JPH05315684A - レーザ光源及びこれを用いたレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ光源及びこれを用いたレーザ加工装置Info
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- JPH05315684A JPH05315684A JP4117083A JP11708392A JPH05315684A JP H05315684 A JPH05315684 A JP H05315684A JP 4117083 A JP4117083 A JP 4117083A JP 11708392 A JP11708392 A JP 11708392A JP H05315684 A JPH05315684 A JP H05315684A
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- laser
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- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ媒質の出力側のミラーに高反射率のミ
ラー領域と透過率を実質的に上げた複数のハーフミラー
領域とを有するものとし、このハーフミラー領域を通し
てレーザ光を放射することで、レーザビームの使用効率
を向上させることができるようにする。 【構成】 クラッド層３、活性領域５、クラッド層６か
ら成るレーザ媒質の一面に反射ミラー７を配設すると共
に、他面に実質的に透過率を上げたミラーハーフミラー
領域８ａ，８ｂを配設し、かつ、その周囲に高反射率の
ミラー領域１０ａ，１０ｂを設けて、複数のレーザ光を
ミラーハーフミラー領域８ａ，８ｂから出力させる。
ラー領域と透過率を実質的に上げた複数のハーフミラー
領域とを有するものとし、このハーフミラー領域を通し
てレーザ光を放射することで、レーザビームの使用効率
を向上させることができるようにする。 【構成】 クラッド層３、活性領域５、クラッド層６か
ら成るレーザ媒質の一面に反射ミラー７を配設すると共
に、他面に実質的に透過率を上げたミラーハーフミラー
領域８ａ，８ｂを配設し、かつ、その周囲に高反射率の
ミラー領域１０ａ，１０ｂを設けて、複数のレーザ光を
ミラーハーフミラー領域８ａ，８ｂから出力させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細加工に用いるレー
ザ技術、特に、効率的に微細な径のレーザ光を得るため
の技術に関するものである。
ザ技術、特に、効率的に微細な径のレーザ光を得るため
の技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、レーザは多モードで同時発振をす
る。例えば、固体レーザでは数十モード、気体レーザで
は１０モード以上になる場合がある。しかし、以下にお
いては、単一のスペクトル線で発振するように選択して
用いる場合に限定する。
る。例えば、固体レーザでは数十モード、気体レーザで
は１０モード以上になる場合がある。しかし、以下にお
いては、単一のスペクトル線で発振するように選択して
用いる場合に限定する。
【０００３】通常、レーザの同時発振を避けるため、共
振器の中に周波数選択フィルタを設置し、或いは絞りを
設置することが行われている。
振器の中に周波数選択フィルタを設置し、或いは絞りを
設置することが行われている。
【０００４】多層基板やアモルファス太陽電池基板など
のパターン加工に用いられるレーザ光源においては、レ
ーザ光源から放射された光をコリメータレンズで平行光
にし、ビームの形状を決めるアパーチャを通し、これを
対物レンズで集光し、試料に照射する方式が採用されて
いる。このとき、ビームを決めるアパーチャは、対物レ
ンズの対物像面位置に配置され、このアパーチャに形成
したパターン像が試料面に転写される。この場合、アパ
ーチャ面に照射するビームの断面積に比べ、アパーチャ
を通過して加工に使われるビームの断面積は非常に小さ
くなり、このためにビームの使用効率が極めて悪くな
る。
のパターン加工に用いられるレーザ光源においては、レ
ーザ光源から放射された光をコリメータレンズで平行光
にし、ビームの形状を決めるアパーチャを通し、これを
対物レンズで集光し、試料に照射する方式が採用されて
