JPH05325875A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH05325875A JPH05325875A JP12877992A JP12877992A JPH05325875A JP H05325875 A JPH05325875 A JP H05325875A JP 12877992 A JP12877992 A JP 12877992A JP 12877992 A JP12877992 A JP 12877992A JP H05325875 A JPH05325875 A JP H05325875A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体装置の製造に使用するイオン
注入装置に関し、装置の構造を簡素にして小型化が図る
ことを目的とする。 【構成】イオンビームを発生させるイオン源引出部３
と、質量分析器を介さずに前記イオン源引出部３から直
接イオンビームを導入して前記イオンビームを加速させ
る加速部４と、前記加速部４により加速された前記イオ
ンビームを収束させる収束部５と、収束された前記イオ
ンビームを偏向する偏向部６と、偏向された前記イオン
ビームを照射するターゲットＷを取り付けるエンドステ
ーション７とを有するとともに、少なくとも前記イオン
源引出部３のうちのイオン発生部分と、前記イオンビー
ム照射部分は、前記ターゲットＷの汚染物とならない材
料により形成されていることを含み構成する。
注入装置に関し、装置の構造を簡素にして小型化が図る
ことを目的とする。 【構成】イオンビームを発生させるイオン源引出部３
と、質量分析器を介さずに前記イオン源引出部３から直
接イオンビームを導入して前記イオンビームを加速させ
る加速部４と、前記加速部４により加速された前記イオ
ンビームを収束させる収束部５と、収束された前記イオ
ンビームを偏向する偏向部６と、偏向された前記イオン
ビームを照射するターゲットＷを取り付けるエンドステ
ーション７とを有するとともに、少なくとも前記イオン
源引出部３のうちのイオン発生部分と、前記イオンビー
ム照射部分は、前記ターゲットＷの汚染物とならない材
料により形成されていることを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関
し、より詳しくは、半導体装置の製造に使用するイオン
注入装置に関する。
し、より詳しくは、半導体装置の製造に使用するイオン
注入装置に関する。
【０００２】近年、半導体装置を製造する際に用いる装
置は、半導体デバイスの高集積化に伴い多機能かつ高額
になっており、イオン注入装置においても例外でない。
低コストで良い製品を量産するためには、安価かつ従来
の機能を損なわない設備が要求される。
置は、半導体デバイスの高集積化に伴い多機能かつ高額
になっており、イオン注入装置においても例外でない。
低コストで良い製品を量産するためには、安価かつ従来
の機能を損なわない設備が要求される。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置を製造する場合には、不純物
を半導体基板にイオン注入する工程を含んでおり、イオ
ン注入装置として例えば図２に示すようなものが使用さ
れている。このイオン注入装置２０は、イオン源引出部
２１、質量分析器２２、加速管２３、収束部２４、偏向
部２５及びエンドステーション部２６の六つの要素から
構成されている。
を半導体基板にイオン注入する工程を含んでおり、イオ
ン注入装置として例えば図２に示すようなものが使用さ
れている。このイオン注入装置２０は、イオン源引出部
２１、質量分析器２２、加速管２３、収束部２４、偏向
部２５及びエンドステーション部２６の六つの要素から
構成されている。
【０００４】次に、イオン注入の動作を説明する。ま
ず、図２(b) に示すように、ドーパントを含むガスをガ
スボックス２７からイオン源引出部２１のアークチャン
バ２１ａ内に導入し、これを放電により高密度プラズマ
状態にしてからそのイオンを引出電極２１ｃの電界によ
って引出す。次に、質量分析器２２内で磁界によりドー
パントイオンのみを選択（質量分析）して取り出す。
ず、図２(b) に示すように、ドーパントを含むガスをガ
スボックス２７からイオン源引出部２１のアークチャン
バ２１ａ内に導入し、これを放電により高密度プラズマ
状態にしてからそのイオンを引出電極２１ｃの電界によ
