JPH05326483A - Wafer processor and wafer through processor - Google Patents

Wafer processor and wafer through processor

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JPH05326483A
JPH05326483A JP14859292A JP14859292A JPH05326483A JP H05326483 A JPH05326483 A JP H05326483A JP 14859292 A JP14859292 A JP 14859292A JP 14859292 A JP14859292 A JP 14859292A JP H05326483 A JPH05326483 A JP H05326483A
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JP
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wafer
processor
processing
comprises
gas
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JP14859292A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaki Minami
正樹 南
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
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Abstract

PURPOSE:To shorten a wafer processing time by expediting drying of a wafer processed with processing solution (e.g. cleanser). CONSTITUTION:A wafer processor has a spin chuck 12 in a processing chamber 11, and comprises a heater 21 for heating a surface of the wafer 91 placed on the chuck 12 to expedite drying of the wafer 91 in the chamber 11. Or, the processor comprises a gas supply unit (not shown) for supplying dry gas to the surface of the wafer 91.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを洗浄処理するのに用いるウエハ処理装置、およびこのウエハ処理装置を組み込んだウエハ一貫処理装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer processing apparatus for use in cleaning the wafer, and to a wafer integrated processing system incorporating the wafer processing apparatus.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来のウエハ処理装置を、図8により説明する。 BACKGROUND ART The conventional wafer processing apparatus will be described with reference to FIG. 図に示すように、処理室11の内部にはスピンチャック12が設けたられている。 As shown, the inside of the processing chamber 11 spin chuck 12 is When provided. このスピンチャック12は、回動軸13を介して、処理室の外部に設けたモータ14に接続されている。 The spin chuck 12 via the pivot shaft 13, is connected to a motor 14 provided outside the processing chamber. 上記スピンチャック12の上方には、洗浄液等の処理液を供給するノズル15が設けられている。 Above the spin chuck 12, a nozzle 15 for supplying a processing liquid of the cleaning liquid or the like is provided. またスピンチャック12のウエハ載置面16の斜め下方には、ウエハ91の裏面に処理液を供給するノズル17が設けられている。 Also obliquely below the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12, a nozzle 17 for supplying a processing liquid to the back surface of the wafer 91 is provided. さらに処理室11の底部には、処理液を排出する排出口18が設けられている。 Further the bottom of the processing chamber 11, outlet 18 is provided for discharging the treatment liquid. 上記の如くに、ウエハ処理装置10は構成されている。 To as described above, the wafer processing apparatus 10 is configured.

【0003】次に上記ウエハ処理装置10の動作を説明する。 [0003] Next will be described the operation of the wafer processing apparatus 10. まず例えば薬液処理装置(図示せず)で薬液処理されたウエハ91をスピンチャック12上の所定の位置に載置する。 The wafer 91 chemical treatment first with e.g. chemical processing apparatus (not shown) is placed at a predetermined position on the spin chuck 12. その後、ノズル15より処理液(例えば洗浄液)をウエハ91上に供給して、ウエハ91の上面を洗浄する。 Thereafter, the process liquid from the nozzle 15 (e.g. cleaning fluid) is supplied onto the wafer 91, to clean the upper surface of the wafer 91. その後、モータ14を駆動してスピンチャック12を回動することにより、ウエハ91を高速回転させ、その回転によって生じた遠心力によりウエハ91上に付着している処理液を除去する。 Thereafter, the motor 14 by rotating the spin chuck 12 is driven and the wafer 91 is rotated at high speed to remove the processing liquid adhering to the wafer 91 by the centrifugal force generated by the rotation. そしてウエハ91の乾燥をさせる。 And make the drying of the wafer 91. ウエハ91より除去された処理液は、処理室11の内部より排出口18を経て外部に排出される。 Treatment liquid that has been removed from the wafer 91 is discharged to the outside through the discharge opening 18 from the inside of the processing chamber 11.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構成のウエハ処理装置では、ウエハを乾燥するのに時間がかかる。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the wafer processing apparatus having the above structure, it takes time to dry the wafer. このため、ウエハを枚葉処理した場合には、非常にスループットが低下する。 Therefore, when the wafer has a sheet-fed process is very throughput decreases. またウエハを薬液処理するには薬液処理装置で行い、その後、上記ウエハ処理装置まで薬液処理したウエハを運搬して、当該ウエハ処理装置で洗浄,乾燥処理を行う。 Also performed wafer by chemical treatment apparatus to chemical treatment, then carrying the wafer having chemical processing to the wafer processing apparatus, cleaning in the wafer processing apparatus, the drying process. したがって、ウエハの処理が連続的に行えないので、ウエハ1枚当たりの処理時間が長くなり、スループットが低下する。 Accordingly, since the processing of the wafer is not continuously performed, the processing time per wafer is increased, the throughput decreases.