いる。このとき、ビームを決めるアパーチャは、対物レ
ンズの対物像面位置に配置され、このアパーチャに形成
したパターン像が試料面に転写される。この場合、アパ
ーチャ面に照射するビームの断面積に比べ、アパーチャ
を通過して加工に使われるビームの断面積は非常に小さ
くなり、このためにビームの使用効率が極めて悪くな
る。
【０００５】一方、レーザ光源から放射された光を回転
ミラーや音響偏向（ＡＯ）素子を用いてレーザービーム
を走査する方式、或いは加工試料をＸ−Ｙ稼働ステージ
に搭載して移動させる方式は、走査や移動に時間がかか
り、ビームの使用効率が低下する。
ミラーや音響偏向（ＡＯ）素子を用いてレーザービーム
を走査する方式、或いは加工試料をＸ−Ｙ稼働ステージ
に搭載して移動させる方式は、走査や移動に時間がかか
り、ビームの使用効率が低下する。
【０００６】したがって、レーザ光の発生時にパターン
形状を作ることができれば、飛躍的にビームの使用効率
を向上させることができる。
形状を作ることができれば、飛躍的にビームの使用効率
を向上させることができる。
【０００７】また、対物レンズなどの投影光学系を通し
て作成されるレーザ光ビームは、回折現象があるため、
その微細化、ビームの強度分布に限界のあることは周知
である。
て作成されるレーザ光ビームは、回折現象があるため、
その微細化、ビームの強度分布に限界のあることは周知
である。
【０００８】例えば、光ビームのスポット径は、光の波
長、対物レンズの開口数などによって決まり、これより
微細な光ビームを作ることは不可能とされている。とこ
ろが、例えば、レーザ顕微鏡装置では、二次元画像を得
るためのスポット径が小さいほど高解像度を得ることが
できる。したがって、微細な光ビームを作ることができ
れば、飛躍的に性能を向上させることができる。
長、対物レンズの開口数などによって決まり、これより
微細な光ビームを作ることは不可能とされている。とこ
ろが、例えば、レーザ顕微鏡装置では、二次元画像を得
るためのスポット径が小さいほど高解像度を得ることが
できる。したがって、微細な光ビームを作ることができ
れば、飛躍的に性能を向上させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、レーザ光源から放射された光をコリメータレンズで
平行光にし、ビームの形状を決めるアパーチャを通し、
これを対物レンズで集光して試料に照射する従来技術
は、アパーチャ面に照射するビームの断面積に比べて、
アパーチャを通過して加工に使われるビームの断面積は
非常に小さくなる。
ば、レーザ光源から放射された光をコリメータレンズで
平行光にし、ビームの形状を決めるアパーチャを通し、
これを対物レンズで集光して試料に照射する従来技術
は、アパーチャ面に照射するビームの断面積に比べて、
アパーチャを通過して加工に使われるビームの断面積は
非常に小さくなる。
【００１０】このため、ビームの使用効率が悪くなる。
【００１１】一方、レーザ光源から放射された光を絞っ
て回転ミラーやＡＯ素子などを用い、ビームを走査する
方式や加工試料をＸ−Ｙステージに搭載して移動させる
方式を採用しても、走査、移動に時間がかかり、効率が
大幅に低下する。そこで、レーザ光を加工などに応用す
るうえでのビームの使用効率の向上は、１つの課題にな
っている。
て回転ミラーやＡＯ素子などを用い、ビームを走査する
方式や加工試料をＸ−Ｙステージに搭載して移動させる
方式を採用しても、走査、移動に時間がかかり、効率が
大幅に低下する。そこで、レーザ光を加工などに応用す
るうえでのビームの使用効率の向上は、１つの課題にな
っている。
【００１２】また、対物レンズなどの投影光学系を通し
て作成されるレーザ光ビームは、回折現象があるため、
その微細化、ビームの強度分布に限界があるので、例え
ば、レーザ顕微鏡の高解像度化を図る上で制約を受ける
という問題がある。
て作成されるレーザ光ビームは、回折現象があるため、
その微細化、ビームの強度分布に限界があるので、例え
ば、レーザ顕微鏡の高解像度化を図る上で制約を受ける
という問題がある。
【００１３】本発明の目的は、レーザビームの使用効率
を向上させることのできる技術を提供することにある。
を向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願に於いて開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００１６】すなわち、レーザ媒質の一面に反射ミラー