って引出す。次に、質量分析器２２内で磁界によりドー
パントイオンのみを選択（質量分析）して取り出す。
【０００５】この場合、イオン源引出部２１、質量分析
部２２は、電気的に絶縁された高電圧領域Ｈに格納さ
れ、外部電源により高電圧が供給される。さらに、高電
圧領域Ｈにおいて数十keV 程度に加速されたイオンは、
高電圧領域ＨとアースＧとの間を繋ぐ加速管２３内に導
入され、侵入深さに応じたエネルギーとなるようにアー
スＧ側に向かって本加速が行われる。
部２２は、電気的に絶縁された高電圧領域Ｈに格納さ
れ、外部電源により高電圧が供給される。さらに、高電
圧領域Ｈにおいて数十keV 程度に加速されたイオンは、
高電圧領域ＨとアースＧとの間を繋ぐ加速管２３内に導
入され、侵入深さに応じたエネルギーとなるようにアー
スＧ側に向かって本加速が行われる。
【０００６】さらに、４重極レンズ（不図示）を有する
収束部２４では、試料表面において適当な径になるよう
に調整し、さらに、偏向部２５では、ターゲット全面に
一様に注入するため偏向電極によりＸＹ方向に静電走査
され、エントステーション部２６でターゲットとなる半
導体ウェハＷに打ち込まれる。
収束部２４では、試料表面において適当な径になるよう
に調整し、さらに、偏向部２５では、ターゲット全面に
一様に注入するため偏向電極によりＸＹ方向に静電走査
され、エントステーション部２６でターゲットとなる半
導体ウェハＷに打ち込まれる。
【０００７】ところで、イオン源引出部２１では、図２
(b) に示すように、ガスを導入したアークチャンバー２
１ａとフィラメント２１ｂの間に電圧をかけてプラズマ
を発生させるが、これらの部品はモリブデン等の金属に
より形成されているために、その金属分子がイオンビー
ムに含まれることになる。
(b) に示すように、ガスを導入したアークチャンバー２
１ａとフィラメント２１ｂの間に電圧をかけてプラズマ
を発生させるが、これらの部品はモリブデン等の金属に
より形成されているために、その金属分子がイオンビー
ムに含まれることになる。
【０００８】また、アークチャンバーからイオンを引き
出すための引出電極２１ｃは、アルミニウム等の金属や
多結晶カーボンにより形成されているので、図２(c) に
示すように、イオンによって叩き出された金属やカーボ
ンが飛び出すことになる。そして、イオンビームに含ま
れるそれらの不純分子は、ウェハ汚染の原因となるの
で、これを取り除くための質量分析器２３が不可欠とな
っている。
出すための引出電極２１ｃは、アルミニウム等の金属や
多結晶カーボンにより形成されているので、図２(c) に
示すように、イオンによって叩き出された金属やカーボ
ンが飛び出すことになる。そして、イオンビームに含ま
れるそれらの不純分子は、ウェハ汚染の原因となるの
で、これを取り除くための質量分析器２３が不可欠とな
っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、質量分析器２
３は、イオン注入装置２０の小型化に支障をきたすばか
りでなく、構造を複雑して装置を高額にするといった問
題があった。
３は、イオン注入装置２０の小型化に支障をきたすばか
りでなく、構造を複雑して装置を高額にするといった問
題があった。
【００１０】また、質量分析器２２のチャンバーやウェ
ハを取付けるプラテン（不図示）等にもイオンビームが
ヒッティングするので、それらの箇所からドーパント以
外の元素が叩き出され、これもウェハ汚染の原因とな
る。
ハを取付けるプラテン（不図示）等にもイオンビームが
ヒッティングするので、それらの箇所からドーパント以
外の元素が叩き出され、これもウェハ汚染の原因とな
る。
【００１１】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、装置の構造を簡素にして小型化が図れる
イオン注入装置を提供することを目的とする。
ものであって、装置の構造を簡素にして小型化が図れる
イオン注入装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、イオンビームを発生させるイオン源引
出部３と、質量分析器を介さずに前記イオン源引出部３
から直接イオンビームを導入して前記イオンビームを加
速させる加速部４と、前記加速部４により加速された前
記イオンビームを収束させる収束部５と、収束された前
記イオンビームを偏向する偏向部６と、偏向された前記
イオンビームを照射するターゲットＷを取り付けるエン
ドステーション７とを有するとともに、少なくとも前記
イオン源引出部３のうちのイオン発生部分と、前記イオ
ンビーム照射部分は、前記ターゲットＷの汚染物となら
ない材料により形成されていることを特徴とするイオン
注入装置により達成する。
例示するように、イオンビームを発生させるイオン源引
出部３と、質量分析器を介さずに前記イオン源引出部３
から直接イオンビームを導入して前記イオンビームを加
速させる加速部４と、前記加速部４により加速された前
記イオンビームを収束させる収束部５と、収束された前
記イオンビームを偏向する偏向部６と、偏向された前記
イオンビームを照射するターゲットＷを取り付けるエン
ドステーション７とを有するとともに、少なくとも前記
イオン源引出部３のうちのイオン発生部分と、前記イオ
ンビーム照射部分は、前記ターゲットＷの汚染物となら
ない材料により形成されていることを特徴とするイオン
注入装置により達成する。
【００１３】または、前記ターゲットＷは半導体により
形成され、前記ターゲットＷの汚染物とならない材料
は、硬質単結晶炭素、シリコン、炭化シリコンであるこ
とを特徴とするイオン注入装置によって達成する。
形成され、前記ターゲットＷの汚染物とならない材料
は、硬質単結晶炭素、シリコン、炭化シリコンであるこ
とを特徴とするイオン注入装置によって達成する。
【００１４】
【作 用】本発明によれば、イオン注入装置のうち少な
くともイオン源引出部３のイオン発生部分と、イオンビ
ーム照射部分は、それぞれターゲットＷの汚染物となら
ない材料により形成されている。
くともイオン源引出部３のイオン発生部分と、イオンビ
ーム照射部分は、それぞれターゲットＷの汚染物となら
ない材料により形成されている。
【００１５】したがって、重金属を除去するための質量
分析器は不要となり、この結果、イオン注入装置の小型
化が図れ、また、構造が簡略化する。また、イオン発生
部分とイオン照射部分は、ターゲットＷの汚染源となら
いない材料により形成しているので、イオン注入後のタ
ーゲットＷにとっても不都合はない。
分析器は不要となり、この結果、イオン注入装置の小型
化が図れ、また、構造が簡略化する。また、イオン発生
部分とイオン照射部分は、ターゲットＷの汚染源となら
いない材料により形成しているので、イオン注入後のタ
ーゲットＷにとっても不都合はない。
【００１６】ターゲットとなる半導体ウェハがシリコン
により形成されている場合には、硬質単結晶炭素、シリ
コン、炭化シリコンにより形成すれば、半導体ウェハに
形成される半導体素子の特性の劣化は避けられる。
により形成されている場合には、硬質単結晶炭素、シリ
コン、炭化シリコンにより形成すれば、半導体ウェハに
形成される半導体素子の特性の劣化は避けられる。
【００１７】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す平面
図、及びその構成部品を示す断面図である。
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す平面
図、及びその構成部品を示す断面図である。
【００１８】図１において符号１は、半導体ウェハＷに
ドーパントイオンを注入するためのイオン注入装置で、
このイオン注入装置１は、ガスボックス２、イオン源引
出部３、加速管４、収束部５、偏向部６及びエンドステ
ーション部７の要素から構成されている。
ドーパントイオンを注入するためのイオン注入装置で、
このイオン注入装置１は、ガスボックス２、イオン源引
出部３、加速管４、収束部５、偏向部６及びエンドステ
ーション部７の要素から構成されている。
【００１９】そのイオン源引出部３は、ターゲットとな
る半導体ウェハＷに注入する不純物イオンを生成させる
もので、図１(a) に示すように、内面がグラファイトの
ような硬質の単結晶炭素層に覆われたアークチャンバ３
ａと、その中に配設された硬質単結晶炭素よりなるフィ
ラメント３ｂと、アークチャンバ３ａのガス取出口３ｃ
の外側に取り付けられた引出電極３ｄを有し、その全体
は、他の領域から絶縁された高電圧領域Ａ内に格納され
ている。
る半導体ウェハＷに注入する不純物イオンを生成させる
もので、図１(a) に示すように、内面がグラファイトの
ような硬質の単結晶炭素層に覆われたアークチャンバ３
ａと、その中に配設された硬質単結晶炭素よりなるフィ
ラメント３ｂと、アークチャンバ３ａのガス取出口３ｃ
の外側に取り付けられた引出電極３ｄを有し、その全体
は、他の領域から絶縁された高電圧領域Ａ内に格納され
ている。
【００２０】そして、ドーパントを含むガスをガスボッ
クス２からアークチャンバ３ａの中に導入し、さらに、
フィラメント３ｂとアークチャンバー３ａの間に電圧を
かけて放電によりそのガスを高密度プラズマ状態にし、
その中のイオンを引出電極３ｄによる電界により数十ke
V 程度に加速して、そのイオンビームを外部に引き出す
ように構成されている。
クス２からアークチャンバ３ａの中に導入し、さらに、
フィラメント３ｂとアークチャンバー３ａの間に電圧を
かけて放電によりそのガスを高密度プラズマ状態にし、
その中のイオンを引出電極３ｄによる電界により数十ke
V 程度に加速して、そのイオンビームを外部に引き出す
ように構成されている。
【００２１】上記した加速管４は、イオン源引出部３か
ら放出された不純物イオンを質量分析器を通さずにその
まま導入するとともに、その不純物イオンを半導体ウェ
ハＷの侵入深さに応じたエネルギーとなるようにアース
Ｇ側に向かって高電界による本加速を行なうもので、高
電圧領域ＡとアースＧの間を繋ぐ部分に配置されてい
る。そして、イオンビームが通過する側の部分は、硬質
単結晶炭素により構成されている。
ら放出された不純物イオンを質量分析器を通さずにその
まま導入するとともに、その不純物イオンを半導体ウェ
ハＷの侵入深さに応じたエネルギーとなるようにアース
Ｇ側に向かって高電界による本加速を行なうもので、高
電圧領域ＡとアースＧの間を繋ぐ部分に配置されてい
る。そして、イオンビームが通過する側の部分は、硬質
単結晶炭素により構成されている。
【００２２】さらに、収束部５は、イオンビームが半導
体ウェハＷ表面において適当な径になるように４重極レ
ンズ５ａにより調整するもので、加速管４と半導体ウェ
ハＷとの間のイオンビーム通過経路に配置されており、
その４重極レンズ５ａのビーム通過部分は硬質単結晶炭
素により形成されている。
体ウェハＷ表面において適当な径になるように４重極レ
ンズ５ａにより調整するもので、加速管４と半導体ウェ
ハＷとの間のイオンビーム通過経路に配置されており、
その４重極レンズ５ａのビーム通過部分は硬質単結晶炭
素により形成されている。
【００２３】上記した偏向部６は、収束部５により収束
されたイオンビームを偏向電極６ｘ，６ｙによりＸＹ方
向に静電走査するもので、その偏向電極６ｘ，６ｙの少
なくともビーム通過側の面は硬質単結晶炭素により形成
されている。そして、ＸＹ方向に偏向したイオンビーム
を、エンドステーション部７内の硬質の単結晶炭素層よ
りなるプラテン７ａ上の半導体ウェハＷの全面に均一に
注入するように構成されている。
されたイオンビームを偏向電極６ｘ，６ｙによりＸＹ方
向に静電走査するもので、その偏向電極６ｘ，６ｙの少
なくともビーム通過側の面は硬質単結晶炭素により形成
されている。そして、ＸＹ方向に偏向したイオンビーム
を、エンドステーション部７内の硬質の単結晶炭素層よ
りなるプラテン７ａ上の半導体ウェハＷの全面に均一に
注入するように構成されている。
【００２４】なお、図中符号８は、偏向部６内において
電極（不図示）により捕らえられた中性ビームを受ける
ビームトラップ、９は、高電圧領域Ａに取付けられた拡
散ポンプ、１０は、ビームラインに取付けられたクライ
オポンプ、１１は、エンドステーション部１１に取付け
られたクライオポンプ、１２は、各要素を電気制御する
制御盤を示している。
電極（不図示）により捕らえられた中性ビームを受ける
ビームトラップ、９は、高電圧領域Ａに取付けられた拡
散ポンプ、１０は、ビームラインに取付けられたクライ
オポンプ、１１は、エンドステーション部１１に取付け
られたクライオポンプ、１２は、各要素を電気制御する
制御盤を示している。
【００２５】次に、上記した実施例の作用について説明
する。まず、高電圧領域Ａからエンドステーション部７
までのイオンビーム通過経路を拡散ポンプ９等により真
空状態にし、次いでガスボックス２から砒素（As）、燐
（P)、アンチモン（Sb）等のソースガスを流し、制御盤
１１を操作して、イオン源引出部３によりイオンを発生
させ、加速管４によって必要なエネルギー及びドーズ量
に見合った加速電圧、イオン電流を設定し、収束部５及
び偏向部６によりイオンビームを収束偏向してエンドス
テーション部７内の半導体ウェハＷまで導く。
する。まず、高電圧領域Ａからエンドステーション部７
までのイオンビーム通過経路を拡散ポンプ９等により真
空状態にし、次いでガスボックス２から砒素（As）、燐