【0005】本発明は、洗浄後のウエハを乾燥するのに優れたウエハ処理装置およびスループットに優れたウエハ一貫処理装置を提供することを目的とする。 [0005] The present invention aims at providing a wafer integrated processing apparatus excellent in excellent wafer processing apparatus and throughput for drying the wafers after cleaning.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するためになされたものである。 Means for Solving the Problems The present invention has been made in order to achieve the above object. すなわち、処理室の内部にスピンチャックを設けたウエハ処理装置であって、処理室の内部に加熱器を設けたものである。 That is, an wafer processing system in which a spin chuck in the processing chamber, is provided with a heater inside of the processing chamber. 上記加熱器は、スピンチャックよりも上部側に設けられている。 The heater is provided on the upper side of the spin chuck. あるいはスピンチャックのウエハ載置面よりも下部側に設けられている。 Or it is provided on the lower side of the wafer mounting surface of the spin chuck. またはスピンチャックよりも上部側に設けるとともに当該スピンチャックのウエハ載置面よりも下部側にも設けられている。 Or it is also provided on the lower side of the wafer mounting surface of the spin chuck with also provided on the upper side of the spin chuck.

【0007】また処理室の内部にスピンチャックを設けたウエハ処理装置であって、処理室の内部のウエハに乾燥ガスを供給するガス供給器を設けたものである。 [0007] A wafer processing apparatus in which a spin chuck in the processing chamber, is provided with a gas supplying device for supplying a drying gas into the wafer processing chamber. ガス供給器のガス排出部は、スピンチャックに載置されるウエハの上面側に向けられている。 Gas outlet portion of the gas supply is directed to the upper surface of the wafer loaded on the spin chuck. あるいは、ウエハの下面側に向けられている。 Alternatively, it is directed to the lower surface of the wafer. またはウエハの上面側と当該ウエハの下面側とに向けられている。 Or it is directed to the upper and lower side of the wafer of the wafer.

【0008】またウエハ一貫処理装置は、ウエハを薬液処理する薬液処理装置と、この薬液処理装置にウエハ搬送部を介して接続した上記ウエハ処理装置とより構成されている。 [0008] wafer consistent processing apparatus, and chemical treatment apparatus wafer for chemical processing, and is more configuration and the chemical processing apparatus the wafer processing apparatus connected via the wafer transfer portion.

【0009】 [0009]

【作用】上記構成のウエハ処理装置では、加熱器を設けたことにより、ウエハの上面側あるいはウエハの下面側またはウエハの両面が加熱器によって加熱される。 [Action] In the wafer processing apparatus of the above configuration, by providing the heater, the lower surface or both surfaces of the wafer on the upper surface or the wafer of the wafer is heated by the heater. このため、例えば洗浄後のウエハの乾燥が促進される。 Thus, for example, drying after washing of the wafer is promoted. またガス供給器を設けたものでは、ウエハの上面側あるいはウエハの下面側またはウエハの両面側に乾燥ガスが供給される。 Further than that provided gas supply, the drying gas is supplied to both sides of the lower surface side or the wafer on the upper surface or the wafer of the wafer. このため、例えば洗浄後のウエハの乾燥が促進される。 Thus, for example, drying after washing of the wafer is promoted. さらに上記ウエハ一貫処理装置では、薬液処理装置にウエハ搬送部を介して上記ウエハ処理装置を設けたことにより、ウエハの薬液処理とウエハの洗浄処理および乾燥処理とが連続して行える。 Further above the wafer integrated processing apparatus, by providing the above-described wafer processing apparatus via the wafer transfer unit in the chemical processing apparatus, capable chemical processing of the wafer and the cleaning process and drying process of the wafer successively.

【0010】 [0010]

【実施例】本発明の第1の実施例を図1の概略構成断面図により説明する。 The first embodiment of EXAMPLES The invention is illustrated by the diagrammatic cross-sectional view of FIG. 1. なお前記従来の技術中の図8で説明した構成部品と同様の構成部品には同一符号を付す。 Incidentally, the same numerals are assigned to the same components and the components described in FIG. 8 in the prior art. 図に示すように、処理室11の内部にはスピンチャック1 As shown, the spin chuck 1 into the processing chamber 11
2が設けられている。 2 is provided. このスピンチャック12は、回動軸13を介して、処理室の外部に設けたモータ14に接続されている。 The spin chuck 12 via the pivot shaft 13, is connected to a motor 14 provided outside the processing chamber. 上記スピンチャック12の上方には洗浄液等の処理液を供給するノズル15が設けられている。 Nozzle 15 for supplying a processing solution such as washing liquid is above the spin chuck 12 is provided.
またスピンチャック12のウエハ載置面16の斜め下方には、ウエハ91の裏面に処理液を供給するノズル17 Also obliquely below the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12, and supplies a back surface process liquid of the wafer 91 nozzles 17
が設けられている。 It is provided. さらに処理室11の底部には、処理液を排出する排出口18が設けられている。 Further the bottom of the processing chamber 11, outlet 18 is provided for discharging the treatment liquid.