を配設すると共に他面に出力ミラーを配設したレーザ光
源であって、前記出力ミラーは、高反射率のミラー領域
と、複数のレーザ光を出力すべく実質的に透過率を上げ
た複数のハーフミラー領域とを有するようにしている。
を配設すると共に他面に出力ミラーを配設したレーザ光
源であって、前記出力ミラーは、高反射率のミラー領域
と、複数のレーザ光を出力すべく実質的に透過率を上げ
た複数のハーフミラー領域とを有するようにしている。
【００１７】
【作用】上記した手段によれば、高反射率のミラー領域
と透過率を実質的に上げた複数のハーフミラー領域とを
有する出力ミラーを用い、このハーフミラー領域を通し
て放射される。したがって、所望の断面形状のビームが
出力されるようにすることにより、レーザビームの使用
効率を向上させることができると共に、パターン加工な
どに適した最適なレーザ光源を得ることができる。
と透過率を実質的に上げた複数のハーフミラー領域とを
有する出力ミラーを用い、このハーフミラー領域を通し
て放射される。したがって、所望の断面形状のビームが
出力されるようにすることにより、レーザビームの使用
効率を向上させることができると共に、パターン加工な
どに適した最適なレーザ光源を得ることができる。
【００１８】
【実施例１】図１は本発明によるレーザ光源の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００１９】本実施例は、レーザ媒質に垂直共振器型面
発光半導体レーザを用いて構成されている。
発光半導体レーザを用いて構成されている。
【００２０】図中、１は基板、２はその中央部の中空内
周に形成された反射ミラー（反射ミラーＲ1 ）、３は反
射ミラー２の下部に配設されるクラッド層、４はクラッ
ド層３の下部に配設された活性層、５は活性層４の中央
部に反射ミラー２に対向するように設けられて発光源と
なる活性領域、６は活性領域５の下部に設けられるクラ
ッド層、７は活性領域５に対向させてクラッド層６の下
面に形成される反射ミラー（反射ミラーＲ2 ）である。
また、Ｘは共振器長である。さらに、反射ミラー２内に
露出するクラッド層３の上面には、ハーフミラー領域８
が突設され、このハーフミラー領域８に隣接させて突設
高さの低い位相シフトハーフミラー領域９が形成されて
いる。また、ハーフミラー領域８及び位相シフトハーフ
ミラー領域９の周囲には、更に段差を低くし、且つ活性
領域５からのレーザ光を反射させるミラー領域１０ａ，
１０ｂが形成されている。このクラッド層３の表面の凹
凸状態に合わせて、活性層４及びクラッド層６の両面、
さらには反射ミラー７の両面が凹凸形状に加工されてい
る。
周に形成された反射ミラー（反射ミラーＲ1 ）、３は反
射ミラー２の下部に配設されるクラッド層、４はクラッ
ド層３の下部に配設された活性層、５は活性層４の中央
部に反射ミラー２に対向するように設けられて発光源と
なる活性領域、６は活性領域５の下部に設けられるクラ
ッド層、７は活性領域５に対向させてクラッド層６の下
面に形成される反射ミラー（反射ミラーＲ2 ）である。
また、Ｘは共振器長である。さらに、反射ミラー２内に
露出するクラッド層３の上面には、ハーフミラー領域８
が突設され、このハーフミラー領域８に隣接させて突設
高さの低い位相シフトハーフミラー領域９が形成されて
いる。また、ハーフミラー領域８及び位相シフトハーフ
ミラー領域９の周囲には、更に段差を低くし、且つ活性
領域５からのレーザ光を反射させるミラー領域１０ａ，
１０ｂが形成されている。このクラッド層３の表面の凹
凸状態に合わせて、活性層４及びクラッド層６の両面、
さらには反射ミラー７の両面が凹凸形状に加工されてい
る。
【００２１】さらに、反射ミラー７には、活性領域５か
らのレーザ光が当たる中央部と周辺部とに段差が設けら
れている。この反射ミラー７の中央部と周辺部との段差
ｄは、レーザ光の波長をλとすれば、ｄ＝λ／２の奇数
倍（又は、その近傍値）になるように設定する。このよ
うな構成により、レーザ光の反射位置を変え、位相を反
転させることができる。段差の加工は、フォトリソグラ
フィ技術を利用し、ミラー基板上にレジストパターンを
形成し、これをマスクとして基板１をエッチングするこ
とで達成される。そして、この段差はｍλ／２（ｍは整
数）を満足するようにすればよい。
らのレーザ光が当たる中央部と周辺部とに段差が設けら
れている。この反射ミラー７の中央部と周辺部との段差
ｄは、レーザ光の波長をλとすれば、ｄ＝λ／２の奇数
倍（又は、その近傍値）になるように設定する。このよ
うな構成により、レーザ光の反射位置を変え、位相を反
転させることができる。段差の加工は、フォトリソグラ
フィ技術を利用し、ミラー基板上にレジストパターンを
形成し、これをマスクとして基板１をエッチングするこ
とで達成される。そして、この段差はｍλ／２（ｍは整
数）を満足するようにすればよい。
【００２２】この実施例における基本動作は、レーザ共
振器が上下２つの反射ミラーで構成されたファブリペロ
ー共振器であって、基板１と垂直な方向に発振し、反射
ミラー７とハーフミラー領域８及び位相シフトハーフミ
ラー領域９とミラー領域１０ａ，１０ｂとの間で光が往
復して光共振する。その過程でハーフミラー領域８及び
位相シフトハーフミラー領域９から位相の１８０°異な
る２つの光ビームが出力光として表面から取り出され
る。なお、この基本動作の詳細については、例えば、
「応用物理」第６０巻、第１号（１９９１）の５〜７頁
に記載がある。したがって、ここでは詳細な説明を省略
する。
振器が上下２つの反射ミラーで構成されたファブリペロ
ー共振器であって、基板１と垂直な方向に発振し、反射
ミラー７とハーフミラー領域８及び位相シフトハーフミ
ラー領域９とミラー領域１０ａ，１０ｂとの間で光が往
復して光共振する。その過程でハーフミラー領域８及び
位相シフトハーフミラー領域９から位相の１８０°異な
る２つの光ビームが出力光として表面から取り出され
る。なお、この基本動作の詳細については、例えば、
「応用物理」第６０巻、第１号（１９９１）の５〜７頁
に記載がある。したがって、ここでは詳細な説明を省略
する。
【００２３】
【実施例２】図２は本発明によるレーザ光源の他の実施
例を示す断面図である。なお、この実施例においては、
図１と同一部材または同一機能を有するものには同一引
用数字を用いたので、ここでは重複する説明を省略す
る。
例を示す断面図である。なお、この実施例においては、
図１と同一部材または同一機能を有するものには同一引
用数字を用いたので、ここでは重複する説明を省略す
る。
【００２４】本実施例は、互いに逆位相の光ビームを周
囲に配置することで、光ビームの強度のコントラストの
良いパターンビームが得られるようにしたものである。
すなわち、光ビームの拡がりを抑え、プロファイルを改
善することができる。
囲に配置することで、光ビームの強度のコントラストの
良いパターンビームが得られるようにしたものである。
すなわち、光ビームの拡がりを抑え、プロファイルを改
善することができる。
【００２５】図のように本実施例は、ハーフミラー領域
が８ａと８ｂの２つにされ、これらが距離を置いて設け
られ、その各々の両側に位相シフトハーフミラー領域９
ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの４つが設けられ、位相シフトハ
ーフミラー領域９ｂと９ｃの間にミラー領域１０が設け
た構成に特徴がある。なお、このようなクラッド層３の
表面形状に合わせて、活性層４、活性領域５及び反射ミ
ラー７の各々に段差が設けられている。この段差は、上
記実施例と同様に、フォトリソグラフィ技術を利用し、
ミラー基板上にレジストパターンを形成し、これをマス
クとして基板１をエッチングすることで達成される。そ
して、この段差はｍλ／２を満足するように加工する。
が８ａと８ｂの２つにされ、これらが距離を置いて設け
られ、その各々の両側に位相シフトハーフミラー領域９
ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの４つが設けられ、位相シフトハ
ーフミラー領域９ｂと９ｃの間にミラー領域１０が設け
た構成に特徴がある。なお、このようなクラッド層３の
表面形状に合わせて、活性層４、活性領域５及び反射ミ
ラー７の各々に段差が設けられている。この段差は、上
記実施例と同様に、フォトリソグラフィ技術を利用し、
ミラー基板上にレジストパターンを形成し、これをマス
クとして基板１をエッチングすることで達成される。そ
して、この段差はｍλ／２を満足するように加工する。
【００２６】この実施例では、ハーフミラー領域８ａと
その両側の位相シフトハーフミラー領域９ａ，９ｂとの
間で位相を反転させ、ハーフミラー領域８ｂとその両側
の位相シフトハーフミラー領域９ｃ，９ｄとの間で位相
を反転させている。そして、ミラー領域１０によって２
つのハーフミラー領域８ａ，８ｂ間を分離しているた
め、２つの光出力は合体したようにはならず、独立した
コントラストの高いものになる。
その両側の位相シフトハーフミラー領域９ａ，９ｂとの
間で位相を反転させ、ハーフミラー領域８ｂとその両側
の位相シフトハーフミラー領域９ｃ，９ｄとの間で位相
を反転させている。そして、ミラー領域１０によって２
つのハーフミラー領域８ａ，８ｂ間を分離しているた
め、２つの光出力は合体したようにはならず、独立した
コントラストの高いものになる。
【００２７】
【実施例３】図３は本発明によるレーザ加工装置の一実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
【００２８】レーザ光を発生するレーザ媒質１１（例え
ば、ガスレーザ）の前段には、位相シフタ１３（パター
ン形状などに合わせた配置されたハーフミラー部分）の
設けられた半透明の出力ミラー１２が配設され、後段に
は全反射を行う反射ミラー１４が配設されている。な
お、レーザ媒質１１と出力ミラー１２及び反射ミラー１
４の各々の間には、所望の励起を行わせるための所定厚
の透明板１５ａ，１５ｂが設けられている。さらに、出
力ミラー１２に対向させて転写レンズ１６が配設され、
その光路上には被加工物１７（試料）が配設されてい
る。なお、出力ミラー１２と反射ミラー１４間の距離
は、レーザ媒質１１の性質によって予め規定されてお
り、この距離を一定に保持するために透明板１５ａ，１
５ｂを介在させている。
ば、ガスレーザ）の前段には、位相シフタ１３（パター
ン形状などに合わせた配置されたハーフミラー部分）の
設けられた半透明の出力ミラー１２が配設され、後段に
は全反射を行う反射ミラー１４が配設されている。な
お、レーザ媒質１１と出力ミラー１２及び反射ミラー１
４の各々の間には、所望の励起を行わせるための所定厚
の透明板１５ａ，１５ｂが設けられている。さらに、出
力ミラー１２に対向させて転写レンズ１６が配設され、
その光路上には被加工物１７（試料）が配設されてい
る。なお、出力ミラー１２と反射ミラー１４間の距離
は、レーザ媒質１１の性質によって予め規定されてお
り、この距離を一定に保持するために透明板１５ａ，１
５ｂを介在させている。
【００２９】以上の構成において、励起を強くしていく
と、励起状態の原子数（密度）が基底状態の原子数（密
度）より多くなる状態が生ずる。この状態は、通常の熱
平行状態では成立しないことから、反転分布の状態と言
われる。このような励起状態の原子数より多い反転分布
の状態にあるレーザ媒質中を自然放出光が進むと、誘導
放出過程により光の増幅が行われる。この増幅光は、出
力ミラー１２及び反射ミラー１４から形成される光共振
器の間を往復すると、さらに誘導放出による光増幅が進
む。この誘導放出による光増幅過程によって増える光の
エネルギーが、光共振器内で失われるエネルギーより大
きくなると発振条件が満たされ、レーザ発振が生じる。
このような誘導放出による光増幅の結果、レーザ発振が
生じると、指向性、可干渉性、単色性に優れた強力なレ
ーザ光が光共振器の幅方向に発生する。このとき、周波
数フィルタ（不図示）を設けるか、各反射ミラーの有効
面積を適当に小さくすることで、高次のモードの発振を
防止し、単一モード出力の低下を少なくすることができ
る。
と、励起状態の原子数（密度）が基底状態の原子数（密
度）より多くなる状態が生ずる。この状態は、通常の熱
平行状態では成立しないことから、反転分布の状態と言
われる。このような励起状態の原子数より多い反転分布
の状態にあるレーザ媒質中を自然放出光が進むと、誘導
放出過程により光の増幅が行われる。この増幅光は、出
力ミラー１２及び反射ミラー１４から形成される光共振
器の間を往復すると、さらに誘導放出による光増幅が進
む。この誘導放出による光増幅過程によって増える光の
エネルギーが、光共振器内で失われるエネルギーより大
きくなると発振条件が満たされ、レーザ発振が生じる。
このような誘導放出による光増幅の結果、レーザ発振が
生じると、指向性、可干渉性、単色性に優れた強力なレ
ーザ光が光共振器の幅方向に発生する。このとき、周波
数フィルタ（不図示）を設けるか、各反射ミラーの有効
面積を適当に小さくすることで、高次のモードの発振を
防止し、単一モード出力の低下を少なくすることができ
る。
【００３０】ここで、出力ミラー１２は、高反射率のミ
ラー領域と、その一部分の透過率を実質的に上げたハー
フミラー領域（位相シフタ１３）とを形成している。こ
れによって、前記ハーフミラー領域から位相シフタ１３
の形状（例えば、円形、四角形、パターン形状など）に
応じたレーザ光が出力される。このハーフミラー領域を
複数個形成することにより、複数の光出力（レーザビー
ム）を同時に発生させることが可能になる。
ラー領域と、その一部分の透過率を実質的に上げたハー
フミラー領域（位相シフタ１３）とを形成している。こ
れによって、前記ハーフミラー領域から位相シフタ１３
の形状（例えば、円形、四角形、パターン形状など）に
応じたレーザ光が出力される。このハーフミラー領域を
複数個形成することにより、複数の光出力（レーザビー
ム）を同時に発生させることが可能になる。
【００３１】これによって、図示のように、被加工物１
７上に同時に複数の加工を行うことができる。例えば、
従来は１つのドットであったのに対し、パターンの一部
を１回の照射により形成することができるようになる。
例えば、多層基板、アモルファス太陽電池基板などの試
料をＸ−Ｙ移動ステージに搭載し、このステージを移動
させることにより、効率良くパターン加工を行うことが
できる。
７上に同時に複数の加工を行うことができる。例えば、
従来は１つのドットであったのに対し、パターンの一部
を１回の照射により形成することができるようになる。
例えば、多層基板、アモルファス太陽電池基板などの試
料をＸ−Ｙ移動ステージに搭載し、このステージを移動
させることにより、効率良くパターン加工を行うことが
できる。
【００３２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例を基に具体的に説明したが、本発明は、前記実施例
に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例を基に具体的に説明したが、本発明は、前記実施例
に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００３４】すなわち、レーザ媒質の一面に反射ミラー
を配設すると共に他面に出力ミラーを配設したレーザ光
源であって、前記出力ミラーは、高反射率のミラー領域
と、複数のレーザ光を出力すべく実質的に透過率を上げ
た複数のハーフミラー領域とを有するようにしたので、
レーザビームの使用効率を向上させることができると共
に、パターン加工などに適した最適なレーザ光源を得る
ことができる。
を配設すると共に他面に出力ミラーを配設したレーザ光
源であって、前記出力ミラーは、高反射率のミラー領域
と、複数のレーザ光を出力すべく実質的に透過率を上げ
た複数のハーフミラー領域とを有するようにしたので、
レーザビームの使用効率を向上させることができると共
に、パターン加工などに適した最適なレーザ光源を得る
ことができる。
【図１】本発明によるレーザ光源の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明によるレーザ光源の他の実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明によるレーザ加工装置の一実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
１ 基板 ２ 反射ミラー ３ クラッド層 ４ 活性層 ５ 活性領域 ６ クラッド層 ７ 反射ミラー ８ ハーフミラー領域 ８ａ，８ｂ ハーフミラー領域 ９ 位相シフトハーフミラー領域 ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ 位相シフトハーフミラー領域 １０ａ，１０ｂ ミラー領域 １１ レーザ媒質 １２ 出力ミラー １３ 位相シフタ １４ 反射ミラー １５ａ，１５ｂ 透明板 １６ 転写レンズ １７ 被加工物 ｄ 段差 Ｘ 共振器長
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/18 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｓ
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ媒質の一面に反射ミラーを配設す
ると共に他面に出力ミラーを配設したレーザ光源であっ
て、前記出力ミラーは、高反射率のミラー領域と、複数
のレーザ光を出力すべく実質的に透過率を上げた複数の
ハーフミラー領域とを有することを特徴とするレーザ光
源。 - 【請求項２】 前記複数のハーフミラー領域をパターン
形状にしたことを特徴とする請求項１記載のレーザ光
源。 - 【請求項３】 半導体によるレーザ媒質の一面に反射ミ
ラーを配設すると共に他面に出力ミラーを配設したレー
ザ光源であって、出力光の位相をシフトさせるための複
数の位相シフト段差を出力ミラー面に設けたことを特徴
とするレーザ光源。 - 【請求項４】 前記出力ミラーは高反射率のミラー領域
と透過率を実質的に上げた複数のハーフミラー領域とを
有し、かつ前記段差が、ｄ＝λ／２（ただし、λはレー
ザ光の波長）の奇数倍又はこれに実質的に等価であるこ
とを特徴とする請求項３記載のレーザ光源。 - 【請求項５】 請求項１または請求項３のレーザ光源を
用い、この光源から複数のレーザビームをパターン形状
にして取り出し、このパターン形状のレーザビームを対
物レンズで収束して試料に照射することを特徴とするレ
ーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4117083A JPH05315684A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | レーザ光源及びこれを用いたレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4117083A JPH05315684A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | レーザ光源及びこれを用いたレーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315684A true JPH05315684A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14702977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4117083A Pending JPH05315684A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | レーザ光源及びこれを用いたレーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315684A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359432A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ及び表面発光型半導体レーザの製造方法 |
| JP2005026686A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Eastman Kodak Co | 誘電体積層体におけるエッチングされた領域を有機垂直空洞共振器レーザーアレイに提供する方法 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP4117083A patent/JPH05315684A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359432A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ及び表面発光型半導体レーザの製造方法 |
| JP2005026686A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Eastman Kodak Co | 誘電体積層体におけるエッチングされた領域を有機垂直空洞共振器レーザーアレイに提供する方法 |
| JP4584633B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-11-24 | イーストマン コダック カンパニー | 誘電体積層体におけるエッチングされた領域を有機垂直空洞共振器レーザーアレイに提供する方法 |
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