（P)、アンチモン（Sb）等のソースガスを流し、制御盤
１１を操作して、イオン源引出部３によりイオンを発生
させ、加速管４によって必要なエネルギー及びドーズ量
に見合った加速電圧、イオン電流を設定し、収束部５及
び偏向部６によりイオンビームを収束偏向してエンドス
テーション部７内の半導体ウェハＷまで導く。
【００２６】この場合、イオン源引出部３のアークチャ
ンバ３ａの内面とその内部のフィラメント３ｂ、および
引出電極３ｄは、それぞれ硬質の単結晶炭素により形成
されているので、図１(c) に示すように、引き出された
イオンが引出電極３ｄに当たってもそこから重金属は発
生することはない。しかも、不純物イオンが半導体ウェ
ハＷに照射されるまでのイオンビーム通過経路のうちイ
オンビームが照射される可能性のある部分は全て硬質単
結晶炭素により形成しているので、ここから重金属が発
生せず、半導体ウェハＷを重金属汚染することはない。
ンバ３ａの内面とその内部のフィラメント３ｂ、および
引出電極３ｄは、それぞれ硬質の単結晶炭素により形成
されているので、図１(c) に示すように、引き出された
イオンが引出電極３ｄに当たってもそこから重金属は発
生することはない。しかも、不純物イオンが半導体ウェ
ハＷに照射されるまでのイオンビーム通過経路のうちイ
オンビームが照射される可能性のある部分は全て硬質単
結晶炭素により形成しているので、ここから重金属が発
生せず、半導体ウェハＷを重金属汚染することはない。
【００２７】この場合、イオンビームが硬質単結晶炭素
に当たるが、それ自体が硬質なために多結晶シリコンの
ように多くのカーボンが放出されることはないし、例え
炭素が叩き出されたとしても、その量は僅かであり半導
体ウェハに入っても半導体素子の特性を劣化させること
はない。
に当たるが、それ自体が硬質なために多結晶シリコンの
ように多くのカーボンが放出されることはないし、例え
炭素が叩き出されたとしても、その量は僅かであり半導
体ウェハに入っても半導体素子の特性を劣化させること
はない。
【００２８】しかも、イオン源引出部３のうちイオンビ
ームの照射する可能性のある部分を硬質単結晶炭素によ
り形成すると、重金属を除去する必要がなくなるので、
イオンビーム照射側には図２に示すような質量分析器を
配置する必要がなくなり、この結果、イオン注入装置の
小型化が図れ、また、構造を簡略化することにより装置
を安価に形成することができるようになる。
ームの照射する可能性のある部分を硬質単結晶炭素によ
り形成すると、重金属を除去する必要がなくなるので、
イオンビーム照射側には図２に示すような質量分析器を
配置する必要がなくなり、この結果、イオン注入装置の
小型化が図れ、また、構造を簡略化することにより装置
を安価に形成することができるようになる。
【００２９】なお、上記した実施例では、イオン源引出
部３、加速管４、収束部５等の一部を硬質単結晶炭素に
より形成しているが、全体をその材料により形成しても
よいし、イオンビームが照射する部分だけを選択的に硬
質単結晶炭素により形成してもよい。
部３、加速管４、収束部５等の一部を硬質単結晶炭素に
より形成しているが、全体をその材料により形成しても
よいし、イオンビームが照射する部分だけを選択的に硬
質単結晶炭素により形成してもよい。
【００３０】また、上記した実施例では、イオン源引出
部３、加速管４、収束部５等の一部を硬質単結晶炭素に
より形成する場合について説明しているが、その他の材
料としては、半導体素子に混入しても特性に影響のない
材料（例えば、半導体ウェハＷがシリコンである場合に
はシリコン、炭化シリコン等の材料）を適用してもよ
い。ところで、以上の装置においてイオン注入するガス
としてはAs、Ｐ等の単一元素を用いているが、ソースガ
スとして例えばＢＦ3 を使用する場合には、Ｂ+ だけを
取り出せず、ＢＦ2+、ＢＦ+ 等のビームコンタミヤが発
生するおそれがあるので、本実施例装置は単一元素に最
適であると考える。
部３、加速管４、収束部５等の一部を硬質単結晶炭素に
より形成する場合について説明しているが、その他の材
料としては、半導体素子に混入しても特性に影響のない
材料（例えば、半導体ウェハＷがシリコンである場合に
はシリコン、炭化シリコン等の材料）を適用してもよ
い。ところで、以上の装置においてイオン注入するガス
としてはAs、Ｐ等の単一元素を用いているが、ソースガ
スとして例えばＢＦ3 を使用する場合には、Ｂ+ だけを
取り出せず、ＢＦ2+、ＢＦ+ 等のビームコンタミヤが発
生するおそれがあるので、本実施例装置は単一元素に最
適であると考える。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、イオ
ン注入装置のうち少なくともイオン源引出部のイオン発
生部分とイオンビーム照射部分とを、それぞれターゲッ
トの汚染物とならない材料により形成しているので、重
金属を除去するための質量分析器は不要となり、この結
果、イオン注入装置の小型化が図れ、また、構造が簡略
化することができる。
ン注入装置のうち少なくともイオン源引出部のイオン発
生部分とイオンビーム照射部分とを、それぞれターゲッ
トの汚染物とならない材料により形成しているので、重
金属を除去するための質量分析器は不要となり、この結
果、イオン注入装置の小型化が図れ、また、構造が簡略
化することができる。
【００３２】また、イオン発生部分とイオン照射部分
は、ターゲットの汚染源とならいない材料により形成し
ているので、イオン注入後のターゲットにとっても不都
合はない。
は、ターゲットの汚染源とならいない材料により形成し
ているので、イオン注入後のターゲットにとっても不都
合はない。
【００３３】ターゲットとなる半導体ウェハがシリコン
により形成されている場合には、硬質単結晶炭素、シリ
コン、炭化シリコンにより形成すれば、半導体ウェハに
形成される半導体素子の特性の劣化を避けることができ
る。
により形成されている場合には、硬質単結晶炭素、シリ
コン、炭化シリコンにより形成すれば、半導体ウェハに
形成される半導体素子の特性の劣化を避けることができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図、及びその構成
部品を示す断面図である。
部品を示す断面図である。
【図２】従来装置の一例を示す平面図、及びその構成部
品を示す断面図である。
品を示す断面図である。
１ イオン注入装置 ２ ガスボックス ３ イオン源引出部 ４ 加速管 ５ 収束部 ６ 偏向部 ７ エンドステーション ８ ビームトラップ ９ 拡散ポンプ １０ クライオポンプ １１ クライオポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】イオンビームを発生させるイオン源引出部
（３）と、 質量分析器を介さずに前記イオン源引出部（３）から直
接イオンビームを導入して前記イオンビームを加速させ
る加速部（４）と、 前記加速部（４）により加速された前記イオンビームを
収束させる収束部（５）と、 収束された前記イオンビームを偏向する偏向部（６）
と、 偏向された前記イオンビームを照射するターゲット
（Ｗ）を取り付けるエンドステーション（７）とを有す
るとともに、 少なくとも前記イオン源引出部（３）のうちのイオン発
生部分と、前記イオンビーム照射部分は、前記ターゲッ
ト（Ｗ）の汚染物とならない材料により形成されている
ことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】前記ターゲット（Ｗ）は半導体により形成
され、前記ターゲット（Ｗ）の汚染物とならない材料
は、硬質単結晶炭素、シリコン、炭化シリコンであるこ
とを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877992A JPH05325875A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877992A JPH05325875A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325875A true JPH05325875A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14993259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12877992A Withdrawn JPH05325875A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325875A (ja) |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP12877992A patent/JPH05325875A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |