また、各電着電極には、素子数の
穴７０が形成されており、絶縁皮膜が表面にでている。
この電着電極の穴７０の部分がＭＩＭ素子となり、穴の
サイズにより素子面積が決定され、容量比が決まるの
で、通常２〜５μｍ角に設定される。
【００２１】次に、顔料を含んだ高分子塗膜を電気凝集
効果で透明電極上に析出させ、焼成することで完全に非
導電化した厚膜ＣＦを形成する、いわゆる電着工程を説
明する。まず、Ｒ電着ＣＦ形成の為に、図２２のＲ用電
着電極６７のみ剥離タイプ導電ペ−スト７１で接続後、
ガラス基板６１をＲ電着槽７３に入れ、約５０Ｖの直流
電圧を電着用対向電極７２の間に印加して、Ｒ顔料を含
んだ高分子塗膜をＲ用電着電極上に電気凝集させる。こ
の際、電着電極の穴７０の部分は、Ｔａ2 Ｏ5の絶縁皮
膜が形成されており電流が流れないために電着されず残
るが、穴の断面にも電着ＣＦが形成されるので、穴のサ
イズは多少小さくなる。水洗後、プリベ−クすること
で、図２３のようにＲの部分は完全に非導電化し、Ｒ電
着ＣＦ７４が形成され、電着電極の穴７０の部分のみ絶
縁皮膜が窓状に露出した状態になる。以下同様に、図２
４と図２５のようにＧ用電着電極６８を剥離タイプ導電
ペースト７５で接続し、Ｇ電着槽７６で電着し、Ｇ電着
ＣＦ７７を形成する。この時、Ｒ用電着電極６７にも電
圧が印加されるが、既に絶縁厚膜であるＲ電着ＣＦ７４
が形成されているため、Ｇ電着ＣＦがＲ電着ＣＦの上に
形成されることは無い。さらに、図２６と図２７のよう
にＢ用電着電極６９を剥離タイプ導電ペースト７８で接
続し、Ｂ電着槽７９で電着し、Ｂ電着ＣＦ８０を形成
し、水洗後、２００〜２６０゜Ｃで本焼成することで、
ＲＧＢ３色の電着ＣＦは形成される。
効果で透明電極上に析出させ、焼成することで完全に非
導電化した厚膜ＣＦを形成する、いわゆる電着工程を説
明する。まず、Ｒ電着ＣＦ形成の為に、図２２のＲ用電
着電極６７のみ剥離タイプ導電ペ−スト７１で接続後、
ガラス基板６１をＲ電着槽７３に入れ、約５０Ｖの直流
電圧を電着用対向電極７２の間に印加して、Ｒ顔料を含
んだ高分子塗膜をＲ用電着電極上に電気凝集させる。こ
の際、電着電極の穴７０の部分は、Ｔａ2 Ｏ5の絶縁皮
膜が形成されており電流が流れないために電着されず残
るが、穴の断面にも電着ＣＦが形成されるので、穴のサ
イズは多少小さくなる。水洗後、プリベ−クすること
で、図２３のようにＲの部分は完全に非導電化し、Ｒ電
着ＣＦ７４が形成され、電着電極の穴７０の部分のみ絶
縁皮膜が窓状に露出した状態になる。以下同様に、図２
４と図２５のようにＧ用電着電極６８を剥離タイプ導電
ペースト７５で接続し、Ｇ電着槽７６で電着し、Ｇ電着
ＣＦ７７を形成する。この時、Ｒ用電着電極６７にも電
圧が印加されるが、既に絶縁厚膜であるＲ電着ＣＦ７４
が形成されているため、Ｇ電着ＣＦがＲ電着ＣＦの上に
形成されることは無い。さらに、図２６と図２７のよう
にＢ用電着電極６９を剥離タイプ導電ペースト７８で接
続し、Ｂ電着槽７９で電着し、Ｂ電着ＣＦ８０を形成
し、水洗後、２００〜２６０゜Ｃで本焼成することで、
ＲＧＢ３色の電着ＣＦは形成される。
【００２２】次に、透明画素電極を形成する工程を図２
８を用いて説明する。ＩＴＯ膜を低温スパッタ法等を用
いて電着工程まで終了したガラス基板６１の全面に形成
する。最後に、フォトエッチングにより、ＩＴＯをパタ
−ンニングすることにより透明画素電極８１とＩＣ接続
配線８２のみ残すことにより、Ｔａ−Ｔａ2 ０5 −ＩＴ
ＯのＭＩＭ構造を持つＣＦ付きＭＩＭ基板が作成され
る。
８を用いて説明する。ＩＴＯ膜を低温スパッタ法等を用
いて電着工程まで終了したガラス基板６１の全面に形成
する。最後に、フォトエッチングにより、ＩＴＯをパタ
−ンニングすることにより透明画素電極８１とＩＣ接続
配線８２のみ残すことにより、Ｔａ−Ｔａ2 ０5 −ＩＴ
ＯのＭＩＭ構造を持つＣＦ付きＭＩＭ基板が作成され
る。
【００２３】この後、光硬化性樹脂に黒顔料を分散した
高分子塗料を全面に塗布後、ガラス基板背面より光をあ
てると、ＣＦの無い隙間部分のみ硬化し、ＣＦ間の隙間
にブラックマトリクスがセルフアライメントで形成され
る。また、Ｔａ膜厚を０．０５μｍ程度まで薄くすると
５〜１０％の光が透過するため、露光量を調節すると、
ＭＩＭ素子部にもブラックマトリクスが形成される。こ
の工程は、画素用ＩＴＯ膜形成前でもかまわないが、そ
の場合は、逆に素子部には光が透過しないように、Ｔａ
膜厚を厚くする必要がある。
高分子塗料を全面に塗布後、ガラス基板背面より光をあ
てると、ＣＦの無い隙間部分のみ硬化し、ＣＦ間の隙間
にブラックマトリクスがセルフアライメントで形成され
る。また、Ｔａ膜厚を０．０５μｍ程度まで薄くすると
５〜１０％の光が透過するため、露光量を調節すると、
ＭＩＭ素子部にもブラックマトリクスが形成される。こ
の工程は、画素用ＩＴＯ膜形成前でもかまわないが、そ
の場合は、逆に素子部には光が透過しないように、Ｔａ
膜厚を厚くする必要がある。
【００２４】実施例３で作成したＭＩＭ素子基板の一画
素の平面図を図５に、図５におけるＡ−Ｂ断面図を図６
に示す。ガラス基板１７の上にＴａ配線１４が形成さ
れ、その表面は陽極酸化処理により厚さ５０ｎｍ程度の
絶縁皮膜１３が形成されている。この上に、透明電着電
極１５が形成され、素子部には透明電着電極の穴１８が
開けてある。その透明電着電極上と穴の断面にのみ電着
ＣＦ１２が形成され、さらにその上に透明画素電極１１
が形成されている。電着ＣＦの穴１６の部分では、陽極
酸化された絶縁皮膜１３と透明画素電極１１が直接接続
され、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯのＭＩＭ素子が形成さ
れている。ＭＩＭ素子以外の部分は、厚さ１〜２μｍの
電着ＣＦ１２が層間絶縁膜となり、透明画素電極１１は
完全に絶縁されている。
素の平面図を図５に、図５におけるＡ−Ｂ断面図を図６
に示す。ガラス基板１７の上にＴａ配線１４が形成さ
れ、その表面は陽極酸化処理により厚さ５０ｎｍ程度の
絶縁皮膜１３が形成されている。この上に、透明電着電
極１５が形成され、素子部には透明電着電極の穴１８が
開けてある。その透明電着電極上と穴の断面にのみ電着
ＣＦ１２が形成され、さらにその上に透明画素電極１１
が形成されている。電着ＣＦの穴１６の部分では、陽極
酸化された絶縁皮膜１３と透明画素電極１１が直接接続
され、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯのＭＩＭ素子が形成さ
れている。ＭＩＭ素子以外の部分は、厚さ１〜２μｍの
電着ＣＦ１２が層間絶縁膜となり、透明画素電極１１は
完全に絶縁されている。
【００２５】
【実施例４】次に、本発明による実施例として、開口率
がさらに改善できる製造例を図２９〜図３４を用いて説
明する。まず、図２９において、ＩＴＯ付きガラス基板
９１に、Ｔａ薄膜をスパッタリング等により形成する。
次に、フォトエッチングによりＩＴＯを通常の電着ＣＦ
用電極と同様にパタ−ンニングし、電着電極９２〜９４
を形成する。次に、再度フォトエッチングによりＴａを
パタ−ンニングし、ＭＩＭ素子と金属配線となるＴａ配
線９５を線状に残す。電着電極がＴａ配線と接続されて
おり配線抵抗を下げるので、線幅としては実施例３より
も細くてもよく、２〜５μｍ程度ですみ、場合によって
は素子部のみを島状に形成してもよい。
がさらに改善できる製造例を図２９〜図３４を用いて説
明する。まず、図２９において、ＩＴＯ付きガラス基板
９１に、Ｔａ薄膜をスパッタリング等により形成する。
次に、フォトエッチングによりＩＴＯを通常の電着ＣＦ
用電極と同様にパタ−ンニングし、電着電極９２〜９４
を形成する。次に、再度フォトエッチングによりＴａを
パタ−ンニングし、ＭＩＭ素子と金属配線となるＴａ配
線９５を線状に残す。電着電極がＴａ配線と接続されて
おり配線抵抗を下げるので、線幅としては実施例３より
も細くてもよく、２〜５μｍ程度ですみ、場合によって
は素子部のみを島状に形成してもよい。
【００２６】次に、素子部分のみ陽極酸化するために、
図３０のようにマスキング用フォトレジスト９６を塗
布、露光、現像し、素子部分のみフォトレジストに穴９
７を開ける。このフォトレジストの穴９７のサイズによ
り素子面積が決定され、容量比が決まるので、通常２〜
５μｍ角に設定される。その後、図３１に示したように
陽極酸化処理を行い、フォトレジストの穴の部分のＴａ
を陽極酸化し、表面に絶縁皮膜であるＴａ2 Ｏ5 を形成
する。フォトレジストおよび剥離タイプ導電ペーストを
剥離、洗浄した後の状態を図３２に示す。フォトレジス
トの穴の部分のみに絶縁皮膜１０１が形成されており、
それ以外のＴａ配線９５は陽極酸化されずに残ってい
る。
図３０のようにマスキング用フォトレジスト９６を塗
布、露光、現像し、素子部分のみフォトレジストに穴９
７を開ける。このフォトレジストの穴９７のサイズによ
り素子面積が決定され、容量比が決まるので、通常２〜
５μｍ角に設定される。その後、図３１に示したように
陽極酸化処理を行い、フォトレジストの穴の部分のＴａ
を陽極酸化し、表面に絶縁皮膜であるＴａ2 Ｏ5 を形成
する。フォトレジストおよび剥離タイプ導電ペーストを
剥離、洗浄した後の状態を図３２に示す。フォトレジス
トの穴の部分のみに絶縁皮膜１０１が形成されており、
それ以外のＴａ配線９５は陽極酸化されずに残ってい
る。
【００２７】その後は、実施例３と同様にＲ、Ｇ、Ｂの
電着ＣＦを形成し、図３３のようになる。Ｒ電着ＣＦ１
０２、Ｇ電着ＣＦ１０３、Ｂ電着ＣＦ１０４が電着電極
上に形成されているが、絶縁皮膜の部分は電流が流れな
いために電着ＣＦの穴１０５が形成される。最後に、Ｉ
ＴＯをスパッタリング等で形成後、フォトエッチングに
より透明画素電極１０６とＩＣ接続配線１０７を形成す
ることで、図３４のカラーＭＩＭ基板ができる。実施例
３と比較して、陽極酸化のマスキング用フォトレジスト
が必要になるが、Ｔａ配線を細くでき、場合によって
は、Ｔａ配線を取り除くことも可能となるため、開口率
がさらに高くなる。
電着ＣＦを形成し、図３３のようになる。Ｒ電着ＣＦ１
０２、Ｇ電着ＣＦ１０３、Ｂ電着ＣＦ１０４が電着電極
上に形成されているが、絶縁皮膜の部分は電流が流れな
いために電着ＣＦの穴１０５が形成される。最後に、Ｉ
ＴＯをスパッタリング等で形成後、フォトエッチングに
より透明画素電極１０６とＩＣ接続配線１０７を形成す
ることで、図３４のカラーＭＩＭ基板ができる。実施例
３と比較して、陽極酸化のマスキング用フォトレジスト
が必要になるが、Ｔａ配線を細くでき、場合によって
は、Ｔａ配線を取り除くことも可能となるため、開口率
がさらに高くなる。
【００２８】実施例４で作成したＭＩＭ素子基板の一画
素の平面図を図７に、図７におけるＡ−Ｂ断面図を図８
に示す。ガラス基板１７の上に透明電着電極１５が形成
されており、その上にＴａ配線１４が積層されている。
Ｔａ配線１４の内、陽極酸化された絶縁皮膜１３の上に
は電着ＣＦ１２が形成されず穴１６が形成され、透明画
素電極１１と直接接続され、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ
のＭＩＭ素子が形成されている。電着ＣＦの穴１６以外
の部分は、層間絶縁膜としての電着ＣＦ１２により完全
に絶縁されている。
素の平面図を図７に、図７におけるＡ−Ｂ断面図を図８
に示す。ガラス基板１７の上に透明電着電極１５が形成
されており、その上にＴａ配線１４が積層されている。
Ｔａ配線１４の内、陽極酸化された絶縁皮膜１３の上に
は電着ＣＦ１２が形成されず穴１６が形成され、透明画
素電極１１と直接接続され、Ｔａ−Ｔａ2 Ｏ5 −ＩＴＯ
のＭＩＭ素子が形成されている。電着ＣＦの穴１６以外
の部分は、層間絶縁膜としての電着ＣＦ１２により完全
に絶縁されている。
【００２９】実施例４では、対向基板にクロムのフォト
エッチング法で形成したブラックマトリクスを使用し
た。この場合、透明画素電極の隙間のみならず、ＭＩＭ
素子部分にも光があたらないように、格子状の中にさら
に素子サイズ相当の長方形の形状を持ったブラックマト
リクスにした。また、クロムブラックマトリクスの上
に、１〜５μｍの高分子膜による保護膜を形成し、その
上に対向透明電極を形成した。ここでは、クロムを用い
たが、他の金属でも良く、また、染色法や顔料分散法、
あるいは印刷法によるブラックマトリクスでも良い。ま
た、ガラス基板とＭＩＭ素子の間に、ブラックマトリク
スを設けることも、可能である。
エッチング法で形成したブラックマトリクスを使用し
た。この場合、透明画素電極の隙間のみならず、ＭＩＭ
素子部分にも光があたらないように、格子状の中にさら
に素子サイズ相当の長方形の形状を持ったブラックマト
リクスにした。また、クロムブラックマトリクスの上
に、１〜５μｍの高分子膜による保護膜を形成し、その
上に対向透明電極を形成した。ここでは、クロムを用い
たが、他の金属でも良く、また、染色法や顔料分散法、
あるいは印刷法によるブラックマトリクスでも良い。ま
た、ガラス基板とＭＩＭ素子の間に、ブラックマトリク
スを設けることも、可能である。
【００３０】実施例３および実施例４では、ＣＦを電着
方式で形成したが、顔料を添加しない高分子塗膜を用い
て電着し、白黒ＭＩＭ基板を作成することは、更に容易
である。その場合は、剥離タイプ導電ペ−ストで全端子
を結線するか、前もってパタ−ンニング上がりで全端子
を接続しておき、１回電着処理を行うだけで済む。この
場合も、対向基板にＣＦを形成すれば、カラ−ＭＩＭ液
晶パネルになる。
方式で形成したが、顔料を添加しない高分子塗膜を用い
て電着し、白黒ＭＩＭ基板を作成することは、更に容易
である。その場合は、剥離タイプ導電ペ−ストで全端子
を結線するか、前もってパタ−ンニング上がりで全端子
を接続しておき、１回電着処理を行うだけで済む。この
場合も、対向基板にＣＦを形成すれば、カラ−ＭＩＭ液
晶パネルになる。
【００３１】
【発明の効果】本発明により、金属配線を透明画素電極
の下に重ねて形成することができ、透明画素電極と金属
配線間の隙間が不要となり、透明画素電極面積を大きく
できるので、液晶パネルの開口率を高くすることがで
き、高透過率ＭＩＭ液晶パネルや高密度ＭＩＭ液晶パネ
ルを提供できる。
の下に重ねて形成することができ、透明画素電極と金属
配線間の隙間が不要となり、透明画素電極面積を大きく
できるので、液晶パネルの開口率を高くすることがで
き、高透過率ＭＩＭ液晶パネルや高密度ＭＩＭ液晶パネ
ルを提供できる。
【００３２】さらに、ＭＩＭ液晶パネル駆動時に発生す
る金属配線と透明画素電極間の横電界を抑えることがで
きるので、配向不良のない高品質のＭＩＭ液晶パネルを
提供できる。
る金属配線と透明画素電極間の横電界を抑えることがで
きるので、配向不良のない高品質のＭＩＭ液晶パネルを
提供できる。
【図１】本発明による実施例１のＭＩＭ素子構造を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図２】本発明による実施例１のＭＩＭ素子構造で、図
１のＡ−Ｂ断面図である。
１のＡ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明による実施例２のＭＩＭ素子構造を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図４】本発明による実施例２のＭＩＭ素子構造で、図
３のＡ−Ｂ断面図である。
３のＡ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明による実施例３のＭＩＭ素子構造を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図６】本発明による実施例３のＭＩＭ素子構造で、図
５のＡ−Ｂ断面図である。
５のＡ−Ｂ断面図である。
【図７】本発明による実施例４のＭＩＭ素子構造を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図８】本発明による実施例４のＭＩＭ素子構造で、図
７のＡ−Ｂ断面図である。
７のＡ−Ｂ断面図である。
【図９】従来例によるＭＩＭ素子構造を説明する平面図
である。
である。
【図１０】従来例によるＭＩＭ素子構造で、図９のＡ−
Ｂ断面図である。
Ｂ断面図である。
【図１１】従来例によるＭＩＭ液晶パネルの構成を説明
する図である。
する図である。
【図１２】本発明によるＭＩＭ液晶パネルの構成を説明
する図である。
する図である。
【図１３】本発明による実施例１におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図１４】本発明による実施例１におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図１５】本発明による実施例１におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図１６】本発明による実施例１におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図１７】本発明による実施例１におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図１８】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図１９】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２０】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２１】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２２】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２３】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２４】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２５】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２６】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２７】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２８】本発明による実施例３におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２９】本発明による実施例４におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図３０】本発明による実施例４におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図３１】本発明による実施例４におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図３２】本発明による実施例４におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図３３】本発明による実施例４におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図３４】本発明による実施例４におけるＭＩＭ基板の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
１ 透明画素電極（透明導電体） ２ パターンニング可能タイプ絶縁厚膜（層間絶縁膜） ３ 絶縁皮膜（絶縁体） ４ タンタル配線（金属配線） ５ 絶縁厚膜の穴 ６ ガラス基板 １１ 透明画素電極（透明導電体） １２ 電着カラ−フィルタ−（層間絶縁膜） １３ 絶縁皮膜（絶縁体） １４ タンタル配線（金属配線） １５ 透明電着電極 １６ 電着カラ−フィルタ−の穴 １７ ガラス基板 １８ 電着電極の穴 ２１ 透明画素電極（透明導電体） ２２ 絶縁皮膜（絶縁体） ２３ タンタル（素子部） ２４ ガラス基板 ２５ タンタル配線（金属配線） ３１ ガラス基板 ３２ 金属列電極（タンタル配線） ３３ 透明画素電極 ３４ 対抗透明行電極 ４１ ガラス基板 ４２ タンタル配線（金属配線） ４３ 剥離タイプ導電ペースト ４４ 陽極酸化用対抗電極 ４５ 陽極酸化槽 ４６ 絶縁皮膜 ４７ パターンニング可能タイプ絶縁厚膜 ４８ 絶縁厚膜の穴 ４９ 透明画素電極 ５０ ＩＣ接続配線 ６１ ガラス基板 ６２ タンタル配線（金属配線） ６３ 剥離タイプ導電ペースト ６４ 陽極酸化用対抗電極 ６５ 陽極酸化槽 ６６ 絶縁皮膜 ６７ Ｒ用電着電極 ６８ Ｇ用電着電極 ６９ Ｂ用電着電極 ７０ 電着電極の穴 ７１ 剥離タイプ導電ペースト ７２ 電着用対抗電極 ７３ Ｒ電着槽 ７４ Ｒ電着カラーフィルター ７５ 剥離タイプ導電ペースト ７６ Ｇ電着槽 ７７ Ｇ電着カラーフィルター ７８ 剥離タイプ導電ペースト ７９ Ｂ電着槽 ８０ Ｂ電着カラーフィルター ８１ 透明画素電極 ８２ ＩＣ接続配線 ９１ ガラス基板 ９２ Ｒ用電着電極 ９３ Ｇ用電着電極 ９４ Ｂ用電着電極 ９５ タンタル配線（金属配線） ９６ マスキング用フォトレジスト ９７ フォトレジストの穴 ９８ 剥離タイプ導電ペースト ９９ 陽極酸化槽 １００ 陽極酸化用対抗電極 １０１ 絶縁皮膜 １０２ Ｒ電着カラーフィルター １０３ Ｇ電着カラーフィルター １０４ Ｂ電着カラーフィルター １０５ 電着カラ−フィルタ−の穴 １０６ 透明画素電極 １０７ ＩＣ接続配線
Claims (8)
- 【請求項１】 金属−絶縁体−導電体３層構造からなる
いわゆるＭＩＭ素子を有するアクティブマトリクス方式
液晶表示装置において、行または列電極となる金属配線
と画素を形成する透明画素電極の間が厚さ０．５μｍ以
上の層間絶縁膜により分離された３重構造を有し、前記
層間絶縁膜に設けた穴でＭＩＭ素子を形成することを特
徴とするＭＩＭ液晶パネル。 - 【請求項２】 層間絶縁膜として、パタ−ンニングが可
能な絶縁厚膜をもちいたことを特徴とする請求項１に記
載のＭＩＭ液晶パネル。 - 【請求項３】 ガラス基板上に金属パターンを形成し、
陽極酸化処理を行った後、素子部分に穴を設けた絶縁厚
膜を形成することを特徴とする請求項２に記載のＭＩＭ
液晶パネル製造方法。 - 【請求項４】 ガラス基板上に金属パタ−ンを形成し、
素子部分に穴を設けた絶縁厚膜を形成した後に陽極酸化
処理を行なうことを特徴とする請求項２に記載のＭＩＭ
液晶パネル製造方法。 - 【請求項５】 層間絶縁膜として、顔料分散型電気凝集
高分子樹脂、いわゆる電着カラ−フィルタ−を用いたこ
とを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭ液晶パネル。 - 【請求項６】 層間絶縁膜として、顔料を添加しない電
気凝集高分子樹脂を用いたことを特徴とする請求項１に
記載のＭＩＭ液晶パネル。 - 【請求項７】 ガラス基板上に金属パタ−ンを形成し、
陽極酸化処理を行った後、素子部分に穴を設けた電着カ
ラ−フィルタ−作成用の透明電着電極を形成し、さらに
電着カラーフィルター形成処理をおこなうことを特徴と
する請求項５あるいは請求項６に記載のＭＩＭ液晶パネ
ル製造方法。 - 【請求項８】 ガラス基板上の電着カラ−フィルタ−作
成用透明電着電極パタ−ン上に金属パタ−ンも形成し、
更にフォトレジスト膜等の感光性樹脂で素子以外を被覆
し陽極酸化処理を行った後、電着カラ−フィルタ−形成
処理をおこなうことを特徴とする請求項５あるいは請求
項６に記載のＭＩＭ液晶パネル製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17497892A JPH05341325A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Ｍｉｍ液晶パネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17497892A JPH05341325A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Ｍｉｍ液晶パネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05341325A true JPH05341325A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15988081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17497892A Pending JPH05341325A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Ｍｉｍ液晶パネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05341325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1898256A2 (en) * | 1998-03-13 | 2008-03-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP17497892A patent/JPH05341325A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1898256A2 (en) * | 1998-03-13 | 2008-03-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
| EP1898256A3 (en) * | 1998-03-13 | 2008-04-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100244447B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| DE19809084C2 (de) | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
| JPH0772473A (ja) | カラー液晶表示装置 | |
| GB2306747A (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| JPH05142554A (ja) | アクテイブマトリクス基板 | |
| JPH05341325A (ja) | Ｍｉｍ液晶パネルおよびその製造方法 | |
| JPH07258826A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH0478826A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04342231A (ja) | 液晶表示装置用カラーフィルタ付基板の製造方法 | |
| JP3074866B2 (ja) | 非線形素子およびその製造方法並びにその非線形素子を用いた電気光学装置 | |
| JP3306986B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JPH06118449A (ja) | Ｍｉｍ型非線形素子の製造方法 | |
| JP2859304B2 (ja) | 非線形抵抗素子の製造方法 | |
| JPS63314521A (ja) | 液晶カラ−表示装置 | |
| JPH06337440A (ja) | Ｍｉｍ型非線形素子及びその製造方法 | |
| JPH07168208A (ja) | アクティブマトリックス方式液晶表示体 | |
| JPH08320495A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2777394B2 (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JPH0466919A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0462050B2 (ja) | ||
| JPH03174123A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法 | |
| JP2845929B2 (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JPH0352277A (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JPH04342207A (ja) | カラーフィルター及びその製造方法 | |
| JPH0720501A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |