JPH05326483A - Wafer processor and wafer through processor - Google Patents
Wafer processor and wafer through processorInfo
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- JPH05326483A JPH05326483A JP4148592A JP14859292A JPH05326483A JP H05326483 A JPH05326483 A JP H05326483A JP 4148592 A JP4148592 A JP 4148592A JP 14859292 A JP14859292 A JP 14859292A JP H05326483 A JPH05326483 A JP H05326483A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを洗浄処理する
のに用いるウエハ処理装置、およびこのウエハ処理装置
を組み込んだウエハ一貫処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing apparatus used for cleaning a wafer, and an integrated wafer processing apparatus incorporating the wafer processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のウエハ処理装置を、図８により説
明する。図に示すように、処理室１１の内部にはスピン
チャック１２が設けたられている。このスピンチャック
１２は、回動軸１３を介して、処理室の外部に設けたモ
ータ１４に接続されている。上記スピンチャック１２の
上方には、洗浄液等の処理液を供給するノズル１５が設
けられている。またスピンチャック１２のウエハ載置面
１６の斜め下方には、ウエハ９１の裏面に処理液を供給
するノズル１７が設けられている。さらに処理室１１の
底部には、処理液を排出する排出口１８が設けられてい
る。上記の如くに、ウエハ処理装置１０は構成されてい
る。2. Description of the Related Art A conventional wafer processing apparatus will be described with reference to FIG. As shown in the figure, a spin chuck 12 is provided inside the processing chamber 11. The spin chuck 12 is connected via a rotary shaft 13 to a motor 14 provided outside the processing chamber. A nozzle 15 for supplying a processing liquid such as a cleaning liquid is provided above the spin chuck 12. Further, a nozzle 17 for supplying a processing liquid to the back surface of the wafer 91 is provided obliquely below the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12. Further, at the bottom of the processing chamber 11, a discharge port 18 for discharging the processing liquid is provided. The wafer processing apparatus 10 is configured as described above.
【０００３】次に上記ウエハ処理装置１０の動作を説明
する。まず例えば薬液処理装置（図示せず）で薬液処理
されたウエハ９１をスピンチャック１２上の所定の位置
に載置する。その後、ノズル１５より処理液（例えば洗
浄液）をウエハ９１上に供給して、ウエハ９１の上面を
洗浄する。その後、モータ１４を駆動してスピンチャッ
ク１２を回動することにより、ウエハ９１を高速回転さ
せ、その回転によって生じた遠心力によりウエハ９１上
に付着している処理液を除去する。そしてウエハ９１の
乾燥をさせる。ウエハ９１より除去された処理液は、処
理室１１の内部より排出口１８を経て外部に排出され
る。Next, the operation of the wafer processing apparatus 10 will be described. First, for example, the wafer 91 which has been subjected to the chemical treatment by a chemical treatment device (not shown) is placed on the spin chuck 12 at a predetermined position. After that, a processing liquid (for example, a cleaning liquid) is supplied from the nozzle 15 onto the wafer 91 to clean the upper surface of the wafer 91. After that, the motor 14 is driven to rotate the spin chuck 12 to rotate the wafer 91 at a high speed, and the centrifugal force generated by the rotation removes the processing liquid adhering to the wafer 91. Then, the wafer 91 is dried. The processing liquid removed from the wafer 91 is discharged to the outside from the inside of the processing chamber 11 through the discharge port 18.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のウエハ処理装置では、ウエハを乾燥するのに時間が
かかる。このため、ウエハを枚葉処理した場合には、非
常にスループットが低下する。またウエハを薬液処理す
るには薬液処理装置で行い、その後、上記ウエハ処理装
置まで薬液処理したウエハを運搬して、当該ウエハ処理
装置で洗浄，乾燥処理を行う。したがって、ウエハの処
理が連続的に行えないので、ウエハ１枚当たりの処理時
間が長くなり、スループットが低下する。However, in the wafer processing apparatus having the above structure, it takes time to dry the wafer. For this reason, when the single wafer processing is performed, the throughput is extremely reduced. Further, the chemical treatment of the wafer is performed by a chemical treatment apparatus, and then the chemical-treated wafer is transported to the wafer treatment apparatus, and the wafer treatment apparatus performs cleaning and drying treatment. Therefore, since the wafers cannot be continuously processed, the processing time per wafer becomes long and the throughput decreases.
【０００５】本発明は、洗浄後のウエハを乾燥するのに
優れたウエハ処理装置およびスループットに優れたウエ
ハ一貫処理装置を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus which is excellent in drying a cleaned wafer and a wafer integrated processing apparatus which is excellent in throughput.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものである。すなわち、処理室の
内部にスピンチャックを設けたウエハ処理装置であっ
て、処理室の内部に加熱器を設けたものである。上記加
熱器は、スピンチャックよりも上部側に設けられてい
る。あるいはスピンチャックのウエハ載置面よりも下部
側に設けられている。またはスピンチャックよりも上部
側に設けるとともに当該スピンチャックのウエハ載置面
よりも下部側にも設けられている。The present invention has been made to achieve the above object. That is, it is a wafer processing apparatus in which a spin chuck is provided inside the processing chamber, and a heater is provided inside the processing chamber. The heater is provided above the spin chuck. Alternatively, it is provided below the wafer mounting surface of the spin chuck. Alternatively, it is provided above the spin chuck and below the wafer mounting surface of the spin chuck.
【０００７】また処理室の内部にスピンチャックを設け
たウエハ処理装置であって、処理室の内部のウエハに乾
燥ガスを供給するガス供給器を設けたものである。ガス
供給器のガス排出部は、スピンチャックに載置されるウ
エハの上面側に向けられている。あるいは、ウエハの下
面側に向けられている。またはウエハの上面側と当該ウ
エハの下面側とに向けられている。A wafer processing apparatus having a spin chuck inside the processing chamber is provided with a gas supplier for supplying a dry gas to the wafer inside the processing chamber. The gas discharge part of the gas supply device is directed to the upper surface side of the wafer mounted on the spin chuck. Alternatively, it is directed to the lower surface side of the wafer. Alternatively, it is directed toward the upper surface side of the wafer and the lower surface side of the wafer.
【０００８】またウエハ一貫処理装置は、ウエハを薬液
処理する薬液処理装置と、この薬液処理装置にウエハ搬
送部を介して接続した上記ウエハ処理装置とより構成さ
れている。The integrated wafer processing apparatus is composed of a chemical processing apparatus for processing a wafer with a chemical solution, and the wafer processing apparatus connected to the chemical processing apparatus via a wafer transfer section.
【０００９】[0009]
【作用】上記構成のウエハ処理装置では、加熱器を設け
たことにより、ウエハの上面側あるいはウエハの下面側
またはウエハの両面が加熱器によって加熱される。この
ため、例えば洗浄後のウエハの乾燥が促進される。また
ガス供給器を設けたものでは、ウエハの上面側あるいは
ウエハの下面側またはウエハの両面側に乾燥ガスが供給
される。このため、例えば洗浄後のウエハの乾燥が促進
される。さらに上記ウエハ一貫処理装置では、薬液処理
装置にウエハ搬送部を介して上記ウエハ処理装置を設け
たことにより、ウエハの薬液処理とウエハの洗浄処理お
よび乾燥処理とが連続して行える。In the wafer processing apparatus having the above structure, the heater is provided so that the upper surface of the wafer, the lower surface of the wafer, or both surfaces of the wafer are heated by the heater. Therefore, for example, the drying of the wafer after cleaning is promoted. Further, in the case where the gas supplier is provided, the dry gas is supplied to the upper surface side of the wafer, the lower surface side of the wafer, or both surface sides of the wafer. Therefore, for example, the drying of the wafer after cleaning is promoted. Further, in the above-described integrated wafer processing apparatus, the wafer processing apparatus is provided in the chemical processing apparatus via the wafer transfer unit, so that the chemical processing of the wafer and the cleaning and drying processing of the wafer can be continuously performed.
【００１０】[0010]
【実施例】本発明の第１の実施例を図１の概略構成断面
図により説明する。なお前記従来の技術中の図８で説明
した構成部品と同様の構成部品には同一符号を付す。図
に示すように、処理室１１の内部にはスピンチャック１
２が設けられている。このスピンチャック１２は、回動
軸１３を介して、処理室の外部に設けたモータ１４に接
続されている。上記スピンチャック１２の上方には洗浄
液等の処理液を供給するノズル１５が設けられている。
またスピンチャック１２のウエハ載置面１６の斜め下方
には、ウエハ９１の裏面に処理液を供給するノズル１７
が設けられている。さらに処理室１１の底部には、処理
液を排出する排出口１８が設けられている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic sectional view of FIG. The same components as those described in FIG. 8 in the conventional technique are designated by the same reference numerals. As shown in the figure, the spin chuck 1 is provided inside the processing chamber 11.
Two are provided. The spin chuck 12 is connected via a rotary shaft 13 to a motor 14 provided outside the processing chamber. A nozzle 15 for supplying a processing liquid such as a cleaning liquid is provided above the spin chuck 12.
A nozzle 17 for supplying a processing liquid to the back surface of the wafer 91 is provided obliquely below the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12.
Is provided. Further, at the bottom of the processing chamber 11, a discharge port 18 for discharging the processing liquid is provided.
【００１１】また上記処理室１１の内部には、スピンチ
ャック１２よりも上部側に、上部側加熱器２１が設けら
れている。この上部側加熱器２１は、例えばランプアニ
ール処理に用いられるような加熱ランプよりなる。この
上部側加熱器２１には電源２２が接続されている。なお
上記上部側加熱器２１は加熱ランプに限定されることは
なく、例えば赤外線を照射するようなレーザ発振器を用
いることも可能である。上記の如くに、ウエハ処理装置
１は構成されている。Further, inside the processing chamber 11, an upper heater 21 is provided above the spin chuck 12. The upper heater 21 is composed of, for example, a heating lamp used in a lamp annealing process. A power source 22 is connected to the upper heater 21. The upper heater 21 is not limited to a heating lamp, and it is possible to use a laser oscillator that emits infrared rays, for example. The wafer processing apparatus 1 is configured as described above.
【００１２】次に上記ウエハ処理装置１の動作を説明す
る。まずウエハ９１をスピンチャック１２上の所定の位
置に載置する。その後、ノズル１５より処理液（例えば
洗浄液）をウエハ９１上に供給して、ウエハ９１の上面
を洗浄する。同時にノズル１７より処理液（例えば洗浄
液）をウエハ９１の裏面に供給して、ウエハ９１の裏面
を洗浄する。その後、モータ１４を駆動してスピンチャ
ック１２を回動することにより、ウエハ９１を高速回転
させ、その回転によって生じた遠心力によりウエハ９１
の両面に付着している処理液を除去する。このとき上部
側加熱器２１を動作させて、ウエハ９１の上面を加熱す
る。そしてウエハ９１の乾燥を促進させる。Next, the operation of the wafer processing apparatus 1 will be described. First, the wafer 91 is placed on the spin chuck 12 at a predetermined position. After that, a processing liquid (for example, a cleaning liquid) is supplied from the nozzle 15 onto the wafer 91 to clean the upper surface of the wafer 91. At the same time, a processing liquid (for example, a cleaning liquid) is supplied from the nozzle 17 to the back surface of the wafer 91 to clean the back surface of the wafer 91. Then, the motor 14 is driven to rotate the spin chuck 12 to rotate the wafer 91 at high speed, and the wafer 91 is rotated by the centrifugal force generated by the rotation.
Remove the treatment liquid adhering to both sides of. At this time, the upper heater 21 is operated to heat the upper surface of the wafer 91. Then, the drying of the wafer 91 is promoted.
【００１３】なお、上記ウエハ９１を乾燥した後に、処
理室１１の内部は高温の雰囲気になっている。そこで高
温の雰囲気を冷却し易くするために、図示したように、
処理室１１の上部に開口１９を設けることも可能であ
る。After the wafer 91 is dried, the inside of the processing chamber 11 is in a high temperature atmosphere. Therefore, in order to facilitate cooling of the high temperature atmosphere, as shown in the figure,
It is also possible to provide the opening 19 in the upper part of the processing chamber 11.
【００１４】次に、第２の実施例を、図２の概略構成断
面図により説明する。図では、上記第１の実施例と同様
の構成部品には同一符号を付す。図に示すように、ウエ
ハ処理装置２は、上記説明したウエハ処理装置（１）に
おいて、上部側加熱器（２１）の代わりに、スピンチャ
ック１２のウエハ載置面１６よりも斜め下方側の当該処
理室１１の内部に下部側加熱器３１を設けたものであ
る。この下部側加熱器３１には電源３２が接続されてい
る。上記下部側加熱器３１は、第１の実施例で説明した
と同様に、例えばランプアニール処理用の加熱ランプあ
るいは赤外線を照射するようなレーザ発振器等を用いる
ことが可能である。上記の如くに、ウエハ処理装置２は
構成されている。Next, the second embodiment will be described with reference to the schematic sectional view of FIG. In the figure, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals. As shown in the figure, the wafer processing apparatus 2 is different from the wafer processing apparatus (1) described above in that the upper heater (21) is replaced by a wafer obliquely below the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12. A lower heater 31 is provided inside the processing chamber 11. A power source 32 is connected to the lower heater 31. As the lower side heater 31, it is possible to use, for example, a heating lamp for lamp annealing treatment or a laser oscillator for irradiating infrared rays, as in the first embodiment. The wafer processing apparatus 2 is configured as described above.
【００１５】上記ウエハ処理装置２では、ウエハ９１を
洗浄した後、ウエハ９１を高速回転させてウエハ９１上
に付着している処理液を除去するときに、上記下部側加
熱器３１を動作させて、下面側よりウエハ９１を加熱す
る。そしてウエハ９１の乾燥を促進させる。In the wafer processing apparatus 2, after cleaning the wafer 91 and rotating the wafer 91 at a high speed to remove the processing solution adhering to the wafer 91, the lower heater 31 is operated. The wafer 91 is heated from the lower surface side. Then, the drying of the wafer 91 is promoted.
【００１６】次に、第３の実施例を、図３の概略構成断
面図により説明する。なお図では、上記第１，第２の実
施例と同様の構成部品には同一符号を付す。図に示すよ
うに、ウエハ処理装置３は、上記第１の実施例で説明し
たように、スピンチャック１２よりも上部側に上部側加
熱器２１を設けるとともに、上記第２の実施例で説明し
たと同様に、スピンチャック１２のウエハ載置面１６よ
りも斜め下方側に下部側加熱器３１を設けたものであ
る。上部側加熱器２１には電源２２が接続されていて、
下部側加熱器３１には電源３２が接続されている。上記
上部側加熱器２１，下部側加熱器３１は、第１，第２の
実施例で説明したと同様に、例えばランプアニール処理
用の加熱ランプあるいは赤外線を照射するようなレーザ
発振器等を用いることが可能である。上記の如くに、ウ
エハ処理装置３は構成されている。Next, a third embodiment will be described with reference to the schematic sectional view of the construction of FIG. In the figure, the same components as those in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals. As shown in the figure, the wafer processing apparatus 3 is provided with the upper heater 21 on the upper side of the spin chuck 12 as described in the first embodiment, and is described in the second embodiment. Similarly, the lower heater 31 is provided obliquely below the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12. A power source 22 is connected to the upper heater 21,
A power source 32 is connected to the lower heater 31. As the upper side heater 21 and the lower side heater 31, as in the first and second embodiments, for example, a heating lamp for lamp annealing treatment or a laser oscillator for irradiating infrared rays is used. Is possible. The wafer processing apparatus 3 is configured as described above.
【００１７】上記ウエハ処理装置３では、ウエハ９１を
洗浄した後、ウエハ９１を高速回転させてウエハ９１上
に付着している処理液を除去するときに、上部側加熱器
２１によってウエハ９１の上面側を加熱するとともに、
下部側加熱器３１によってウエハ９１の下面側を加熱す
る。したがって、ウエハ９１は両面側より加熱されるの
で、乾燥時間を短縮される。また乾燥が十分に行える。In the wafer processing apparatus 3, after cleaning the wafer 91 and rotating the wafer 91 at a high speed to remove the processing liquid adhering to the wafer 91, the upper side heater 21 causes the upper surface of the wafer 91 to move. While heating the side,
The lower heater 31 heats the lower surface of the wafer 91. Therefore, since the wafer 91 is heated from both sides, the drying time can be shortened. Further, it can be sufficiently dried.
【００１８】次に、第４の実施例を、図４の概略構成断
面図により説明する。なお図では、上記第１の実施例と
同様の構成部品には同一符号を付す。図に示すように、
ウエハ処理装置４は、第１の実施例で説明したウエハ処
理装置（１）の上部側加熱器（２１）の代わりに、処理
室１１の内部に乾燥ガスを供給するガス供給器４１を設
けたものである。Next, a fourth embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. In the figure, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals. As shown in the figure,
The wafer processing apparatus 4 is provided with a gas supplier 41 for supplying a dry gas into the processing chamber 11, instead of the upper heater (21) of the wafer processing apparatus (1) described in the first embodiment. It is a thing.
【００１９】すなわち、処理室１１の内部にはスピンチ
ャック１２が設けられている。このスピンチャック１２
は、回動軸１３を介して、処理室１１の外部に設けたモ
ータ１４に接続されている。上記スピンチャック１２の
上方には洗浄液等の処理液を供給するノズル１５が設け
られている。またスピンチャック１２のウエハ載置面１
６の斜め下方には、ウエハ９１の裏面に処理液を供給す
るノズル１７が設けられている。さらに処理室１１の底
部には、処理液を排出する排出口１８が設けられてい
る。また上記ガス供給器４１は、乾燥ガスを供給するガ
ス供給部４２と、ガス供給部４２よりバルブ４３を介し
て処理室１１内のウエハ９１の表面に乾燥ガスを供給す
る供給管４４とよりなる。したがって、供給管４４のガ
ス排出口４５は、スピンチャック１２に載置されるウエ
ハ９１の表面のほぼ中央上方に位置する。上記の如く
に、ウエハ処理装置４は構成されている。That is, the spin chuck 12 is provided inside the processing chamber 11. This spin chuck 12
Is connected to a motor 14 provided outside the processing chamber 11 via a rotating shaft 13. A nozzle 15 for supplying a processing liquid such as a cleaning liquid is provided above the spin chuck 12. Also, the wafer mounting surface 1 of the spin chuck 12
A nozzle 17 for supplying the processing liquid to the back surface of the wafer 91 is provided obliquely below 6. Further, at the bottom of the processing chamber 11, a discharge port 18 for discharging the processing liquid is provided. Further, the gas supplier 41 includes a gas supplier 42 for supplying a dry gas, and a supply pipe 44 for supplying the dry gas from the gas supplier 42 to the surface of the wafer 91 in the processing chamber 11 via the valve 43. .. Therefore, the gas outlet 45 of the supply pipe 44 is located substantially above the center of the surface of the wafer 91 mounted on the spin chuck 12. The wafer processing apparatus 4 is configured as described above.
【００２０】なお上記供給管４４の先端に、複数のガス
排出口を有するノズル（図示せず）を設けることも可能
である。あるいは、ウエハ９１の半径方向に乾燥ガスを
吹きつけることが可能なラッパ状のノズル（図示せず）
をもうけることも可能である。It is also possible to provide a nozzle (not shown) having a plurality of gas discharge ports at the tip of the supply pipe 44. Alternatively, a trumpet-shaped nozzle (not shown) capable of blowing a dry gas in the radial direction of the wafer 91.
It is also possible to make
【００２１】次に上記ウエハ処理装置４の動作を説明す
る。まずウエハ９１をスピンチャック１２上の所定の位
置に載置する。その後、ノズル１５より処理液（例えば
洗浄液）をウエハ９１上に供給して、ウエハ９１の上面
を洗浄する。同時にノズル１７より処理液（例えば洗浄
液）をウエハ９１の裏面に供給して、ウエハ９１の裏面
を洗浄する。その後、モータ１４を駆動してスピンチャ
ック１２を回動することにより、ウエハ９１を高速回転
させ、その回転によって生じた遠心力によりウエハ９１
の両面に付着している処理液を除去する。このときガス
供給器４１によって乾燥ガスをウエハ９１の上面を吹き
つける。そしてウエハ９１の乾燥を促進させる。また上
記乾燥ガスには高温の乾燥ガスを用いたほうが、ウエハ
９１を乾燥する効果が大きくなる。Next, the operation of the wafer processing apparatus 4 will be described. First, the wafer 91 is placed on the spin chuck 12 at a predetermined position. After that, a processing liquid (for example, a cleaning liquid) is supplied from the nozzle 15 onto the wafer 91 to clean the upper surface of the wafer 91. At the same time, a processing liquid (for example, a cleaning liquid) is supplied from the nozzle 17 to the back surface of the wafer 91 to clean the back surface of the wafer 91. Then, the motor 14 is driven to rotate the spin chuck 12 to rotate the wafer 91 at a high speed, and the centrifugal force generated by the rotation causes the wafer 91 to rotate.
