JPH05312552A - バイアホール検査方法 - Google Patents
バイアホール検査方法Info
- Publication number
- JPH05312552A JPH05312552A JP11705792A JP11705792A JPH05312552A JP H05312552 A JPH05312552 A JP H05312552A JP 11705792 A JP11705792 A JP 11705792A JP 11705792 A JP11705792 A JP 11705792A JP H05312552 A JPH05312552 A JP H05312552A
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- JP
- Japan
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- via hole
- area
- pattern
- circuit
- residue
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアホール検査方法に関し，バイアホール
内にポリイミド膜の残渣がある場合でもバイアホールの
面積検査を可能にすることを目的とする。 【構成】 検査対象物に照射した収束レーザ光を走査す
るときに発生する蛍光を検出し，検出された蛍光信号を
高いレベルでスライスして２値化したパターン１と，低
いレベルでスライスして２値化したパターン２の否定と
の論理積を求めて得られるパターンの面積を計測して欠
陥を判断するように構成する。
内にポリイミド膜の残渣がある場合でもバイアホールの
面積検査を可能にすることを目的とする。 【構成】 検査対象物に照射した収束レーザ光を走査す
るときに発生する蛍光を検出し，検出された蛍光信号を
高いレベルでスライスして２値化したパターン１と，低
いレベルでスライスして２値化したパターン２の否定と
の論理積を求めて得られるパターンの面積を計測して欠
陥を判断するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミド薄膜に形成さ
れたバイアホールの欠陥検査方法に関する。セラミック
基板上に形成された多層配線間の層間絶縁膜としてポリ
イミド膜が用いられるが，ポリイミド膜に開けたバイア
ホールが所定位置で所定面積に開口されているかどうか
を検査する必要がある。
れたバイアホールの欠陥検査方法に関する。セラミック
基板上に形成された多層配線間の層間絶縁膜としてポリ
イミド膜が用いられるが，ポリイミド膜に開けたバイア
ホールが所定位置で所定面積に開口されているかどうか
を検査する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】図４(A),(B) は蛍光によるバイアホール
検知の説明図である。図において，１はセラミック基
板, ２は金属配線，３はポリイミド膜，４はバイアホー
ル，５はレーザ光，６は蛍光である。
検知の説明図である。図において，１はセラミック基
板, ２は金属配線，３はポリイミド膜，４はバイアホー
ル，５はレーザ光，６は蛍光である。
【０００３】ポリイミド膜にレーザ光を当てると蛍光が
発生するが，金属配線にレーザ光を当てても蛍光が発生
しないので，この現象を利用してバイアホールとポリイ
ミド膜との識別を行う。蛍光をレーザ光と分離して取り
出すために，図４(B) に示される特性を持つ波長フィル
タを用いる。
発生するが，金属配線にレーザ光を当てても蛍光が発生
しないので，この現象を利用してバイアホールとポリイ
ミド膜との識別を行う。蛍光をレーザ光と分離して取り
出すために，図４(B) に示される特性を持つ波長フィル
タを用いる。
【０００４】図５(A),(B) はバイアホールの検知信号の
例の説明図である。検査対象物にレーザ光を照射するこ
とにより発生する蛍光成分を上記の波長フィルタを用い
て分離し，光センサで検知する。このようにすると，ポ
リイミド膜の上では蛍光の発生により信号強度は大きく
なるが，金属配線の上では蛍光が発生しないので信号強
度は小さくなる。この信号を２つのスライスレベル１，
２で２値化し，高いスライスレベル１でバイアホールの
有無や大きさを検査し，低いスライスレベル２でバイア
ホール内にポリイミド膜の残渣がないかを検査する。
例の説明図である。検査対象物にレーザ光を照射するこ
とにより発生する蛍光成分を上記の波長フィルタを用い
て分離し，光センサで検知する。このようにすると，ポ
リイミド膜の上では蛍光の発生により信号強度は大きく
なるが，金属配線の上では蛍光が発生しないので信号強
度は小さくなる。この信号を２つのスライスレベル１，
２で２値化し，高いスライスレベル１でバイアホールの
有無や大きさを検査し，低いスライスレベル２でバイア
ホール内にポリイミド膜の残渣がないかを検査する。
【０００５】図６は蛍光信号を２値化する回路を示す図
である。図７は従来例によるバイアホールの検査論理の
説明図である。図において，まず，スライスレベル１に
より２値化されたパターン１と，バイアホール位置デー
タと，検査対象物を載せたステージ位置データを用い
て，バイアホール有無判定回路で過剰なバイアホールや
未貫通のバイアホールが存在しないかを検査する。
である。図７は従来例によるバイアホールの検査論理の
説明図である。図において，まず，スライスレベル１に
より２値化されたパターン１と，バイアホール位置デー