【0011】また上記処理室11の内部には、スピンチャック12よりも上部側に、上部側加熱器21が設けられている。 [0011] inside of the processing chamber 11, the upper side of the spin chuck 12, the upper side heater 21 is provided. この上部側加熱器21は、例えばランプアニール処理に用いられるような加熱ランプよりなる。 The upper heater 21 is formed of heating lamps such as those used for example in the lamp annealing process. この上部側加熱器21には電源22が接続されている。 Power supply 22 is connected to the upper side heater 21. なお上記上部側加熱器21は加熱ランプに限定されることはなく、例えば赤外線を照射するようなレーザ発振器を用いることも可能である。 Note the upper side heater 21 is not limited to the heating lamps, it is also possible to use a laser oscillator that irradiates example infrared rays. 上記の如くに、ウエハ処理装置1は構成されている。 To as described above, the wafer processing apparatus 1 is configured.

【0012】次に上記ウエハ処理装置1の動作を説明する。 [0012] Next will be described the operation of the wafer processing apparatus 1. まずウエハ91をスピンチャック12上の所定の位置に載置する。 First mounting the wafer 91 in place on the spin chuck 12. その後、ノズル15より処理液(例えば洗浄液)をウエハ91上に供給して、ウエハ91の上面を洗浄する。 Thereafter, the process liquid from the nozzle 15 (e.g. cleaning fluid) is supplied onto the wafer 91, to clean the upper surface of the wafer 91. 同時にノズル17より処理液(例えば洗浄液)をウエハ91の裏面に供給して、ウエハ91の裏面を洗浄する。 At the same time the processing liquid from the nozzle 17 (e.g. cleaning fluid) is supplied to the back surface of the wafer 91, to clean the back surface of the wafer 91. その後、モータ14を駆動してスピンチャック12を回動することにより、ウエハ91を高速回転させ、その回転によって生じた遠心力によりウエハ91 Thereafter, by rotating the spin chuck 12 by driving the motor 14, the wafer 91 by the wafer 91 is rotated at a high speed, the centrifugal force generated by the rotation
の両面に付着している処理液を除去する。 Removing a treatment liquid of adhering to both surfaces. このとき上部側加熱器21を動作させて、ウエハ91の上面を加熱する。 In this case by operating the upper side heater 21 to heat the upper surface of the wafer 91. そしてウエハ91の乾燥を促進させる。 And to promote the drying of the wafer 91.

【0013】なお、上記ウエハ91を乾燥した後に、処理室11の内部は高温の雰囲気になっている。 [0013] Note that after the drying the wafer 91, the processing chamber 11 is in the high temperature atmosphere. そこで高温の雰囲気を冷却し易くするために、図示したように、 Therefore, in order to facilitate cooling the hot atmosphere, as shown,
処理室11の上部に開口19を設けることも可能である。 It is also possible to provide an opening 19 in the upper portion of the processing chamber 11.

【0014】次に、第2の実施例を、図2の概略構成断面図により説明する。 [0014] Next, a second embodiment will be described by a schematic sectional view of FIG. 図では、上記第1の実施例と同様の構成部品には同一符号を付す。 FIG. In, the same numerals are assigned to the same components as in the first embodiment. 図に示すように、ウエハ処理装置2は、上記説明したウエハ処理装置(1)において、上部側加熱器(21)の代わりに、スピンチャック12のウエハ載置面16よりも斜め下方側の当該処理室11の内部に下部側加熱器31を設けたものである。 As shown, the wafer processing apparatus 2, the wafer processing apparatus described above (1), instead of the upper-side heater (21), obliquely downward side of the than the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12 into the processing chamber 11 is provided with a lower side heater 31. この下部側加熱器31には電源32が接続されている。 Power supply 32 is connected to the lower side heater 31. 上記下部側加熱器31は、第1の実施例で説明したと同様に、例えばランプアニール処理用の加熱ランプあるいは赤外線を照射するようなレーザ発振器等を用いることが可能である。 The lower side heater 31, as described in the first embodiment, it is possible to use, for example, the laser oscillator so as to irradiate the heating lamp or infrared lamp annealing or the like. 上記の如くに、ウエハ処理装置2は構成されている。 To as described above, the wafer processing apparatus 2 is configured.

【0015】上記ウエハ処理装置2では、ウエハ91を洗浄した後、ウエハ91を高速回転させてウエハ91上に付着している処理液を除去するときに、上記下部側加熱器31を動作させて、下面側よりウエハ91を加熱する。 [0015] In the wafer processing apparatus 2, after cleaning the wafer 91, when removing the processing solution to the wafer 91 is rotated at a high speed attached to the wafer 91, thereby operating the lower side heater 31 to heat the wafer 91 from the lower side. そしてウエハ91の乾燥を促進させる。 And to promote the drying of the wafer 91.

【0016】次に、第3の実施例を、図3の概略構成断面図により説明する。 [0016] Next, a third embodiment will be described by a schematic sectional view of FIG. なお図では、上記第1,第2の実施例と同様の構成部品には同一符号を付す。 Note in the figure, the first, the second similar components in the embodiment of the same reference numerals. 図に示すように、ウエハ処理装置3は、上記第1の実施例で説明したように、スピンチャック12よりも上部側に上部側加熱器21を設けるとともに、上記第2の実施例で説明したと同様に、スピンチャック12のウエハ載置面16よりも斜め下方側に下部側加熱器31を設けたものである。 As shown, the wafer processing apparatus 3, as explained in the first embodiment, provided with an upper side heater 21 on the upper side of the spin chuck 12, described in the second embodiment similar to, is provided with a lower side heater 31 obliquely downward side of the wafer mounting surface 16 of the spin chuck 12. 上部側加熱器21には電源22が接続されていて、 The upper side heater 21 is power supply 22 is connected,
下部側加熱器31には電源32が接続されている。 Power supply 32 is connected to the lower side heater 31. 上記上部側加熱器21,下部側加熱器31は、第1,第2の実施例で説明したと同様に、例えばランプアニール処理用の加熱ランプあるいは赤外線を照射するようなレーザ発振器等を用いることが可能である。 The upper side heater 21, lower side heater 31, first, as described in the second embodiment, for example, the use of the laser oscillator or the like so as to irradiate the heating lamp or infrared lamp annealing it is possible. 上記の如くに、ウエハ処理装置3は構成されている。 To as described above, the wafer processing apparatus 3 is configured.

【0017】上記ウエハ処理装置3では、ウエハ91を洗浄した後、ウエハ91を高速回転させてウエハ91上に付着している処理液を除去するときに、上部側加熱器21によってウエハ91の上面側を加熱するとともに、 [0017] In the wafer processing apparatus 3, after cleaning the wafer 91, when removing the processing solution to the wafer 91 is rotated at a high speed attached to the wafer 91, the upper surface of the wafer 91 by the upper side heater 21 with heating the side,
下部側加熱器31によってウエハ91の下面側を加熱する。 The lower side heater 31 for heating the lower surface of the wafer 91. したがって、ウエハ91は両面側より加熱されるので、乾燥時間を短縮される。 Thus, since the wafer 91 is heated from both sides, is shorter drying time. また乾燥が十分に行える。 The drying can be performed sufficiently.

【0018】次に、第4の実施例を、図4の概略構成断面図により説明する。 [0018] Next, a fourth embodiment will be described by a schematic sectional view of FIG. なお図では、上記第1の実施例と同様の構成部品には同一符号を付す。 Note in the figure, the same reference symbols are affixed to the same components as in the first embodiment. 図に示すように、 As shown,
ウエハ処理装置4は、第1の実施例で説明したウエハ処理装置(1)の上部側加熱器(21)の代わりに、処理室11の内部に乾燥ガスを供給するガス供給器41を設けたものである。 Wafer processing apparatus 4, instead of the upper side heater wafer processing apparatus (1) described in the first embodiment (21), provided with a gas supply unit 41 supplies the internal to the drying gas in the processing chamber 11 it is intended.

【0019】すなわち、処理室11の内部にはスピンチャック12が設けられている。 [0019] That is, the spin chuck 12 is provided inside of the processing chamber 11. このスピンチャック12 The spin chuck 12
は、回動軸13を介して、処理室11の外部に設けたモータ14に接続されている。 Via a pivot shaft 13, it is connected to a motor 14 provided outside the processing chamber 11. 上記スピンチャック12の上方には洗浄液等の処理液を供給するノズル15が設けられている。 Nozzle 15 for supplying a processing solution such as washing liquid is above the spin chuck 12 is provided. またスピンチャック12のウエハ載置面1 The wafer spin chuck 12 mounting surface 1
6の斜め下方には、ウエハ91の裏面に処理液を供給するノズル17が設けられている。 The obliquely downward of 6, a nozzle 17 for supplying a processing liquid to the back surface of the wafer 91 is provided. さらに処理室11の底部には、処理液を排出する排出口18が設けられている。 Further the bottom of the processing chamber 11, outlet 18 is provided for discharging the treatment liquid. また上記ガス供給器41は、乾燥ガスを供給するガス供給部42と、ガス供給部42よりバルブ43を介して処理室11内のウエハ91の表面に乾燥ガスを供給する供給管44とよりなる。 The above gas supplier 41, the more the gas supply unit 42 for supplying a dry gas, a supply pipe 44 for supplying a dry gas to the surface of the wafer 91 in the processing chamber 11 through the valve 43 from the gas supply unit 42 . したがって、供給管44のガス排出口45は、スピンチャック12に載置されるウエハ91の表面のほぼ中央上方に位置する。 Therefore, the gas discharge port 45 of the supply tube 44 is located approximately in the center above the surface of the wafer 91 to be placed on the spin chuck 12. 上記の如くに、ウエハ処理装置4は構成されている。 To as described above, the wafer processing device 4 is configured.

【0020】なお上記供給管44の先端に、複数のガス排出口を有するノズル(図示せず)を設けることも可能である。 [0020] Note that the tip of the supply tube 44, it is also possible to provide the nozzle (not shown) having a plurality of gas discharge ports. あるいは、ウエハ91の半径方向に乾燥ガスを吹きつけることが可能なラッパ状のノズル(図示せず) Alternatively, capable of blowing radially dry gas horn-shaped nozzle of the wafer 91 (not shown)
をもうけることも可能である。 It is also possible to provide a.

【0021】次に上記ウエハ処理装置4の動作を説明する。 [0021] Next will be described the operation of the wafer processing device 4. まずウエハ91をスピンチャック12上の所定の位置に載置する。 First mounting the wafer 91 in place on the spin chuck 12. その後、ノズル15より処理液(例えば洗浄液)をウエハ91上に供給して、ウエハ91の上面を洗浄する。 Thereafter, the process liquid from the nozzle 15 (e.g. cleaning fluid) is supplied onto the wafer 91, to clean the upper surface of the wafer 91. 同時にノズル17より処理液(例えば洗浄液)をウエハ91の裏面に供給して、ウエハ91の裏面を洗浄する。 At the same time the processing liquid from the nozzle 17 (e.g. cleaning fluid) is supplied to the back surface of the wafer 91, to clean the back surface of the wafer 91. その後、モータ14を駆動してスピンチャック12を回動することにより、ウエハ91を高速回転させ、その回転によって生じた遠心力によりウエハ91 Thereafter, by rotating the spin chuck 12 by driving the motor 14, the wafer 91 by the wafer 91 is rotated at a high speed, the centrifugal force generated by the rotation
の両面に付着している処理液を除去する。 Removing a treatment liquid of adhering to both surfaces. このときガス供給器41によって乾燥ガスをウエハ91の上面を吹きつける。 At this time blowing a top surface of the wafer 91 the drying gas by the gas supply unit 41. そしてウエハ91の乾燥を促進させる。 And to promote the drying of the wafer 91. また上記乾燥ガスには高温の乾燥ガスを用いたほうが、ウエハ91を乾燥する効果が大きくなる。 Further more in the above dry gas using the hot drying gas, the effect of drying the wafer 91 is increased.

【0022】なお、上記ウエハ91を乾燥した後に、処理室11の内部は非常に乾燥した雰囲気になっている。 [0022] Note that after the drying the wafer 91, the processing chamber 11 is in a very dry atmosphere.
そこで通常の雰囲気に早く戻すために、図示したように、処理室11の上部に開口19を設けることも可能である。 Therefore, in order to return quickly to a normal atmosphere, as shown, it is also possible to provide the openings 19 in the upper portion of the processing chamber 11.

【0023】次に、第5の実施例を、図5の概略構成断面図により説明する。 Next, a fifth embodiment will be described by a schematic sectional view of FIG. 図では、上記第1,第4の実施例と同様の構成部品には同一符号を付す。 In the figure, the first, the fourth like components in the embodiment of the same reference numerals. 図に示すように、ウエハ処理装置5は、上記説明したウエハ処理装置(4)において、上記ガス供給器(41)の代わりに、 As shown, wafer processing system 5, in the wafer processing apparatus described above (4), instead of the gas feeder (41),
別のガス供給器51を設けたものである。 It is provided with a separate gas supply unit 51. 上記別のガス供給器51は、乾燥ガスを供給するガス供給部52と、 It said further gas supply unit 51 includes a gas supply unit 52 for supplying a dry gas,
ガス供給部52よりバルブ53を介して処理室11の内部のウエハ91の裏面に乾燥ガスを供給する供給管54 Gas supply unit 52 from the supply pipe 54 for supplying a rear surface drying gas inside the wafer 91 in the processing chamber 11 through the valve 53
とよりなる。 It becomes more. したがって、供給管54のガス排出口55 Therefore, the gas discharge port 55 of the supply pipe 54
はスピンチャック12に載置されるウエハ91の裏面より下方側に位置する。 Situated on the lower side from the back of the wafer 91 to be placed on the spin chuck 12. 上記の如くに、ウエハ処理装置5 To as described above, the wafer processing system 5
は構成されている。 It has been configured.

【0024】なお上記供給管54の先端に、複数のガス排出口を有するノズル(図示せず)を設けることも可能である。 It should be noted at the distal end of the feed tube 54, it is also possible to provide the nozzle (not shown) having a plurality of gas discharge ports. あるいは、ウエハ91の半径方向に乾燥ガスを吹きつけることが可能なラッパ状のノズル(図示せず) Alternatively, capable of blowing radially dry gas horn-shaped nozzle of the wafer 91 (not shown)
を設けることも可能である。 That it is also possible to provide.

【0025】上記ウエハ処理装置5では、ウエハ91を洗浄した後、ウエハ91を高速回転させてウエハ91上に付着している処理液を除去するときに、上記ガス供給器51を動作させて、ウエハ91の裏面側に乾燥ガスを吹きつける。 [0025] In the wafer processing system 5, after cleaning the wafer 91, when removing the processing solution to the wafer 91 is rotated at a high speed attached to the wafer 91, by operating the gas supply unit 51, on the back side of the wafer 91 blows dry gas. そしてウエハ91の裏面側の乾燥を促進させる。 And to promote the drying of the back surface side of the wafer 91.

【0026】次に、第6の実施例を、図6の概略構成断面図により説明する。 Next, a sixth embodiment will be described by a schematic sectional view of FIG. なお図では、上記第4,第5の実施例と同様の構成部品には同一符号を付す。 Note in the figure, the fourth, the same numerals are assigned to the fifth similar components in the embodiment of. 図に示すように、ウエハ処理装置6は、上記第4の実施例で説明したと同様のガス供給器41を設けるとともに、上記第5 As shown, the wafer processing apparatus 6, provided with the same gas supply unit 41 and described in the fourth embodiment, the fifth
の実施例で説明したと同様のガス供給器51を設けたものである。 It is provided with a similar gas supply unit 51 and described in the examples.

【0027】上記ウエハ処理装置6では、ウエハ91を洗浄した後、ウエハ91を高速回転させてウエハ91の両面に付着している処理液を除去するときに、ガス供給器41,51によって、ウエハ91の両面に乾燥ガスが吹きつけられる。 [0027] In the wafer processing apparatus 6, after cleaning the wafer 91, when removing the processing solution to the wafer 91 is rotated at a high speed attached to both surfaces of the wafer 91 by the gas supply unit 41 and 51, the wafer dry gas is blown on both sides of the 91. したがって、ウエハ91は両面近傍は乾燥雰囲気になるので、乾燥が促進される。 Therefore, the wafer 91 since the both surfaces near a dry atmosphere, drying is accelerated.

【0028】次ぎに上記第1〜第6の実施例で説明したウエハ処理装置1〜6の内のいずれかのウエハ処理装置を洗浄装置に用いたウエハ一貫処理装置を、図7の概略構成図により説明する。 [0028] Next the wafer consistent processing apparatus using the cleaning apparatus of any of the wafer processing system of the wafer processing apparatus 1-6 described in the first to sixth embodiment, schematic diagram of FIG. 7 It will be described with reference to. 図に示すように、ウエハ91の上面に薬液を供給してエッチング等の処理を行う薬液処理装置71が設けられている。 As shown, chemical processing apparatus 71 that performs processing such as etching by supplying a chemical liquid to the upper surface of the wafer 91 is provided. この薬液処理装置71の一方側には、ゲートバルブ81を介してウエハ91を搬出入する第1のウエハ搬送部72が接続さている。 The one side of the chemical treatment unit 71, the first wafer transfer unit 72 for loading and unloading the wafer 91 through the gate valve 81 is connected. また第1のウエハ搬送部72の他方側には、ゲートバルブ8 Also on the other side of the first wafer transfer unit 72, the gate valve 8
2を介して例えば上記ウエハ処理装置1が接続されている。 The wafer processing apparatus 1 via, for example, a 2 are connected. 上記の如くに、ウエハ一貫処理装置7が構成されている。 To as described above, the wafer consistent processing apparatus 7 is configured.

【0029】なお上記ウエハ一貫処理装置7の薬液処理装置71の他方側には、ゲートバルブ83を介して当該薬液処理装置71にウエハ91を搬出入するための第2 It should be noted the wafer full loop on the other side of the apparatus 7 of the chemical treatment apparatus 71, the chemical treatment apparatus 71 the second for the wafer 91 loading and unloading in through the gate valve 83
のウエハ搬送部73が接続されている。 Wafer transfer unit 73 is connected. この第2のウエハ搬送部73には、ゲートバルブ84を介して第1のウエハ収納部74が接続されている。 This second wafer transfer unit 73, a first wafer container 74 through the gate valve 84 is connected. 上記ウエハ処理装置1の他方側には、ゲートバルブ85を介してウエハ91 On the other side of the wafer processing apparatus 1 via the gate valve 85 the wafer 91
を搬出入するための第3のウエハ搬送部75が接続されている。 The third wafer transfer unit 75 for loading and unloading are connected to. このウエハ搬送部75には、第2のウエハ収納部76が接続されている。 This wafer transport portion 75, the second wafer storage section 76 is connected.

【0030】上記ウエハ一貫処理装置7の動作例を説明する。 [0030] an operation example of the wafer integrated processor 7. まず処理を行っていないウエハ91を収納したキャリア92を第1のウエハ収納部74に載置する。 The wafer 91 is first not processed for placing a carrier 92 which is contained in the first wafer container 74. そしてゲートバルブ84を開放して、第2のウエハ搬送部7 Then by opening the gate valve 84, the second wafer transfer unit 7
3に設けた搬送ロボット77によりキャリア92よりウエハ91を取り出す。 By the transfer robot 77 provided in the 3 retrieve the wafer 91 from the carrier 92. そしてゲートバルブ83を開放してウエハ91を薬液処理装置71に搬送する。 Then by opening the gate valve 83 transfers the wafer 91 to the chemical treatment apparatus 71. その後ゲートバルブ83,84を閉めて、ウエハ91を薬液処理する。 Then close the gate valve 83 and 84, the wafer 91 to chemical treatment.

【0031】薬液処理後、ゲートバルブ81を開放して、第1のウエハ搬送部72に設けた搬送ロボット78 [0031] After the chemical treatment, by opening the gate valve 81, the transfer robot 78 provided in the first wafer transfer unit 72
で、薬液処理装置71よりウエハ91を取り出す。 In, take out the wafer 91 from the chemical treatment apparatus 71. そしてゲートバルブ82を開放してウエハ91をウエハ処理装置1に搬送する。 Then by opening the gate valve 82 transfers the wafer 91 to the wafer processing apparatus 1. その後ゲートバルブ82,85を閉めて、ウエハ処理装置1でウエハ91を洗浄,乾燥処理する。 Then close the gate valve 82 and 85, the wafer is cleaned 91 in the wafer processing device 1, a drying treatment.

【0032】乾燥処理後、ゲートバルブ85を開放して、第3のウエハ搬送部75に設けた搬送ロボット79 [0032] After drying, by opening the gate valve 85, the transfer robot 79 provided on the third wafer transfer unit 75
で、ウエハ処理装置1よりウエハ91を取り出す。 In, take out the wafer 91 from the wafer processing apparatus 1. そしてウエハ収納部76のキャリア93に取り出したウエハ91を収納する。 And storing the wafer 91 taken out to the carrier 93 of the wafer storage section 76.

【0033】上記説明したように、ウエハ一貫処理装置7では、ウエハ91の薬液処理とウエハ91の洗浄,乾燥処理とが連続して行える。 [0033] As explained above, the wafer consistent processing apparatus 7, capable cleaning chemical treatment and the wafer 91 in the wafer 91, the drying process and continuously. しかもウエハ処理装置1における乾燥が加熱器21(またはウエハ91に乾燥ガスを吹きつけるガス供給器)によって行われるので、ウエハ91の乾燥が促進される。 Moreover, since drying in the wafer processing apparatus 1 is performed by the heater 21 (or wafer 91 blows dry gas gas supplier), drying of the wafer 91 is promoted. このため、ウエハ91の1 For this reason, the first wafer 91
枚あたりの総処理時間が短縮される。 The total processing time is shortened per sheet.

【0034】 [0034]

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、 Effect of the Invention] According to the present invention, as described,
加熱器を設けたことにより、ウエハの上面側あるいはウエハの下面側またはウエハの両面が加熱器によって加熱される。 By providing the heater, the lower surface or both surfaces of the wafer on the upper surface or the wafer of the wafer is heated by the heater. このため、ウエハの乾燥が促進される。 Therefore, drying of the wafer is accelerated. よって、スループットの向上が図れる。 Thus, the throughput can be improved. またガス供給器を設けたものでは、ウエハの上面側あるいはウエハの下面側またはウエハの両面側に乾燥ガスが供給される。 Further than that provided gas supply, the drying gas is supplied to both sides of the lower surface side or the wafer on the upper surface or the wafer of the wafer. このため、ウエハの乾燥が促進される。 Therefore, drying of the wafer is accelerated. よって、上記同様にスループットの向上が図れる。 Therefore, in the same manner as described above the throughput can be improved. さらに上記ウエハ一貫処理装置では、ウエハの薬液処理とウエハの洗浄および乾燥処理とが連続して行える。 Further above the wafer integrated processor, it performs chemical processing of the wafer and the cleaning and drying process of the wafer successively. このため、スループットの向上が図れる。 Therefore, the throughput can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】第1の実施例の概略構成断面図である。 1 is a schematic sectional view of a first embodiment.

【図2】第2の実施例の概略構成断面図である。 2 is a schematic sectional view of a second embodiment.

【図3】第3の実施例の概略構成断面図である。 3 is a schematic sectional view of a third embodiment.

【図4】第4の実施例の概略構成断面図である。 4 is a schematic cross-sectional view of a fourth embodiment.

【図5】第5の実施例の概略構成断面図である。 5 is a schematic cross-sectional view of a fifth embodiment.

【図6】第6の実施例の概略構成断面図である。 6 is a schematic cross-sectional view of a sixth embodiment.

【図7】ウエハ一貫処理装置の概略構成図である。 7 is a schematic configuration view of a wafer integrated processor.

【図8】従来例の概略構成断面図である。 8 is a schematic sectional view of a conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ウエハ処理装置 2 ウエハ処理装置 3 ウエハ処理装置 4 ウエハ処理装置 5 ウエハ処理装置 6 ウエハ処理装置 7 ウエハ一貫処理装置 11 処理室 12 スピンチャック 16 ウエハ載置面 21 加熱器 31 加熱器 41 ガス供給器 51 ガス供給器 71 薬液処理装置 72 第1のウエハ搬送部 91 ウエハ 1 wafer processing apparatus 2 wafer processing apparatus 3 wafer processing apparatus 4 wafer processing system 5 the wafer processing apparatus 6 wafer processing system 7 wafer consistent processing apparatus 11 processing chamber 12 spin chuck 16 wafer mounting surface 21 heater 31 heater 41 gas supply unit 51 gas supply 71 chemical processing apparatus 72 first wafer transfer unit 91 wafers

Claims (9)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 処理室の内部にスピンチャックを設けたウエハ処理装置において、 前記処理室の内部に加熱器を設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 Inside of 1. A processing chamber in the wafer processing apparatus provided with a spin chuck, wafer processing apparatus characterized in that a heater in the interior of the processing chamber.
  2. 【請求項2】 前記請求項1記載のウエハ処理装置において、 前記加熱器を前記スピンチャックよりも上部側に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 2. A wafer processing apparatus of claim 1, the wafer processing apparatus, characterized in that the heater is provided on the upper portion than the spin chuck.
  3. 【請求項3】 前記請求項1記載のウエハ処理装置において、 前記加熱器を前記スピンチャックのウエハ載置面よりも下部側に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 3. A wafer processing apparatus of claim 1, the wafer processing apparatus, characterized in that provided on the lower side of the heater wafer mounting surface of the spin chuck.
  4. 【請求項4】 前記請求項1記載のウエハ処理装置において、 前記加熱器を、前記スピンチャックよりも上部側に設けるとともに当該スピンチャックのウエハ載置面よりも下部側にも設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 4. The wafer processing apparatus of claim 1, characterized in that the heater than the wafer mounting surface of the spin chuck is provided on the upper side of the spin chuck provided also on the lower side wafer processing apparatus according to.
  5. 【請求項5】 処理室の内部にスピンチャックを設けたウエハ処理装置において、 前記処理室の内部に乾燥ガスを供給するガス供給器を設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 5. The wafer processing apparatus in which a spin chuck in the processing chamber, a wafer processing apparatus characterized in that a gas supply device for supplying a drying gas into the processing chamber.
  6. 【請求項6】 前記請求項5記載のウエハ処理装置において、 前記ガス供給器のガス排出部を前記スピンチャックに載置されるウエハの上面側に向けて、当該ガス供給器を前記処理室内に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 6. The wafer processing apparatus of claim 5, wherein, towards the gas outlet of the gas supply to the upper surface of the wafer to be placed on the spin chuck, the gas supply into the processing chamber wafer processing apparatus characterized by comprising.
  7. 【請求項7】 前記請求項5記載のウエハ処理装置において、 前記ガス供給器のガス排出部を前記スピンチャックに載置されるウエハの下面側に向けて、当該ガス供給器を前記処理室内に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 7. The wafer processing apparatus of claim 5, wherein, towards the gas outlet of the gas supply to the lower surface side of the wafer to be placed on the spin chuck, the gas supply into the processing chamber wafer processing apparatus characterized by comprising.
  8. 【請求項8】 前記請求項5記載のウエハ処理装置において、 前記ガス供給器のガス排出部を前記スピンチャックに載置されるウエハの上面側と当該ウエハの下面側とに向けて、当該ガス供給器を前記処理室内に設けたことを特徴とするウエハ処理装置。 In the wafer processing apparatus according to claim 8, wherein according to claim 5, toward the gas outlet of the gas supply to the lower surface of the upper and the wafer of the wafer to be placed on the spin chuck, the gas wafer processing apparatus characterized in that a feeder into the processing chamber.
  9. 【請求項9】 薬液処理装置と、 前記薬液処理装置に接続したウエハ搬送部と、 前記ウエハ搬送部に接続した前記請求項1ないし前記請求項8に記載したウエハ処理装置のうちの一つのウエハ処理装置とよりなることを特徴とするウエハ一貫処理装置。 9. A chemical processing apparatus, a wafer transfer unit connected to the chemical processing apparatus, one of the wafers of the wafer processing apparatus according to claim 1 to claim 8 connected to the wafer transport section wafer consistent processing apparatus characterized by comprising further a processing unit.
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