Remove the treatment liquid adhering to both sides of. At this time, the gas supply device 41 blows dry gas onto the upper surface of the wafer 91. Then, the drying of the wafer 91 is promoted. Further, when a high temperature dry gas is used as the dry gas, the effect of drying the wafer 91 becomes greater.
【００２２】なお、上記ウエハ９１を乾燥した後に、処
理室１１の内部は非常に乾燥した雰囲気になっている。
そこで通常の雰囲気に早く戻すために、図示したよう
に、処理室１１の上部に開口１９を設けることも可能で
ある。After the wafer 91 is dried, the inside of the processing chamber 11 is in a very dry atmosphere.
Therefore, in order to quickly return to the normal atmosphere, it is possible to provide an opening 19 in the upper part of the processing chamber 11 as shown in the figure.
【００２３】次に、第５の実施例を、図５の概略構成断
面図により説明する。図では、上記第１，第４の実施例
と同様の構成部品には同一符号を付す。図に示すよう
に、ウエハ処理装置５は、上記説明したウエハ処理装置
（４）において、上記ガス供給器（４１）の代わりに、
別のガス供給器５１を設けたものである。上記別のガス
供給器５１は、乾燥ガスを供給するガス供給部５２と、
ガス供給部５２よりバルブ５３を介して処理室１１の内
部のウエハ９１の裏面に乾燥ガスを供給する供給管５４
とよりなる。したがって、供給管５４のガス排出口５５
はスピンチャック１２に載置されるウエハ９１の裏面よ
り下方側に位置する。上記の如くに、ウエハ処理装置５
は構成されている。Next, a fifth embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. In the figure, the same components as those in the first and fourth embodiments are designated by the same reference numerals. As shown in the figure, the wafer processing apparatus 5 is the same as the wafer processing apparatus (4) described above, in place of the gas supplier (41).
Another gas supply device 51 is provided. The other gas supplier 51 includes a gas supplier 52 for supplying a dry gas,
A supply pipe 54 for supplying a dry gas from the gas supply unit 52 to the back surface of the wafer 91 inside the processing chamber 11 via the valve 53.
And consists of. Therefore, the gas outlet 55 of the supply pipe 54
Is located below the back surface of the wafer 91 mounted on the spin chuck 12. As described above, the wafer processing apparatus 5
Is configured.
【００２４】なお上記供給管５４の先端に、複数のガス
排出口を有するノズル（図示せず）を設けることも可能
である。あるいは、ウエハ９１の半径方向に乾燥ガスを
吹きつけることが可能なラッパ状のノズル（図示せず）
を設けることも可能である。It is possible to provide a nozzle (not shown) having a plurality of gas outlets at the tip of the supply pipe 54. Alternatively, a trumpet-shaped nozzle (not shown) capable of blowing a dry gas in the radial direction of the wafer 91.
It is also possible to provide.
【００２５】上記ウエハ処理装置５では、ウエハ９１を
洗浄した後、ウエハ９１を高速回転させてウエハ９１上
に付着している処理液を除去するときに、上記ガス供給
器５１を動作させて、ウエハ９１の裏面側に乾燥ガスを
吹きつける。そしてウエハ９１の裏面側の乾燥を促進さ
せる。In the wafer processing apparatus 5, after cleaning the wafer 91 and rotating the wafer 91 at a high speed to remove the processing liquid adhering to the wafer 91, the gas supplier 51 is operated, A dry gas is blown onto the back surface of the wafer 91. Then, the drying of the back surface side of the wafer 91 is promoted.
【００２６】次に、第６の実施例を、図６の概略構成断
面図により説明する。なお図では、上記第４，第５の実
施例と同様の構成部品には同一符号を付す。図に示すよ
うに、ウエハ処理装置６は、上記第４の実施例で説明し
たと同様のガス供給器４１を設けるとともに、上記第５
の実施例で説明したと同様のガス供給器５１を設けたも
のである。Next, a sixth embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. In the figure, the same components as those in the fourth and fifth embodiments are designated by the same reference numerals. As shown in the figure, the wafer processing apparatus 6 is provided with the same gas supply device 41 as described in the fourth embodiment, and the wafer processing device 6 is provided with the fifth gas supply device.
The same gas supply device 51 as that described in the above embodiment is provided.
【００２７】上記ウエハ処理装置６では、ウエハ９１を
洗浄した後、ウエハ９１を高速回転させてウエハ９１の
両面に付着している処理液を除去するときに、ガス供給
器４１，５１によって、ウエハ９１の両面に乾燥ガスが
吹きつけられる。したがって、ウエハ９１は両面近傍は
乾燥雰囲気になるので、乾燥が促進される。In the wafer processing apparatus 6, after cleaning the wafer 91, the wafer 91 is rotated at a high speed to remove the processing liquid adhering to both surfaces of the wafer 91 by the gas supply devices 41 and 51. Drying gas is blown on both sides of 91. Therefore, the wafer 91 has a dry atmosphere in the vicinity of both surfaces thereof, so that the drying is promoted.
【００２８】次ぎに上記第１〜第６の実施例で説明した
ウエハ処理装置１〜６の内のいずれかのウエハ処理装置
を洗浄装置に用いたウエハ一貫処理装置を、図７の概略
構成図により説明する。図に示すように、ウエハ９１の
上面に薬液を供給してエッチング等の処理を行う薬液処
理装置７１が設けられている。この薬液処理装置７１の
一方側には、ゲートバルブ８１を介してウエハ９１を搬
出入する第１のウエハ搬送部７２が接続さている。また
第１のウエハ搬送部７２の他方側には、ゲートバルブ８
２を介して例えば上記ウエハ処理装置１が接続されてい
る。上記の如くに、ウエハ一貫処理装置７が構成されて
いる。Next, FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a wafer integrated processing apparatus using any of the wafer processing apparatuses 1 to 6 described in the first to sixth embodiments as a cleaning apparatus. Will be explained. As shown in the figure, a chemical liquid processing device 71 that supplies a chemical liquid to the upper surface of the wafer 91 to perform processing such as etching is provided. A first wafer transfer section 72 for loading and unloading the wafer 91 is connected to one side of the chemical liquid processing apparatus 71 via a gate valve 81. On the other side of the first wafer transfer section 72, the gate valve 8
The wafer processing apparatus 1 is connected via 2, for example. The integrated wafer processing device 7 is configured as described above.
【００２９】なお上記ウエハ一貫処理装置７の薬液処理
装置７１の他方側には、ゲートバルブ８３を介して当該
薬液処理装置７１にウエハ９１を搬出入するための第２
のウエハ搬送部７３が接続されている。この第２のウエ
ハ搬送部７３には、ゲートバルブ８４を介して第１のウ
エハ収納部７４が接続されている。上記ウエハ処理装置
１の他方側には、ゲートバルブ８５を介してウエハ９１
を搬出入するための第３のウエハ搬送部７５が接続され
ている。このウエハ搬送部７５には、第２のウエハ収納
部７６が接続されている。On the other side of the chemical solution processing apparatus 71 of the integrated wafer processing apparatus 7, there is provided a second wafer for carrying the wafer 91 into and out of the chemical solution processing apparatus 71 through a gate valve 83.
Wafer transfer section 73 is connected. A first wafer storage unit 74 is connected to the second wafer transfer unit 73 via a gate valve 84. On the other side of the wafer processing apparatus 1, a wafer 91 is provided via a gate valve 85.
A third wafer transfer unit 75 for loading and unloading is connected. A second wafer storage unit 76 is connected to the wafer transfer unit 75.
【００３０】上記ウエハ一貫処理装置７の動作例を説明
する。まず処理を行っていないウエハ９１を収納したキ
ャリア９２を第１のウエハ収納部７４に載置する。そし
てゲートバルブ８４を開放して、第２のウエハ搬送部７
３に設けた搬送ロボット７７によりキャリア９２よりウ
エハ９１を取り出す。そしてゲートバルブ８３を開放し
てウエハ９１を薬液処理装置７１に搬送する。その後ゲ
ートバルブ８３，８４を閉めて、ウエハ９１を薬液処理
する。An operation example of the integrated wafer processing apparatus 7 will be described. First, the carrier 92 accommodating the unprocessed wafer 91 is placed in the first wafer accommodating portion 74. Then, the gate valve 84 is opened, and the second wafer transfer unit 7 is opened.
The wafer 91 is taken out from the carrier 92 by the transfer robot 77 provided in No. 3. Then, the gate valve 83 is opened to transfer the wafer 91 to the chemical liquid processing apparatus 71. After that, the gate valves 83 and 84 are closed to process the wafer 91 with the chemical solution.
【００３１】薬液処理後、ゲートバルブ８１を開放し
て、第１のウエハ搬送部７２に設けた搬送ロボット７８
で、薬液処理装置７１よりウエハ９１を取り出す。そし
てゲートバルブ８２を開放してウエハ９１をウエハ処理
装置１に搬送する。その後ゲートバルブ８２，８５を閉
めて、ウエハ処理装置１でウエハ９１を洗浄，乾燥処理
する。After the chemical solution treatment, the gate valve 81 is opened, and the transfer robot 78 provided in the first wafer transfer section 72.
Then, the wafer 91 is taken out from the chemical liquid processing device 71. Then, the gate valve 82 is opened to transfer the wafer 91 to the wafer processing apparatus 1. After that, the gate valves 82 and 85 are closed, and the wafer 91 is cleaned and dried in the wafer processing apparatus 1.
【００３２】乾燥処理後、ゲートバルブ８５を開放し
て、第３のウエハ搬送部７５に設けた搬送ロボット７９
で、ウエハ処理装置１よりウエハ９１を取り出す。そし
てウエハ収納部７６のキャリア９３に取り出したウエハ
９１を収納する。After the drying process, the gate valve 85 is opened, and the transfer robot 79 provided in the third wafer transfer section 75.
Then, the wafer 91 is taken out from the wafer processing apparatus 1. Then, the taken-out wafer 91 is stored in the carrier 93 of the wafer storage portion 76.
【００３３】上記説明したように、ウエハ一貫処理装置
７では、ウエハ９１の薬液処理とウエハ９１の洗浄，乾
燥処理とが連続して行える。しかもウエハ処理装置１に
おける乾燥が加熱器２１（またはウエハ９１に乾燥ガス
を吹きつけるガス供給器）によって行われるので、ウエ
ハ９１の乾燥が促進される。このため、ウエハ９１の１
枚あたりの総処理時間が短縮される。As described above, in the integrated wafer processing apparatus 7, the chemical treatment of the wafer 91 and the cleaning and drying treatment of the wafer 91 can be continuously performed. Moreover, since the drying in the wafer processing apparatus 1 is performed by the heater 21 (or the gas supplier that blows the dry gas onto the wafer 91), the drying of the wafer 91 is promoted. Therefore, 1 of the wafer 91
The total processing time per sheet is reduced.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
加熱器を設けたことにより、ウエハの上面側あるいはウ
エハの下面側またはウエハの両面が加熱器によって加熱
される。このため、ウエハの乾燥が促進される。よっ
て、スループットの向上が図れる。またガス供給器を設
けたものでは、ウエハの上面側あるいはウエハの下面側
またはウエハの両面側に乾燥ガスが供給される。このた
め、ウエハの乾燥が促進される。よって、上記同様にス
ループットの向上が図れる。さらに上記ウエハ一貫処理
装置では、ウエハの薬液処理とウエハの洗浄および乾燥
処理とが連続して行える。このため、スループットの向
上が図れる。As described above, according to the present invention,
By providing the heater, the upper surface side of the wafer, the lower surface side of the wafer, or both surfaces of the wafer are heated by the heater. Therefore, the drying of the wafer is promoted. Therefore, the throughput can be improved. Further, in the case where the gas supply device is provided, the dry gas is supplied to the upper surface side of the wafer, the lower surface side of the wafer, or both surface sides of the wafer. Therefore, the drying of the wafer is promoted. Therefore, the throughput can be improved similarly to the above. Further, in the above-mentioned integrated wafer processing apparatus, the chemical processing of the wafer and the cleaning and drying processing of the wafer can be continuously performed. Therefore, the throughput can be improved.
【図１】第１の実施例の概略構成断面図である。FIG. 1 is a schematic configuration sectional view of a first embodiment.
【図２】第２の実施例の概略構成断面図である。FIG. 2 is a schematic configuration sectional view of a second embodiment.
【図３】第３の実施例の概略構成断面図である。FIG. 3 is a schematic configuration sectional view of a third embodiment.
【図４】第４の実施例の概略構成断面図である。FIG. 4 is a schematic configuration sectional view of a fourth embodiment.
【図５】第５の実施例の概略構成断面図である。FIG. 5 is a schematic configuration sectional view of a fifth embodiment.
【図６】第６の実施例の概略構成断面図である。FIG. 6 is a schematic structural cross-sectional view of a sixth embodiment.
【図７】ウエハ一貫処理装置の概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a wafer integrated processing apparatus.
【図８】従来例の概略構成断面図である。FIG. 8 is a schematic configuration sectional view of a conventional example.
１ ウエハ処理装置 ２ ウエハ処理装置 ３ ウエハ処理装置 ４ ウエハ処理装置 ５ ウエハ処理装置 ６ ウエハ処理装置 ７ ウエハ一貫処理装置 １１ 処理室 １２ スピンチャック １６ ウエハ載置面 ２１ 加熱器 ３１ 加熱器 ４１ ガス供給器 ５１ ガス供給器 ７１ 薬液処理装置 ７２ 第１のウエハ搬送部 ９１ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer processing apparatus 2 Wafer processing apparatus 3 Wafer processing apparatus 4 Wafer processing apparatus 5 Wafer processing apparatus 6 Wafer processing apparatus 7 Wafer integrated processing apparatus 11 Processing chamber 12 Spin chuck 16 Wafer mounting surface 21 Heater 31 Heater 41 Gas supplier 51 Gas Supply Device 71 Chemical Solution Processing Device 72 First Wafer Transfer Section 91 Wafer
Claims (9)
ウエハ処理装置において、 前記処理室の内部に加熱器を設けたことを特徴とするウ
エハ処理装置。1. A wafer processing apparatus having a spin chuck provided inside a processing chamber, wherein a heater is provided inside the processing chamber.
いて、 前記加熱器を前記スピンチャックよりも上部側に設けた
ことを特徴とするウエハ処理装置。2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the heater is provided above the spin chuck.
いて、 前記加熱器を前記スピンチャックのウエハ載置面よりも
下部側に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。3. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the heater is provided below a wafer mounting surface of the spin chuck.
いて、 前記加熱器を、前記スピンチャックよりも上部側に設け
るとともに当該スピンチャックのウエハ載置面よりも下
部側にも設けたことを特徴とするウエハ処理装置。4. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the heater is provided above the spin chuck and below the wafer mounting surface of the spin chuck. Wafer processing equipment.
ウエハ処理装置において、 前記処理室の内部に乾燥ガスを供給するガス供給器を設
けたことを特徴とするウエハ処理装置。5. A wafer processing apparatus having a spin chuck inside a processing chamber, wherein a gas supplier for supplying a dry gas is provided inside the processing chamber.
いて、 前記ガス供給器のガス排出部を前記スピンチャックに載
置されるウエハの上面側に向けて、当該ガス供給器を前
記処理室内に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。6. The wafer processing apparatus according to claim 5, wherein the gas discharge unit of the gas supply unit faces the upper surface side of the wafer mounted on the spin chuck, and the gas supply unit is provided in the processing chamber. A wafer processing apparatus, which is provided.
いて、 前記ガス供給器のガス排出部を前記スピンチャックに載
置されるウエハの下面側に向けて、当該ガス供給器を前
記処理室内に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。7. The wafer processing apparatus according to claim 5, wherein the gas supply unit of the gas supply unit is disposed inside the processing chamber with the gas discharge unit of the gas supply unit facing the lower surface of the wafer mounted on the spin chuck. A wafer processing apparatus, which is provided.
いて、 前記ガス供給器のガス排出部を前記スピンチャックに載
置されるウエハの上面側と当該ウエハの下面側とに向け
て、当該ガス供給器を前記処理室内に設けたことを特徴
とするウエハ処理装置。8. The wafer processing apparatus according to claim 5, wherein the gas discharge part of the gas supply device is directed toward an upper surface side and a lower surface side of the wafer mounted on the spin chuck. A wafer processing apparatus, wherein a supply device is provided in the processing chamber.
求項８に記載したウエハ処理装置のうちの一つのウエハ
処理装置とよりなることを特徴とするウエハ一貫処理装
置。9. A wafer of one of the wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the chemical processing apparatus, a wafer transfer section connected to the chemical processing apparatus, and a wafer transfer section connected to the wafer transfer section. An integrated wafer processing system comprising a processing system.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4148592A JPH05326483A (en) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | Wafer processor and wafer through processor |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326483A (en) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046064A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
| US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
| US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
| US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US6543156B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-04-08 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
| US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
| US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
| US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
| US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| JP2009071327A (en) * | 2008-12-01 | 2009-04-02 | Shibaura Mechatronics Corp | Spin processing device |
| US7780867B1 (en) | 1999-10-01 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| JP2010245575A (en) * | 2002-05-28 | 2010-10-28 | Shibaura Mechatronics Corp | Spin treatment apparatus, and method of spin treatment |
| US8100081B1 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
| US8172646B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Magnetically actuated chuck for edge bevel removal |
| US8419964B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| JP2014528163A (en) * | 2011-09-09 | 2014-10-23 | ラム・リサーチ・アーゲーＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａｇ | Method and apparatus for liquid processing of wafer-like articles |
| US9732416B1 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
| CN108022860A (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 细美事有限公司 | Apparatus and method for handling substrate |
| KR20180058390A (en) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| KR20180120663A (en) * | 2018-10-30 | 2018-11-06 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
| KR20180121449A (en) * | 2018-10-30 | 2018-11-07 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
| US11195730B2 (en) | 2014-08-26 | 2021-12-07 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP4148592A patent/JPH05326483A/en active Pending
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6695914B2 (en) | 1998-03-13 | 2004-02-24 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6558470B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-05-06 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
| US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
| WO1999046064A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US6997988B2 (en) | 1998-03-13 | 2006-02-14 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| US6446643B2 (en) | 1998-03-13 | 2002-09-10 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
| US6447633B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-09-10 | Semitdol, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
| US6494956B2 (en) | 1998-03-13 | 2002-12-17 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6666922B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-12-23 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6660098B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-12-09 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
| US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
| US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
| US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
| US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US7780867B1 (en) | 1999-10-01 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US6543156B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-04-08 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
| JP2010245575A (en) * | 2002-05-28 | 2010-10-28 | Shibaura Mechatronics Corp | Spin treatment apparatus, and method of spin treatment |
| US8100081B1 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
| US10563298B1 (en) | 2007-04-18 | 2020-02-18 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
| US9732416B1 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
| US9685353B2 (en) | 2008-08-27 | 2017-06-20 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US8419964B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| JP2009071327A (en) * | 2008-12-01 | 2009-04-02 | Shibaura Mechatronics Corp | Spin processing device |
| US8172646B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Magnetically actuated chuck for edge bevel removal |
| JP2014528163A (en) * | 2011-09-09 | 2014-10-23 | ラム・リサーチ・アーゲーＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａｇ | Method and apparatus for liquid processing of wafer-like articles |
| US11195730B2 (en) | 2014-08-26 | 2021-12-07 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
| CN108022860A (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 细美事有限公司 | Apparatus and method for handling substrate |
| US10682674B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-06-16 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| KR20180058390A (en) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| KR20180120663A (en) * | 2018-10-30 | 2018-11-06 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
| KR20180121449A (en) * | 2018-10-30 | 2018-11-07 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
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