タと，検査対象物を載せたステージ位置データを用い
て，バイアホール有無判定回路で過剰なバイアホールや
未貫通のバイアホールが存在しないかを検査する。
【０００６】次に，スライスレベル２により２値化され
たパターン２は面積計測回路に入力され，面積（画素
数）の計測を行う。次いで面積判定回路で計測されたバ
イアホールの面積（Ｓ）と予め設定された最大／最小面
積（Ｓmax ，Ｓmin ）とを比較することにより欠陥の検
出を行う。
たパターン２は面積計測回路に入力され，面積（画素
数）の計測を行う。次いで面積判定回路で計測されたバ
イアホールの面積（Ｓ）と予め設定された最大／最小面
積（Ｓmax ，Ｓmin ）とを比較することにより欠陥の検
出を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８(A),(B) は従来技
術の問題点の説明図である。図のように，バイアホール
の底にポリイミドの残渣がある場合は蛍光検知信号がス
ライスレベル２より上がってしまい，パターン２が検出
できないため，パターン２の面積を計測して欠陥を検出
する検査論理は動作しないで，バイアホールの有無や形
状不良の欠陥を検出する検査論理だけで検査してしまう
ため，本来不良であるべき場合でも正常と判断してしま
うことになる。
術の問題点の説明図である。図のように，バイアホール
の底にポリイミドの残渣がある場合は蛍光検知信号がス
ライスレベル２より上がってしまい，パターン２が検出
できないため，パターン２の面積を計測して欠陥を検出
する検査論理は動作しないで，バイアホールの有無や形
状不良の欠陥を検出する検査論理だけで検査してしまう
ため，本来不良であるべき場合でも正常と判断してしま
うことになる。
【０００８】本発明はバイアホール内にポリイミド膜の
残渣がある場合でもバイアホールの面積検査を可能にす
ることを目的とする。
残渣がある場合でもバイアホールの面積検査を可能にす
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，検査
対象物に照射した収束レーザ光を走査するときに発生す
る蛍光を検出し，検出された蛍光信号を高いレベルでス
ライスして２値化したパターン１と，低いレベルでスラ
イスして２値化したパターン２の否定との論理積を求め
て得られるパターンの面積を計測して欠陥を判断するバ
イアホールの検査方法により達成される。
対象物に照射した収束レーザ光を走査するときに発生す
る蛍光を検出し，検出された蛍光信号を高いレベルでス
ライスして２値化したパターン１と，低いレベルでスラ
イスして２値化したパターン２の否定との論理積を求め
て得られるパターンの面積を計測して欠陥を判断するバ
イアホールの検査方法により達成される。
【００１０】
【作用】本発明は，残渣により検出できないパターン２
を，次式で示されるように，スライスレベル２で２値化
されたパターン２の否定とスライスレベル１で２値化さ
れたパターン１との論理積により求める，求められたパ
ターン２の面積を計測して欠陥で有るかどうかを判定す
るものである。
を，次式で示されるように，スライスレベル２で２値化
されたパターン２の否定とスライスレベル１で２値化さ
れたパターン１との論理積により求める，求められたパ
ターン２の面積を計測して欠陥で有るかどうかを判定す
るものである。
【００１１】（パターン２）＝（パターン２の否定）・
（パターン１） ここで，バイアホール内全面に残渣が残っている場合
は，パターン２は検出できないため２値画像は全面
“０”であるが，その否定は全面“１”である。
（パターン１） ここで，バイアホール内全面に残渣が残っている場合
は，パターン２は検出できないため２値画像は全面
“０”であるが，その否定は全面“１”である。
【００１２】
【実施例】図１(A),(B) は本発明の実施例の説明図であ
る。ポリイミド膜にレーザ光を当てることにより発生す
る蛍光に, スライスレベル１，２でスライスをかけて信
号を２値化する。スライスレベル１，２で２値化された
信号をそれぞれパターン１，２とする。
る。ポリイミド膜にレーザ光を当てることにより発生す
る蛍光に, スライスレベル１，２でスライスをかけて信
号を２値化する。スライスレベル１，２で２値化された
信号をそれぞれパターン１，２とする。
【００１３】パターン１で，バイアホール位置データ11
とステージ位置データ12を用いて，バイアホール有無判
定回路13によりバイアホール有無の検査，また形状検査
論理回路14によりバイアホールの径が基準値より大きい
か小さいかを判定して形状の検査を行う。
とステージ位置データ12を用いて，バイアホール有無判
定回路13によりバイアホール有無の検査，また形状検査
論理回路14によりバイアホールの径が基準値より大きい
か小さいかを判定して形状の検査を行う。
【００１４】パターン２では，バイアホールの底にポリ
イミド膜の残渣が残っていると信号はスライスレベル２
より高くなり２値化することができずパターンがない状
態になる。
イミド膜の残渣が残っていると信号はスライスレベル２
より高くなり２値化することができずパターンがない状
態になる。
【００１５】そこで，残渣領域抽出回路15を用いる。こ
の回路はパターン２の否定を求め，これとパターン１と
の論理積を求める回路である。求められたパターン
〔（パターン１）・（パターン２の否定）〕の面積を面
積計測回路16で計測し，この面積（Ｓ）と予め設定され
た最大面積（Ｓmax ）とを面積判定回路17により比較す
ることにより欠陥の検出を行う。
の回路はパターン２の否定を求め，これとパターン１と
の論理積を求める回路である。求められたパターン
〔（パターン１）・（パターン２の否定）〕の面積を面
積計測回路16で計測し，この面積（Ｓ）と予め設定され
た最大面積（Ｓmax ）とを面積判定回路17により比較す
ることにより欠陥の検出を行う。
【００１６】図１(B) は残渣領域抽出回路図である。図
２(A),(B) は残渣領域抽出回路の原理を説明する図であ
る。図において，(1) はバイアホール内全部に残渣があ
る場合，(2) は一部に残渣がある場合，(3）は正常な場
合である。
２(A),(B) は残渣領域抽出回路の原理を説明する図であ
る。図において，(1) はバイアホール内全部に残渣があ
る場合，(2) は一部に残渣がある場合，(3）は正常な場
合である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば，バイアホール内にポリ
イミド膜の残渣がある場合でもバイアホールの面積検査
が可能になった。
イミド膜の残渣がある場合でもバイアホールの面積検査
が可能になった。
【００１８】すなわち，従来の検査論理ではバイアホー
ルの底に残渣がのこっている場合でも正常と判断してい
たが，本発明では正しく欠陥と判定できるようになっ
た。また，図３に示されるように欠陥の重大さが増すに
つれてパターン２の面積が小さくなり，欠陥と面積が反
比例関係であったが，本発明では欠陥と面積が比例関係
にあり，パターン２の面積が欠陥の重大さを反映するよ
うになった。
ルの底に残渣がのこっている場合でも正常と判断してい
たが，本発明では正しく欠陥と判定できるようになっ
た。また，図３に示されるように欠陥の重大さが増すに
つれてパターン２の面積が小さくなり，欠陥と面積が反
比例関係であったが，本発明では欠陥と面積が比例関係
にあり，パターン２の面積が欠陥の重大さを反映するよ
うになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 残渣領域抽出回路の原理を説明する図
【図３】 本発明の効果を説明する図
【図４】 蛍光によるバイアホール検知の説明図
【図５】 バイアホールの検知信号の例の説明図
【図６】 蛍光信号を２値化する回路を示す図
【図７】 従来例によるバイアホールの検査論理の説明
図
図
【図８】 従来技術の問題点の説明図
１ セラミック基板 ２ 金属配線 ３ ポリイミド膜 ４ バイアホール ５ レーザ光 ６ 蛍光 11 バイアホール位置データ 12 ステージ位置データ 13 バイアホール有無判定回路 14 形状検査論理回路 15 残渣領域抽出回路 16 面積計測回路 17 面積判定回路
Claims (1)
- 【請求項１】 検査対象物に照射した収束レーザ光を走
査するときに発生する蛍光を検出し，検出された蛍光信
号を高いレベルでスライスして２値化したパターン１
と，低いレベルでスライスして２値化したパターン２の
否定との論理積を求めて得られるパターンの面積を計測
して欠陥を判断することを特徴とするバイアホールの検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11705792A JPH05312552A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | バイアホール検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11705792A JPH05312552A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | バイアホール検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05312552A true JPH05312552A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14702363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11705792A Withdrawn JPH05312552A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | バイアホール検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05312552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633376B1 (en) | 1998-08-10 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a printed circuit board |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP11705792A patent/JPH05312552A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633376B1 (en) | 1998-08-10 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a printed circuit board |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |